JP2005071632A - プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】循環する熱風に含まれる有機成分を熱風供給量を減少させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく、循環する熱風に含まれる有機成分を除去することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化手段１５で分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できる。
【選択図】 図２
【解決手段】ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化手段１５で分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できる。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）の製造における強制対流方式による焼成・乾燥工程を改良したＰＤＰ製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のＰＤＰ製造方法に用いられるＰＤＰの製造装置としてＰＤＰの平面ガラス基板上に形成される誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリットを焼成する平面ガラス焼成炉がある。この誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリットは、ガラス粉末にバインダー樹脂を添加したペースト又はグリーンシートとし、これを任意の形状に形成してこの焼成炉で焼成されることとなる。
【０００３】
この従来のＰＤＰ製造装置としての平面ガラス基板用連続式焼成炉として特開２００２−２４３３６８公報に開示されるものがあり、これを図８及び図９に示す。同図において従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉は、炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエアタイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御用ダンパ１１６を有するクリーンエアー供給管１０１ａと排気量制御用ダンパ１１７を有する炉内雰囲気排気管１０１ｂを接続し、かつ、ゾーン内温度が２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾーン内にそれぞれ雰囲気循環通路１０９を形成するバッフル１０７およびこの雰囲気循環通路１０９中に循環ファン１１１と加熱手段１１０を配設し、前記バッフル１０７内への循環雰囲気入口部に耐熱フィルタ１１２を配置した構成である。
【０００４】
このように従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉は、ゾーン内温度２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側ゾーンのうち少なくとも樹脂バインダーから多量にパーティクルが発生する装入側ゾーンに設けたバッフル１０７への循環雰囲気入口部にのみ高価な耐熱フィルタ１１２を設け、他のゾーンには耐熱フィルタ１１２を設けないため、それだけ装置が安価である。
また、前記循環雰囲気入口部に耐熱フィルタ１１２を設けると、流通抵抗が増加し循環ファン１１１の能力を増大する必要があるが、殆どのゾーンに耐熱フィルタ１１２を設けないため循環ファン１１１も安価なものとなる。また、平面ガラス基板１００を水平に保持し、各ゾーン毎にタクト送りとするため、平面ガラス基板１００の一部が隣接ゾーンに位置することがなく均熱化を図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＰＤＰ製造装置としての平面ガラス基板用連続式焼成炉は以上のように構成されていたことから、隔壁、蛍光体、誘電体層、シールフリットを焼成することにより発生したパーティクルを耐熱フィルタで除去しようとするものであるが、前記焼成時に、隔壁、蛍光体、誘電体層、シールフリットに含まれるバインダー樹脂から発生する有機成分ガスについては全く除去できないという課題を有する。特に、有機成分が所定の粒径を有するパーティクル化した場合に、このパーティクルが微小化すると耐熱フィルタの濾過度も微小化しなければならないことから、耐熱フィルタの流通抵抗が大きくなり、十分な熱風の供給ができないという課題を有する。
【０００６】
また、前記耐熱フィルタの濾過度を大きくして流通抵抗を小さくすると、前記パーティクルの微小部分が除去できないことになる。即ち、加熱方式が循環式強制対流方式である場合は、平面ガラス基板１００より脱離排出されて除去できない微小部分のパーティクルを含む有機性ガスが循環し再び炉内に投入されることから、炉内の有機性ガスの成分濃度が一定値に収束しなくなり、徐々に高くなる。炉内の有機成分濃度が高くなると、ＰＤＰ構成物中（誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット）に含まれる樹脂バインダーの焼成分解効率が低下する（即ち、樹脂バインダー除去が不完全な状態に陥る）。そのため、樹脂バインダー或いはその不完全燃焼分が焼成後も残留してしまい、誘電体層の透過率低下、蛍光体の発光率低下等の障害が発生するという課題を有する。
【０００７】
一方、炉内の有機性ガス成分の濃度を低くするためには、大量に新しいエアを常時炉内に投入する方法が挙げられるが、この方法では新しく投入したエアの量だけ余分に熱エネルギーを与えないとならないのでエネルギー効率が悪いという課題を有する。
【０００８】
本発明は、前記課題を解消するためになされたもので、循環する熱風に含まれる有機成分ガスを確実に除去できると共に、熱風の供給量を減少させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく、循環する熱風に含まれる有機成分を除去することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解するものである。このように本発明においては、ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できる。
【００１０】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が触媒により反応を促すものである。このように本発明においては、有機成分の酸化分解処理を触媒を介して実行することにより、焼成工程及び乾燥工程という共に高温を伴う条件でより一層の触媒作用が活性化されることとなり、有機成分の分解除去を効率的に行える。
【００１１】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で実行されるものである。このように本発明においては、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、最も有機成分を発生する過程で除去できることとなり、加熱以降の高温維持領域及び冷却領域での有機成分による燃焼効率の低下を防止できる。
【００１２】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で実行されるものである。このように本発明においては、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、炉内雰囲気に含まれる有機成分ガスを確実に除去できることとなり、循環する熱風に有機成分が含まれることをより確実に防止できる。
【００１３】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造装置において、前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解する酸化手段を備えるものである。
【００１４】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が触媒により酸化分解反応を促すものである。
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で酸化分解反応を行うものである。
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で酸化分解反応を行うものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（本発明の第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置をその製造方法と共に、図１ないし図４に基づいて説明する。この図１は本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置の全体概略構成図、図２は図１記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＡ−Ａ線断面図、図３は図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＢ−Ｂ線断面図、図４は図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置における各処理領域の温度分布図を示す。
【００１６】
前記各図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、加熱領域Ｉ・高温維持領域ＩＩ・冷却領域ＩＩＩの各領域毎に複数に区分されてなる複数の炉１からなりこの各炉１が個別に独立して熱風を強制対流方式により循環させる構成である。
【００１７】
前記炉１は、ＰＤＰの平面ガラス基板１００を収納して焼成又は乾燥させる収納部１１と、この収納部１１に熱風を循環させる循環経路１２と、この循環経路１２中に配設され、収納部１１に熱風ガスを加熱生成するヒータ１３と、前記ヒータ１３で加熱生成された熱風ガスを循環経路１２内で強制対流により循環させるファン１４と、前記ヒータ１３及びファン１４の間における循環経路１２中に配設され、収納部１１の平面ガラス基板１００を焼成又は乾燥することにより発生した有機成分を酸化分解する酸化手段１５とを備える構成である。この酸化手段１５は、酸化分解反応を促す活性物質として触媒を用い、この触媒として白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジューム（Ｐｄ）、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ２、ＭｕＯ等が用いられる。
【００１８】
前記収納部１１は、循環経路１２からの清浄な熱風ガスが供給される供給口１１ａと、収納された平面ガラス基板１００を焼成又は乾燥した後の有機成分を含む汚染された汚染熱風ガスを排出する排出口１１ｂとを備える構成である。前記循環経路１２には、ヒータ１３及び酸化手段１５の間にフレッシュエアを取込む取込口１７が配設されると共に、収納部１１の排出口１１ｂ後段直後に前記汚染熱風ガスの一部を排出する排出口１８が配設される構成である。
【００１９】
また、前記炉１は、収納部１１の下側に平面ガラス基板１００を載置して搬送するローラ１６が相隣る他の各炉１全体を連通させた状態で配設される構成である。このローラ１６は、搬入側の炉１（図１における左端に位置する。）から搬入される平面ガラス基板１００を順次後段側の炉１へ移送させつつ焼成又は乾燥させる構成である。
【００２０】
次に、前記構成に基づく本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置の動作について説明する。まず、最前段の炉１から搬入される平面ガラス基板１００に対して、ヒータ１３で加熱された清浄な熱風ガスを収納部１１に供給することにより焼成又は乾燥を開始する。この加熱領域Ｉにおける炉１においてはヒータ１３により加熱された清浄な熱風ガスにより平面ガラス基板１００が５００℃近傍まで加熱され、後段の高温維持領域ＩＩの炉１にローラ１６により移送される。
【００２１】
この加熱領域Ｉにおける炉１での焼成又は乾燥の際に平面ガラス基板１００の誘電体層、隔壁、蛍光体又はシールフリットに含有されるバインダー樹脂が蒸発して有機成分（ＣｘＨｙＯｚ）ガスとなり、この有機成分ガスが熱風ガスに含まれて汚染熱風ガスとして収納部１１の排出口１１ｂから排出される。この汚染熱風ガスの一部が排出口１８から外部へ排出され、残りの汚染熱風ガスが循環経路１２を介してファン１４で酸化手段１５に導入される。
【００２２】
この酸化手段１５は、導入された汚染熱風ガスを、前記図４に示す２００℃〜５００℃の加熱領域Ｉの処理期間において触媒の酸化分解反応作用により反応熱による温度上昇を伴って、二酸化炭素と水とに分解させることができる。この有機成分が分解されて清浄化された熱風ガスは、取込口１７からのフレッシュエアが加えられた後、再度ヒータ１３で加熱されて収納部１１に供給される。
【００２３】
このように酸化手段１５により汚染熱風ガスを酸化分解処理することにより、熱風ガスの供給量を減少させることなく且つ熱風ガスの熱エネルギーを減少させることがなくなる。特に、汚染熱風ガスの一部を外部に排出して残りの汚染熱風ガスのみを酸化手段１５で酸化分解処理し、この処理された清浄熱風ガスに取込口１７からのフレッシュエアを加えるようにしているので、酸化手段１５の処理量を極力抑制すると共に、ヒータ１３で加熱に要する熱エネルギーを低減できる。
【００２４】
（本発明の第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置を示す。同図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、前記第１の実施形態と同様に炉１が収納部１１、循環経路１２、ヒータ１３、ファン１４、酸化手段１５、ローラ１６、取込口１７及び排出口１８を備え、この酸化手段１５がヒータ１３の後段直後に配設される構成である。
【００２５】
このように酸化手段１５をヒータ１３の直後に配設することにより、汚染熱風ガスがヒータ１３により極めて高温に加熱された状態で酸化手段１５に導入されることとなり、高温下で酸化手段１５の酸化分解処理を高効率に実行することができる。
【００２６】
（本発明の第３の実施形態）
図６及び図７は、本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置を各々示す。各図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、前記第１の実施形態と同様に炉１が収納部１１、循環経路１２、ヒータ１３、ファン１４、酸化手段１５、ローラ１６、取込口１７及び排出口１８を備え、この酸化手段１５が収納部１１の排出口１１ｂと排出口１８との間に配設される構成である。
【００２７】
このように酸化手段１５を排出口１１ｂと排出口１８との間に配設することにより、収納部１１内に発生した有機成分を含む汚染熱風ガスを酸化手段１５で浄化し、この浄化された熱風ガスを排出口１８から排出することができると共に、循環経路１２を介して強制対流方式で循環できることとなる。
【００２８】
（本発明の他の実施形態）
前記各実施形態においては複数連通される炉１に連通するように配設されたローラ１６上に平面ガラス基板１００を直接載置する構成としたが、定盤等の面支持、複数のピン等による点支持又は線支持とすることもできる。
【００２９】
また、前記各実施形態においてはローラ１６上に単板として平面ガラス基板１００を載置する構成としたが、ラック等により複数の平面ガラス基板１００を所定間隔離反させた状態で積層載置する構成とすることもできる。
【００３０】
また、前記実施形態においては、炉内温度が２００℃〜５００℃の加熱領域Ｉに対応する炉１に酸化手段１５を配設する構成としたが、炉内温度が４００℃以下の冷却領域ＩＩＩに対応する炉１に酸化手段１５を配設する構成とすることもできる。また、高温領域ＩＩに対応する炉１又は全領域Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩに対応する全ての炉１に酸化手段１５を配設する構成とすることもできる。
【００３１】
さらに、前記各実施形態においては焼成時又は乾燥時に生じる有機成分ガスを除去する酸化手段を設けて酸化分解する構成としたが、この構成に加え、所定の粒径からなるパーティクルを除去する耐熱フィルタを併設することもできる。この場合に酸化手段を耐熱フィルタに対して循環経路の後段に配設して、酸化手段の酸化分解処理がパーティクルにより阻害されることを極力抑制することができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明においては、ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明においては、有機成分の酸化分解処理を触媒を介して実行することにより、焼成工程及び乾燥工程という共に高温を伴う条件でより一層の触媒作用が活性化されることとなり、有機成分の分解除去を効率的に行えるという効果を有する。
【００３４】
また、本発明においては、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、最も有機成分を発生する過程で除去できることとなり、加熱以降の高温維持領域及び冷却領域での有機成分による燃焼効率の低下を防止できるという効果を有する。
【００３５】
さらに、本発明においては、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、炉内雰囲気に含まれる有機成分ガスを確実に除去できることとなり、循環する熱風に有機成分が含まれることをより確実に防止できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態にプラズマディスプレイパネルの製造装置の全体概略構成図である。
【図２】図１記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置における各処理領域の温度分布図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図８】従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉の全体構成図である。
【図９】図８記載の従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉の断面図である。
【符号の説明】
１ 炉
１１ 収納部
１１ａ 供給口
１１ｂ、１８ 排出口
１２ 循環経路
１３ ヒータ
１４ ファン
１５ 酸化手段
１６ ローラ
１７ 取込口
１８ 排気口
１００ 平面ガラス基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）の製造における強制対流方式による焼成・乾燥工程を改良したＰＤＰ製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のＰＤＰ製造方法に用いられるＰＤＰの製造装置としてＰＤＰの平面ガラス基板上に形成される誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリットを焼成する平面ガラス焼成炉がある。この誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリットは、ガラス粉末にバインダー樹脂を添加したペースト又はグリーンシートとし、これを任意の形状に形成してこの焼成炉で焼成されることとなる。
【０００３】
この従来のＰＤＰ製造装置としての平面ガラス基板用連続式焼成炉として特開２００２−２４３３６８公報に開示されるものがあり、これを図８及び図９に示す。同図において従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉は、炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエアタイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御用ダンパ１１６を有するクリーンエアー供給管１０１ａと排気量制御用ダンパ１１７を有する炉内雰囲気排気管１０１ｂを接続し、かつ、ゾーン内温度が２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾーン内にそれぞれ雰囲気循環通路１０９を形成するバッフル１０７およびこの雰囲気循環通路１０９中に循環ファン１１１と加熱手段１１０を配設し、前記バッフル１０７内への循環雰囲気入口部に耐熱フィルタ１１２を配置した構成である。
【０００４】
このように従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉は、ゾーン内温度２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側ゾーンのうち少なくとも樹脂バインダーから多量にパーティクルが発生する装入側ゾーンに設けたバッフル１０７への循環雰囲気入口部にのみ高価な耐熱フィルタ１１２を設け、他のゾーンには耐熱フィルタ１１２を設けないため、それだけ装置が安価である。
また、前記循環雰囲気入口部に耐熱フィルタ１１２を設けると、流通抵抗が増加し循環ファン１１１の能力を増大する必要があるが、殆どのゾーンに耐熱フィルタ１１２を設けないため循環ファン１１１も安価なものとなる。また、平面ガラス基板１００を水平に保持し、各ゾーン毎にタクト送りとするため、平面ガラス基板１００の一部が隣接ゾーンに位置することがなく均熱化を図ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＰＤＰ製造装置としての平面ガラス基板用連続式焼成炉は以上のように構成されていたことから、隔壁、蛍光体、誘電体層、シールフリットを焼成することにより発生したパーティクルを耐熱フィルタで除去しようとするものであるが、前記焼成時に、隔壁、蛍光体、誘電体層、シールフリットに含まれるバインダー樹脂から発生する有機成分ガスについては全く除去できないという課題を有する。特に、有機成分が所定の粒径を有するパーティクル化した場合に、このパーティクルが微小化すると耐熱フィルタの濾過度も微小化しなければならないことから、耐熱フィルタの流通抵抗が大きくなり、十分な熱風の供給ができないという課題を有する。
【０００６】
また、前記耐熱フィルタの濾過度を大きくして流通抵抗を小さくすると、前記パーティクルの微小部分が除去できないことになる。即ち、加熱方式が循環式強制対流方式である場合は、平面ガラス基板１００より脱離排出されて除去できない微小部分のパーティクルを含む有機性ガスが循環し再び炉内に投入されることから、炉内の有機性ガスの成分濃度が一定値に収束しなくなり、徐々に高くなる。炉内の有機成分濃度が高くなると、ＰＤＰ構成物中（誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット）に含まれる樹脂バインダーの焼成分解効率が低下する（即ち、樹脂バインダー除去が不完全な状態に陥る）。そのため、樹脂バインダー或いはその不完全燃焼分が焼成後も残留してしまい、誘電体層の透過率低下、蛍光体の発光率低下等の障害が発生するという課題を有する。
【０００７】
一方、炉内の有機性ガス成分の濃度を低くするためには、大量に新しいエアを常時炉内に投入する方法が挙げられるが、この方法では新しく投入したエアの量だけ余分に熱エネルギーを与えないとならないのでエネルギー効率が悪いという課題を有する。
【０００８】
本発明は、前記課題を解消するためになされたもので、循環する熱風に含まれる有機成分ガスを確実に除去できると共に、熱風の供給量を減少させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく、循環する熱風に含まれる有機成分を除去することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解するものである。このように本発明においては、ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できる。
【００１０】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が触媒により反応を促すものである。このように本発明においては、有機成分の酸化分解処理を触媒を介して実行することにより、焼成工程及び乾燥工程という共に高温を伴う条件でより一層の触媒作用が活性化されることとなり、有機成分の分解除去を効率的に行える。
【００１１】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で実行されるものである。このように本発明においては、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、最も有機成分を発生する過程で除去できることとなり、加熱以降の高温維持領域及び冷却領域での有機成分による燃焼効率の低下を防止できる。
【００１２】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、酸化分解が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で実行されるものである。このように本発明においては、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、炉内雰囲気に含まれる有機成分ガスを確実に除去できることとなり、循環する熱風に有機成分が含まれることをより確実に防止できる。
【００１３】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造装置において、前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解する酸化手段を備えるものである。
【００１４】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が触媒により酸化分解反応を促すものである。
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で酸化分解反応を行うものである。
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は必要に応じて、酸化手段が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で酸化分解反応を行うものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（本発明の第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置をその製造方法と共に、図１ないし図４に基づいて説明する。この図１は本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置の全体概略構成図、図２は図１記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＡ−Ａ線断面図、図３は図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＢ−Ｂ線断面図、図４は図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置における各処理領域の温度分布図を示す。
【００１６】
前記各図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、加熱領域Ｉ・高温維持領域ＩＩ・冷却領域ＩＩＩの各領域毎に複数に区分されてなる複数の炉１からなりこの各炉１が個別に独立して熱風を強制対流方式により循環させる構成である。
【００１７】
前記炉１は、ＰＤＰの平面ガラス基板１００を収納して焼成又は乾燥させる収納部１１と、この収納部１１に熱風を循環させる循環経路１２と、この循環経路１２中に配設され、収納部１１に熱風ガスを加熱生成するヒータ１３と、前記ヒータ１３で加熱生成された熱風ガスを循環経路１２内で強制対流により循環させるファン１４と、前記ヒータ１３及びファン１４の間における循環経路１２中に配設され、収納部１１の平面ガラス基板１００を焼成又は乾燥することにより発生した有機成分を酸化分解する酸化手段１５とを備える構成である。この酸化手段１５は、酸化分解反応を促す活性物質として触媒を用い、この触媒として白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジューム（Ｐｄ）、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＮｉＯ、Ｆｅ２Ｏ２、ＭｕＯ等が用いられる。
【００１８】
前記収納部１１は、循環経路１２からの清浄な熱風ガスが供給される供給口１１ａと、収納された平面ガラス基板１００を焼成又は乾燥した後の有機成分を含む汚染された汚染熱風ガスを排出する排出口１１ｂとを備える構成である。前記循環経路１２には、ヒータ１３及び酸化手段１５の間にフレッシュエアを取込む取込口１７が配設されると共に、収納部１１の排出口１１ｂ後段直後に前記汚染熱風ガスの一部を排出する排出口１８が配設される構成である。
【００１９】
また、前記炉１は、収納部１１の下側に平面ガラス基板１００を載置して搬送するローラ１６が相隣る他の各炉１全体を連通させた状態で配設される構成である。このローラ１６は、搬入側の炉１（図１における左端に位置する。）から搬入される平面ガラス基板１００を順次後段側の炉１へ移送させつつ焼成又は乾燥させる構成である。
【００２０】
次に、前記構成に基づく本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置の動作について説明する。まず、最前段の炉１から搬入される平面ガラス基板１００に対して、ヒータ１３で加熱された清浄な熱風ガスを収納部１１に供給することにより焼成又は乾燥を開始する。この加熱領域Ｉにおける炉１においてはヒータ１３により加熱された清浄な熱風ガスにより平面ガラス基板１００が５００℃近傍まで加熱され、後段の高温維持領域ＩＩの炉１にローラ１６により移送される。
【００２１】
この加熱領域Ｉにおける炉１での焼成又は乾燥の際に平面ガラス基板１００の誘電体層、隔壁、蛍光体又はシールフリットに含有されるバインダー樹脂が蒸発して有機成分（ＣｘＨｙＯｚ）ガスとなり、この有機成分ガスが熱風ガスに含まれて汚染熱風ガスとして収納部１１の排出口１１ｂから排出される。この汚染熱風ガスの一部が排出口１８から外部へ排出され、残りの汚染熱風ガスが循環経路１２を介してファン１４で酸化手段１５に導入される。
【００２２】
この酸化手段１５は、導入された汚染熱風ガスを、前記図４に示す２００℃〜５００℃の加熱領域Ｉの処理期間において触媒の酸化分解反応作用により反応熱による温度上昇を伴って、二酸化炭素と水とに分解させることができる。この有機成分が分解されて清浄化された熱風ガスは、取込口１７からのフレッシュエアが加えられた後、再度ヒータ１３で加熱されて収納部１１に供給される。
【００２３】
このように酸化手段１５により汚染熱風ガスを酸化分解処理することにより、熱風ガスの供給量を減少させることなく且つ熱風ガスの熱エネルギーを減少させることがなくなる。特に、汚染熱風ガスの一部を外部に排出して残りの汚染熱風ガスのみを酸化手段１５で酸化分解処理し、この処理された清浄熱風ガスに取込口１７からのフレッシュエアを加えるようにしているので、酸化手段１５の処理量を極力抑制すると共に、ヒータ１３で加熱に要する熱エネルギーを低減できる。
【００２４】
（本発明の第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置を示す。同図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、前記第１の実施形態と同様に炉１が収納部１１、循環経路１２、ヒータ１３、ファン１４、酸化手段１５、ローラ１６、取込口１７及び排出口１８を備え、この酸化手段１５がヒータ１３の後段直後に配設される構成である。
【００２５】
このように酸化手段１５をヒータ１３の直後に配設することにより、汚染熱風ガスがヒータ１３により極めて高温に加熱された状態で酸化手段１５に導入されることとなり、高温下で酸化手段１５の酸化分解処理を高効率に実行することができる。
【００２６】
（本発明の第３の実施形態）
図６及び図７は、本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置を各々示す。各図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、前記第１の実施形態と同様に炉１が収納部１１、循環経路１２、ヒータ１３、ファン１４、酸化手段１５、ローラ１６、取込口１７及び排出口１８を備え、この酸化手段１５が収納部１１の排出口１１ｂと排出口１８との間に配設される構成である。
【００２７】
このように酸化手段１５を排出口１１ｂと排出口１８との間に配設することにより、収納部１１内に発生した有機成分を含む汚染熱風ガスを酸化手段１５で浄化し、この浄化された熱風ガスを排出口１８から排出することができると共に、循環経路１２を介して強制対流方式で循環できることとなる。
【００２８】
（本発明の他の実施形態）
前記各実施形態においては複数連通される炉１に連通するように配設されたローラ１６上に平面ガラス基板１００を直接載置する構成としたが、定盤等の面支持、複数のピン等による点支持又は線支持とすることもできる。
【００２９】
また、前記各実施形態においてはローラ１６上に単板として平面ガラス基板１００を載置する構成としたが、ラック等により複数の平面ガラス基板１００を所定間隔離反させた状態で積層載置する構成とすることもできる。
【００３０】
また、前記実施形態においては、炉内温度が２００℃〜５００℃の加熱領域Ｉに対応する炉１に酸化手段１５を配設する構成としたが、炉内温度が４００℃以下の冷却領域ＩＩＩに対応する炉１に酸化手段１５を配設する構成とすることもできる。また、高温領域ＩＩに対応する炉１又は全領域Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩに対応する全ての炉１に酸化手段１５を配設する構成とすることもできる。
【００３１】
さらに、前記各実施形態においては焼成時又は乾燥時に生じる有機成分ガスを除去する酸化手段を設けて酸化分解する構成としたが、この構成に加え、所定の粒径からなるパーティクルを除去する耐熱フィルタを併設することもできる。この場合に酸化手段を耐熱フィルタに対して循環経路の後段に配設して、酸化手段の酸化分解処理がパーティクルにより阻害されることを極力抑制することができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明においては、ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明においては、有機成分の酸化分解処理を触媒を介して実行することにより、焼成工程及び乾燥工程という共に高温を伴う条件でより一層の触媒作用が活性化されることとなり、有機成分の分解除去を効率的に行えるという効果を有する。
【００３４】
また、本発明においては、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、最も有機成分を発生する過程で除去できることとなり、加熱以降の高温維持領域及び冷却領域での有機成分による燃焼効率の低下を防止できるという効果を有する。
【００３５】
さらに、本発明においては、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で有機成分の酸化分解を行うようにしているので、炉内雰囲気に含まれる有機成分ガスを確実に除去できることとなり、循環する熱風に有機成分が含まれることをより確実に防止できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態にプラズマディスプレイパネルの製造装置の全体概略構成図である。
【図２】図１記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置における各処理領域の温度分布図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置である。
【図８】従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉の全体構成図である。
【図９】図８記載の従来の平面ガラス基板用連続式焼成炉の断面図である。
【符号の説明】
１ 炉
１１ 収納部
１１ａ 供給口
１１ｂ、１８ 排出口
１２ 循環経路
１３ ヒータ
１４ ファン
１５ 酸化手段
１６ ローラ
１７ 取込口
１８ 排気口
１００ 平面ガラス基板
Claims (8)
- 炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解することを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 前記請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化分解が、触媒により反応を促すことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 前記請求項１又は２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化分解が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で実行されることを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 前記請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化分解が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で実行されることを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 炉内に収納されるプラズマディスプレイパネルの焼成工程及び／又は乾燥工程が、前記炉内に供給される熱風を循環させることにより実行されるプラズマディスプレイパネルの製造装置において、
前記焼成工程及び／又は乾燥工程により発生した有機成分を、前記循環経路中で酸化分解する酸化手段を備えることを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 前記請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置において、
前記酸化手段が、触媒により酸化分解反応を促すことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 前記請求項５又は６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置において、
前記酸化手段が、炉内の温度が２００℃〜５００℃の加熱領域で酸化分解反応を行うことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 前記請求項５ないし７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置において、
前記酸化手段が、炉内の温度が４００℃以下の冷却領域で酸化分解反応を行うことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003208631A JP2005071632A (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
| US10/914,240 US7118441B2 (en) | 2003-08-25 | 2004-08-10 | Method and apparatus for manufacturing plasma display panel |
| TW093124434A TWI272644B (en) | 2003-08-25 | 2004-08-13 | Method and apparatus for manufacturing plasma display panel |
| EP04255044A EP1511061A3 (en) | 2003-08-25 | 2004-08-20 | Method and apparatus for manufacturing plasma display panel |
| KR1020040066732A KR100690524B1 (ko) | 2003-08-25 | 2004-08-24 | 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003208631A JP2005071632A (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005071632A true JP2005071632A (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=34100721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003208631A Withdrawn JP2005071632A (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7118441B2 (ja) |
| EP (1) | EP1511061A3 (ja) |
| JP (1) | JP2005071632A (ja) |
| KR (1) | KR100690524B1 (ja) |
| TW (1) | TWI272644B (ja) |
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| JP2008298300A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Espec Corp | 熱処理装置 |
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| JP4550098B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2010-09-22 | 国立大学法人東北大学 | 基板熱処理炉 |
| JP2009074724A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tohoku Univ | 基板熱処理炉 |
| WO2009088056A1 (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Nikki-Universal Co., Ltd. | 熱処理炉排ガスの浄化用触媒、該触媒による熱処理炉排ガスの浄化方法および熱処理炉の汚染防止方法 |
| JP5366830B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-12-11 | 日揮ユニバーサル株式会社 | 熱処理炉排ガスの浄化用触媒、該触媒による熱処理炉排ガスの浄化方法および熱処理炉の汚染防止方法 |
| JP2008304182A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-12-18 | Future Vision:Kk | 基板焼成炉の給排気方法 |
| JP2018179963A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 進 中谷 | 検査用熱処理炉、検査用熱処理炉を備えた検査装置並びに検査用熱処理炉を備えたｘ線検査装置 |
| JP2021099349A (ja) * | 2017-04-04 | 2021-07-01 | 進 中谷 | 検査用熱処理炉及び検査用熱処理炉を備えた検査装置 |
| JP7083089B2 (ja) | 2017-04-04 | 2022-06-10 | 進 中谷 | 検査用熱処理炉及び検査用熱処理炉を備えた検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050022365A (ko) | 2005-03-07 |
| TW200511374A (en) | 2005-03-16 |
| KR100690524B1 (ko) | 2007-03-09 |
| TWI272644B (en) | 2007-02-01 |
| EP1511061A2 (en) | 2005-03-02 |
| US7118441B2 (en) | 2006-10-10 |
| EP1511061A3 (en) | 2007-09-05 |
| US20050048861A1 (en) | 2005-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060623 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081215 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081216 |