JP3189786B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
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- H01J9/395—Filling vessels
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/38—Control of maintenance of pressure in the vessel
- H01J2209/385—Gettering
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルの製造方法に関し、特に不純物の混入しにくい
放電ガスの封入方法に関する。
イパネルの製造方法に関し、特に不純物の混入しにくい
放電ガスの封入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルの製造にお
いては、放電特性の安定、低電圧化及び特性の経時変化
の抑制を目的として、パネル内に充填する放電ガスの純
度を高くすることが重要な要素の一つとなっている。こ
の目的のために、通常プラズマディスプレイのガス封入
工程においては、パネル内を真空排気しながら加熱し、
パネル内の不純物ガスを除去した後に放電ガスを封入す
るという手法が採用されている。
いては、放電特性の安定、低電圧化及び特性の経時変化
の抑制を目的として、パネル内に充填する放電ガスの純
度を高くすることが重要な要素の一つとなっている。こ
の目的のために、通常プラズマディスプレイのガス封入
工程においては、パネル内を真空排気しながら加熱し、
パネル内の不純物ガスを除去した後に放電ガスを封入す
るという手法が採用されている。
【０００３】しかしながら、この手法では、パネル内を
排気する排気管を通して放電ガスを導入するため、パネ
ル内から排気された不純物ガスが真空排気系の内壁に吸
着し、放電ガスの導入時に放電ガスとともに再びパネル
内に入ってしまう。このため、パネル内への不純物ガス
の混入防止という点に関し、十分とは言えない。そこ
で、例えば特開昭６１−２６４６５４号公報には、蛍光
ランプにおいて排気管内部にゲッターを配置し、放電ガ
ス導入、排気管のチップオフ（加熱溶融による封止切断
作業）後にゲッター材を活性化し、水銀を放出するとと
もにパネル内の不純物ガスを吸着除去する方法が開示さ
れている。
排気する排気管を通して放電ガスを導入するため、パネ
ル内から排気された不純物ガスが真空排気系の内壁に吸
着し、放電ガスの導入時に放電ガスとともに再びパネル
内に入ってしまう。このため、パネル内への不純物ガス
の混入防止という点に関し、十分とは言えない。そこ
で、例えば特開昭６１−２６４６５４号公報には、蛍光
ランプにおいて排気管内部にゲッターを配置し、放電ガ
ス導入、排気管のチップオフ（加熱溶融による封止切断
作業）後にゲッター材を活性化し、水銀を放出するとと
もにパネル内の不純物ガスを吸着除去する方法が開示さ
れている。
【０００４】また、特開平４−２６９４２５号公報に
は、プラズマディスプレイパネルにおいて同様の技術が
開示されている。この技術は図６に示すごとく、複数の
陽極１１２を形成した前面基板１１１と、陽極１１２と
対になって放電するための複数の陰極１２２及び放電空
間１２３形成用のバリアリブを形成した背面基板１２１
とを組合わせ、その組合わせ周囲をシール処理してパネ
ル体を形成する。そして、前記パネル体に取り付けられ
た排気管２００内にあらかじめゲッター２００ｃを設け
ておき、パネル体を減圧し、ゲッター２００ｃをフラッ
シュ（活性化）させて水銀を供給した後に放電ガスを供
給する。その後、２００ａにてガラス管を加熱溶融し、
封止、切断することによりプラズマディスプレイパネル
とする。この技術によれば、放電空間内に混入した不純
物ガスをゲッターにより吸着除去するため、パネル内の
放電ガスの純度を向上させる点において一応の効果を奏
している。
は、プラズマディスプレイパネルにおいて同様の技術が
開示されている。この技術は図６に示すごとく、複数の
陽極１１２を形成した前面基板１１１と、陽極１１２と
対になって放電するための複数の陰極１２２及び放電空
間１２３形成用のバリアリブを形成した背面基板１２１
とを組合わせ、その組合わせ周囲をシール処理してパネ
ル体を形成する。そして、前記パネル体に取り付けられ
た排気管２００内にあらかじめゲッター２００ｃを設け
ておき、パネル体を減圧し、ゲッター２００ｃをフラッ
シュ（活性化）させて水銀を供給した後に放電ガスを供
給する。その後、２００ａにてガラス管を加熱溶融し、
封止、切断することによりプラズマディスプレイパネル
とする。この技術によれば、放電空間内に混入した不純
物ガスをゲッターにより吸着除去するため、パネル内の
放電ガスの純度を向上させる点において一応の効果を奏
している。
【０００５】しかしながら、テレビ表示等に用いられる
プラズマディスプレイパネルでは、個々の画素を形成す
る放電空間が隔壁で非常に小さく区切られており、なお
かつパネル内の放電ガス圧力が４０〜８０ｋＰａと高い
ため、パネル内のガスの循環が悪く、ゲッターに近い部
分ではパネル内に微量存在する不純物ガスの吸着除去が
行われるが、遠い部分では不純物ガスが残ったままとな
り、パネル内に不純物ガス濃度の勾配が発生し、この不
純物ガスの勾配により、パネルの特性として駆動電圧や
発光輝度の不均一という問題が発生する。
プラズマディスプレイパネルでは、個々の画素を形成す
る放電空間が隔壁で非常に小さく区切られており、なお
かつパネル内の放電ガス圧力が４０〜８０ｋＰａと高い
ため、パネル内のガスの循環が悪く、ゲッターに近い部
分ではパネル内に微量存在する不純物ガスの吸着除去が
行われるが、遠い部分では不純物ガスが残ったままとな
り、パネル内に不純物ガス濃度の勾配が発生し、この不
純物ガスの勾配により、パネルの特性として駆動電圧や
発光輝度の不均一という問題が発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、パネル内に導入す
る放電ガスに混入する不純物を除去すると共に、パネル
内に残留する不純物ガスの濃度に不均一性のでないプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにあ
る。
した従来技術の欠点を改良し、特に、パネル内に導入す
る放電ガスに混入する不純物を除去すると共に、パネル
内に残留する不純物ガスの濃度に不均一性のでないプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法の第１態様は、プ
ラズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、このパ
ネルに接続された排気管によりパネル内を排気し、更
に、前記排気管を用いてパネル内に放電ガスを導入する
プラズマディスプレイパネルの製造方法において、 前記
排気管のパネル近傍に設けられた屈曲部内に非蒸発型の
ゲッターを配置する工程と、前記パネルを加熱すること
により前記非蒸発型のゲッターを活性化させる工程と、
前記活性化したゲッターで前記パネル内に導入される放
電ガス内に混入している不純物を吸着する工程と、を含
むことを特徴とするものであり、又、第２態様は、プラ
ズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、このパネ
ルに接続された排気管によりパネル内を排気し、更に、
ガス導入管を用いてパネル内に放電ガスを導入するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前記排気
管又はガス導入管の少なくとも一方の管のパネル近傍に
設けられた屈曲部内に非蒸発型のゲッターを配置する工
程と、前記パネルを加熱することにより前記非蒸発型の
ゲッターを活性化させる工程と、前記活性化したゲッタ
ーで前記排気管又はガス導入管内に混入している不純物
を吸着する工程と、を含むことを特徴とするものであ
り、又、第３態様は、プラズマディスプレイパネルを加
熱すると同時に、このパネルに接続された排気管により
パネル内を排気し、所定時間後このパネルを冷却して前
記排気管を用いてパネル内に放電ガスを導入するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法において、 前記パネル
近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内で、パネル内へ
のガス導入後切断封止する部分よりも排気装置側の部位
に非蒸発型ゲッターを配置する工程と、前記パネル内を
排気しながら加熱する工程と、前記パネルを加熱するこ
とで前記非蒸発型ゲッターを活性化させる工程と、前記
パネルを冷却する工程と、前記放電ガスを前記パネル内
に導入する工程と、前記排気管を切断封止する工程と、
を含むことを特徴とするものであり、又、第４態様は、
プラズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、この
パネルに接続された排気管によりパネル内を排気し、所
定時間後このパネルを冷却してパネルに接続されたガス
導入管によりパネル内に放電ガスを導入するプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法であって、 前記パネル近傍
に設けた前記ガス導入管の屈曲部内で、パネル内へのガ
ス導入後切断封止する部分よりも放電ガス用のガスボン
ベ側の部位に非蒸発型ゲッターを配置する工程と、前記
排気管を通して前記パネル内を排気しながら加熱する工
程と、前記パネルを加熱することで前記非蒸発型ゲッタ
ーを活性化させる工程と、前記パネルを冷却する工程
と、前記放電ガスを前記パネル内に導入する工程と、前
記ガス導入管を切断封止する工程と、を含むことを特徴
とするものであり、又、第５態様は、前記パネルの加熱
時に加熱される前記パネル近傍に設けた前記排気管の屈
曲部内で、パネル内へのガス導入前またはガス導入後に
切断封止する部分より排気装置側の部位に、非蒸発型ゲ
ッターを配置する工程を更に含むことを特徴とするもの
であり、又、第６態様は、前記非蒸発型ゲッターが、パ
ネルの加熱時の雰囲気温度により活性化する低温活性化
タイプであることを特徴とするものであり、又、第７態
様は、プラズマディスプレイパネルを加熱すると同時
に、このパネルに接続された排気管によりパネル内を排
気し、更に、前記排気管を用いてパネル内に放電ガスを
導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法におい
て、 パネル近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内に、
前記パネルの過熱時の雰囲気温度で活性化しない高温活
性化タイプの非蒸発型のゲッターを配置する工程と、 前
記非蒸発型のゲッターの近傍に設置した高周波誘導過熱
装置により前記ゲッターを過熱し、前記ゲッターを活性
化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記パネル
内に導入される放電ガス内に混入している不純物を吸着
する工程と、 を含むことを特徴とするものであり、又、
第８態様は、 プラズマディスプレイパネルを加熱すると
同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル内
を排気し、更に、ガス導入管を用いてパネル内に放電ガ
スを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法に
おいて、 パネル近傍に設けられた前記排気管又はガス導
入管の少なくとも一方の管の屈曲部内にパネルの加熱時
の雰囲気温度では活性化しない高温活性化タイプの非蒸
発型のゲッターを配置する工程と、 前記非蒸発型のゲッ
ターの近傍に設置した高周波誘導過熱装置により前記ゲ
ッターを過熱し、前記ゲッターを活性化させる工程と、
前記活性化したゲッターで前記排気管又はガス導入管内
に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを
特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法の第１態様は、プ
ラズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、このパ
ネルに接続された排気管によりパネル内を排気し、更
に、前記排気管を用いてパネル内に放電ガスを導入する
プラズマディスプレイパネルの製造方法において、 前記
排気管のパネル近傍に設けられた屈曲部内に非蒸発型の
ゲッターを配置する工程と、前記パネルを加熱すること
により前記非蒸発型のゲッターを活性化させる工程と、
前記活性化したゲッターで前記パネル内に導入される放
電ガス内に混入している不純物を吸着する工程と、を含
むことを特徴とするものであり、又、第２態様は、プラ
ズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、このパネ
ルに接続された排気管によりパネル内を排気し、更に、
ガス導入管を用いてパネル内に放電ガスを導入するプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前記排気
管又はガス導入管の少なくとも一方の管のパネル近傍に
設けられた屈曲部内に非蒸発型のゲッターを配置する工
程と、前記パネルを加熱することにより前記非蒸発型の
ゲッターを活性化させる工程と、前記活性化したゲッタ
ーで前記排気管又はガス導入管内に混入している不純物
を吸着する工程と、を含むことを特徴とするものであ
り、又、第３態様は、プラズマディスプレイパネルを加
熱すると同時に、このパネルに接続された排気管により
パネル内を排気し、所定時間後このパネルを冷却して前
記排気管を用いてパネル内に放電ガスを導入するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法において、 前記パネル
近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内で、パネル内へ
のガス導入後切断封止する部分よりも排気装置側の部位
に非蒸発型ゲッターを配置する工程と、前記パネル内を
排気しながら加熱する工程と、前記パネルを加熱するこ
とで前記非蒸発型ゲッターを活性化させる工程と、前記
パネルを冷却する工程と、前記放電ガスを前記パネル内
に導入する工程と、前記排気管を切断封止する工程と、
を含むことを特徴とするものであり、又、第４態様は、
プラズマディスプレイパネルを加熱すると同時に、この
パネルに接続された排気管によりパネル内を排気し、所
定時間後このパネルを冷却してパネルに接続されたガス
導入管によりパネル内に放電ガスを導入するプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法であって、 前記パネル近傍
に設けた前記ガス導入管の屈曲部内で、パネル内へのガ
ス導入後切断封止する部分よりも放電ガス用のガスボン
ベ側の部位に非蒸発型ゲッターを配置する工程と、前記
排気管を通して前記パネル内を排気しながら加熱する工
程と、前記パネルを加熱することで前記非蒸発型ゲッタ
ーを活性化させる工程と、前記パネルを冷却する工程
と、前記放電ガスを前記パネル内に導入する工程と、前
記ガス導入管を切断封止する工程と、を含むことを特徴
とするものであり、又、第５態様は、前記パネルの加熱
時に加熱される前記パネル近傍に設けた前記排気管の屈
曲部内で、パネル内へのガス導入前またはガス導入後に
切断封止する部分より排気装置側の部位に、非蒸発型ゲ
ッターを配置する工程を更に含むことを特徴とするもの
であり、又、第６態様は、前記非蒸発型ゲッターが、パ
ネルの加熱時の雰囲気温度により活性化する低温活性化
タイプであることを特徴とするものであり、又、第７態
様は、プラズマディスプレイパネルを加熱すると同時
に、このパネルに接続された排気管によりパネル内を排
気し、更に、前記排気管を用いてパネル内に放電ガスを
導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法におい
て、 パネル近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内に、
前記パネルの過熱時の雰囲気温度で活性化しない高温活
性化タイプの非蒸発型のゲッターを配置する工程と、 前
記非蒸発型のゲッターの近傍に設置した高周波誘導過熱
装置により前記ゲッターを過熱し、前記ゲッターを活性
化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記パネル
内に導入される放電ガス内に混入している不純物を吸着
する工程と、 を含むことを特徴とするものであり、又、
第８態様は、 プラズマディスプレイパネルを加熱すると
同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル内
を排気し、更に、ガス導入管を用いてパネル内に放電ガ
スを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法に
おいて、 パネル近傍に設けられた前記排気管又はガス導
入管の少なくとも一方の管の屈曲部内にパネルの加熱時
の雰囲気温度では活性化しない高温活性化タイプの非蒸
発型のゲッターを配置する工程と、 前記非蒸発型のゲッ
ターの近傍に設置した高周波誘導過熱装置により前記ゲ
ッターを過熱し、前記ゲッターを活性化させる工程と、
前記活性化したゲッターで前記排気管又はガス導入管内
に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを
特徴とするものである。
【０００８】
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの製造方法は、パネル内の排気及びパネル内へ
の放電ガス導入工程が、放電ガスを導入するために設け
られた管内（一般的には排気管）でパネルの加熱、真空
排気時に加熱され、かつ、排気管のチップオフ時にパネ
ル外となる部分に不純物ガスを吸着するための非蒸発型
ゲッターを配置し、パネル内を真空排気し、パネルを加
熱し、該非蒸発型ゲッターを活性化し、パネルを冷却
し、その後にパネル内に放電ガスを導入し、さらに該非
蒸発型ゲッター設置部よりもパネルに近い部分で排気管
を加熱溶融し封止、切断する工程を含むことを特徴とし
ている。
イパネルの製造方法は、パネル内の排気及びパネル内へ
の放電ガス導入工程が、放電ガスを導入するために設け
られた管内（一般的には排気管）でパネルの加熱、真空
排気時に加熱され、かつ、排気管のチップオフ時にパネ
ル外となる部分に不純物ガスを吸着するための非蒸発型
ゲッターを配置し、パネル内を真空排気し、パネルを加
熱し、該非蒸発型ゲッターを活性化し、パネルを冷却
し、その後にパネル内に放電ガスを導入し、さらに該非
蒸発型ゲッター設置部よりもパネルに近い部分で排気管
を加熱溶融し封止、切断する工程を含むことを特徴とし
ている。
【００１０】このように、排気管内の非蒸発型ゲッター
は、例えば低温活性化タイプを用いた場合にはパネルと
同時に加熱され、活性化温度を越えた時点で活性化す
る。活性化したゲッターは不純物ガスの吸着を始める。
しかし、パネル内から排気される不純物ガスは大量であ
るため、ゲッターのみで吸収されるわけではなく、大部
分は排気管を通して真空排気装置へと流れる。真空排気
装置へ排気された不純物ガスは、加熱によりパネル同様
に高温となっている部分の排気管壁面には吸着しにくい
が、加熱炉外の温度の低い部分では壁面への吸着が容易
におこる。そのため、パネルの加熱排気を終了した状態
では、炉外の配管内壁に大量の不純物ガスが吸着した状
態となる。この後、パネル内への放電ガスの導入は、排
気に使用したものと部分的に同じ配管系を使用するた
め、排気管の内壁が放電ガスでフローされることによ
り、吸着していた不純物ガスが解離し、放電ガスに混入
する。しかしながら、不純物ガスの混入した放電ガスは
パネル内に導入される前に、排気管内に配したゲッター
により吸着除去される。なお、ゲッターよりもパネルに
近い部分の排気管はパネルの加熱排気時に同時に加熱さ
れているため、内壁への不純物ガスの吸着がなく、ゲッ
ターを通過後の放電ガスに再び不純物ガスが混入するこ
とはない。
は、例えば低温活性化タイプを用いた場合にはパネルと
同時に加熱され、活性化温度を越えた時点で活性化す
る。活性化したゲッターは不純物ガスの吸着を始める。
しかし、パネル内から排気される不純物ガスは大量であ
るため、ゲッターのみで吸収されるわけではなく、大部
分は排気管を通して真空排気装置へと流れる。真空排気
装置へ排気された不純物ガスは、加熱によりパネル同様
に高温となっている部分の排気管壁面には吸着しにくい
が、加熱炉外の温度の低い部分では壁面への吸着が容易
におこる。そのため、パネルの加熱排気を終了した状態
では、炉外の配管内壁に大量の不純物ガスが吸着した状
態となる。この後、パネル内への放電ガスの導入は、排
気に使用したものと部分的に同じ配管系を使用するた
め、排気管の内壁が放電ガスでフローされることによ
り、吸着していた不純物ガスが解離し、放電ガスに混入
する。しかしながら、不純物ガスの混入した放電ガスは
パネル内に導入される前に、排気管内に配したゲッター
により吸着除去される。なお、ゲッターよりもパネルに
近い部分の排気管はパネルの加熱排気時に同時に加熱さ
れているため、内壁への不純物ガスの吸着がなく、ゲッ
ターを通過後の放電ガスに再び不純物ガスが混入するこ
とはない。
【００１１】高温活性化タイプの非蒸発型ゲッターを用
いた場合には放電ガス導入の前に、外部から高周波誘導
加熱等の手段により加熱し活性化させることで、同様の
効果を得ることができる。従って、パネル内に導入され
る放電ガスは極めて純度の高いガスとなり、放電特性の
安定性、発光特性の安定性に優れたプラズマディスプレ
イパネルを作製することが可能となる。
いた場合には放電ガス導入の前に、外部から高周波誘導
加熱等の手段により加熱し活性化させることで、同様の
効果を得ることができる。従って、パネル内に導入され
る放電ガスは極めて純度の高いガスとなり、放電特性の
安定性、発光特性の安定性に優れたプラズマディスプレ
イパネルを作製することが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明に係わるプラズマディスプレ
イパネルの製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細
に説明する。 （第１の具体例）図１は、本発明に係わるプラズマディ
スプレイパネルの製造方法の具体例の構造を示す図、図
２は排気・ガス封入作業の各工程を順に示す工程図であ
って、これらの図には、プラズマディスプレイパネル１
を加熱すると同時に、このパネル１に接続された排気管
２によりパネル１内を排気し、更に、前記排気管２を用
いてパネル１内に放電ガスを導入するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、パネル１の加熱時にパ
ネル１と共に加熱されるパネル１近傍の前記排気管２に
非蒸発型のゲッター５を配置する工程と、パネル１の加
熱と共に前記非蒸発型のゲッター５を活性化する工程
と、前記活性化したゲッター５で前記パネル１内に導入
される放電ガス内に混入している不純物を吸着する工程
と、を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法が示
されている。
イパネルの製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細
に説明する。 （第１の具体例）図１は、本発明に係わるプラズマディ
スプレイパネルの製造方法の具体例の構造を示す図、図
２は排気・ガス封入作業の各工程を順に示す工程図であ
って、これらの図には、プラズマディスプレイパネル１
を加熱すると同時に、このパネル１に接続された排気管
２によりパネル１内を排気し、更に、前記排気管２を用
いてパネル１内に放電ガスを導入するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、パネル１の加熱時にパ
ネル１と共に加熱されるパネル１近傍の前記排気管２に
非蒸発型のゲッター５を配置する工程と、パネル１の加
熱と共に前記非蒸発型のゲッター５を活性化する工程
と、前記活性化したゲッター５で前記パネル１内に導入
される放電ガス内に混入している不純物を吸着する工程
と、を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法が示
されている。
【００１３】以下に、本発明を更に、詳細に説明する。
加熱炉６内に設置されたプラズマディスプレイパネル１
は排気管２を通じて真空排気装置３に接続されている。
さらに、真空配管は途中で分岐し、ガスボンベ４に接続
されている。そして、本発明に従って、加熱炉６内の排
気管２内部には非蒸発型ゲッター５が設置されている。
加熱炉６内に設置されたプラズマディスプレイパネル１
は排気管２を通じて真空排気装置３に接続されている。
さらに、真空配管は途中で分岐し、ガスボンベ４に接続
されている。そして、本発明に従って、加熱炉６内の排
気管２内部には非蒸発型ゲッター５が設置されている。
【００１４】プラズマディスプレイパネル１は加熱炉６
により加熱され、同時に真空排気装置３によりパネル内
部が真空排気される。このとき、排気管２内の非蒸発型
ゲッター５は加熱炉６による加熱により活性化され、不
純物ガスの吸着が可能となる。パネル１内の加熱排気完
了後、パネル１を冷却し、真空排気を停止する。この
後、ガスボンベ４よりパネル１内に放電ガスを導入す
る。このとき、放電ガスはゲッター５を設置した排気管
２を通してパネル１内に導入される。放電ガスを所要量
導入後、ゲッター５を設置した部分よりもパネル１に近
い側Ａで、排気管２を封止、切断し、プラズマディスプ
レイパネルとする。
により加熱され、同時に真空排気装置３によりパネル内
部が真空排気される。このとき、排気管２内の非蒸発型
ゲッター５は加熱炉６による加熱により活性化され、不
純物ガスの吸着が可能となる。パネル１内の加熱排気完
了後、パネル１を冷却し、真空排気を停止する。この
後、ガスボンベ４よりパネル１内に放電ガスを導入す
る。このとき、放電ガスはゲッター５を設置した排気管
２を通してパネル１内に導入される。放電ガスを所要量
導入後、ゲッター５を設置した部分よりもパネル１に近
い側Ａで、排気管２を封止、切断し、プラズマディスプ
レイパネルとする。
【００１５】上記について図３を用いて更に詳細に説明
する。図３はプラズマディスプレイパネルの排気・ガス
封入に使用する装置の一例を模式的に示したものであ
る。図において、１は所定の構造物を形成した一対のガ
ラス基板を低融点ガラスにより溶着封止したプラズマデ
ィスプレイパネルであり、加熱炉６内に設置されてい
る。パネル１内部の排気及び放電ガス導入を行うための
排気管２は内径が約４ｍｍで、一端は低融点ガラス７に
よりパネル１に形成された排気穴（図示せず）に接続さ
れ、もう一端は炉６外に設置された真空排気装置３へ接
続されている。排気管２内には加熱炉６内部で、かつ、
放電ガス導入後パネル１を封止・切断する部分Ａよりも
真空排気装置３側となる部分に非蒸発型ゲッター５が設
置されている。ゲッター５を設置する部分の排気管２
は、ゲッター５ができるだけ固まるように、図示したよ
うに屈曲部２ａを持った形状とすることが望ましい。本
具体例で用いたゲッターは直径２ｍｍ、高さ２ｍｍの円
柱状で、３５０℃、１時間以上の加熱により活性化する
ものであり（例えば、サエスゲッターズ社製）、１パネ
ルにつき１０個を排気管２内に設置した。真空排気装置
３は図示しない高真空排気ポンプと排気バルブ８及び排
気管２との接続手段９により構成される。また、ネオン
（Ｎｅ）ガスとキセノン（Ｘｅ）ガスの混合ガスからな
る放電ガスはガスボンベ４より供給し、ガスボンベ４は
ガス導入バルブ１０及び流量を調整する調整バルブ１１
を通して真空排気装置３につながっている。
する。図３はプラズマディスプレイパネルの排気・ガス
封入に使用する装置の一例を模式的に示したものであ
る。図において、１は所定の構造物を形成した一対のガ
ラス基板を低融点ガラスにより溶着封止したプラズマデ
ィスプレイパネルであり、加熱炉６内に設置されてい
る。パネル１内部の排気及び放電ガス導入を行うための
排気管２は内径が約４ｍｍで、一端は低融点ガラス７に
よりパネル１に形成された排気穴（図示せず）に接続さ
れ、もう一端は炉６外に設置された真空排気装置３へ接
続されている。排気管２内には加熱炉６内部で、かつ、
放電ガス導入後パネル１を封止・切断する部分Ａよりも
真空排気装置３側となる部分に非蒸発型ゲッター５が設
置されている。ゲッター５を設置する部分の排気管２
は、ゲッター５ができるだけ固まるように、図示したよ
うに屈曲部２ａを持った形状とすることが望ましい。本
具体例で用いたゲッターは直径２ｍｍ、高さ２ｍｍの円
柱状で、３５０℃、１時間以上の加熱により活性化する
ものであり（例えば、サエスゲッターズ社製）、１パネ
ルにつき１０個を排気管２内に設置した。真空排気装置
３は図示しない高真空排気ポンプと排気バルブ８及び排
気管２との接続手段９により構成される。また、ネオン
（Ｎｅ）ガスとキセノン（Ｘｅ）ガスの混合ガスからな
る放電ガスはガスボンベ４より供給し、ガスボンベ４は
ガス導入バルブ１０及び流量を調整する調整バルブ１１
を通して真空排気装置３につながっている。
【００１６】次に、排気、ガス封入工程について説明す
る。排気バルブ８を設けて真空排気装置３によりパネル
１内を排気し、真空排気装置３側の真空計が０．１Ｐａ
以下となった時点でパネル１の加熱を開始する。このと
き、ガス導入バルブ１０は閉じておく。パネル１の温度
が３５０℃に達したら５時間保持した後、冷却を開始す
る。パネル１の温度が４０℃以下になったら、排気バル
ブ８を閉じ、ガス導入バルブ１０を開けてパネル１内に
放電ガスを導入する。導入する放電ガスの圧力は真空排
気装置３に接続した圧力計（図示せず）により測定す
る。このとき、放電ガスは流量調整バルブ１１により、
例えば毎秒０．１ｋＰａ程度の速度で導入する。放電ガ
スの圧力が５０ｋＰａになったらガス導入バルブ１０を
閉じてガスの導入を停止する。ガス導入完了後、排気管
２のＡ部をガスバーナにより加熱溶融させ、封止・切断
することによりパネルを真空排気装置から切り離す。
る。排気バルブ８を設けて真空排気装置３によりパネル
１内を排気し、真空排気装置３側の真空計が０．１Ｐａ
以下となった時点でパネル１の加熱を開始する。このと
き、ガス導入バルブ１０は閉じておく。パネル１の温度
が３５０℃に達したら５時間保持した後、冷却を開始す
る。パネル１の温度が４０℃以下になったら、排気バル
ブ８を閉じ、ガス導入バルブ１０を開けてパネル１内に
放電ガスを導入する。導入する放電ガスの圧力は真空排
気装置３に接続した圧力計（図示せず）により測定す
る。このとき、放電ガスは流量調整バルブ１１により、
例えば毎秒０．１ｋＰａ程度の速度で導入する。放電ガ
スの圧力が５０ｋＰａになったらガス導入バルブ１０を
閉じてガスの導入を停止する。ガス導入完了後、排気管
２のＡ部をガスバーナにより加熱溶融させ、封止・切断
することによりパネルを真空排気装置から切り離す。
【００１７】以上の製造方法によるとパネル１内から放
出された水（Ｈ2 Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2 ）などの不
純物ガスは排気管２を通して真空排気装置３へと排出さ
れる。しかし、加熱炉６の外では、排気管２の内壁の温
度が低いため、不純物ガスの一部が有効に排気されず排
気管壁面に吸着してしまう。加熱排気完了後、放電ガス
を導入するとき、排気管２の内壁に吸着した不純物ガス
が再び解離して放電ガス中に混入するが、パネル１内に
到達する前にパネルの加熱と同時に活性化されたゲッタ
ー５により吸着除去される。ゲッター５による吸着除去
を効果的に行うためには、放電ガスの導入速度を調整す
ることが有効である。ゲッター５による吸着除去の効果
はゲッターの数量を増やすあるいは細かなゲッターを使
用して重点密度を上げることにより向上させることがで
きる。しかし、ゲッターの数量や重点密度を高くしすぎ
ると排気抵抗が大きくなり、パネル内の排気が有効に行
えなくなる。ただし、もともとプラズマディスプレイパ
ネルの内部は１００μｍ程度の間隙で構成されており、
内径４ｍｍの排気管に対して排気抵抗は非常に高い。従
って、直径２ｍｍ、高さ２ｍｍのゲッターを１０個程度
設置してもパネル内の排気効率はほとんど変化しない。
また、この量のゲッターを用いた場合、ガスの導入速度
を毎秒０．１ｋＰａ程度とすれば排気管内壁に吸着した
不純物ガスを除去することは十分可能である。
出された水（Ｈ2 Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2 ）などの不
純物ガスは排気管２を通して真空排気装置３へと排出さ
れる。しかし、加熱炉６の外では、排気管２の内壁の温
度が低いため、不純物ガスの一部が有効に排気されず排
気管壁面に吸着してしまう。加熱排気完了後、放電ガス
を導入するとき、排気管２の内壁に吸着した不純物ガス
が再び解離して放電ガス中に混入するが、パネル１内に
到達する前にパネルの加熱と同時に活性化されたゲッタ
ー５により吸着除去される。ゲッター５による吸着除去
を効果的に行うためには、放電ガスの導入速度を調整す
ることが有効である。ゲッター５による吸着除去の効果
はゲッターの数量を増やすあるいは細かなゲッターを使
用して重点密度を上げることにより向上させることがで
きる。しかし、ゲッターの数量や重点密度を高くしすぎ
ると排気抵抗が大きくなり、パネル内の排気が有効に行
えなくなる。ただし、もともとプラズマディスプレイパ
ネルの内部は１００μｍ程度の間隙で構成されており、
内径４ｍｍの排気管に対して排気抵抗は非常に高い。従
って、直径２ｍｍ、高さ２ｍｍのゲッターを１０個程度
設置してもパネル内の排気効率はほとんど変化しない。
また、この量のゲッターを用いた場合、ガスの導入速度
を毎秒０．１ｋＰａ程度とすれば排気管内壁に吸着した
不純物ガスを除去することは十分可能である。
【００１８】このように、この具体例によるプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法は、パネル１の加熱時にパ
ネル１同様に加熱される前記パネル１近傍の排気管２内
で、パネル１内へのガス導入後切断封止する部分Ａより
も排気装置３側の部位に非蒸発型ゲッター５を配置する
工程と（ステップＳ１）、前記パネル１内を排気しなが
ら加熱する工程と（ステップＳ２）、パネル１を加熱す
ることで前記非蒸発型ゲッター５を活性化する工程と
（ステップＳ３）、パネルを冷却する工程と（ステップ
Ｓ４）、放電ガスを前記パネル内１に導入する工程と
（ステップＳ６）、前記排気管２を切断封止する工程と
（ステップＳ７）を含む製造方法である。 （第２の具体例）上記具体例においては、パネル内の排
気とガス導入を同一の排気穴を用いている。
ィスプレイパネルの製造方法は、パネル１の加熱時にパ
ネル１同様に加熱される前記パネル１近傍の排気管２内
で、パネル１内へのガス導入後切断封止する部分Ａより
も排気装置３側の部位に非蒸発型ゲッター５を配置する
工程と（ステップＳ１）、前記パネル１内を排気しなが
ら加熱する工程と（ステップＳ２）、パネル１を加熱す
ることで前記非蒸発型ゲッター５を活性化する工程と
（ステップＳ３）、パネルを冷却する工程と（ステップ
Ｓ４）、放電ガスを前記パネル内１に導入する工程と
（ステップＳ６）、前記排気管２を切断封止する工程と
（ステップＳ７）を含む製造方法である。 （第２の具体例）上記具体例においては、パネル内の排
気とガス導入を同一の排気穴を用いている。
【００１９】この具体例によるパネルの製造方法におい
ては、パネルに排気用の穴とガス導入用の穴が別に設置
されている場合でも放電ガスの純度向上に効果がある。
そのための構成を図４に示す。図において、１０２はガ
ス導入用の穴７ａに接続されたガス導入管であり、排気
管１０３も同様に低融点ガラス７によりパネル１に接続
されている。ガス導入管１０２は接続手段、ガス導入バ
ルブ１０を通してガスボンベ４に接続され、また、排気
管１０３は接続手段９、排気バルブ８を通して真空排気
装置３に接続されている。また、ガス導入管１０２のパ
ネル１と同時に加熱される部分の内部に非蒸発型ゲッタ
ー５が設置されている。本具体例においても、ガス導入
バルブ１０を閉じた状態で、排気バルブ８を開けてパネ
ル１内を排気する。以下、第１の具体例と同様にパネル
１を３５０℃で加熱後、冷却し、ガス導入管１０２を通
して放電ガスをパネル内に導入する。
ては、パネルに排気用の穴とガス導入用の穴が別に設置
されている場合でも放電ガスの純度向上に効果がある。
そのための構成を図４に示す。図において、１０２はガ
ス導入用の穴７ａに接続されたガス導入管であり、排気
管１０３も同様に低融点ガラス７によりパネル１に接続
されている。ガス導入管１０２は接続手段、ガス導入バ
ルブ１０を通してガスボンベ４に接続され、また、排気
管１０３は接続手段９、排気バルブ８を通して真空排気
装置３に接続されている。また、ガス導入管１０２のパ
ネル１と同時に加熱される部分の内部に非蒸発型ゲッタ
ー５が設置されている。本具体例においても、ガス導入
バルブ１０を閉じた状態で、排気バルブ８を開けてパネ
ル１内を排気する。以下、第１の具体例と同様にパネル
１を３５０℃で加熱後、冷却し、ガス導入管１０２を通
して放電ガスをパネル内に導入する。
【００２０】この後、ガス導入管１０２のＡ部及び排気
管１０３のＢ部をガスバーナにより加熱溶融させ、封止
・切断することによりパネル１を真空排気装置３から切
り離す。本具体例においては、パネル内からの排気時及
びガス導入時のガスの流れは一方向となり、パネル内の
不純物ガスの影響は受けにくいように思われる。しか
し、実際にはパネル１内を排気している間、ガス導入管
１０２内はパネル１を介して排気されている状態であ
り、非常に排気効率が悪い。そのため、排気開始当初の
放出ガスが非常に多い段階でパネル内から不純物ガスが
ガス導入管１０２内に拡散し、温度の低い部分に吸着す
る。このようにして吸着したガスは放電ガスの導入時に
放電ガス中に混入する。このようにして放電ガス中に不
純物ガスが混入しても、ガス導入管１０２途中のゲッタ
ー５により不純物ガスは吸着除去され、パネル１内には
純度の高い放電ガスが導入される。 （第３の具体例）また、放電ガスの導入時に排気管１０
３側から不純物ガスが拡散してパネル１内に入ることも
考えられる。これを避けるためには、排気管１０３のＢ
部を封止後、放電ガスを導入する方法も考えられるが、
図５に示すごとく、排気管１０３、ガス導入管１０２の
両方にゲッター５を設置することで回避することができ
る。
管１０３のＢ部をガスバーナにより加熱溶融させ、封止
・切断することによりパネル１を真空排気装置３から切
り離す。本具体例においては、パネル内からの排気時及
びガス導入時のガスの流れは一方向となり、パネル内の
不純物ガスの影響は受けにくいように思われる。しか
し、実際にはパネル１内を排気している間、ガス導入管
１０２内はパネル１を介して排気されている状態であ
り、非常に排気効率が悪い。そのため、排気開始当初の
放出ガスが非常に多い段階でパネル内から不純物ガスが
ガス導入管１０２内に拡散し、温度の低い部分に吸着す
る。このようにして吸着したガスは放電ガスの導入時に
放電ガス中に混入する。このようにして放電ガス中に不
純物ガスが混入しても、ガス導入管１０２途中のゲッタ
ー５により不純物ガスは吸着除去され、パネル１内には
純度の高い放電ガスが導入される。 （第３の具体例）また、放電ガスの導入時に排気管１０
３側から不純物ガスが拡散してパネル１内に入ることも
考えられる。これを避けるためには、排気管１０３のＢ
部を封止後、放電ガスを導入する方法も考えられるが、
図５に示すごとく、排気管１０３、ガス導入管１０２の
両方にゲッター５を設置することで回避することができ
る。
【００２１】上記した例においては、非蒸発型ゲッター
としてパネルを加熱する温度で活性化するものを用いた
が、本発明においては、さらに高温で活性化するゲッタ
ーを用いることも可能である。高温で活性化するゲッタ
ーを用いる場合には、ゲッター近傍に例えば高周波誘導
加熱装置などのゲッターを加熱するゲッター加熱装置を
設置し、パネルの加熱排気後、冷却を開始する前にゲッ
ター加熱装置によりゲッターを加熱して活性化させる。
以上の工程により上記具体例と同等の効果が得られる。
としてパネルを加熱する温度で活性化するものを用いた
が、本発明においては、さらに高温で活性化するゲッタ
ーを用いることも可能である。高温で活性化するゲッタ
ーを用いる場合には、ゲッター近傍に例えば高周波誘導
加熱装置などのゲッターを加熱するゲッター加熱装置を
設置し、パネルの加熱排気後、冷却を開始する前にゲッ
ター加熱装置によりゲッターを加熱して活性化させる。
以上の工程により上記具体例と同等の効果が得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス導入管内にゲッターを設置し、活性化した後にゲッ
ターの設置部を通って放電ガスをパネル内に導入するこ
とにより、パネル内の排気中にパネルから放出され、排
気管内壁に吸着した不純物ガスをゲッターにより吸着除
去し、パネル内に純度の高い放電ガスを導入することが
できる。また、ゲッターによる不純物ガスの除去は排気
管内壁に吸着したガスのみでなく、供給源に混入した不
純物ガスについても有効であるのは言うまでもない。さ
らに、本発明によれば切り離されたパネル内にゲッター
が残留しないため、パネル内のガス成分の分布が発生せ
ず、均一な特性を持ったプラズマディスプレイパネルが
得られる。
ガス導入管内にゲッターを設置し、活性化した後にゲッ
ターの設置部を通って放電ガスをパネル内に導入するこ
とにより、パネル内の排気中にパネルから放出され、排
気管内壁に吸着した不純物ガスをゲッターにより吸着除
去し、パネル内に純度の高い放電ガスを導入することが
できる。また、ゲッターによる不純物ガスの除去は排気
管内壁に吸着したガスのみでなく、供給源に混入した不
純物ガスについても有効であるのは言うまでもない。さ
らに、本発明によれば切り離されたパネル内にゲッター
が残留しないため、パネル内のガス成分の分布が発生せ
ず、均一な特性を持ったプラズマディスプレイパネルが
得られる。
【００２３】なお、本発明は上記各実施例に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適
宜変更され得ることは明らかである。
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適
宜変更され得ることは明らかである。
【図１】本発明によるプラズマディスプレイパネルの製
造方法における、排気、ガス導入装置及び装置へのプラ
ズマディスプレイパネルの接続方法を示す図である。
造方法における、排気、ガス導入装置及び装置へのプラ
ズマディスプレイパネルの接続方法を示す図である。
【図２】本発明によるプラズマディスプレイパネルの製
造方法を示す製造工程図である。
造方法を示す製造工程図である。
【図３】本発明によるプラズマディスプレイパネルの製
造方法の第１の具体例における、排気、ガス導入装置及
び装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示
す図である。
造方法の第１の具体例における、排気、ガス導入装置及
び装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示
す図である。
【図４】本発明によるプラズマディスプレイパネルの製
造方法の第２の具体例における排気、ガス導入装置及び
装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示す
図である。
造方法の第２の具体例における排気、ガス導入装置及び
装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示す
図である。
【図５】本発明によるプラズマディスプレイパネルの製
造方法の第３の具体例における排気、ガス導入装置及び
装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示す
図である。
造方法の第３の具体例における排気、ガス導入装置及び
装置へのプラズマディスプレイパネルの接続方法を示す
図である。
【図６】従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法
を示すパネル断面図である。
を示すパネル断面図である。
１ プラズマディスプレイパネル ２ 排気管 ５ 非蒸発型ゲッター １０２ ガス導入管 １０３ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 9/38 - 9/40 H01J 11/02
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、更に、前記排気管を用いてパネル内に放電
ガスを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法
において、 前 記排気管のパネル近傍に設けられた屈曲部内に非蒸発
型のゲッターを配置する工程と、前記 パネルを加熱することにより前記非蒸発型のゲッタ
ーを活性化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記パネル内に導入される放
電ガス内に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項２】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、更に、ガス導入管を用いてパネル内に放電
ガスを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法
であって、 前 記排気管又はガス導入管の少なくとも一方の管のパネ
ル近傍に設けられた屈曲部内に非蒸発型のゲッターを配
置する工程と、前記 パネルを加熱することにより前記非蒸発型のゲッタ
ーを活性化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記排気管又はガス導入管内
に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項３】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、所定時間後このパネルを冷却して前記排気
管を用いてパネル内に放電ガスを導入するプラズマディ
スプレイパネルの製造方法において、 前 記パネル近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内で、
パネル内へのガス導入後切断封止する部分よりも排気装
置側の部位に非蒸発型ゲッターを配置する工程と、 前記パネル内を排気しながら加熱する工程と、前記 パネルを加熱することで前記非蒸発型ゲッターを活
性化させる工程と、前記 パネルを冷却する工程と、前記 放電ガスを前記パネル内に導入する工程と、 前記排気管を切断封止する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項４】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、所定時間後このパネルを冷却してパネルに
接続されたガス導入管によりパネル内に放電ガスを導入
するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、 前 記パネル近傍に設けた前記ガス導入管の屈曲部内で、
パネル内へのガス導入後切断封止する部分よりも放電ガ
ス用のガスボンベ側の部位に非蒸発型ゲッターを配置す
る工程と、前記 排気管を通して前記パネル内を排気しながら加熱す
る工程と、前記 パネルを加熱することで前記非蒸発型ゲッターを活
性化させる工程と、前記 パネルを冷却する工程と、前記 放電ガスを前記パネル内に導入する工程と、前記 ガス導入管を切断封止する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項５】 前記パネルの加熱時に加熱される前記パ
ネル近傍に設けた前記排気管の屈曲部内で、パネル内へ
のガス導入前またはガス導入後に切断封止する部分より
排気装置側の部位に、非蒸発型ゲッターを配置する工程
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記非蒸発型ゲッターが、パネルの加熱
時の雰囲気温度により活性化する低温活性化タイプであ
ることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、更に、前記排気管を用いてパネル内に放電
ガスを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法
において、 パネル近傍に設けられた前記排気管の屈曲部内に、前記
パネルの過熱時の雰囲 気温度で活性化しない高温活性化
タイプの非蒸発型のゲッターを配置する工程と、 前記非蒸発型のゲッターの近傍に設置した高周波誘導過
熱装置により前記ゲッターを過熱し、前記ゲッターを活
性化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記パネル内に導入される放
電ガス内に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項８】 プラズマディスプレイパネルを加熱する
と同時に、このパネルに接続された排気管によりパネル
内を排気し、更に、ガス導入管を用いてパネル内に放電
ガスを導入するプラズマディスプレイパネルの製造方法
において、 パネル近傍に設けられた前記排気管又はガス導入管の少
なくとも一方の管の屈曲部内にパネルの加熱時の雰囲気
温度では活性化しない高温活性化タイプの非蒸発型のゲ
ッターを配置する工程と、 前記非蒸発型のゲッターの近傍に設置した高周波誘導過
熱装置により前記ゲッターを過熱し、前記ゲッターを活
性化させる工程と、 前記活性化したゲッターで前記排気管又はガス導入管内
に混入している不純物を吸着する工程と、 を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932098A JP3189786B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US09/312,890 US6189579B1 (en) | 1998-05-21 | 1999-05-17 | Gas filling method and device, and method for filling discharge gas into plasma display panel |
| KR1019990018112A KR100334334B1 (ko) | 1998-05-21 | 1999-05-19 | 가스 주입 방법 및 장치와, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 가스 주입 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932098A JP3189786B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329246A JPH11329246A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3189786B2 true JP3189786B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=15242572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13932098A Expired - Fee Related JP3189786B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6189579B1 (ja) |
| JP (1) | JP3189786B2 (ja) |
| KR (1) | KR100334334B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE69919242T2 (de) * | 1998-02-12 | 2005-08-11 | Canon K.K. | Verfahren zur Herstellung eines elektronenemittierenden Elementes, Elektronenquelle und Bilderzeugungsgerätes |
| JP3465634B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR20050043963A (ko) | 2003-05-19 | 2005-05-11 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2005071632A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその装置 |
| KR100742483B1 (ko) | 2004-03-11 | 2007-07-25 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4534563B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-09-01 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100635222B1 (ko) * | 2004-05-19 | 2006-10-17 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Ｐｄｐ용 기판 합착 장치 및 ｐｄｐ용 기판 합착 방법 |
| JP2008091083A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| WO2010109770A1 (ja) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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