KR20080105368A - 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극 - Google Patents

전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극 Download PDF

Info

Publication number
KR20080105368A
KR20080105368A KR1020070052868A KR20070052868A KR20080105368A KR 20080105368 A KR20080105368 A KR 20080105368A KR 1020070052868 A KR1020070052868 A KR 1020070052868A KR 20070052868 A KR20070052868 A KR 20070052868A KR 20080105368 A KR20080105368 A KR 20080105368A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotubes
doping
carbon nanotube
organic solvent
electrode
Prior art date
Application number
KR1020070052868A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100951730B1 (ko
Inventor
윤선미
최성재
신현진
최재영
김성진
이영희
Original Assignee
성균관대학교산학협력단
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 성균관대학교산학협력단, 삼성전자주식회사 filed Critical 성균관대학교산학협력단
Priority to KR1020070052868A priority Critical patent/KR100951730B1/ko
Priority to US12/043,519 priority patent/US8586458B2/en
Priority to CN2008101078027A priority patent/CN101314470B/zh
Priority to JP2008135550A priority patent/JP5399004B2/ja
Priority to EP08157017A priority patent/EP1998385B1/en
Publication of KR20080105368A publication Critical patent/KR20080105368A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100951730B1 publication Critical patent/KR100951730B1/ko
Priority to US12/899,867 priority patent/US8501529B2/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/821Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221Carbon nanotubes
    • H10K85/225Carbon nanotubes comprising substituents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

카본나노튜브의 도핑방법, 이를 사용하여 얻어지는 p-도핑 카본나노튜브 및 이를 포함하는 필름, 전극, 표시소자, 박막 트랜지스터 또는 태양전지가 제공된다. 구체적으로는 카본나노튜브를 산화제를 사용하여 개질함으로써 전도도가 개선된 카본나노튜브의 도핑방법, 이를 사용하여 얻어진 도핑 카본나노튜브, 상기 도핑카본나노튜브를 포함하는 필름 및 이를 함유하는 전극, 표시소자 또는 태양전지 등을 제공할 수 있게 된다.

Description

전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기 카본나노튜브를 함유하는 전극{Carbon nanotube having improved conductivity, process for preparing the same, and electrode comprising the carbon nanotube}
도 1은 원료인 카본나노튜브를 산화제로 도핑 처리하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 2는 도핑 처리된 카본나노튜브를 분산용매를 사용하여 카본나노튜브 필름을 형성하는 공정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 일반적인 태양전지의 구조를 나타내는 개략도이다.
본 발명은 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기 카본나노튜브를 함유하는 전극에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 카본나노튜브를 개질함으로써 전도도가 개선된 카본나노튜브 및 그의 제조방법 및 이를 함유하는 전극에 관한 것이다.
일반적으로 표시소자, 태양 전지 등과 같은 다양한 디바이스는 광을 투과시켜 화상을 형성하거나 전력을 생성하므로, 광을 투과시킬 수 있는 투명전극이 필수 적인 구성요소로서 사용된다. 이와 같은 투명전극으로서는 ITO (Indium Tin Oxide)가 가장 많이 알려져 있으며, 폭 넓게 사용되고 있다. 그러나 이와 같은 ITO는 인듐의 소비량이 많아짐에 따라 가격이 높아져 경제성이 저하된다는 문제점을 가지고 있으며, 특히 ITO를 소재로 하는 전극을 굽힐 경우 생성되는 크랙으로 말미암아 저항이 증가하는 문제점을 가지고 있다.
따라서 가요성(Flexible) 소자에 상기 ITO 전극을 사용하는 것은 품질의 저하를 유발하게 되므로, 가요성 소자에 활용활 수 있는 새로운 전극의 개발이 필요하며, 대표적으로는 카본나노튜브를 이용한 투명전극을 예로 들 수 있다. 이러한 카본나노튜브를 소재로 한 투명전극은 기존의 액정표시소자(LCD)뿐만 아니라, 유기발광 표시소자(OLED), 전자 종이 표시소자(Electronic Paper Like Display), 또는 태양전지(Solar Cell) 등의 다양한 소자에 응용될 수 있다.
이와 같은 카본나노튜브를 소재로 한 투명전극에 있어서, 가장 중요한 특성은 전도도, 투명도, 가요성(Flexibility)이라고 할 수 있으며, 일반적으로 카본나노튜브 투명전극은 카본나노튜브 분말을 용액에 분산하여 카본나노튜브 잉크를 제조한 다음 이를 기판에 도포함으로써 제조된다. 이렇게 제조된 카본나노튜브 투명전극은 카본나노튜브로 이루어진 Network 구조로 이루어져 있다. 따라서 전극 기능을 하기 위한 전자는 카본나노튜브 자체를 이동할 뿐만 아니라 카본나노튜브와 카본나노튜브 사이를 이동하여 흐르게 되며, 전자가 카본나노튜브 자체 및 카본나노튜브와 카본나노튜브 사이를 얼마나 잘 흐를 수 있는가 하는 것이 카본나노튜브 전극의 전도도를 결정하게 된다.
최근의 연구 결과에 의하면 이러한 카본나노튜브 망상 구조로 이루어진 전극에 있어서, 카본나노튜브가 충분히 접촉을 할 정도로 카본나노튜브의 양이 많을 경우, 즉 임계점 이상인 상태에서는 카본나노튜브 자체의 저항이 카본나노튜브 Network 필름에 미치는 영향은 거의 없는 반면, 카본나노튜브와 카본나노튜브사이의 접촉 저항(Contact Resistance)이 카본나노튜브 Network 필름의 저항에 주된 영향을 미친다고 알려져 있다(참조: Nanoletter 2003, 3, 549). 따라서 카본나노튜브와 카본나노튜브 사이의 접촉 저항의 감소는 카본나노튜브 투명전극의 전도성 향상을 위하여 매우 중요하다. 그리고 또 하나의 최근 연구 결과에 의하면 반도체성(semiconducting)과 금속성(metallic)이 혼합된 상태로 존재하는 카본나노튜브의 특성 때문에 접촉전도도가 다양하게 나타난다고 보고되어 있다(참조: Science, 288, 494). mCNT(metallic 카본나노튜브: 금속성 카본나노튜브)-mCNT(0.26 e2/h) > sCNT(semiconducting 카본나노튜브: 반도체성 카본나노튜브)-sCNT (0.06 e2/h) > sCNT-mCNT (0.0008 e2/h)의 순으로 접촉 전도도가 감소한다. 반도체성 카본나노튜브에서 금속성 카본나노튜브로 전자가 이동할 때는 Schottky barrier 때문에 상대적으로 매우 낮은 접촉전도도를 가진다. 따라서 sCNT-sCNT의 접촉전도도를 높이거나 sCNT-mCNT의 접촉전도도를 증가 혹은 접촉양을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 제1 기술적 과제는 전도도가 개선된 카본나노튜브의 도핑방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제2 기술적 과제는 상기 도핑방법을 통해 얻어지는 카본나노튜브를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제3 기술적 과제는 상기 도핑 카본나노튜브를 포함하는 카본나노튜브 필름을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제4 기술적 과제는 상기 전도도가 개선된 카본나노튜브 함유 전극을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제5 기술적 과제는 상기 전도도가 개선된 카본나노튜브를 함유하는 전극을 구비한 표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제6 기술적 과제는 상기 전도도가 개선된 카본나노튜브를 함유하는 전극을 구비한 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 제7 기술적 과제는 상기 전도도가 개선된 카본나노튜브를 포함하는 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다.
상기 제1 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액을 형성하는 단계; 및
상기 산화제 용액으로 카본나노튜브를 도핑 처리하는 단계를 포함하는 카본나노튜브의 도핑방법을 제공한다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 도핑 처리는 상기 카본나노튜브의 분말상을 상기 산화제 용액에 혼합 및 교반하는 공정이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 유기용매는 카본나노튜브를 분산시킬 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 유기용매로서는 DMF, DCE, ODCB, 니트로메탄, THF, NMP, 니트로메탄, 디메틸 술폭시드, 니트로벤젠 또는 부틸 니트라이트 등이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 산화제 용액은 분산제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 도핑 처리는 상기 카본나노튜브로 형성된 필름을 상기 산화제 용액으로 디핑 또는 코팅하는 공정이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 유기 용매는 산화능을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 산화제로서는 2가 이상의 산화수를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 산화제로서는 할로겐 산화물, 황산화물, 금속 할라이드, 질소산화물, 금속 산소산화물, 벤조퀴논계 화합물, O3 및 H2O2로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 혹은 둘 이상을 사용할 수 있다.
상기 제2 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액으로 도핑 처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 제공한다.
상기 제3 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
전도도가 103Ω/sq 이하이고, 투과도 75% 이상인 도핑 카본나노튜브 필름을 제공한다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 도핑 카본나노튜브는 산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액으로 도핑 처리하여 얻어진다.
상기 제4 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
상기 산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액으로 도핑 처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 포함하는 전극을 제공한다.
상기 제5 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
상기 전극을 구비하는 표시소자를 제공한다.
본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 표시소자는 OLED, LCD, E-페이퍼 등이 바람직하다.
상기 제6 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은
상기 전극을 구비하는 태양전지를 제공한다.
상기 제7 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
상기 도핑 처리에 의해 전도도가 개선된 카본나노튜브를 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
이하에서는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명은 카본나노튜브를 이용하여 제조되는 카본나노튜브 함유 전극을 구 현함에 있어서, 상기 전극의 전도도를 개선하여 그 활용성을 보다 증진시키게 된다.
일반적으로 카본나노튜브는 탄소 원자들이 6각형으로 배열된 흑연구조의 탄소 원자들로 이루어진 시트가 말려서 원통형으로 이루어지며, 하나의 시트로 구성된 튜브를 단일벽 카본나노튜브라고하며, 2 내지 5 개 정도의 여러개의 시트로 구성된 튜브를 얇은 다중벽 카본나노튜브라고한다. 그리고 시트들의 개수가 아주 많아 져서 얇은 다중벽 탄소나노튜브보다 많을 경우 다중벽 카본나노튜브라고 한다.
본 발명에서는 다발 구조의 카본나노튜브가 서로 엉켜 있는 네트웍 구조를 갖는 카본나노튜브 필름 또는 분말상 구조를 갖는 카본나노튜브에서의 전도도를 개선하기 위하여, 산화제를 사용하여 상기 카본나노튜브에 p-도핑을 함으로써 카본나노튜브의 접촉전도도 개선을 달성하게 된다.
본 발명에 따른 상기 카본나노튜브의 도핑방법은, 산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액을 형성한 후, 이 산화제 용액으로 카본나노튜브를 도핑처리하는 단계를 포함한다.
상기 본 발명의 도핑처리에 사용되는 산화제 용액은 산화제를 소정 농도로 유기 용매에 용해시킨 것으로, 물을 용매로 사용할 경우 도핑 효과를 거의 얻을 수 없어 유기용매를 사용하여 산화제를 용해시키는 것이 바람직하다. 이때 사용가능한 유기 용매는 산화제를 용해 또는 카본나노튜브를 분산시킬 수 있는 것이라면 제한없이 사용할 수 있으며, 극성 유기 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 사용가능한 유기용매로서는 DMF, DCE, ODCB, 니트로메탄, THF, NMP, 니트로메탄, 디메틸 술폭 시드, 니트로벤젠 또는 부틸 니트라이트 등을 예로 들 수 있다.
특히 산화제의 산화능을 보다 배가시키기 위하여 산화능을 갖는 유기 용매를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 이와 같은 산화능을 갖는 유기용매로서는 니트로메탄, 디메틸술폭시드, 니트로벤젠, 부틸 니트라이트 등을 사용할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 산화제 용액을 구성하는 산화제로서는 산화능이 있는 것이라면 제한없이 사용할 수 있으나, 2가 이상의 산화수를 갖는 산화제가 전도도 개선 측면에서 보다 바람직하다.
본 발명에서 사용가능한 산화제의 예로서는, 할로겐 산화물, 황산화물, 금속 할라이드, 질소산화물, 금속 산소산화물, 벤조퀴논계 화합물, O3 및 H2O2로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 할로겐 산화물로서는 요오드계 또는 염소계 산화제를 예로 들 수 있으며, 구체적으로는 아이오딜벤젠(iodylbenzene), 2-아이오독시벤조산(2-iodoxybenzoic acid), 데스-마틴 퍼아이오디난(Dess-Martin periodinane), 차아염소산나트륨, 아염소산나트륨, 염소산나트륨, 과염소산나트륨, 염소산은, 과염소산은 등을 사용할 수 있다. 상기 황산화물 로서는 DMSO, H2SO4, KHSO5, KHSO4, K2SO4, FSO3H, CF3SO3H, NH(CF3SO3H), AgN(CF3SO3H)등을 사용할 수 있다. 상기 금속 할라이드로서는 은이온, 금이온 또는 세륨 이온을 포함하는 금속염, 예를 들어 FeCl3, MoCl5, WCl5, SnCl4, MoF5, RuF5, TaBr5, SnI4, HAuCl4, AuCl3, (NH4)2Ce(SO4)3, (NH4)2Ce(NO3)6 등을 사용할 수 있다. 상 기 질소산화물로서는 질산, 질소 이산화물계 혹은 질소 산화물계 화합물을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 AgNO3, NO2F, NO2Cl, N2O5, NO2BF4, CH3NO2, C6H5NO2, CH3ONO, NO(SbCl6), NOBF4, NOClO4, NOSO4H, C6H5NO, NOCl, NOF, NOBr 등을 사용할 수 있다. 상기 금속 산소산계 화합물로서는 KMnO4, BaMnO4, OsO4 등을 예로 들 수 있다. 상기 Benzoquinone계 화합물로서는 벤조퀴논, 테트라클로로벤조퀴논, 디클로로디시아노벤조퀴논, 테트라시아노-퀴노디메탄 등을 예로 들 수 있다.
상술한 바와 같은 산화제는 상기 유기 용매에 소정 농도로 존재하여 산화물 용액을 형성하게 된다.
상술한 바와 같은 산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액을 사용하여 카본나노튜블 도핑처리하게 되는 바, 원료인 상기 카본나노튜브는 분말상 또는 필름의 형태를 갖는 것을 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어 도 1에 나타낸 바와 같이 분말상 카본나노튜브의 경우는 상기 산화제 용액에 이를 가한 후 소정 시간 동안 침지하여 도핑처리를 하게 된다. 이때 도핑처리에 소요되는 시간은 상기 카보나노튜브의 충분한 산화가 일어날 수 있도록 설정될 수 있으며, 바람직하게는 4 내지 12시간 동안 수행될 수 있다. 상기 도핑 시간이 4시간 미만이면 충분한 도핑처리를 얻을 수 없어 전도도 개선이 부족하며, 12시간을 초과하는 경우 초과되는 시간으로 인한 이익이 적어 바람직하지 않다.
상기와 같은 분말상 카본나노튜브를 산화제 용액에 침지하는 경우, 카본나노튜브와 산화제와의 접촉을 늘려 주기 위하여 교반 공정이 함께 수행될 수 있다. 이 와 같은 교반공정은 기계적 교반 혹은 초음파 처리 등으로 할 수 있다. 이와 같은 교반과 함께 상기 카본나노튜브의 효율적인 분산 및 재응집의 억제를 위하여 분산제를 상기 산화제 용액에 가하거나 카본나노튜브를 잘 분산시키는 용매를 사용하는 것도 바람직하다.
상기 분말상 카본나노튜브는 산화제 용액에 침지하여 도핑처리를 수행하나, 카본나노튜브가 필름상으로 형성되어 있는 경우는, 도 2에 나타낸 바와 같이 디핑, 스프레이 등의 방법으로 도핑공정을 수행할 수 있다. 이때 도핑 시간은 10초 내지 5시간이 바람직하며, 상기 도핑 시간이 10초 미만이면 충분한 도핑처리를 얻을 수 없어 전도도 개선이 부족하며, 5시간을 초과하는 경우 초과되는 시간으로 인한 이익이 적어 바람직하지 않다.
상기 본 발명에 따른 카본나노튜브는 단일벽 카본나노튜브, 얇은 다중벽 카본나노튜브, 다중벽 카본나노튜브 혹은 이들의 혼합물을 원료로서 사용할 수 있으며, 특별한 제한은 없다. 특히, 상기 카본나노튜브는 다발을 기준으로 평균길이가 0.5 내지 500㎛인 것을 사용할 수 있으며, 시판중인 길이가 긴 카본나노튜브를 기계적 처리, 예를 들어 볼 밀링 등으로 저온에서 처리하여 짧은 카본나노튜브를 생성한 후, 이를 사용하는 것도 가능하다.
상기와 같은 도핑 처리에 의해 전도도가 개선된 본 발명에 따른 카본나노튜브는 전극을 형성하는 사용될 수 있는 바, 이와 같은 전극은 일반적으로 필름 형태를 갖게 된다. 이 경우, 상술한 바와 같이 원료인 카본나노튜브 분말에 도핑공정을 수행한 후, 이를 필름으로 형성하는 것도 가능하며, 카본나노튜브 분말을 사용하여 필름을 형성한 후, 이 필름에 도핑처리를 수행하는 것도 가능하다. 또한 원료인 카본나노튜브 분말에 도핑공정 등을 수행한 후, 이를 필름으로 형성하고, 여기에 다시 도핑처리 등을 수행하는 것도 물론 가능하다.
이와 같은 본 발명에 따른 도핑 카본나노튜브를 포함하는 전도성 필름은 전도성이 개선되어 103Ω/sq 이하, 바람직하게는 500 내지 1Ω/sq의 전도도를 갖는다. 또한 상기와 같이 전도도가 개선됨으로써 적은 함량의 카본나노튜브만으로 목적하는 전도성을 얻을 수 있으므로 투명도를 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 상기 필름은 상술한 전도도를 가지면서도 550nm에서 약 75% 이상, 바람직하게는 약 75 내지 99%, 더욱 바람직하게는 75 내지 90%의 투과도를 갖는다.
이와 같이 하여 얻어진 본 발명에 따른 도핑처리된 카본나노튜브 함유 전극은 전도성의 개선과 더불어 가요성을 갖게 되므로, 각종 표시소자, 예를 들어 액정 표시소자, 유기발광 표시소자를 포함하여, 태양전지 등에 유용하게 사용할 수 있다. 상기 표시소자에 가요성 전극을 사용하면, 표시소자를 자유롭게 구부리는 것이 가능하게 되어 편리성이 증대되며, 태양전지의 경우도 가요성 전극을 사용하면 빛의 이동 방향에 따른 다양한 굴곡 구조를 가질 수 있게 되어 광의 효율적인 사용이 가능해지므로 광효율을 개선하는 것이 가능해진다.
상기 본 발명에 따른 도핑처리된 카본나노튜브 함유 투명전극을 다양한 소자에 사용하는 경우, 그 두께는 투명성을 고려하여 적절하게 조절하는 것이 바람직하다. 예를 들어 5 내지 500nm의 두께로 전극을 형성하는 것이 가능한 바, 상기 투명 전극의 두께가 500nm을 초과하는 경우 투명성이 저하되어 광효율이 불량해질 수 있으며, 두께가 5nm 미만인 경우, 면저항이 너무 높아지거나 카본나노튜브의 막이 불균일 해질 수 있어서 바람직 하지 않다.
상기 본 발명에 따른 도핑처리된 카본나노튜브 함유 전극의 제조방법을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선 카본나노튜브 분말을 용매에 분산시켜 카본나노튜브 잉크를 형성한 후, 상기 카본나노튜브 잉크를 기판 상에 도포하여 카본나노튜브 필름을 얻은 후, 여기에 상기 산화제 용액으로 도핑처리를 수행하여 도핑처리된 카본나노튜브를 포함하는 전극을 제조하게 된다.
이와 다른 방법으로서 카본나노튜브 분말을 상기 산화제 용액으로 도핑처리한 후, 처리된 카본나노튜브 분말을 용매에 분산시켜 카본나노튜브 잉크를 형성하고, 이를 기판 상에 도포하여 카본나노튜브 필름을 형성함으로써 도핑처리된 카본나노튜브를 포함하는 투명전극을 제조하는 것도 가능하다.
물론, 상기 카본나노튜브 분말을 도핑 처리한 후, 이를 이용하여 얻어진 카본나노튜브 필름에 대하여 추가적으로 도핑 처리하는 것도 물론 가능하다. 이와 같은 필름의 추가 도핑 처리의 경우, 상기 분말을 도핑처리할 때 사용된 산화제와 동일 또는 상이한 산화제를 사용하는 것도 가능하다.
상기 분산 용매로서는 분산능을 갖는 유기용매라면 제한없이 사용할 수 있으며, DCE(1,2-디클로로에탄), ODCB(1,2-디클로로벤젠), 니트로메탄 등을 사용할 수 있다.
이와 같이 도핑처리된 카본나노튜브를 포함하는 전극은 전도도가 개선되고, 가요성이 우수하여 다양한 소자에 효율적으로 사용하는 것이 가능한 바, 태양전지의 전극, 혹은 액정 표시소자 또는 유기발광 표시소자와 같은 다양한 표시소자의 전극으로 활용하는 것이 가능해진다.
상기 태양전지의 예로서는 도 3에 도시한 바와 같은 염료감응 태양전지가 있으며, 상기 염료감응 태양전지는 반도체 전극(10), 전해질층(13) 및 대향전극(14)을 포함하며, 상기 반도체 전극은 전도성 투명기판(11) 및 광흡수층(12)으로 이루어지며, 전도성 유리기판 상에 나노입자 산화물(12a)의 콜로이드 용액을 코팅하여 고온의 전기로에서 가열한 후 염료(12b)를 흡착시켜 완성된다. 상기 구성 요소중 전도성 투명 기판으로서 본 발명에 따른 도핑처리에; 의해 전도도가 개선된 카본나노튜브 함유 전극을 사용하는 것이 가능하다.
상기 표시소자중 유기발광 표시소자는 형광성 또는 인광성 유기 화합물 박막에 전류를 흘려주면, 전자와 정공이 유기막에서 결합하면서 빛이 발생하는 현상을 이용한 능동 발광형 표시 소자이다. 일반적인 유기 전계 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가지고 있다. 전자와 정공의 주입을 보다 용이하게 하기 위하여 전자 주입층 및 정공 주입층을 더 구비하는 것도 가능하다. 상기 애노드는 그 특성상 투명하고 전도성이 우수한 소재가 바람직한 바, 상기 본 발명에 따른 도핑처리된 카본나노튜브를 포함하는 전극을 유용하게 사용할 수 있다.
위에서 언급한 OLED 표시소자 이외에도 다양한 표시소자에도 사용가능하며, 예를 들어 표시 소재 방식으로 나눈다면, LCD, ECD, E-페이퍼 등으로 나눌 수 있다. 또한 이러한 표시 소재들이 가요성 기판과 결합이 될 경우 구부림이 가능한 표시소자가 구현되게 된다. 이러한 표시소자에는 공통적으로 전극이 사용된다는 특징이 있으며, 그 특성상 투명하고 전도성이 우수한 소재가 바람직한 바, 상기 본 발명에 따른 도핑처리된 카본나노튜브를 포함하는 전극을 유용하게 사용할 수 있다.
또한 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 전도성이 개선된 도핑 카본나노튜브는 박막 트랜지스터에 채용될 수 있으며, 이때 전극 또는 채널에 상기 도핑 카본나노튜브를 사용하여 투명도 및 전도성을 개선하는 것이 가능하다.
이하에서 본 발명을 실시예를 들어 보다 상세히 설명하나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
N-메틸피롤리돈 10ml에 산화제인 NaClO2 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 2
N-메틸피롤리돈 10ml에 NaClO3 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 3
N-메틸피롤리돈 10ml에 NaClO4 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 4
N-메틸피롤리돈 10ml에 AgClO4 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 5
N-메틸피롤리돈 10ml에 NaNO2 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 6
N-메틸피롤리돈 10ml에 Oxone(2KHSO5 ㅇ KHSO4 ㅇ K2SO4) 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 7
N-메틸피롤리돈 10ml에 DDQ(2,3-Dichloro-5,6-dicyano-p-benzoquinone) 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP- 100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 8
니트로메탄 10ml에 DDQ(2,3-디클로로-5,6-디시아노-p-벤조퀴논; 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-p-benzoquinone) 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 9
N-메틸피롤리돈 10ml에 AuCl3 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 10
니트로메탄 10ml에 AuCl3 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 11
N-메틸피롤리돈 10ml에 NS(니트로실 테트라플루오로보레이트; nitrosyl tetrafluoroborate) 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 12
니트로메탄 10ml에 NS 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 13
N-메틸피롤리돈 10ml에 Dess-Martin periodinane 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
실시예 14
니트로메탄 10ml에 Dess-Martin periodinane 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
비교예 1
N-메틸피롤리돈 10ml에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 처리하였다.
비교예 2
증류수 10ml에 NaNO2 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
비교예 3
증류수 10ml에 Oxone(2KHSO5 ㅇ KHSO4 ㅇ K2SO4) 10mg을 가하여 용해시킨 후, 여기에 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 1mg을 투입하여 sonic bath에서 10시간 동안 도핑처리를 수행하였다.
상기 실시예 1 내지 14, 및 비교예 1 내지 3에서 얻어진 도핑처리된 카본나노튜브를 Anodisc membrane(47mm, 0.1㎛, Whatman)으로 여과하여 카본나노튜브 페이퍼를 만든 후, 후드 내에서 밤새 건조하였다.
실시예 15
N-메틸피롤리돈에 분산시킨 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 용액으로 550nm에서 투광도 84.8% 필름을 제조한 후, 니트로메탄을 상기 필름에 도포한 후 5분간 방치한 후 스핀코팅으로 건조 및 세척하고, 후드에서 추가로 하룻밤 건조하였다.
실시예 16
N-메틸피롤리돈에 분산시킨 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 용액으로 550nm에서 투광도 85.3% 필름을 제조한 후, 니트로메탄에 NS를 0.025M로 용해한 용액을 상기 필름에 도포하였다. 5분간 방치한 후 스핀코팅으로 건조 및 세척하고, 후드에서 추가로 밤새 건조하였다.
실시예 17
N-메틸피롤리돈에 분산시킨 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP- 100F) 용액으로 550nm에서 투광도 85.7% 필름을 제조한 후, 니트로메탄에 AuCl3를 0.025M로 용해한 용액을 상기 필름에 도포하였다. 5분간 방치한 후 스핀코팅으로 건조 및 세척하고, 후드에서 추가로 밤새 건조하였다.
실시예 18
N-메틸피롤리돈에 분산시킨 단일벽 카본나노튜브(일진사 제조, 모델명 ASP-100F) 용액으로 550nm에서 투광도 85.2% 필름을 제조한 후, 니트로메탄에 질산을 0.025M로 용해한 용액을 상기 필름에 상기 필름에 도포하였다. 5분간 방치한 후 스핀코팅으로 건조 및 세척하고, 후드에서 추가로 밤새 건조하였다.
실시예 19
NS화합물 100mg, 처리하지 않은 Iljin SWNT 10mg, NM (니트로메탄) 20ml을 혼합하여 sonic bath에서 10시간 처리를 한 후 여과하여 건조하였다. 처리한 후 건조된 카본나노튜브 2mg 을 각각의 분산용매인 DCE(1,2-디클로로에탄) 20ml에 투입하여 sonic bath에서 10시간 분산한 후, 원심분리하여 550nm에서 약 85% 투과도의 필름을 제조하였다. 대기중에서 밤새 건조하였다.
실시예 20
분산용매로 ODCB(1,2-디클로로벤젠)를 사용한 것 외에는 실시예 20과 동일하게 수행하여 약 85% 투과도의 필름을 얻었다.
실시예 21
분산용매로 니트로메탄을 사용한 것 외에는 실시예 19와 동일하게 수행하여 약 85% 투과도의 필름을 얻었다.
비교예 4
처리하지 않은 Iljin SWNT 2mg에 DCE 20ml을 투입하여 sonic bath에서 10시간 분산한 후 원심분리하여 550nm에서 약 85% 투과도의 필름을 얻었다.
비교예 5
분산용매로 ODCB(1,2-디클로로벤젠)를 사용한 것 외에는 비교예 4와 동일하게 수행하여 약 85% 투과도의 필름을 얻었다.
비교예 6
분산용매로 니트로메탄을 사용한 것 외에는 비교예 4와 동일하게 수행하여 약 85% 투과도의 필름을 얻었다.
실험예
4포인트 프로브 면저항 측정기(창민테크, CMT-series)를 사용하여 상기 실시예 1 내지 21, 및 비교예 1 내지 6에서 얻어진 도핑처리된 카본나노튜브의 면저항을 측정하여 하기 표 1 및 표 2에 기재하였다.
[표 1]
구분 산화제 유기용매 면저항 (ohm/sq.)
실시예 1 NaClO2 N-메틸피롤리돈 8.71
실시예 2 NaClO3 N-메틸피롤리돈 5.17
실시예 3 NaClO4 N-메틸피롤리돈 3.06
실시예 4 AgClO4 N-메틸피롤리돈 7.67
실시예 5 NaNO2 N-메틸피롤리돈 5.70
실시예 6 Oxone N-메틸피롤리돈 9.20
실시예 7 DDQ N-메틸피롤리돈 4.69
실시예 8 DDQ 니트로메탄 3.62
실시예 9 AuCl3 N-메틸피롤리돈 3.66
실시예 10 AuCl3 니트로메탄 1.76
실시예 11 NS N-메틸피롤리돈 4.03
실시예 12 NS 니트로메탄 1.40
실시예 13 Dess-Martin periodinane N-메틸피롤리돈 6.96
실시예 14 Dess-Martin periodinane 니트로메탄 3.79
비교예 1 - N-메틸피롤리돈 10.5
비교예 2 NaNO2 증류수 49.56
비교예 3 Oxone 증류수 134.00
상기 표 1의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 14에 따른 산화제 용액으로 p-도핑하여 얻어진 카본나노튜브가 산화제로 도핑처리하지 않은 비교예 1의 카본나노튜브와 비교하여 전도도가 개선되었음을 알 수 있다.
특히 유기 용매를 사용하지 않고 물을 용매로 사용한 비교예 2 및 3의 경우 실시예 5 및 6과 동일한 산화제를 사용함에도 저항값이 상당히 높음을 알 수 있다. 이는 카본나노튜브가 물과 친화성이 없어서 산화제 처리로 인한 효과가 발생하지 않음을 알 수 있다.
[표 2]
구분 산화제 유기용매 면저항 (ohm/sq.) 감소분
도핑처리 전 도핑처리 후
실시예 15 니트로메탄 - 1299.4 642.9 50.5%
실시예 16 NS 니트로메탄 1605.4 374.6 76.7%
실시예 17 AuCl3 니트로메탄 1849.0 274.1 85.2%
실시예 18 질산 니트로메탄 1201.8 322.6 73.2%
상기 실시예 15 내지 18은 필름상의 카본나노튜브를 도핑처리한 결과 저항값이 50% 이상 낮아졌음을 나타낸다.
[표 3]
구분 산화제 유기용매 분산용매 면저항 (ohm/sq.)
실시예 19 NS 니트로메탄 DCE 347.37
실시예 20 NS 니트로메탄 ODCB 442.50
실시예 21 NS 니트로메탄 니트로메탄 326.87
비교예 4 - - DCE 6024.00
비교예 5 - - ODCB 2683.00
비교예 6 - - 니트로메탄 1462.57
상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 도핑 처리하지 않은 카본나노튜브를 각각의 유기용매에 분산하여 만든 카본나노튜브 필름인 비교예 4 내지 6보다 도핑 처리한 카본나노튜브를 각각의 유기용매에 분산하여 만든 카본나노튜브 필름의 실시예 19 내지 21의 저항이 낮음을 알 수 있다.
본 발명에서는 카본나노튜브를 도핑처리함으로써 전도도를 개선할 수 있는 방법을 제공하며, 그에 따라 얻어진 도핑된 카본나노튜브를 포함하는 투명전극은 전도성이 개선되면서도 가요성을 유지할 수 있어 다양한 표시소자, 박막트랜지스터 또는 태양전지 등에 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (18)

  1. 산화제 및 유기 용매를 포함하는 산화제 용액을 형성하는 단계; 및
    상기 산화제 용액으로 카본나노튜브를 도핑 처리하는 단계를 포함하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도핑 처리가 상기 카본나노튜브의 분말상을 상기 산화제 용액에 혼합 및 교반하는 공정을 포함하는 것을 특징으로하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기용매가 카본나노튜브를 분산시키는 분산능을 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기용매가 DMF, DCE, ODCB, 니트로메탄, THF, NMP, 니트로메탄, 디메틸 술폭시드, 니트로벤젠 및 부틸 니트라이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화제 용액이 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 의 도핑방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도핑 처리가 상기 카본나노튜브로 형성된 필름을 상기 산화제 용액으로 디핑 또는 코팅하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용매가 산화능을 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 산화능을 갖는 유기 용매가 니트로메탄, 디메틸술폭시드, 니트로벤젠 또는 부틸 니트라이트인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 산화제가 2가 이상의 산화수를 갖는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 산화제가 할로겐 산화물, 황산화물, 금속 할라이드, 질소산화물, 금속 산소산화물, 벤조퀴논계 화합물, O3 및 H2O2로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 혹은 둘 이상인 것을 특징으로 하는 카본나노튜브의 도핑방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도핑방법으로 도핑 처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브.
  12. 전도도가 103Ω/sq 이하이고, 투과도 75% 이상인 도핑 카본나노튜브 함유 필름.
  13. 제12항에 있어서,
    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도핑방법으로 도핑 처리하여 얻어지는 것임을 특징으로 하는 도핑 카본나노튜브 함유 필름.
  14. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 도핑방법으로 도핑처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 포함하는 전극.
  15. 제14항에 따른 전극을 구비하는 표시소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 표시소자가 OLED, LCD, 또는 E-페이퍼인 것을 특징으로 하는 표시소자.
  17. 제14항에 따른 전극을 구비하는 태양전지.
  18. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 도핑 방법으로 도핑처리하여 얻어지는 도핑 카본나노튜브를 포함하는 박막 트랜지스터.
KR1020070052868A 2007-05-30 2007-05-30 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극 KR100951730B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070052868A KR100951730B1 (ko) 2007-05-30 2007-05-30 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극
US12/043,519 US8586458B2 (en) 2007-05-30 2008-03-06 Process of preparing carbon nanotube having improved conductivity
CN2008101078027A CN101314470B (zh) 2007-05-30 2008-05-14 导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极
JP2008135550A JP5399004B2 (ja) 2007-05-30 2008-05-23 伝導性の改善されたカーボンナノチューブ、その製造方法および該カーボンナノチューブを含有する電極
EP08157017A EP1998385B1 (en) 2007-05-30 2008-05-27 Process of Preparing Carbon Nanotube having Improved Conductivity
US12/899,867 US8501529B2 (en) 2007-05-30 2010-10-07 Carbon nanotube having improved conductivity, process of preparing the same, and electrode comprising the carbon nanotube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070052868A KR100951730B1 (ko) 2007-05-30 2007-05-30 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080105368A true KR20080105368A (ko) 2008-12-04
KR100951730B1 KR100951730B1 (ko) 2010-04-07

Family

ID=39563309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070052868A KR100951730B1 (ko) 2007-05-30 2007-05-30 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8586458B2 (ko)
EP (1) EP1998385B1 (ko)
JP (1) JP5399004B2 (ko)
KR (1) KR100951730B1 (ko)
CN (1) CN101314470B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190053497A (ko) 2017-11-10 2019-05-20 연세대학교 산학협력단 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2365117B1 (en) 2005-07-28 2014-12-31 Nanocomp Technologies, Inc. Apparatus and method for formation and collection of nanofibrous non-woven sheet
KR100883737B1 (ko) * 2007-01-17 2009-02-12 삼성전자주식회사 망상 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법
US8501529B2 (en) * 2007-05-30 2013-08-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Carbon nanotube having improved conductivity, process of preparing the same, and electrode comprising the carbon nanotube
KR100913700B1 (ko) * 2007-06-12 2009-08-24 삼성전자주식회사 아민 화합물을 포함하는 탄소 나노튜브(cnt) 박막 및 그제조방법
EP2469657A1 (en) 2007-08-07 2012-06-27 Nanocomp Technologies, Inc. Electrically and thermally non-metallic conductive nanostructure-based adapters
US8847074B2 (en) 2008-05-07 2014-09-30 Nanocomp Technologies Carbon nanotube-based coaxial electrical cables and wiring harness
KR20100045675A (ko) * 2008-10-24 2010-05-04 삼성전자주식회사 표시 장치
JP2010177615A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
KR101091744B1 (ko) * 2009-04-15 2011-12-08 한국과학기술연구원 메탈와이어를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
US8354593B2 (en) * 2009-07-10 2013-01-15 Nanocomp Technologies, Inc. Hybrid conductors and method of making same
US20110048508A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 International Business Machines Corporation Doping of Carbon Nanotube Films for the Fabrication of Transparent Electrodes
US8460747B2 (en) 2010-03-04 2013-06-11 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including alloyed carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
FR2952366A1 (fr) * 2010-04-07 2011-05-13 Commissariat Energie Atomique Procede d'elaboration d'un reseau de nanotubes de carbone
KR20110126998A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 삼성전자주식회사 Cnt 조성물, cnt 막구조체, 액정표시장치, cnt 막구조체의 제조방법 및 액정표시장치의 제조방법
KR101103606B1 (ko) * 2010-12-22 2012-01-09 한화케미칼 주식회사 전극 활물질인 전이금속화합물과 섬유형 탄소물질의 복합체 및 이의 제조방법
JP5902498B2 (ja) * 2011-05-25 2016-04-13 日産化学工業株式会社 カーボンナノチューブ分散材料の導電性向上方法
MX338468B (es) 2011-07-14 2016-04-13 Ct De Investigación Y De Estudios Avanzados Del I P N Metodo para la elaboracion de nanotubos de carbono dopados con diferentes elementos.
EP2738776A4 (en) * 2011-09-29 2015-04-01 Univ Kyushu Nat Univ Corp TRANSPARENT CONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
CN102654672B (zh) * 2011-11-18 2015-07-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、阵列基板、彩膜基板及其制作方法
US8772910B2 (en) 2011-11-29 2014-07-08 International Business Machines Corporation Doping carbon nanotubes and graphene for improving electronic mobility
US8895417B2 (en) 2011-11-29 2014-11-25 International Business Machines Corporation Reducing contact resistance for field-effect transistor devices
WO2013155111A1 (en) 2012-04-09 2013-10-17 Nanocomp Technologies, Inc. Nanotube material having conductive deposits to increase conductivity
JP6404916B2 (ja) 2013-06-17 2018-10-17 ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド ナノチューブ、束および繊維のための剥離剤および分散剤
KR102555010B1 (ko) * 2014-12-01 2023-07-18 엘지디스플레이 주식회사 탄소나노튜브 분산액 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치
CN104576321A (zh) * 2015-01-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电极结构、其制作方法、显示基板及显示装置
JP6821575B2 (ja) 2015-02-03 2021-01-27 ナノコンプ テクノロジーズ,インク. カーボンナノチューブ構造体およびその生成のための方法
CN104616838B (zh) 2015-02-10 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种电子器件的制作方法及电子器件
CN104731413B (zh) * 2015-04-02 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 触控单元及其制作方法和柔性触控显示装置
CN104934551B (zh) * 2015-05-14 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极层及其制备方法、显示基板、显示装置
KR101764195B1 (ko) 2015-09-25 2017-08-02 전북대학교산학협력단 폐추진기관의 고체 추진제 처리방법
KR101700757B1 (ko) * 2015-10-06 2017-01-31 국방과학연구소 금속 입자가 분산된 다공성 구조의 산화제 입자 조성물 및 이의 제조방법
WO2018012416A1 (ja) * 2016-07-14 2018-01-18 日産化学工業株式会社 電荷輸送性薄膜形成用ワニス
US10581082B2 (en) 2016-11-15 2020-03-03 Nanocomp Technologies, Inc. Systems and methods for making structures defined by CNT pulp networks
US11279836B2 (en) 2017-01-09 2022-03-22 Nanocomp Technologies, Inc. Intumescent nanostructured materials and methods of manufacturing same
JP6666866B2 (ja) * 2017-02-17 2020-03-18 矢崎総業株式会社 カーボンナノチューブ撚糸電線の製造方法
CN109428006B (zh) * 2017-08-30 2020-01-07 清华大学 有机发光二极管
CN110112406B (zh) * 2019-06-12 2020-09-22 广州德塔吉能源科技有限公司 阴极组合物的制备方法、阴极组合物及锂离子电池
CN112509728A (zh) * 2019-09-16 2021-03-16 天津工业大学 一种四氯金酸三水合物掺杂碳纳米管柔性透明导电薄膜及其制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6641793B2 (en) * 1998-10-02 2003-11-04 University Of Kentucky Research Foundation Method of solubilizing single-walled carbon nanotubes in organic solutions
MXPA02000576A (es) 1999-07-21 2002-08-30 Hyperion Catalysis Int Metodos para oxidar nanotubos de carbono de paredes multiples.
DE10038124B4 (de) 2000-08-04 2006-05-11 Infineon Technologies Ag Verwendung einer mehrwandigen Nanoröhre auf einem Substrat und als elektronisches Bauelement
WO2004009884A1 (en) 2002-07-19 2004-01-29 University Of Florida Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes
JP2004165474A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換素子及びその製造方法
US7858185B2 (en) 2003-09-08 2010-12-28 Nantero, Inc. High purity nanotube fabrics and films
KR20040106947A (ko) * 2003-06-05 2004-12-20 삼성전자주식회사 금속나노입자 및 카본나노튜브를 이용한 도전성 필름 또는패턴 형성방법
US20060029537A1 (en) 2003-11-20 2006-02-09 Xiefei Zhang High tensile strength carbon nanotube film and process for making the same
JP2005290292A (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 National Institute Of Advanced Industrial & Technology カーボンナノチューブ分散ポリイミド可飽和吸収体
US7253431B2 (en) 2004-03-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube
US7335245B2 (en) 2004-04-22 2008-02-26 Honda Motor Co., Ltd. Metal and alloy nanoparticles and synthesis methods thereof
KR100601965B1 (ko) * 2004-10-02 2006-07-18 삼성전자주식회사 n형 탄소 나노튜브를 구비한 n형 탄소나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법
JP4799852B2 (ja) * 2004-11-22 2011-10-26 株式会社フジクラ 光電変換素子用電極、光電変換素子および色素増感太陽電池
KR100680008B1 (ko) * 2004-11-30 2007-02-09 학교법인연세대학교 탄소나노튜브 박막의 제조방법
JP2006171336A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
JP3963393B2 (ja) 2005-03-01 2007-08-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
JP2006269311A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toray Ind Inc 金属を担持した担体と炭素含有化合物を接触させて得たカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム
KR101224739B1 (ko) * 2006-01-23 2013-01-21 삼성전자주식회사 아로마틱이미드계 탄소나노튜브용 분산제 및 그를포함하는 탄소나노튜브 조성물
US10144638B2 (en) * 2006-03-09 2018-12-04 Battelle Memorial Institute Methods of dispersing carbon nanotubes
US20080023066A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Unidym, Inc. Transparent electrodes formed of metal electrode grids and nanostructure networks
KR100790216B1 (ko) * 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 cnt 투명전극 및 그의 제조방법
JP4325726B2 (ja) * 2007-02-20 2009-09-02 東レ株式会社 カーボンナノチューブ集合体および導電性フィルム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190053497A (ko) 2017-11-10 2019-05-20 연세대학교 산학협력단 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101314470A (zh) 2008-12-03
EP1998385A2 (en) 2008-12-03
KR100951730B1 (ko) 2010-04-07
EP1998385A3 (en) 2010-08-18
EP1998385B1 (en) 2012-06-27
US20080296683A1 (en) 2008-12-04
JP2008297196A (ja) 2008-12-11
US8586458B2 (en) 2013-11-19
CN101314470B (zh) 2013-06-26
JP5399004B2 (ja) 2014-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100951730B1 (ko) 전도성이 개선된 카본나노튜브, 그의 제조방법 및 상기카본나노튜브를 함유하는 전극
US8501529B2 (en) Carbon nanotube having improved conductivity, process of preparing the same, and electrode comprising the carbon nanotube
EP1914781B1 (en) Transparent carbon nanotube electrode using conductive dispersant and production method thereof
US9017813B2 (en) Doped carbon nanotubes and transparent conducting films containing the same
KR101435999B1 (ko) 도펀트로 도핑된 산화그라펜의 환원물, 이를 포함하는 박막및 투명전극
US20070246689A1 (en) Transparent thin polythiophene films having improved conduction through use of nanomaterials
Deng et al. Anti-solvent free fabrication of FA-Based perovskite at low temperature towards to high performance flexible perovskite solar cells
KR20120035841A (ko) 도핑된 그래핀 함유 투명전극, 그의 제조방법, 및 이를 구비하는 표시소자와 태양전지
US20160276609A1 (en) Dye-sensitized solar cell
Kartikay et al. Enhanced charge transport in low temperature carbon-based nip perovskite solar cells with NiOx-CNT hole transport material
US20130330559A1 (en) Doping of carbon-based structures for electrodes
Shen et al. Using interfacial contact engineering to solve nickel oxide/perovskite interface contact issues in inverted perovskite solar cells
Xie et al. In situ synthesis of g-C3N4 by glass-assisted annealing route to boost the efficiency of perovskite solar cells
JPWO2018056295A1 (ja) 太陽電池
JP4769572B2 (ja) 耐熱性透明電極の製造方法および色素増感太陽電池
Woo et al. Conducting polymer/in-situ generated platinum nanoparticle nanocomposite electrodes for low-cost dye-sensitized solar cells
KR101766967B1 (ko) 3차원 구조를 갖는 복합구조체 및 이의 제조방법
WO2018207857A1 (ja) 有機無機ハイブリッド材料ならびにこれを用いたペロブスカイト型太陽電池
KR102243003B1 (ko) 정공수송층 형성용 조성물 및 이를 포함하는 반투명 유기 태양전지
Mxakaza et al. Cu2ZnSnS4/N-MWCNTs hybrid systems as counter electrode substitutes for platinum in dye-sensitized solar cells
KR100907025B1 (ko) 전자를 받을 수 있는 작용기를 가진 화학물질로 처리한탄소 나노 튜브 박막 및 그 제조방법
EP4350793A1 (en) Composition and method for producing electronic device using same
JP5636975B2 (ja) 接合構造体の製造方法
Zhang et al. Revealing the mechanism between ion migration and the oxidation of hole-transporting layers in high-efficiency perovskite solar cells
Chiang et al. Synergistical assembly of multiwalled carbon nanotubes/polyaniline network for dye‐sensitized solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130221

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140221

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150212

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190220

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 11