JP2008309354A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る熱処理装置10は、被処理物Wを熱処理する熱処理部20と、空気を加熱して循環させる空気調整部30と、で構成される断熱炉11を備え、この断熱炉11は、被処理物Wを熱処理する際に発生する昇華物を分解可能な光触媒手段31を有し、この光触媒手段31は、光が照射され且つ断熱炉11内を循環する空気と接触する位置に配置されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
11 断熱炉
20 熱処理部
31 光触媒手段
30 空気調整部
32 採光手段
35 導入管(吸気ダクト)
W 被処理物(ワーク)
Claims (15)
- 被処理物を熱処理する熱処理部と空気を加熱して循環させる空気調整部とで構成される断熱炉を備え、
この断熱炉は、前記被処理物を熱処理する際に発生する昇華物を分解可能な光触媒手段と、外部からの光を前記断熱炉内に採光する採光手段と、を有し、
前記光触媒手段は、前記採光手段によって採光された光が照射され且つ前記循環する空気と接触する位置に配置されることを特徴とする熱処理装置。 - 前記採光手段は、空気調整部内に外部からの光を採光するよう、前記断熱炉の空気調整部側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 光を照射する光線照射手段を前記断熱炉の外部にさらに備え、前記光照射手段は、前記採光手段を介して前記光触媒手段に光を照射できるように配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱処理装置。
- 前記採光手段は、前記断熱炉内と外部とを連通するように穿設された開口に嵌め込まれる耐熱ガラスで構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記耐熱ガラスは、前記採光した光が照射される範囲を広げるようなレンズに形成されることを特徴とする請求項4に記載の熱処理装置。
- 前記採光手段は、一端が前記断熱炉内で他端が外部となるように配設された耐熱性を有する導光管で構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記導光管の一端にレンズが設けられ、該レンズは、前記導光管の他端で採光した光が照射される範囲を広げるように構成されることを特徴とする請求項6に記載の熱処理装置。
- 前記導光管は、光ファイバで構成されることを特徴とする請求項6又は7に記載の熱処理装置。
- 被処理物を熱処理する熱処理部と空気を加熱して循環させる空気調整部とで構成される断熱炉を備え、
この断熱炉は、前記被処理物を熱処理する際に発生する昇華物を分解可能な光触媒手段と光を照射する光照射手段とを有し、
前記光触媒手段は、前記光照射手段によって光が照射され且つ前記循環する空気と接触する位置に配置されることを特徴とする熱処理装置。 - 前記空気調整部は、断熱炉外から空気を導入する導入管が接続され、前記光照射手段は、前記空気調整部内に光を照射するように前記導入管内に配置されることを特徴とする請求項9に記載の熱処理装置。
- 照射された光を所定位置に配置される光触媒手段に向けて反射する反射手段を前記断熱炉内にさらに備えることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記反射手段は、光触媒機能も有することを特徴とする請求項11に記載の熱処理装置。
- 前記光触媒手段は、板状体の表面に光触媒機能を有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記光触媒手段は、綿状体又はメッシュ状体の表面に光触媒が担持された構成を有し、前記循環する空気がその内部を通過するように配置されることを特徴とする請求項3、9、10のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記光照射手段は複数配置され、これら複数の光照射手段は、異なる方向から前記光触媒手段に光を照射するようにそれぞれ配置されることを特徴とする請求項14に記載の熱処理装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017034230A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285623A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-10-19 | Ebara Corp | 気体の清浄化方法及び装置 |
JP2001338853A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Ebara Corp | 半導体の製造方法 |
JP2004251534A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
JP2005071632A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
JP2006017357A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Espec Corp | 熱処理装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285623A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-10-19 | Ebara Corp | 気体の清浄化方法及び装置 |
JP2001338853A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Ebara Corp | 半導体の製造方法 |
JP2004251534A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
JP2005071632A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
JP2006017357A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Espec Corp | 熱処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017034230A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体 |
JP2017058087A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 本田技研工業株式会社 | 乾燥装置 |
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