JP5473148B2 - 導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法 - Google Patents

導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5473148B2
JP5473148B2 JP2010533967A JP2010533967A JP5473148B2 JP 5473148 B2 JP5473148 B2 JP 5473148B2 JP 2010533967 A JP2010533967 A JP 2010533967A JP 2010533967 A JP2010533967 A JP 2010533967A JP 5473148 B2 JP5473148 B2 JP 5473148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
carbon nanotube
nanotube composite
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010533967A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011504280A (ja
Inventor
キュ チャン，ヨン
ヨン ベ，スン
シル イ，ヨン
ヘ イ，ヨン
チャン ゲン，ホン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cheil Industries Inc
Original Assignee
Cheil Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cheil Industries Inc filed Critical Cheil Industries Inc
Priority claimed from PCT/KR2008/006727 external-priority patent/WO2009064133A2/en
Publication of JP2011504280A publication Critical patent/JP2011504280A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5473148B2 publication Critical patent/JP5473148B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D127/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D127/02—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C09D127/12—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C09D127/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0673—Nanowires or nanotubes oriented parallel to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/041—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Description

本発明は、カーボンナノチューブ複合体組成物を用いた透明導電性フィルム（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）に関する。より詳細には、カーボンナノチューブを溶媒に溶解している高分子バインダーに分散させて導電性を有するカーボンナノチューブ複合体組成物を形成し、ベース基板上にカーボンナノチューブ複合体組成物を被覆して酸処理し、透明でかつ導電性が向上した透明導電性フィルム及びその形成方法に関する。
近年、薄く軽いディスプレイを開発するため、技術が進歩し、透明電極用素材は、大きな関心の対象になってきた。
透明導電性フィルムは、一般的に、フラットディスプレイ、タッチスクリーンパネル等の先端ディスプレイ機器に応用されてきた。
このようなフラットディスプレイでは、透明電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物電極をガラス又はプラスチック基板上に、スパッタリング等のコーティング工程により被覆して形成される。
このような金属酸化物を用いて製造された透明電極フィルムは、高導電性と透明性を有するが、摩擦抵抗が低く、曲げに対して脆弱である。
また、透明フィルムの主な材料として用いられているインジウムは、天然埋蔵量に限りがあり、価格が非常に高いだけでなく、加工が容易ではない。
したがって、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子を使用することが、加工し易さと曲げ特性のポリマーの長所を有する透明電極の開発のために検討されてきた。
このような導電性高分子を用いた透明電極フィルムは、ドーピングにより高い導電性を得ることができ、被覆膜の密着性及び曲げ特性に優れている。
しかし、導電性高分子を用いた透明フィルムの電気伝導度（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）は、透明電極に適用し得る程度には十分ではなく、また導電性高分子を用いた透明フィルムは透明性が低い。
したがって、ＩＴＯに代替し得る素材としてカーボンナノチューブが開発されている。カーボンナノチューブは、多様な分野で用いられているが、特に、優れた電気伝導性を示す電極材料への応用について、研究が活発になされている。
カーボンナノチューブは炭素を原料とし、螺旋形状にしたグラフェンシートを回転させて形成されたチューブ形状をしている。従来技術としては、現在、炭素を原料とした材料には、ダイヤモンド、グラファイト、フラーレンがある。これらのカーボンベースの材料に比較して、カーボンナノチューブは密度が低く、高い強度、安定性、電気特性を示し、それゆえに、多くの分野で相当の注目を集めている。特に、カーボンナノチューブの電気的特性を有する電界放出素子、発光素子、ディスプレイ素材などのみならず、汎用素材として用いるために複合材料としても開発が進められている。
したがって、前記カーボンナノチューブの電気伝導度を向上させるために、カーボンナノチューブの分散性及び接着特性を向上させる試みがなされている。
しかし、カーボンナノチューブは、ＩＴＯの導電性（数十Ω／ｃｍ２）には達していない。
本発明の一態様は、カーボンナノチューブ複合体組成物を使用して形成され、電気伝導度、透明性及び折り曲げ特性を改善することにより、折り畳み可能なフラットディスプレイパネルの透明電極に適用可能な透明導電性フィルムを提供する。
本発明の別の態様によれば、カーボンナノ複合体組成物を用いて、透明性を維持しながら、酸処理を施して電気伝導度及び接着力を向上させた透明導電性フィルムを提供すること、及びその製造方法を提供することである。
本発明は、上記の態様に制限されず、ここに言及していない本発明の他の態様は下記から当業者が明確に理解できるであろう。
本発明の一態様によれば、透明導電性フィルムの製造方法は、溶媒にカーボンナノチューブを混合してカーボンナノチューブ複合体組成物を調製する段階と、前記カーボンナノチューブ複合体組成物でベース基板上を被覆してカーボンナノチューブ複合体フィルムを形成する段階と、前記カーボンナノチューブ複合体フィルムを酸溶液に浸漬させ、カーボンナノチューブ複合体フィルムを蒸溜水で洗浄し、前記洗浄したカーボンナノチューブ複合体フィルムを乾燥する、前記ベース基板上に透明電極を形成するための、酸処理する段階とを有する。
また、本発明の別の態様によれば、透明導電性フィルムは、ベース基板上のカーボンナノチューブで形成された透明電極を含む透明導電性フィルムが提供される。
前記透明電極は、紫外／可視分光光度計を用いて５５０ｎｍの波長で測定した透過率が８０％以上であり得る。
また、前記透明電極は、４点プローブ法（４ｐｏｉｎｔ−ｐｒｏｂｅ）法を用いて測定した表面抵抗が１０００Ω／ｃｍ２以下であり得る。
本発明の一実施形態によれば、透明導電性フィルムは、カーボンナノチューブ複合体を用いて透明性の劣化なく電気伝導度を向上させることができる。
本発明の一実施形態によれば、透明導電性フィルムは、曲げ特性が改善されて折り畳み可能なフラットパネルディスプレイの透明電極に使用するため、改善された曲げ特性を有し得る。
本発明の一実施形態によれば、前記透明導電性フィルムの表面改質、即ち酸処理を通じて、フィルムの透明性の劣化なく、電気伝導度及び表面の平坦性が向上した透明導電性フィルムを製造するための方法を使用し得る。
図１は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムを示した図面である。 図２〜図５は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法を示した工程図である。 図２〜図５は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法を示した工程図である。 図２〜図５は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法を示した工程図である。 図２〜図５は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法を示した工程図である。 図６は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムを形成するためのフローチャートである。 図７は、本発明の透明導電性フィルムの透過率に対する面抵抗を示したグラフである。 図８は、実施例１０の透明導電性フィルムの酸処理工程前と後のＳＥＭ写真である。 図９は、実施例１０の透明導電性フィルムの酸処理工程前と後のＳＥＭ写真である。
最良の形態
本発明の他の実施形態は、添付の図面を参照して以下説明する。
図１は、本発明の一実施形態による透明導電性フィルムを示した図面である。
図１を参照すると、本発明の一実施形態による透明導電性フィルム１０は、ベース基板１００及びその上に透明電極１１０を備える。
ベース基板１００は、高分子フィルム又はガラス基板を用いることができる。
高分子フィルムは、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエーテルスルホン系、アクリル系の透明フィルムを用いることができ、より具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を用いることができる。
透明電極１１０は、界面活性剤又は高分子バインダーに炭素ナノチューブを分散させてカーボンナノチューブ複合体組成物を形成し、その組成物をベース基板１００にコーティングして形成され得る。
ここで、カーボンナノチューブ複合体組成物には酸処理を施し、ベース基板１００とカーボンナノチューブとの間の接着力を向上させることができる。酸処理工程は、後述する透明導電性フィルムの製造方法において詳細に説明する。
また、カーボンナノチューブは、それ自体の構造的特性により非常に低い電気抵抗を有し、非常に長い形状を有している。
このカーボンナノチューブは、多様な分野で用いられているが、特に優れた電気伝導度のゆえに、電極材料としての応用の研究がなされている。
カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）、二層カーボンナノチューブ（ＤＷＣＮＴ）、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ）、ロープ型カーボンナノチューブの中から選択された１つを用いることができる。望ましくは、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブを用いる。
本発明の一実施形態の例示では、透明電極フィルムは、このような単層又は二層カーボンナノチューブを少なくとも９０重量％含む。
また、カーボンナノチューブは、外径０．５〜４ｎｍ、長さは１０〜５，０００ｎｍであり得る。カーボンナノチューブは、強酸を用いた金属触媒処理方法により精製することができる。
ガラス基板や高分子フィルム上をカーボンナノチューブで被覆する場合、カーボンナノチューブ間の接着力が弱くなり、それによる電気伝導度の減少及び電極の不良が発生することがある。
したがって、透明電極フィルムを形成後、カーボンナノチューブ間の密着性を向上させるため、一般的にはプレス工程又はオーバーコーティングが実施される。
しかし、このような方法は、厚さが１００ｎｍ以下の薄いカーボンナノチューブが物理的に処理されるため、導電性フィルムの表面を破損する可能性がある。
本発明では、カーボンナノチューブで形成された透明電極の特性向上のために、酸処理工程を経ることにより、透過性の劣化なく、良好な電気的特徴を有する透明導電性フィルムが製造される。
図２〜図５は本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法を示した工程図であり、図６は本発明の一実施形態による透明導電性フィルムの製造方法のフローチャートである。
ここで、透明導電性フィルムの製造方法を工程図及びフローチャートを参照して説明する。
図２及び図６に示した通り、まず工程Ｓ３１０において、透明導電性フィルム１０を形成するために、ベース基板１００（図３参照）をカーボンナノチューブ複合体組成物２１０で被覆するため、カーボンナノチューブ２２０を含むカーボンナノチューブ複合体組成物２１０を調製する。
本発明の一実施形態によれば、カーボンナノチューブ複合体組成物２１０は、混合溶液２５０とカーボンナノチューブ２２０とを混合して形成できる。
本発明の第一実施形態では、混合溶液２５０は、界面活性剤及び溶媒を含んでおり、第二実施形態では、高分子バインダー及び溶媒を含んでいる。
第一実施形態による混合溶液２５０は、溶媒１００重量部に対して、界面活性剤０．０１〜２重量部及びカーボンナノチューブ０．０１〜２重量部を含むことができる。
また、第二実施形態では、混合溶液２５０は、溶媒１００重量部に対して、高分子バインダー０．０５〜１重量部及びカーボンナノチューブ０．０５〜１重量部を含むことができる。
高分子バインダーとカーボンナノチューブは、１：５〜５：１の比率で混合できる。
第一実施形態の混合溶液は、水を使用することができ、より環境親和的に調製することができる。
第二実施形態での混合溶液では、溶媒は、高分子の溶解度を考慮して調製した水とイソプロピルアルコールの混合物であり得る。このときは、水とイソプロピルアルコールとの混合物は、２０：８０〜８０：２０の体積比（ｖｏｌ％）であり得る。環境工学的なアプローチとして水の使用が提案され、水を使用した場合には、溶媒はカーボンナノチューブの高い分散性を実現できる。
本発明によれば、界面活性剤はそれ自体で親水性部分と疎水性部分とを有する両親媒性物質である。溶液中では、界面活性剤の疎水性部分はカーボンナノチューブと親和性を有し、界面活性剤の親水性部分は、溶媒の一成分である水と親和力を有し、溶液中でカーボンナノチューブが安定して分散されるように働く。
疎水性部分は長いアルキル鎖の形態で、親水性部分はナトリウム塩、カルシウム塩などの形態を取り得る。
本発明においては、疎水性部分は炭素原子１０個以上で構成される鎖構造を有し、親水性部分はイオン性及び非イオン性構造のいずれも使用が可能である。
界面活性剤としては、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）又はドデシルベンゼンスルホン酸（ＮａＤＤＢＳ）などから選択される一種を用いることができる。
高分子バインダーは、イオン伝導又はイオン交換が可能な、疎水性の原子で構成され得る。
高分子バインダーとしては、イオン伝導又はイオン交換特性を有する樹脂を用いることができるが、イオン伝導性の樹脂は親水性で水分に敏感であり、処理後に接着力の低下を引き起こすことがある。
したがって、イオン伝導又はイオン交換が可能であるにもかかわらず、疎水性の原子で構成されている樹脂が本発明の高分子バインダーとして望ましい。
具体的には、高分子バインダーは、下記化学式１で表されるいわゆるナフィオン、即ちフッ素原子を含みかつスルホニル基を含むフッ素化ポリエチレンであり得る。加えて、カルボキシル、スルホニル、ホスホニル及びスルホンイミドの中から選択された１つ以上の官能基を含む熱可塑性高分子を用いることができる。また、高分子バインダーは、カリウム、ナトリウムなどが、カルボキシル、スルホニル、ホスホニル及びスルホンイミドの中から選択された１つ以上の官能基と結合した塩であってもよい。
（ここで、ＲはＣ１〜Ｃ１のアルキル基又はフッ素原子で置換された、Ｃ１〜Ｃ８のフッ素化アルキル基であり、ｍは０〜３の整数であり、ｎは重合度であり、好ましくは１０〜１０，０００の範囲であり、必要に応じて重合時に任意に調整可能である。）
また、カーボンナノチューブ２２０はナノサイズ（形状）であるため、表面積が大きく形成されている。
したがって、カーボンナノチューブ２２０は表面積が大いため、カーボンナノチューブ２２０は凝集し、表面積の現象によってエネルギー的に安定化しようとする傾向がある。即ち、カーボンナノチューブ２２０は束（ｒｏｐｅ）の形態で凝集し、表面エネルギーが低下するように、表面積を減少させて安定化しようとする傾向を示す。カーボンナノチューブの凝集は、カーボンナノチューブが安定であれば解消する。
したがって、カーボンナノチューブ等の凝集する傾向を示すナノサイズの物質は、均一に分散させることが重要である。カーボンナノチューブ２２０を含有するカーボンナノチューブ複合体２１０の溶液は、超音波分散法等により分散させる。
図３及び図６に示した通り、工程Ｓ３２０において、図２に示すように調製したカーボンナノチューブ複合体組成物２１０をベース基板１００にコーティングする。
ここで、カーボンナノチューブ複合体組成物２１０をベース基板１００上に被覆する工程は、スプレーコーティング法、インクジェットコーティング法等で実施できる。被覆工程のためには、スプレーコーティング法が好ましく用いられる。
このように、ベース基板１００上をカーボンナノチューブ複合体組成物２１０で被覆することにより、ベース基板１００上にカーボンナノチューブ複合体層２１０ａを形成する。
ここで、ベース基板１００上にカーボンナノチューブ複合体層２１０ａが形成された基板をカーボンナノチューブ複合体フィルム２００と定義する。
ベース基板１００としては、高分子フィルム又はガラスを用いることができる。高分子フィルムは、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエーテルスルホン系、アクリル系透明フィルムであり得る。より具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）又はポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を用いることができる。
図４及び図６に示した通り、工程Ｓ３３０において、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００に酸処理を施す。
酸処理する段階としては、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００を酸溶液に浸漬する（ｄｉｐｐｅｄ）ことができる。図面は、説明の便宜上、酸処理を概略的に示す。
本発明で用いられる酸溶液は、ｐＨ３以下を用いることができ、より好ましくｐＨの範囲が−１〜１の範囲であると高い効率を示す。酸溶液がｐＨ３を超えるときは、酸処理時間が長くなるために適切な酸処理工程が行われないことがある。
また、酸処理に用いられる酸溶液としては、これに制限されないが、過塩素酸、硝酸、塩酸、硫酸及びそれらの混合物から選択された一種を含み得る。
酸処理工程において、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００は、酸溶液に１分〜２４時間浸漬させる。より好ましくは、浸漬時間は３０分以上５時間以内に調節し、導電性を向上させたり工程時間を短縮させる。
次に、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００を取り出し、蒸溜水を用いて洗浄し、乾燥する。
前記の第二実施形態のように、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００がカーボンナノチューブ、高分子バインダー及び溶媒の混合物を用いて作られている場合には、酸処理工程により高分子バインダーが一部剥落したために、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００の表面から突出したカーボンナノチューブ２２０が電気伝導度向上に寄与し得る。
さらに、カーボンナノチューブ２２０間の接着面積及び接着力が増加することにより導電性が向上し得る。
また、第一実施形態のように、カーボンナノチューブ、界面活性剤及び溶媒の混合物を用いて作られたカーボンナノチューブ複合体フィルム２００は、酸処理工程後に残っていた界面活性剤を中和又は除去でき、フィルムの純度を増加でき、これにより電気伝導度向上し得る。
言い換えると、カーボンナノチューブ複合体層２１０ａの酸処理工程に使用される酸溶液は、カーボンナノチューブ複合体層２１０ａとベースフィルム１００との間に存在する大量の界面活性剤を低減させることができる。
結果として、カーボンナノチューブ複合体層は、ベースフィルム１００に密着させることができ、カーボンナノチューブ複合体層とベース基板１００との間の接着力を増加させることができる。
このように、存在していた大量の界面活性剤がフィルムから除去されることによって、カーボンナノチューブ間の接着力が増加し、大量の界面活性剤がカーボンナノチューブ複合体フィルム中に残っている場合よりも、密着性及び電気伝導度が向上する。
しかし、微量の界面活性剤は透明電極１１０に残っていてもよく、さらに低減することもできる。
図５及び図６に示した通り、工程Ｓ３４０において、カーボンナノチューブ複合体フィルム２００は酸処理を施し、乾燥し、それにより透明導電性フィルム１０を形成する。
透明電極１１０は、４点プローブ法（４ｐｏｉｎｔ−ｐｒｏｂｅ）を用いて測定したときの表面抵抗が１０００Ω／ｃｍ２以下であり、紫外／可視分光光度計を用いて波長５５０ｎｍで測定した透過率が８０％以上であり得る。
［実施例］
次に、本発明の実施例を詳細に説明し、カーボンナノチューブ複合体組成物の酸処理が、透明性を維持する一方で、透明導電性フィルムに優れた電気伝導度及び密着特性をもたらすことを示す。
ここでは、この技術分野で熟練した者に明らかな構成と思われるものについては、説明は省略する。
１．試料の準備
１）カーボンナノチューブ：アーク放電方法で製造された単層カーボンナノチューブ（ＳＡＰ：純度６０〜７０％）を用いた。カーボンナノチューブの長さは約２０μｍであり、厚さは約１．４ｎｍである。
２）高分子バインダー：高分子バインダーとしては、ナフィオン（登録商標）溶液ＤＥ５２０（イソプロピルアルコールと水との５ｗｔ％溶液）（デュポン社の市販品）を用いた。
３）界面活性剤：アルドリッチ社の市販品、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）（純度９９％）を用いた。
４）ベース基板：ＳＫ ｃｈｅｍｉｃａｌ社の市販品、Ｓｋｙｒｏｌ ＳＨ３４ ＰＥＴフィルムを用いた。
上記のように準備したカーボンナノチューブ及び高分子バインダー又はＳＤＳを、所定の比率で、水とイソプロピルアルコールとの４０：６０混合溶液に添加した。
その後、混合溶液中のカーボンナノチューブは、超音波分散方法で均一に分散させ、カーボンナノチューブ複合体組成物を形成し、スプレーコーティング法で、ＰＥＴフィルム上を、異なる塗工回数で順に被覆した。
カーボンナノチューブフィルムは、硫酸、硝酸又はその混合溶液に所定の時間浸漬し、洗浄し、乾燥した後、カーボンナノチューブフィルムの電気伝導度及び透過率を測定した。
２．電気伝導度の測定
透明導電性フィルムの電気伝導度は、電極を形成するためにフィルム上の四隅を金でコーティングし、その表面抵抗を４点プローブ法（４ｐｏｉｎｔ−ｐｒｏｂｅ）を用いてΩ／ｃｍ２の単位で測定した。
３．透過率の測定
透明導電性フィルムの透過率は、紫外／可視分光光度計を用いて波長５５０ｎｍで測定し、用いたベース基板又はガラスの透過率を１００として換算した。
「透過率」の語は、光が透過する程度を表わし、４００〜８００の可視領域で測定される。ここでは、一定の波長で測定した透過率を報告するため、フィルムの透過率は４００または６００ｎｍで測定された。
４．接着力
透明導電性フィルムの接着力は、透明電極がその上に形成されたＰＥＴフィルムにスコッチテープを貼り、一定時間後に剥がして、剥がしたスコッチテープに高分子バインダーまたはカーボンナノチューブが付着しているかどうかを判断した。
透明導電性フィルムの接着力は、それぞれ、スコッチテープを剥がした後に、フィルムがスコッチテープに、全体に付着している、部分的に付着している、全く付着していない、について、目視観察により、Ｘ、△、○で示した。
５．結果の考察
実施例１〜８
単層ＣＮＴを、水、及びＳＤＳまたは界面活性剤を用いて調製した溶媒中に分散させた後、超音波分散法を用いて均一の分散溶液を調製した。ＣＮＴとＳＤＳとは比率は１：１で存在し、溶液中にそれぞれ０．１ｗｔ％の濃度で分散させた。
スプレーコーティング法により、この分散溶液でＰＥＴフィルム上を異なる塗工回数で被覆し、次いで蒸溜水を用いて３回洗浄し、４時間８０℃のオーブンで乾燥した。乾燥したフィルムは、酸処理工程として１２Ｎの硝酸溶液に１時間浸漬させた後、蒸溜水を用いて洗浄し、乾燥した。その後、電気伝導度、透過率及び接着力を測定した。
同じカーボンナノチューブフィルムを１２Ｎの硝酸溶液（ｐＨ−１）に１時間浸漬し、蒸留水で洗浄し、乾燥した。その後、フィルムの透過率と電気伝導度を測定した。
実施例９〜１４
単層ＣＮＴを、水及びイソプロピルアルコールの４０：６０混合溶液に分散させ、イオン伝導性高分子であるナフィオン（登録商標）とカーボンナノチューブとを１：１の比率で混合した。そして、溶媒中にそれぞれ０．１ｗｔ％の濃度になるように分散させた。
この混合溶液を超音波分散法を用いて分散し、スプレーコーティング法でＰＥＴフィルム上を異なる回数で被覆した後、常温で４時間乾燥させた。乾燥したフィルムは、酸処理工程として１２Ｎの硝酸溶液に１時間浸漬させた後、蒸溜水を用いて洗浄した。そして、電気伝導度、透過率及び接着力を測定した。同じカーボンナノチューブフィルムを１２Ｎの硝酸溶液（ｐＨ−１）に１時間浸漬した後、蒸留水で洗浄し、乾燥した。その後、フィルムの透過率と電気伝導度とを測定した。
詳細な堆積（被覆）回数及び測定結果は、表２に示す。
実施例１〜８から、硝酸溶液でのフィルムの酸処理は、酸処理の前後でフィルムの透過率を実質的に維持したまま、電気伝導度が向上したことが分かる。
電気伝導度向上の程度は約１００％であり、接着力は酸処理の前後で差がなかった。しかし、適切なバインダーを用いることにより、電気伝導度を向上させつつ接着力を増加させることができる。
実施例９〜１４については、を用いてＰＥＴフィルムとカーボンナノチューブとの間の接着力は高分子バインダーにより向上した。表２から、透過率を維持しつつ、電気伝導度は１００％以上向上したことが分かる。
図７は本発明の透明導電性フィルムの、透過率に対する面抵抗を示したグラフであり、図８及び図９は、それぞれ酸処理工程の前および後の実施例１０の透明導電性フィルムの表面のＳＥＭ写真である。
表１及び表２に示されるように、カーボンナノチューブ複合体フィルムを酸処理した場合、フィルムの透過率を維持しつつ、高い電気伝導度の向上効果があった。さらに、高分子バインダーを用いた実施例９〜１４から分かるように、高分子バインダーの使用は接着力を向上させた。
このような現象は、Ｚｈａｎｇ（Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔ．２００６，６，１８８０）及びＴｏｍａｎｅｋ（Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． ２００５，１２７，５１２５）により報告されている、ＳＯＣｌ２（塩化チオニル）を用いたＣＮＴのドーピングにより電気伝導度が向上する現象と類似するが、本発明の実施例は、その報告された結果よりも、顕著な電気伝導度向上効果が達成された。このような電気伝導度の向上は、酸処理工程中の界面活性剤の除去によりカーボンナノチューブ間の接着力が向上するために得られ、かつ、酸処理工程中にＣＮＴ酸化を通してのｐ−ドーピング効果により得られたものである。
さらに、電気伝導度が向上したフィルムは、フィルムが十分な定常状態に達してから、３０日以上電気伝導度が維持されることが分かった。
図７、図８及び図９を参照すると、界面活性剤としてＳＤＳを用いて形成したカーボンナノチューブ複合体フィルムの場合、酸処理工程後に残っている界面活性剤が中和又は除去され、カーボンナノチューブ複合体フィルムの純度を増加により電気伝導度が向上する。
特に、カーボンナノチューブ、高分子バインダーおよび溶媒の組合わせを用いて作られたカーボンナノチューブ複合体フィルムは、酸処理工程を通じてカーボンナノチューブ間の接着面積及び接着力が増加し、カーボンナノチューブ複合体フィルムの電気伝導度が増加するだけでなく、フィルムとカーボンナノチューブとの間の接着力の増加により優れた接着特性を示す。
また、酸処理で用いられる酸溶液は、ベース基板を膨張および収縮させるため、カーボンナノチューブ複合体組成物がベース基板の表面に密着するので、ナノチューブ複合体組成物の密着性が向上する。
上記の説明から分かるように、本発明の実施形態による透明導電性フィルムの製造方法は、透明導電性フィルムの表面の損傷を最小にし、透明導電性フィルムの表面改質、即ち酸処理を通じて透明性を損なうことなく導電性を改善させた。

Claims (15)

  1. 溶媒にカーボンナノチューブならびに界面活性剤および高分子バインダーのいずれか一つを混合してカーボンナノチューブ複合体組成物を調製する段階と、
    前記カーボンナノチューブ複合体組成物でベース基板上を被覆してカーボンナノチューブ複合体フィルムを形成する段階と、
    前記カーボンナノチューブ複合体フィルムを酸溶液中に浸漬させ、カーボンナノチューブ複合体フィルムを蒸溜水で洗浄し、前記洗浄したカーボンナノチューブ複合体フィルムを乾燥する、前記ベース基板上に透明電極を形成するための、酸処理する段階と、
    を有し、
    前記高分子バインダーは、イオン伝導性又はイオン交換特性を有する樹脂を含み、前記樹脂は、フッ素原子を含み、かつ、カルボキシル、スルホニル、ホスホニル及びスルホンイミドから選択された少なくとも１つの官能基を含む、
    透明導電性フィルムの製造方法。
  2. 前記溶媒は、水：イソプロピルアルコールが２０：８０〜８０：２０の体積比（ｖｏｌ％）である混合溶液であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  3. 前記カーボンナノチューブ複合体組成物は、前記溶媒１００重量部に対して界面活性剤０．０１〜２重量部、カーボンナノチューブ０．０１〜２重量部を含むことを特徴とする請求項２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  4. 前記界面活性剤は、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）又はドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＮａＤＤＢＳ）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  5. 前記カーボンナノチューブ複合体組成物は、前記溶媒１００重量部に対して高分子バインダー０．０５〜１重量部、カーボンナノチューブ０．０５〜１重量部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  6. 前記高分子バインダーと前記カーボンナノチューブは、１：５〜５：１で混合されることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  7. 前記カーボンナノチューブ複合体組成物は、スプレイ法又はインクジェット法により前記ベース基板上を被覆することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  8. 前記ベース基板は、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエーテルスルホン系、及びアクリル系高分子から選択される高分子フィルムであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  9. 前記ベース基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  10. 前記酸処理に用いられる前記酸溶液は、ｐＨの範囲が−１〜３であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  11. 前記酸溶液は、過塩素酸、硝酸、塩酸、硫酸及びこれらの混合物からなる群より選択された一種を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  12. 前記カーボンナノチューブ複合体フィルムは、前記酸溶液に３０分〜５時間浸漬させることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
  13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法により、ベース基板上のカーボンナノチューブで形成された透明電極を含むことを特徴とする透明導電性フィルム。
  14. 前記透明電極は、紫外／可視分光光度計を用いて、５５０ｎｍの波長で測定した透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１３に記載の透明導電性フィルム。
  15. 前記透明電極は、４点プローブ法（４ｐｏｉｎｔ−ｐｒｏｂｅ）法を用いて測定した表面抵抗が１０００Ω／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項１４に記載の透明導電性フィルム。
JP2010533967A 2007-11-14 2008-11-14 導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法 Active JP5473148B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070116273 2007-11-14
KR10-2007-0116273 2007-11-14
PCT/KR2008/006727 WO2009064133A2 (en) 2007-11-14 2008-11-14 Conductivity enhanced transparent conductive film and fabrication method thereof
KR10-2008-0113264 2008-11-14
KR1020080113264A KR101213787B1 (ko) 2007-11-14 2008-11-14 전도성이 개선된 투명 전도성 필름 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011504280A JP2011504280A (ja) 2011-02-03
JP5473148B2 true JP5473148B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=40858589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010533967A Active JP5473148B2 (ja) 2007-11-14 2008-11-14 導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8455043B2 (ja)
JP (1) JP5473148B2 (ja)
KR (1) KR101213787B1 (ja)
TW (1) TWI379316B (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9210806B2 (en) * 2004-06-02 2015-12-08 Joel S. Douglas Bondable conductive ink
CN101552052B (zh) * 2008-04-01 2013-03-27 索尼株式会社 导电膜及其制造方法、电子装置及其制造方法
EP2279512B1 (en) * 2008-05-07 2019-10-23 Nanocomp Technologies, Inc. Carbon nanotube-based coaxial electrical cables and wiring harness
WO2009137725A1 (en) 2008-05-07 2009-11-12 Nanocomp Technologies, Inc. Nanostructure-based heating devices and method of use
JP5266889B2 (ja) * 2008-06-04 2013-08-21 ソニー株式会社 光透過性導電体の製造方法
KR101047215B1 (ko) * 2009-07-30 2011-07-06 정태승 주사전자현미경〔ｓｅｍ〕용 전도성 콜드 마운팅 시편의 제작방법
KR20110046102A (ko) * 2009-10-28 2011-05-04 한국표준과학연구원 탄소나노튜브 필름 및 그 제조방법
WO2012058553A2 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Oxidized graphite and carbon fiber
KR101238435B1 (ko) * 2010-12-03 2013-03-04 도레이첨단소재 주식회사 투명 전도성 필름의 제조방법
KR101160909B1 (ko) * 2011-01-26 2012-06-29 성균관대학교산학협력단 환원 그래핀 옥사이드와 탄소나노튜브로 구성된 전도성 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전도성 박막을 포함하는 투명전극
KR101349342B1 (ko) * 2011-08-22 2014-01-13 한국전기연구원 용매처리를 통해 형성된 투명 전도성 필름 및 그 제조방법
WO2013063266A1 (en) * 2011-10-25 2013-05-02 Unipixel Displays, Inc. Method of changing the optical properties of high resolution conducting patterns
KR20130070729A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 제일모직주식회사 메탈나노와이어 및 탄소나노튜브를 포함하는 적층형 투명전극.
KR20130078764A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 코오롱인더스트리 주식회사 투명 전도성 필름
CN104102028A (zh) * 2013-04-10 2014-10-15 第一毛织株式会社 表面处理氧化铟锌基板的有机溶液及显示基板制备方法
KR101864906B1 (ko) 2013-12-23 2018-07-04 주식회사 엘지화학 유기물 코팅성 및 전기 전도성이 우수한 전도성 고분자 막, 이를 포함하는 투명 전극 기판 및 디바이스
US11021368B2 (en) 2014-07-30 2021-06-01 General Nano Llc Carbon nanotube sheet structure and method for its making
JP6257785B2 (ja) * 2014-09-05 2018-01-10 富士フイルム株式会社 熱電変換素子および熱電変換モジュールならびに熱電変換素子の製造方法および熱電変換モジュールの製造方法
KR102295547B1 (ko) * 2014-12-03 2021-09-01 한국전자통신연구원 전도성 필름 제조 방법
KR20170139564A (ko) 2015-04-21 2017-12-19 채슴 테크놀러지, 인코포레이티드 투명 전도성 필름
US11401426B1 (en) * 2015-05-22 2022-08-02 University Of South Florida Composite conducting polymer films
US10758936B2 (en) 2015-12-08 2020-09-01 The Boeing Company Carbon nanomaterial composite sheet and method for making the same
US11021369B2 (en) 2016-02-04 2021-06-01 General Nano Llc Carbon nanotube sheet structure and method for its making
KR102473631B1 (ko) * 2016-03-02 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11171324B2 (en) 2016-03-15 2021-11-09 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
US11383213B2 (en) 2016-03-15 2022-07-12 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
US11081684B2 (en) 2017-05-24 2021-08-03 Honda Motor Co., Ltd. Production of carbon nanotube modified battery electrode powders via single step dispersion
US10658651B2 (en) 2017-07-31 2020-05-19 Honda Motor Co., Ltd. Self standing electrodes and methods for making thereof
US20190036102A1 (en) 2017-07-31 2019-01-31 Honda Motor Co., Ltd. Continuous production of binder and collector-less self-standing electrodes for li-ion batteries by using carbon nanotubes as an additive
US11121358B2 (en) 2017-09-15 2021-09-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for embedding a battery tab attachment in a self-standing electrode without current collector or binder
US11201318B2 (en) 2017-09-15 2021-12-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for battery tab attachment to a self-standing electrode
CN108610744A (zh) * 2018-04-27 2018-10-02 佛山市智巢电子科技有限公司 一种喷印聚酯导电薄膜的制备方法
CN109233678A (zh) * 2018-09-20 2019-01-18 杨泽川 一种具有游戏功能的手机保护膜
US11535517B2 (en) 2019-01-24 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Method of making self-standing electrodes supported by carbon nanostructured filaments
US11352258B2 (en) 2019-03-04 2022-06-07 Honda Motor Co., Ltd. Multifunctional conductive wire and method of making
US11539042B2 (en) 2019-07-19 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Flexible packaging with embedded electrode and method of making
CN115044295B (zh) * 2021-03-08 2023-04-18 华为技术有限公司 保护层及其制备方法、可折叠显示模组及电子设备
US20220404750A1 (en) * 2021-06-15 2022-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic belt, electrophotographic image forming apparatus, method of producing electrophotographic belt, and varnish

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543399B (zh) * 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
US7645400B2 (en) * 2002-11-01 2010-01-12 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Composition containing carbon nanotubes having a coating
JP2007112133A (ja) * 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
WO2005110624A2 (en) * 2003-12-31 2005-11-24 Eikos Inc. Methods for modifying carbon nanotube structures to enhance coating optical and electronic properties of transparent conductive coatings
WO2005113432A1 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Sony Deutschland Gmbh Composite materials comprising carbon nanotubes and metal carbonates
JP4807817B2 (ja) * 2004-08-05 2011-11-02 三菱レイヨン株式会社 導電性成形体の製造方法、及び導電性成形体
US20060188723A1 (en) * 2005-02-22 2006-08-24 Eastman Kodak Company Coating compositions containing single wall carbon nanotubes
EP1897096A4 (en) * 2005-06-28 2009-08-12 Du Pont TRANSPARENT CONDUCTORS WITH HIGH EXTRACTION WORK
JP2007141521A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Daicel Value Coating Ltd 導電性組成物およびそれを用いた導電性フィルム
US20100136224A1 (en) * 2006-03-13 2010-06-03 David Alexander Britz Stable nanotube coatings
EP2279986B1 (en) * 2006-06-30 2014-12-17 Cardinal CG Company Carbon nanotube coating technology
KR101170063B1 (ko) * 2007-07-10 2012-07-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 투명 도전성 박막과 그 제조 방법
WO2009064133A2 (en) 2007-11-14 2009-05-22 Cheil Industries Inc. Conductivity enhanced transparent conductive film and fabrication method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011504280A (ja) 2011-02-03
US20100218979A1 (en) 2010-09-02
TW200935454A (en) 2009-08-16
KR20090050014A (ko) 2009-05-19
US8455043B2 (en) 2013-06-04
TWI379316B (en) 2012-12-11
US20130256011A1 (en) 2013-10-03
KR101213787B1 (ko) 2012-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5473148B2 (ja) 導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法
JP5364582B2 (ja) カーボンナノチューブ組成物および透明導電性フィルム
WO2009064133A2 (en) Conductivity enhanced transparent conductive film and fabrication method thereof
Moon et al. Transparent conductive film based on carbon nanotubes and PEDOT composites
Shim et al. Transparent conductors from layer-by-layer assembled SWNT films: importance of mechanical properties and a new figure of merit
CN101650981B (zh) 聚合物基材上的耐久透明导体
JP5621568B2 (ja) 透明導電膜の製造方法、透明導電膜、導電性繊維の製造方法、導電性繊維、および、電子機器
JP2008288189A (ja) 炭素ナノチューブとバインダーを含有する透明伝導性フィルムの製造方法、およびこれにより製造された透明伝導性フィルム
JP2015508556A (ja) メタルナノワイヤー及び炭素ナノチューブを含む積層形透明電極
JP2007534588A (ja) カーボンナノチューブ組成物用一時的粘度及び安定調整剤
JP2009211978A (ja) 透明導電膜及びこれを用いた光学装置
Hwang et al. Stretchable and patchable composite electrode with trimethylolpropane formal acrylate-based polymer
WO2015096591A1 (zh) 高分散碳纳米管复合导电墨水
JP2009298625A (ja) カーボンナノチューブ膜製造方法およびカーボンナノチューブ膜
JP2013000924A (ja) 導電性フィルム及びその製造方法
Azoubel et al. Controlling Adhesion Properties of SWCNT–PET Films Prepared by Wet Deposition
JP2011082165A (ja) 電極基板の製造方法
Tang et al. Chemical resistant silver nanowire/cellulose nanofibril flexible transparent conductive coatings
KR101534298B1 (ko) 전자파 차폐필름용 조성물, 이를 이용한 전자파 차폐필름의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 전자파 차폐필름
Tang et al. High conducting multilayer films from poly (sodium styrenesulfonate) and graphite nanoplatelets by layer-by-layer self-assembly
TW201322279A (zh) 透明導電膜與其形成方法
KR20130003467A (ko) 탄소나노튜브를 이용한 투명 전도성 필름 및 그 제조방법
JP5688395B2 (ja) 導電性パターンの形成方法、および透明導電性フィルム
KR20200067060A (ko) 탄소나노튜브-은나노와이어 일액형 코팅액 조성물 및 이의 제조방법
WO2022071394A1 (ja) 導電膜転写シートとその製造方法、導電性物体とその製造方法、および導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111031

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5473148

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250