JP2009170805A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】深さの異なるトレンチを有する半導体装置を、製造コストを低く、製造のばらつきを抑えて形成すること。
【解決手段】SOI基板1に、第1シリコン酸化膜3と、ポリシリコン膜4と、第2シリコン酸化膜5と、をこの順に積層しトレンチマスク層を形成する。ついで、開口部7の形成されたレジストマスクをマスクとして、第2シリコン酸化膜5と、ポリシリコン膜4と、第1シリコン酸化膜3と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去し、さらにレジストマスクを除去する。ついで、開口部9の形成されたレジストマスク8をマスクとして、第2シリコン酸化膜5を除去し、レジストマスク8を除去する。そして、開口部7および開口部9の形成されたトレンチマスク層をマスクとして、エッチングにより深いトレンチと浅いトレンチを形成する。
【選択図】図2−2
【解決手段】SOI基板1に、第1シリコン酸化膜3と、ポリシリコン膜4と、第2シリコン酸化膜5と、をこの順に積層しトレンチマスク層を形成する。ついで、開口部7の形成されたレジストマスクをマスクとして、第2シリコン酸化膜5と、ポリシリコン膜4と、第1シリコン酸化膜3と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去し、さらにレジストマスクを除去する。ついで、開口部9の形成されたレジストマスク8をマスクとして、第2シリコン酸化膜5を除去し、レジストマスク8を除去する。そして、開口部7および開口部9の形成されたトレンチマスク層をマスクとして、エッチングにより深いトレンチと浅いトレンチを形成する。
【選択図】図2−2
Description
この発明は、同一半導体基板に深さの異なるトレンチを形成する半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置を製造する際に、半導体基板に深さの異なるトレンチを形成することがある。例えば、SOI(Silicon on Insulator)基板に、埋め込み酸化膜層まで到達する深いトレンチと、埋め込み酸化膜層まで到達しない浅いトレンチを形成し、それぞれのトレンチにシリコン酸化膜等の絶縁材料を埋め込むことがある。この場合、深いトレンチ内の絶縁材料と埋め込み酸化膜層で素子形成領域を囲むことによって、素子を完全に絶縁分離することができる。また、浅いトレンチ内の絶縁材料によって構成されるシャロートレンチアイソレーション(Shallow Trench Isolation)構造により、素子間の絶縁分離領域が縮小され、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路等を微細化することができる。
図9−1〜図9−6は、従来の半導体装置の製造方法の一例について順に示す断面図である。まず、図9−1に示すように、例えば、SOI基板41の表面に、エッチングマスクとなる、シリコン酸化膜43と、シリコン窒化膜44と、をこの順に積層する。そして、エッチングマスクの、深いトレンチを形成する領域に第1の開口部47を形成する。
ついで、図9−2に示すように、エッチングマスクをマスクとして、異方性エッチングにより、SOI基板41に深いトレンチ50を埋め込み酸化膜層42に到達するように形成する。
ついで、図9−3に示すように、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法により、SOI基板41の表面と、深いトレンチ50内とに、絶縁材料としてシリコン酸化膜52を積層する。
ついで、図9−4に示すように、SOI基板41の表面に積層されたシリコン酸化膜52を、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械研磨)法またはドライエッチングにより除去する。このとき、シリコン窒化膜44がエッチングの停止層としての機能を果たすため、深いトレンチ50内のシリコン酸化膜52が除去されずに残ることとなる。
ついで、図9−5に示すように、シリコン窒化膜に、シリコン酸化膜との選択比が大きい条件によりエッチングをおこなうことで、SOI基板41の表面に形成されたシリコン窒化膜44を除去する。このとき、シリコン酸化膜との選択比が高いため、シリコン酸化膜ではほとんどエッチングが進行しない。したがって、SOI基板41の表面のシリコン酸化膜43と、深いトレンチ50内のシリコン酸化膜52とが除去されずに残ることとなる。
ついで、シリコン酸化膜43の表面にシリコン窒化膜を再度形成し、前述の深いトレンチ50と同様の製造方法により、図9−6に示すように、浅いトレンチ51を形成する。さらに、深いトレンチ50と同様の製造方法により浅いトレンチ51内にシリコン酸化膜53を形成し、深いトレンチ50と浅いトレンチ51とが同一半導体基板に設けられた半導体装置が形成される。
図10−1〜図10−6および図11−1〜図11−3は、従来の半導体装置の製造方法の他の一例について順に示す断面図である(例えば、下記特許文献1参照。)。まず、図10−1に示すように、例えば、SOI基板41の表面に、エッチングマスクとして、第1シリコン酸化膜63と、シリコン窒化膜64と、第2シリコン酸化膜65と、をこの順に積層する。
ついで、図10−2に示すように、深いトレンチを形成する領域(第1領域)および浅いトレンチを形成する領域(第2領域)の、第1シリコン酸化膜63と、シリコン窒化膜64と、第2シリコン酸化膜65と、を除去して、第1の開口部67および第2の開口部69を形成する。これによって、第1の開口部67および第2の開口部69が、SOI基板41に到達することとなる。
ついで、図10−3に示すように、SOI基板41の全面を酸化させて、SOI基板41の、第1の開口部67と第2の開口部69において露出する部分を第3シリコン酸化膜83で覆う。
ついで、第1の開口部67の領域を開口した、図示しないレジストマスクをマスクとして、ドライエッチングをおこない、第1の開口部67においてSOI基板41を覆う第3シリコン酸化膜83を除去した後、レジストマスクを除去する。これによって、第1の開口部67において、図10−4に示すように、SOI基板41が露出する。
ついで、図10−5に示すように、SOI基板41等の単結晶シリコンと、シリコン酸化膜と、の選択比が大きい反応性ガスを用いた第1のトレンチエッチングをおこなう。図10−5においては、選択比が大きいため、シリコン酸化膜ではほとんどエッチングが進行せず、単結晶シリコンにおいてエッチングが進行する。したがって、第1の開口部67においてSOI基板41が除去されて、深いトレンチ70が形成される。このとき、深いトレンチ70が埋め込み酸化膜層42に到達しなくてもよく、深いトレンチ70の底部から埋め込み酸化膜層42までの深さを、後述する第2のトレンチエッチングによって除去される深さにしてもよい。
ついで、単結晶シリコンとシリコン酸化膜との選択比が小さい反応性ガスを用いて第2のトレンチエッチングをおこなう。選択比が小さいため、シリコン酸化膜および単結晶シリコンがともに除去される。したがって、第2の開口部69においてSOI基板41を覆う第3シリコン酸化膜83と、SOI基板41と、が除去されて、図10−6に示すように、浅いトレンチ71が形成される。また、深いトレンチ70においてもSOI基板41が除去されるため、深いトレンチ70が埋め込み酸化膜層42に到達することとなる。
ついで、以下のようにして深さの異なるトレンチにシリコン酸化膜を埋め込む。図11−1に示すように、例えば、CVD法により、SOI基板41の表面と、深いトレンチ70内と、浅いトレンチ71内に、第4シリコン酸化膜72を形成する。
ついで、図11−2に示すように、SOI基板41の表面に形成された第4シリコン酸化膜72を、CMP法またはドライエッチングにより除去する。このとき、シリコン窒化膜64がエッチングの停止層としての機能を果たすため、深いトレンチ70内および浅いトレンチ71内の第4シリコン酸化膜72が除去されずに残ることとなる。
ついで、図11−3に示すように、リン酸系のウェットエッチングをおこないシリコン窒化膜を除去し、さらに、フッ酸系のウェットエッチングをおこない第1シリコン酸化膜を除去する。このようにして、同一半導体基板に深いトレンチ70と浅いトレンチ71が形成され、それらのトレンチが絶縁膜で埋められた構造を有する半導体装置ができる。
また、別の方法としては、マイクロローディング効果を用いて、同一半導体基板に深さの異なるトレンチを同時に形成する方法がある(例えば、下記特許文献2参照。)。マイクロローディング効果とは、基板等にエッチングをおこなう際に、エッチングマスクの開口部の幅が広い領域では、エッチングが早く進行し、エッチングマスクの開口部の幅が狭い領域では、エッチングが遅く進行する効果である。
しかしながら、上述の図9−1〜図9−6に示す半導体装置の製造方法においては、同一半導体基板に、深さの異なるトレンチを別々に形成し、さらに、これらの深さの異なるトレンチに別々に絶縁材料を埋め込まなければならない。このため、製造工程が増え、製造が複雑化するため、製造コストが高くなるといった問題がある。
また、特許文献1の技術では、以下の問題がある。図12−1〜図12−5は、従来の半導体装置の製造方法における問題点について示す断面図である。図12−1に示すように、第1の開口部67においてSOI基板41を覆う第3シリコン酸化膜83を除去する際(図10−4参照)、レジストマスク68の第1の開口部67に対応する領域に、開口部87を形成するときに、開口部87の位置が第1の開口部67の位置とずれたり、開口部87の寸法が第1の開口部67の寸法と異なったりすることがある。その場合、エッチングにより第1の開口部67の第3シリコン酸化膜83を寸法通りに除去することができない。
このため、図12−2および図12−3に示すように、第1の開口部67に形成された第3シリコン酸化膜83の一部が除去されずに残ってしまうことがある。また、エッチングマスクを構成する最上層の第2シリコン酸化膜65において、第1の開口部67以外の領域が除去されてしまうことがある。
その状態で、図10−5において説明した選択比の大きい第1のトレンチエッチングをおこなうと、図12−4に示すように、深いトレンチ70の幅が第1の開口部67の幅より細くなってしまう。
また、図10−6において説明した選択比の小さい第2のトレンチエッチングをおこなうことによって、第1の開口部67において第3シリコン酸化膜83が残った領域と、第2シリコン酸化膜65の第1の開口部67以外で除去された領域と(図12−2参照)、にエッチングが進行する。これによって、図12−5に示すように、深いトレンチ70の形状が所望の形状とは異なる形状になってしまう。
このように、上述の特許文献1の技術では、レジストマスクを形成する際に、レジストマスクの開口部と、基板上に設けられた開口部と、の位置がずれたり、それぞれの開口部の寸法にばらつきが生じたりする。また、上述の特許文献2の技術では、深いトレンチの幅を浅いトレンチの幅より大きくしなければならない。したがって、特許文献1または特許文献2の技術では、同一半導体基板に異なる深さのトレンチを形成する際に、所望の幅または形状のトレンチを形成することが困難であるという問題がある。また、レジストマスクの開口部と、基板上に設けられた開口部と、の位置がずれる可能性のある領域をマージンとして基板に余分に設けておく必要があるため、素子を微細化することができないという問題がある。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、製造コストを低く、製造のばらつきを抑えて形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項1の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に、第1半導体酸化膜と、前記半導体基板とエッチングにおける特性が同様の半導体膜と、前記第1半導体酸化膜とエッチングにおける特性が同様の第2半導体酸化膜と、を順に積層し、トレンチマスク層を形成するトレンチマスク層形成工程と、前記トレンチマスク層の表面に、第1領域が開口された第1マスクを形成する第1マスク形成工程と、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成する第1トレンチパターン形成工程と、前記第1マスクを除去する第1マスク除去工程と、前記トレンチマスク層の表面に、第2領域が開口された第2マスクを形成する第2マスク形成工程と、前記第2マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第2領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜をエッチングにより除去して第2トレンチパターンを形成する第2トレンチパターン形成工程と、前記第2マスクを除去する第2マスク除去工程と、前記第1領域の前記半導体基板に、エッチングにより、第1トレンチを形成するとともに、前記第2領域の前記半導体膜を除去する第1トレンチ形成工程と、前記トレンチマスク層の表面の前記第2半導体酸化膜と、前記第2領域の前記第1半導体酸化膜と、をエッチングにより除去する半導体酸化膜除去工程と、前記第2領域の前記半導体基板に、エッチングにより、所定の深さの第2トレンチを形成するとともに、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体膜を除去する第2トレンチ形成工程と、を含むことを特徴とする。
また、請求項2の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項1に記載の発明において、前記第1トレンチパターン形成工程においては、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれが接する膜との選択比が大きい条件のエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成することを特徴とする。
また、請求項3の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項1または2に記載の発明において、前記第2トレンチ形成工程の後に、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチに絶縁材料を埋め込む埋め込み工程を含むことを特徴とする。
また、請求項4の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に、第1半導体酸化膜と、半導体窒化膜と、前記半導体基板とエッチングにおける特性が同様の半導体膜と、前記第1半導体酸化膜とエッチングにおける特性が同様の第2半導体酸化膜と、を順に積層し、トレンチマスク層を形成するトレンチマスク層形成工程と、前記トレンチマスク層の表面に、第1領域が開口された第1マスクを形成する第1マスク形成工程と、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成する第1トレンチパターン形成工程と、前記第1マスクを除去する第1マスク除去工程と、前記トレンチマスク層の表面に、第2領域が開口された第2マスクを形成する第2マスク形成工程と、前記第2マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第2領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜をエッチングにより除去して第2トレンチパターンを形成する第2トレンチパターン形成工程と、前記第2マスクを除去する第2マスク除去工程と、前記第1領域の前記半導体基板にエッチングにより第1トレンチを形成するとともに、前記第2領域の前記半導体膜を除去する第1トレンチ形成工程と、前記トレンチマスク層の表面の前記第2半導体酸化膜と、前記第2領域の前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をエッチングにより除去する半導体酸化膜除去工程と、前記第2領域の前記半導体基板にエッチングにより所定の深さの第2トレンチを形成するとともに、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体層を除去する第2トレンチ形成工程と、を含むことを特徴とする。
また、請求項5の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項4に記載の発明において、前記第1トレンチパターン形成工程においては、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれが接する膜との選択比が大きい条件のエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成することを特徴とする。
また、請求項6の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項4または5に記載の発明において、前記第2トレンチ形成工程の後に、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチに絶縁材料を埋め込む埋め込み工程と、前記埋め込み工程によって、前記トレンチマスク層の表面に形成された前記絶縁材料を除去する絶縁材料除去工程と、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体窒化膜を除去する半導体窒化膜除去工程と、を含むことを特徴とする。
また、請求項7の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項6に記載の発明において、前記絶縁材料除去工程においては、化学機械研磨処理またはドライエッチングにより、前記トレンチマスク層の表面に形成された前記絶縁材料を除去することを特徴とする。
請求項8の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項1〜7のいずれか一つに記載の発明において、前記半導体基板は、支持基板の上に、埋め込み酸化膜層によって電気的に絶縁された活性層を有することを特徴とする。
請求項9の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項8に記載の発明において、前記第2トレンチ形成工程において、前記第2領域の前記半導体基板に、エッチングにより、第2トレンチを前記埋め込み酸化膜層まで到達しない深さに形成するとともに、前記第1領域に形成された第1トレンチをエッチングにより前記埋め込み酸化膜層まで到達する深さまで形成し、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体膜をエッチングにより除去することを特徴とする。
請求項10の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項1〜9のいずれか一つに記載の発明において、前記半導体基板は、シリコンでできていることを特徴とする。
請求項11の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項10に記載の発明において、前記半導体膜は、ポリシリコンでできていることを特徴とする。
請求項12の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項10に記載の発明において、前記半導体膜は、アモルファスシリコンでできていることを特徴とする。
請求項13の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項10〜12のいずれか一つに記載の発明において、前記第1半導体酸化膜および前記第2半導体酸化膜は、シリコン酸化膜であり、前記半導体窒化膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする。
上記各発明によれば、同一半導体基板に深さの異なるトレンチを形成する際に、それぞれのトレンチをそれぞれ1つのトレンチパターンのみで規定することができる。このため、深さの異なるトレンチを、製造のばらつきを抑えて形成することができる。
また、請求項3、請求項6および請求項7に記載の発明によれば、同一半導体基板の深さの異なる第1トレンチおよび第2トレンチに、同時に絶縁材料を埋め込むことができる。このため、スループットが向上し、半導体装置を低い製造コストで形成することができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、製造コストを低く、製造のばらつきを抑えた半導体装置を形成することができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(実施の形態1)
図1−1〜図4−2を用いて、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態1においては、半導体基板として、シリコン基板であるSOI基板を用い、このSOI基板に、埋め込み酸化膜層まで到達する深いトレンチと、埋め込み酸化膜層まで到達しない浅いトレンチと、を形成する例について説明する。
図1−1〜図4−2を用いて、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態1においては、半導体基板として、シリコン基板であるSOI基板を用い、このSOI基板に、埋め込み酸化膜層まで到達する深いトレンチと、埋め込み酸化膜層まで到達しない浅いトレンチと、を形成する例について説明する。
図1−1に示すように、SOI基板1の表面に、LP−CVD法(減圧CVD法)等の成膜処理により、第1シリコン酸化膜3と、ポリシリコン膜4と、第2シリコン酸化膜5と、をこの順に積層してトレンチマスク層を形成する。ここで、例えば、第1シリコン酸化膜3の厚さを400nm、ポリシリコン膜4の厚さを200nm、第2シリコン酸化膜5の厚さを400nm程度に形成する。なお、ポリシリコン膜4は、例えば、アモルファスシリコン膜でもよい。ついで、図1−2に示すように、第2シリコン酸化膜5の表面にレジストを塗布して、深いトレンチを形成する領域(第1領域)に開口部7を形成する。これにより、第1レジストマスク6が形成される。
ついで、図1−3に示すように、第1レジストマスク6をマスクとして、異方性エッチングにより第2シリコン酸化膜5を除去する。このとき、第2シリコン酸化膜5に、ポリシリコン膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、ポリシリコン膜4がエッチングの停止層となる。したがって、開口部7の底部にポリシリコン膜4が露出することで、エッチングの進行が停止する。
ついで、図1−4に示すように、第1レジストマスク6をマスクとして、異方性エッチングによりポリシリコン膜4を除去する。このとき、ポリシリコン膜4に、シリコン酸化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、第1シリコン酸化膜3がエッチングの停止層となる。したがって、開口部7の底部に第1シリコン酸化膜3が露出することで、エッチングの進行が停止する。
ついで、図1−5に示すように、第1レジストマスク6をマスクとして、異方性エッチングにより第1シリコン酸化膜3を除去する。このとき、第1シリコン酸化膜3に、シリコン基板との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、SOI基板1のシリコン層がエッチングの停止層となる。したがって、開口部7の底部にSOI基板1のシリコン層が露出することで、エッチングの進行が停止する。ついで、第1レジストマスク6を除去する。このようにして、図1−6に示すように、トレンチマスク層に深いトレンチを形成するための第1トレンチパターンが形成される。
つぎに、図2−1に示すように、第2シリコン酸化膜5および開口部7の表面に再度レジストを塗布して、浅いトレンチの形成領域(第2領域)に開口部9を形成する。これにより、第2レジストマスク8が形成される。
ついで、図2−2に示すように、第2レジストマスク8をマスクとして、異方性エッチングにより第2シリコン酸化膜5を除去する。このとき、第2シリコン酸化膜5に、ポリシリコン膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、ポリシリコン膜4がエッチングの停止層となる。したがって、開口部9の底部にポリシリコン膜4が露出することで、エッチングの進行が停止する。ついで、第2レジストマスク8を除去する。
これによって、図2−3に示すように、開口部7の底部にSOI基板1のシリコン層が露出されて、さらに開口部9の底部にポリシリコン膜4が露出されたトレンチマスク層が形成される。このようにして、トレンチマスク層に、浅いトレンチを形成するための第2トレンチパターンが形成される。
つぎに、図3−1に示すように、図2−3において第1トレンチパターンおよび第2トレンチパターンの形成されたトレンチマスク層をマスクとして、異方性エッチングにより、SOI基板1の開口部7の領域に深いトレンチ(第1トレンチ)10を形成する。このとき、SOI基板1のシリコン層に、シリコン酸化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、第2シリコン酸化膜5が露出しているトレンチマスク層の表面では、ほとんどエッチングが進行しない。また、開口部7の側壁には、ポリシリコン膜4が露出しているが、異方性エッチングによりエッチングをおこなうため、開口部7の側壁と垂直な方向には、エッチングが進行しない。
また、図3−1においては、深いトレンチ10の深さを、埋め込み酸化膜層2に到達する深さまで形成してもよいし、深いトレンチ10の底部から埋め込み酸化膜層2までの距離が、後述する浅いトレンチを形成する際にエッチングが進行する深さ未満となるように、エッチングを停止してもよい。このように、深いトレンチ10が第1レジストマスク6のみで規定される。
一方、SOI基板1のトレンチ形成部分とポリシリコン膜4はともにシリコンでできているため、図3−1において、SOI基板1にエッチングをおこなう際に、ポリシリコン膜4でもエッチングが進行する。したがって、開口部9においては、第2シリコン酸化膜5をマスクとして、ポリシリコン膜4が除去される。また、シリコン酸化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうため、第1シリコン酸化膜3がエッチングの停止層となる。したがって、開口部9においては、第1シリコン酸化膜3が露出することで、エッチングの進行が停止する。
ついで、開口部9の底部の第1シリコン酸化膜3および第2シリコン酸化膜5を、異方性エッチングにより除去する。このとき、第1シリコン酸化膜3および第2シリコン酸化膜5を、シリコン基板およびポリシリコン膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、SOI基板1のシリコン層およびポリシリコン膜4がエッチングの停止層となる。したがって、図3−2に示すように、開口部9にSOI基板1のシリコン層が露出することで、また、トレンチマスク層の表面にポリシリコン膜4が露出することで、エッチングの進行が停止する。また、深いトレンチ10の底部にはSOI基板1のシリコン層が露出しているためエッチングが進行せず、深いトレンチ10の形状が保持される。
ついで、第1シリコン酸化膜3およびポリシリコン膜4からなるトレンチマスク層をマスクとして、異方性エッチングによりシリコン酸化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこない、SOI基板1の開口部9の領域に所定の深さの浅いトレンチ(第2トレンチ)11を形成する。このように、浅いトレンチ11が第2レジストマスク8(図2−1参照)のみで規定される。このとき、開口部7の底部のSOI基板1のシリコン層にもエッチングが進行する。ここで、図3−1に示すように、深いトレンチ10の底部から埋め込み酸化膜層2までの距離が、浅いトレンチ11を形成する際にエッチングが進行する深さ未満となるように形成されている場合には、深いトレンチ10の底部が埋め込み酸化膜層2に到達することとなる。
また、SOI基板1のシリコン層と同時にポリシリコン膜4が除去される。また、ポリシリコン膜4に、シリコン酸化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうため、第1シリコン酸化膜3がエッチングの停止層となる。したがって、図3−3に示すように、トレンチマスク層の表面に第1シリコン酸化膜3が露出することで、エッチングの進行が停止する。このように、トレンチ形成部分以外では、エッチングがSOI基板1のシリコン層まで進行しないため、SOI基板1のシリコン層のエッチングによる損傷を防止することができる。
つぎに、図4−1に示すように、例えば、LP−CVD法により、基板全面に所定の膜厚の第3シリコン酸化膜(絶縁材料)12を堆積する。これにより、深いトレンチ10内および浅いトレンチ11内に第3シリコン酸化膜12が埋め込まれる。
ついで、CMP法またはドライエッチングにより基板表面の第3シリコン酸化膜12を除去する。これにより、図4−2に示すように、深いトレンチ10内および浅いトレンチ11内に第3シリコン酸化膜12が残る。このようにして、深いトレンチ10と浅いトレンチ11に同時に絶縁材料を埋め込むことができる。
また、第3シリコン酸化膜12が埋め込まれた深いトレンチ10の底部が、埋め込み酸化膜層2まで到達しているため、この領域において素子が完全に絶縁分離される。したがって、深いトレンチ10によって低耐圧素子と隔てることで高耐圧素子を形成することができる。また、同時に形成された浅いトレンチ11を用いて動作電圧の低い低耐圧素子を形成することができる。これによって、同一の半導体基板上に、多様な素子を混載させることができる。
実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法によれば、同一半導体基板に深さの異なるトレンチを形成する際に、それぞれのトレンチがそれぞれ1つのレジストマスクにより規定される。このため、トレンチを製造する際の寸法や形状のばらつきを防止することができる。また、この方法によれば、同一半導体基板に形成された深さの異なるトレンチに、同時に絶縁材料を埋め込むことができる。さらに、トレンチの形成過程で、トレンチマスク層のポリシリコン膜が除去されるため、ポリシリコン膜を除去する工程を省くことができる。したがって、半導体装置の製造方法における工程が少なくなり、製造コストを低くすることができる。
(実施の形態2)
つぎに、図5−1〜図8−3を用いて、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図5−1〜図8−3は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法は、トレンチマスク層として、第1シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜と、ポリシリコン膜と、第2シリコン酸化膜と、がこの順に積層されたものを用いる。
つぎに、図5−1〜図8−3を用いて、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図5−1〜図8−3は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法は、トレンチマスク層として、第1シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜と、ポリシリコン膜と、第2シリコン酸化膜と、がこの順に積層されたものを用いる。
図5−1に示すように、SOI基板1の表面に、LP−CVD法(減圧CVD法)等の成膜処理により、第1シリコン酸化膜23と、シリコン窒化膜34と、ポリシリコン膜24と、第2シリコン酸化膜25と、をこの順に積層してトレンチマスク層を形成する。ここで、例えば、第1シリコン酸化膜23の厚さを20nm、シリコン窒化膜34の厚さを150nm、ポリシリコン膜24の厚さを200nm、第2シリコン酸化膜25の厚を400nm程度に形成する。なお、ポリシリコン膜24は、例えば、アモルファスシリコン膜でもよい。
ついで、図5−2に示すように、実施の形態1と同様の方法で、第1レジストマスク26を形成する。第1レジストマスク26には、深いトレンチを形成する領域に開口部27が設けられている。ついで、実施の形態1と同様の方法で、第1レジストマスク26をマスクとして、図5−3に示すように、第2シリコン酸化膜25を除去する。
ついで、図5−4に示すように、第1レジストマスク26をマスクとして、異方性エッチングによりポリシリコン膜24を除去する。このとき、ポリシリコン膜24に、シリコン窒化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、シリコン窒化膜34がエッチングの停止層となる。したがって、開口部27の底部にシリコン窒化膜34が露出することで、エッチングの進行が停止する。
ついで、図5−5に示すように、第1レジストマスク26をマスクとして、異方性エッチングによりシリコン窒化膜34および第1シリコン酸化膜23を除去する。ここで、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜のエッチングレートは、異方性エッチングにおいては、ほぼ同じ特性を有するとみなされる。このため、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜に、シリコン基板との選択比の大きい条件でエッチングをおこなうことで、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜においてエッチングが進行し、SOI基板1のシリコン層がエッチングの停止層となる。したがって、開口部27にSOI基板1のシリコン層が露出することで、エッチングの進行が停止する。ついで、第1レジストマスク26を除去する。このようにして、図5−6に示すように、トレンチマスク層に深いトレンチを形成するための第1トレンチパターンが形成される。
つぎに、図6−1に示すように、実施の形態1と同様の方法で、第2レジストマスク28を形成する。第2レジストマスク28には、浅いトレンチを形成する領域に開口部29が設けられている。ついで、第2レジストマスク28をマスクとして、図6−2に示すように、第2シリコン酸化膜25を除去する。ついで、第2レジストマスク28を除去する。このようにして、図6−3に示すように、トレンチマスク層に、浅いトレンチを形成するための第2トレンチパターンが形成される。
つぎに、図7−1に示すように、図6−3において第1トレンチパターンおよび第2トレンチパターンの形成されたトレンチマスク層をマスクとして、実施の形態1と同様に、異方性エッチングによりSOI基板1のシリコン層の開口部27の領域に深いトレンチ30を形成する。また、同時に開口部29の底部のポリシリコン膜24を除去する。このとき、SOI基板1に、シリコン窒化膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなう。シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とのエッチングレートはほぼ同じであるため、シリコン窒化膜34および第2シリコン酸化膜25が露出している表面では、ほとんどエッチングが進行しない。
ついで、開口部29の底部の第1シリコン酸化膜23およびシリコン窒化膜34と、トレンチマスク層の表面の第2シリコン酸化膜25とを、異方性エッチングにより除去する。このとき、第1シリコン酸化膜23、シリコン窒化膜34および第2シリコン酸化膜25に、シリコン基板およびポリシリコン膜との選択比が大きい条件によってエッチングをおこなうことで、SOI基板1のシリコン層およびポリシリコン膜24がエッチングの停止層となる。このため、図7−2に示すように、開口部29にSOI基板1のシリコン層が露出することで、また、トレンチマスク層の表面の全面にポリシリコン膜24が露出することで、エッチングの進行が停止する。また、深いトレンチ30の底部にはSOI基板1のシリコン層が露出しているためエッチングが進行せず、深いトレンチ30の形状が保持される。
ついで、第1シリコン酸化膜23、シリコン窒化膜34およびポリシリコン膜24からなるトレンチマスク層をマスクとして、異方性エッチングによりシリコン窒化膜との選択比が大きい条件によって、SOI基板1のシリコン層の開口部29の領域に所定の深さの浅いトレンチを形成する。また、トレンチマスク層の表面のポリシリコン膜24を除去する。さらに、このとき、開口部27の底部のSOI基板1のシリコン層でもエッチングが進行する。このようにして、図7−3に示すように、所定の深さの浅いトレンチ31が形成されて、深いトレンチ30が埋め込み酸化膜層2に到達する。
つぎに、図8−1に示すように、例えば、LP−CVD法により、基板全面に所定の膜厚の第3シリコン酸化膜(絶縁材料)32を堆積する。これにより、深いトレンチ30内および浅いトレンチ31内に第3シリコン酸化膜32が埋め込まれる。
ついで、CMP法またはドライエッチングにより基板表面の第3シリコン酸化膜32を除去することで、図8−2に示すように、深いトレンチ30内および浅いトレンチ31内に第3シリコン酸化膜32が残る。ここで、CMP法によりシリコン酸化膜を研磨する場合、シリコン窒化膜と、シリコン酸化膜との、研磨の速度が異なり、シリコン酸化膜よりもシリコン窒化膜の方が削られにくい。このため、基板表面にシリコン窒化膜34が露出すると、研磨の速度が遅くなる。したがって、シリコン窒化膜34が露出したときにエッチングを停止することが容易となる。また、ドライエッチングの場合、シリコン酸化膜に、シリコン窒化膜との選択比が大きい条件でエッチングをおこなうことにより、シリコン窒化膜34がエッチングの停止層となる。したがって、表面にシリコン窒化膜34が露出することで、エッチングの進行が停止する。
ついで、リン酸系のウェットエッチングによりシリコン窒化膜34を除去する。ここで、リン酸系のウェットエッチングでは、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜との選択比が大きいため、シリコン酸化膜ではほとんどエッチングが進行しない。このため、図8−3に示すように、基板表面に第1シリコン酸化膜23および第3シリコン酸化膜32が露出するとエッチングの進行が停止する。したがって、SOI基板1のエッチングによる損傷を防止することができる。このようにして、深いトレンチ30と浅いトレンチ31に、同時に絶縁材料を埋め込むことができる。
また、シリコン窒化膜34を除去した後、さらに、第1シリコン酸化膜23を除去することにより、すでにトレンチが設けられた基板に、素子を形成することができる。したがって、例えば、トレンチを形成する際の熱処理より耐熱の低い素子を形成する場合でも、同一半導体基板に深さの異なるトレンチを形成することができる。
実施の形態2によれば、第1シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜と、ポリシリコン膜と、第2シリコン酸化膜と、をこの順に積層したトレンチマスク層を用いても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。さらに、トレンチの形成過程で、トレンチマスク層のポリシリコン膜およびシリコン窒化膜が除去されるため、ポリシリコン膜およびシリコン窒化膜を除去する工程を省くことができる。
なお、実施の形態1および実施の形態2においては、SOI基板を用いた例について説明したが、SOI基板以外のシリコン基板を用いても、同様の効果を得ることができる。また、シリコン以外の半導体でできた基板を用いても、同様の効果を得ることができる。
以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板にトレンチを形成することに有用であり、特に、同一半導体基板に異なる深さのトレンチを形成することに適している。
1 SOI基板
2 埋め込み酸化膜層
3 第1シリコン酸化膜
4 ポリシリコン膜
5 第2シリコン酸化膜
6 第1レジストマスク
7,9 開口部
8 第2レジストマスク
10 深いトレンチ
11 浅いトレンチ
12 第3シリコン酸化膜(絶縁材料)
2 埋め込み酸化膜層
3 第1シリコン酸化膜
4 ポリシリコン膜
5 第2シリコン酸化膜
6 第1レジストマスク
7,9 開口部
8 第2レジストマスク
10 深いトレンチ
11 浅いトレンチ
12 第3シリコン酸化膜(絶縁材料)
Claims (13)
- 半導体基板の表面に、第1半導体酸化膜と、前記半導体基板とエッチングにおける特性が同様の半導体膜と、前記第1半導体酸化膜とエッチングにおける特性が同様の第2半導体酸化膜と、を順に積層し、トレンチマスク層を形成するトレンチマスク層形成工程と、
前記トレンチマスク層の表面に、第1領域が開口された第1マスクを形成する第1マスク形成工程と、
前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成する第1トレンチパターン形成工程と、
前記第1マスクを除去する第1マスク除去工程と、
前記トレンチマスク層の表面に、第2領域が開口された第2マスクを形成する第2マスク形成工程と、
前記第2マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第2領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜をエッチングにより除去して第2トレンチパターンを形成する第2トレンチパターン形成工程と、
前記第2マスクを除去する第2マスク除去工程と、
前記第1領域の前記半導体基板に、エッチングにより、第1トレンチを形成するとともに、前記第2領域の前記半導体膜を除去する第1トレンチ形成工程と、
前記トレンチマスク層の表面の前記第2半導体酸化膜と、前記第2領域の前記第1半導体酸化膜と、をエッチングにより除去する半導体酸化膜除去工程と、
前記第2領域の前記半導体基板に、エッチングにより、所定の深さの第2トレンチを形成するとともに、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体膜を除去する第2トレンチ形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1トレンチパターン形成工程においては、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれが接する膜との選択比が大きい条件のエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2トレンチ形成工程の後に、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチに絶縁材料を埋め込む埋め込み工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面に、第1半導体酸化膜と、半導体窒化膜と、前記半導体基板とエッチングにおける特性が同様の半導体膜と、前記第1半導体酸化膜とエッチングにおける特性が同様の第2半導体酸化膜と、を順に積層し、トレンチマスク層を形成するトレンチマスク層形成工程と、
前記トレンチマスク層の表面に、第1領域が開口された第1マスクを形成する第1マスク形成工程と、
前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成する第1トレンチパターン形成工程と、
前記第1マスクを除去する第1マスク除去工程と、
前記トレンチマスク層の表面に、第2領域が開口された第2マスクを形成する第2マスク形成工程と、
前記第2マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第2領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜をエッチングにより除去して第2トレンチパターンを形成する第2トレンチパターン形成工程と、
前記第2マスクを除去する第2マスク除去工程と、
前記第1領域の前記半導体基板にエッチングにより第1トレンチを形成するとともに、前記第2領域の前記半導体膜を除去する第1トレンチ形成工程と、
前記トレンチマスク層の表面の前記第2半導体酸化膜と、前記第2領域の前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をエッチングにより除去する半導体酸化膜除去工程と、
前記第2領域の前記半導体基板にエッチングにより所定の深さの第2トレンチを形成するとともに、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体層を除去する第2トレンチ形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1トレンチパターン形成工程においては、前記第1マスクをマスクとして、前記トレンチマスク層の前記第1領域に対応する領域の、前記第2半導体酸化膜と、前記半導体膜と、前記半導体窒化膜および前記第1半導体酸化膜と、をこの順にそれぞれが接する膜との選択比が大きい条件のエッチングにより除去して第1トレンチパターンを形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2トレンチ形成工程の後に、前記第1トレンチおよび前記第2トレンチに絶縁材料を埋め込む埋め込み工程と、
前記埋め込み工程によって、前記トレンチマスク層の表面に形成された前記絶縁材料を除去する絶縁材料除去工程と、
前記トレンチマスク層の表面の前記半導体窒化膜を除去する半導体窒化膜除去工程と、
を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁材料除去工程においては、化学機械研磨処理またはドライエッチングにより、前記トレンチマスク層の表面に形成された前記絶縁材料を除去することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、支持基板の上に、埋め込み酸化膜層によって電気的に絶縁された活性層を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2トレンチ形成工程において、前記第2領域の前記半導体基板に、エッチングにより、第2トレンチを前記埋め込み酸化膜層まで到達しない深さに形成するとともに、前記第1領域に形成された第1トレンチをエッチングにより前記埋め込み酸化膜層まで到達する深さまで形成し、前記トレンチマスク層の表面の前記半導体膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、シリコンでできていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体膜は、ポリシリコンでできていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体膜は、アモルファスシリコンでできていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体酸化膜および前記第2半導体酸化膜は、シリコン酸化膜であり、前記半導体窒化膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2008009836A JP2009170805A (ja) | 2008-01-18 | 2008-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9473209B2 (en) | 2008-08-20 | 2016-10-18 | Intel Corporation | Wireless power transfer apparatus and method thereof |
WO2020017384A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN114361099A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-04-15 | 苏州芯镁信电子科技有限公司 | 一种深硅刻蚀方法 |
-
2008
- 2008-01-18 JP JP2008009836A patent/JP2009170805A/ja active Pending
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WO2020017384A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
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