KR100601965B1 - n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 탄소나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 기판;상기 기판 상에 서로 이격되게 형성된 전극;상기 기판 상에서 상기 전극에 전기적으로 연결되게 형성된 탄소나노튜브;상기 탄소나노튜브 상에 형성된 게이트 산화층; 및상기 게이트 산화층 상에 형성된 게이트 전극;을 구비하며,상기 게이트 산화층은, 상기 탄소나노튜브에 전자를 제공하는 전자 도너 원자인 5족원소를 포함하는 산화물 또는 질화물이 ALD 증착되어 형성되며, 상기 탄소나노튜브는 상기 전자 도너 원자에 의해서 n형 도핑된 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 5족 원소는 비스무스 원소인 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET.
- 제 3 항에 있어서,상기 산화물은 BTSO(Bismuth-Tellurium-Strontium Oxide)인 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET.
- 도전성 기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 산화층;상기 게이트 산화층 상에 서로 이격되게 형성된 전극; 및상기 게이트 산화층 상에서 상기 전극에 전기적으로 연결되게 형성된 탄소나노튜브;를 구비하며,상기 게이트 산화층은, 상기 탄소나노튜브에 전자를 제공하는 전자 도너 원자인 5족원소를 포함하는 산화물 또는 질화물이 ALD 증착되어 형성되며, 상기 탄소나노튜브는 상기 전자도너원자에 의해서 n형 도핑된 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET.
- 삭제
- 제 5 항에 있어서,상기 5족 원소는 비스무스 원소인 것을 특징으로 하는 n형 CNT FET.
- 제 7 항에 있어서,상기 산화물은 BTSO(Bismuth titanium silicon oxide)인 것을 특징으로 하는 n형 CNT FET.
- 기판 상에 각각 서로 이격된 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에서 상기 전극과 전기적으로 연결되게 탄소나노튜브를 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브 상에 전자 도너 원자인 5족원소가 포함된 산화물 또는 질화물을 ALD 증착하여 게이트 산화층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 산화층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전자도너원자는 상기 탄소나노튜브를 n형 도핑하는 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET 제조방법.
- 삭제
- 제 9 항에 있어서,상기 5족 원소는 비스무스 원소인 것을 특징으로 하는 n형 CNT FET.
- 제 11 항에 있어서,상기 산화물은 BTSO(Bismuth titanium silicon oxide)인 것을 특징으로 하는 n형 CNT FET 제조방법.
- 도전성 기판 상에 전자 도너 원자인 5족원소가 포함된 산화물 또는 질화물을 ALD 증착하여 게이트 산화층을 형성하는 단계;상기 게이트 산화층 상에 각각 서로 이격된 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 산화층 상에 상기 전극과 전기적으로 연결되게 탄소나노튜브를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 전자도너원자는 상기 탄소나노튜브를 n형 도핑하는 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET 제조방법.
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,상기 5족 원소는 비스무스 원소인 것을 특징으로 하는 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 CNT FET 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 산화물은 BTSO(Bismuth titanium silicon oxide)인 것을 특징으로 하는 n형 CNT FET 제조방법.
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