JP2008297196A - 伝導性の改善されたカーボンナノチューブ、その製造方法および該カーボンナノチューブを含有する電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カーボンナノチューブを、酸化剤を使用して改質することによって、伝導度の改善されたカーボンナノチューブのドーピング方法、これを使用して得られたドーピングカーボンナノチューブ、およびこれを備える電極、表示素子または太陽電池などを提供できる。
【選択図】図1
Description
Nanoletter 2003,3,549 Science,288,494
N−メチルピロリドン10mlに酸化剤であるNaClO2 10mgを加えて溶解させた後、これに単一壁カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにNaClO3 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにNaClO4 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バス(sonic bath)で10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにAgClO4 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにNaNO2 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにOxone(登録商標)(2KHSO5・KHSO4・K2SO4)10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにDDQ(2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン;2,3−Dichloro−5,6−dicyano−p−benzoquinone)10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
ニトロメタン10mlにDDQ(2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン)10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにAuCl3 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
ニトロメタン10mlにAuCl3 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにNS(ニトロシルテトラフルオロボラート:NO2BF4)10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
ニトロメタン10mlにNS 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlにデス・マーチンペルヨージナン10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
ニトロメタン10mlにデス・マーチンペルヨージナン10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドン10mlに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間処理した。
蒸溜水10mlにNaNO2 10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
蒸溜水10mlにOxone(登録商標)(2KHSO5・KHSO4・K2SO4)10mgを加えて溶解させた後、これに単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)1mgを投入して、ソニック・バスで10時間ドーピング処理を行った。
N−メチルピロリドンに分散させた単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)溶液を用いてfiltering&transfer方式により、550nmで透光度84.8%のフィルムを製造した後、ニトロメタンを前記フィルムに塗布した後に5分間放置した後、スピンコーティングで乾燥および洗浄し、フードで追加で一晩中乾燥させた。
N−メチルピロリドンに分散させた単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)溶液を用いてfiltering&transfer方式により、550nmで透光度85.3%のフィルムを製造した後、ニトロメタンにNSを0.025Mに溶解した溶液を前記フィルムに塗布した。5分間放置した後にスピンコーティングで乾燥および洗浄し、フードで追加で一晩中乾燥させた。
N−メチルピロリドンに分散させた単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)溶液を用いてfiltering&transfer方式により、550nmで透光度85.7%のフィルムを製造した後、ニトロメタンにAuCl3を0.025Mに溶解した溶液を前記フィルムに塗布した。5分間放置した後、スピンコーティングで乾燥および洗浄し、フードで追加で一晩中乾燥させた。
N−メチルピロリドンに分散させた単層カーボンナノチューブ(韓国のイルチンナノテック株式会社製、モデルNo.ASP−100F)溶液を用いてfiltering&transfer方式により、550nmで透光度85.2%のフィルムを製造した後、ニトロメタンに硝酸を0.025Mに溶解した溶液を前記フィルムに塗布した。5分間放置した後、スピンコーティングで乾燥および洗浄して、フードで追加で一晩中乾燥させた。
NS100mg、処理していない韓国のイルチンナノテック株式会社製のSWNT(モデルNo.ASP−100F) 10mg、ニトロメタン20mlを混合して、ソニック・バスで10時間処理をした後にろ過して乾燥した。処理した後、乾燥されたカーボンナノチューブ2mgを分散溶媒であるDCE(1,2−ジクロロエタン)20mlに投入してソニック・バスで10時間分散した後、遠心分離して550nmで約85%透過度のフィルムを製造した。大気中で一晩中乾燥させた。
分散溶媒としてODCB(1,2−ジクロロベンゼン)を使用した以外には、実施例19と同一に行って約85%透過度のフィルムを得た。
分散溶媒としてニトロメタンを使用した以外には、実施例19と同一に行って約85%透過度のフィルムを得た。
処理していない韓国のイルチンナノテック株式会社製のSWNT 2mgにDCE 20mlを投入して、ソニック・バスで10時間分散した後、遠心分離して550nmで約85%透過度のフィルムを得た。
分散溶媒でODCB(1,2−ジクロロベンゼン)を使用した以外には、比較例4と同一に行って約85%透過度のフィルムを得た。
分散溶媒でニトロメタンを使用した以外には、比較例4と同一に行って約85%透過度のフィルムを得た。
4ポイントプローブ面抵抗測定器(韓国のチャンミンテク製、CMT−series)を使用して、前記実施例1ないし21、および比較例1ないし6で得られたドーピング処理されたカーボンナノチューブの面抵抗を測定して、下記表1および表2に記載した。
11 伝導性透明基板、
12 光吸収層、
12a ナノ粒子酸化物
12b 染料、
13 電解質層、
14 対向電極。
Claims (17)
- 酸化剤および有機溶媒を含む酸化剤溶液を作製する工程と、
前記酸化剤溶液でカーボンナノチューブをドーピング処理する工程と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブのドーピング方法。 - 前記ドーピング処理は、前記カーボンナノチューブの粉末を前記酸化剤溶液に混合および攪拌する工程を含む、または
前記カーボンナノチューブで形成されたフィルムを前記酸化剤溶液でディッピングもしくはコーティングする工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。 - 前記有機溶媒は、カーボンナノチューブを分散させる分散能を持つことを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記有機溶媒は、ジメチルホルムアミド、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロベンゼン、ニトロメタン、テトラヒドロフラン、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼンおよび亜硝酸ブチルからなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記有機溶媒は、酸化能を持つことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記酸化能を持つ有機溶媒は、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼンおよび亜硝酸ブチルからなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項5に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記酸化剤溶液は、分散剤をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記酸化剤は、酸化数が2以上減少することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 前記酸化剤は、ハロゲンオキソ酸系化合物、硫黄オキソ酸系化合物、金属ハライド、窒素オキソ酸系化合物、金属オキソ酸系化合物、ベンゾキノン系化合物、O3およびH2O2からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブのドーピング方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載のドーピング方法で得られるドーピングカーボンナノチューブ。
- 伝導度が103Ω/sq以下であり、透過度75%以上であるドーピングカーボンナノチューブ含有フィルム。
- 請求項10に記載のドーピングカーボンナノチューブを含有する、請求項11に記載のドーピングカーボンナノチューブ含有フィルム。
- 請求項10に記載のドーピングカーボンナノチューブを備える電極。
- 請求項13に記載の電極を備える表示素子。
- 前記表示素子は、OLED、LCD、またはEペーパーであることを特徴とする請求項14に記載の表示素子。
- 請求項13に記載の電極を備える太陽電池。
- 請求項10に記載のドーピングカーボンナノチューブを備える薄膜トランジスタ。
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