JP2008135617A - 強誘電体メモリ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体2上に強誘電体キャパシタ3を形成する工程と、強誘電体キャパシタ3を覆うアルミニウム酸化物による第1水素バリア膜19を化学気相成長法で形成する工程と、第1水素バリア膜19上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜をエッチバックし、強誘電体キャパシタ3の側部にサイドウォール20を形成する工程と、第1水素バリア膜19上及びサイドウォール20上にアルミニウム酸化物による第2水素バリア膜21を化学気相成長法で形成する工程と、第2水素バリア膜21上に層間絶縁膜22を形成する工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
しかし、強誘電体メモリ装置の製造プロセスでは、キャパシタ間のギャップを埋め込む場合、前述したように強誘電性キャパシタの特性劣化を引き起こすことなく行う必要があることから、単なる金属配線間を埋め込む場合に比べてはるかに厳しい制約がある。すなわち、高密度プラズマ(HDP)によるプラズマダメージや、HDP・SOGの成膜中に発生する水素・水によるダメージによってキャパシタの特性劣化が引き起こされてしまうため、こうしたダメージのない成膜・埋め込みの技術が求められているのである。
また、第1水素バリア膜と第2水素バリア膜とで強誘電体キャパシタを覆っているので、強誘電体キャパシタの水素に対する耐性を良好に確保することができる。
したがって、この製造方法によれば、キャパシタの高密度化を可能にし、しかも特性の劣化による信頼性低下を防止した、強誘電体メモリ装置を得ることができる。
前記したようにアルミニウム酸化物はカバレッジ性が良いことから、キャパシタ間の比較的狭い隙間や、サイドウォール間の狭い隙間を良好に埋め込むことが可能になる。
このように、化学気相成長法の一種である原子層気相成長法を用いれば、カバレッジ性がより良くなることから、前記のサイドウォール間が狭小化しても、この狭い隙間を確実に埋め込むことができるようになる。
このようにすれば、サイドウォール中に水分や水素などが残留していても、加熱処理を行うことにより、これら水分や水素をサイドウォール中から除去することができる。すなわち、サイドウォール形成後、これを覆って第2水素バリア膜を形成することから、サイドウォール中に水分や水素などが残留したままであると、該第2水素バリア膜で封止されて除去されずに残留した水分や水素が、得られた製品の膜中を拡散することなどによってキャパシタ等に悪影響を与えてしまい、特性の劣化を引き起こして信頼性を損なうおそれがある。しかし、前記したように第2水素バリア膜の形成前に水分や水素をサイドウォール中から除去しておけば、特性の劣化を確実に防止することが可能になる。
まず、本発明の強誘電体メモリ装置の製造方法の説明に先立ち、この製造方法によって製造される強誘電体メモリ装置の一例を説明する。図1は、本発明の製造方法によって製造される強誘電体メモリ装置の一例を模式的に示す側断面図であり、図1中符号1は強誘電体メモリ装置である。この強誘電体メモリ装置1は、1T/1C型のメモリセル構造を有したスタック型のもので、基体2と、この基体2上に形成された強誘電体キャパシタ3とを備えて構成されたものである。なお、本実施形態では1T/1C型のメモリセル構造のものについて説明するが、本発明は1T/1C型に限定されないのはもちろんである。
下部電極14及び上部電極16は、イリジウム(Ir)や、酸化イリジウム(IrO2)、白金(Pt)、ルテニウム(Ru)、酸化ルテニウム(RuO2)等からなるもので、本実施形態では特にイリジウムによって形成されている。
強誘電体膜15は、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、ABXO3の一般式で示されるもので、具体的には、Pb(Zr、Ti)O3(PZT)や(Pb、La)(Zr、Ti)O3(PLZT)、さらに、これら材料にニオブ(Nb)等の金属が加えられたものなどによって形成されたものである。本実施形態では、特にPZTによって形成されている。
なお、コンタクトホール17に埋設されたプラグ18は、本実施形態ではタングステン(W)によって形成されている。
さらに、この層間絶縁膜22上には、前記配線等を覆って別の層間絶縁膜(図示せず)が形成されている。
まず、図2(a)に示すように、予め公知の手法によってシリコン基板4に駆動トランジスタ5を形成し、続いてCVD法等により酸化珪素(SiO2)を成膜し、さらにこれをCMP法等によって平坦化することにより、第1下地絶縁膜6を形成する。
第2下地絶縁膜7については、CVD法等によって酸化珪素(SiO2)を成膜し、さらにこれをCMP法等によって平坦化することにより、第2下地絶縁膜7を形成する。
次に、この酸素バリア層13a上に、下部電極14の形成材料であるイリジウムをスパッタ法等によって成膜し、下部電極層14aを形成する。
次いで、この強誘電体層15a上に、上部電極16の形成材料であるイリジウムをスパッタ法等によって成膜し、上部電極層16aを形成する。
なお、絶縁膜20aの成膜法としては、前記したように強誘電体キャパシタ3に対するダメージが十分に小さい方法として、他に例えばスパッタ法によるSiO2の成膜を挙げることができる。しかし、この方法も、カバレッジ性についてはプラズマTEOS法と同様に、良好であるとは言えない。
こうして形成されたサイドウォール20、20には、微量ではあるが水素や水が残存しており、以後の工程中に少しずつ強誘電体キャパシタに拡散していく危険がある。特にこのサイドウォール20、20上には第2水素バリア膜が形成されるので、残存水素及び水はその内側に閉じ込められてしまうので影響は小さくない。そこで、第2水素バリア膜の形成前に、サイドウォール20、20から残存水素及び水を除去するための加熱処理をすることが有効である。具体的には、酸素もしくは窒素雰囲気下で450℃〜600℃の温度で処理するものである。
このようにしてエッチングを行うと、エッチング耐性が高く、したがってエッチング性が悪いAlOxからなる第2水素バリア膜21と第1水素バリア膜19とが直接積層されているため、これが見掛け上単一層となることにより、加工上の障害となってエッチングの負荷が大きくなるのが抑えられる。したがって、水素バリア膜を二層設けることにより、強誘電体キャパシタ3の特性劣化をより良好に防止しているにもかかわらず、コンタクトホールの加工性については水素バリア膜が一層である場合と同等にすることができる。
その後、前記上部電極16に通じるコンタクトホール(図示せず)を層間絶縁膜22に形成し、さらにこのコンタクトホール内にプラグ(図示せず)を埋設する。そして、層間絶縁膜22上に別の層間絶縁膜(図示せず)等を形成することにより、強誘電体メモリ装置1を得る。
また、第1水素バリア膜19と第2水素バリア膜20とで強誘電体キャパシタを二重に覆っているので、強誘電体キャパシタ3の水素に対する耐性を良好に確保することができる。
したがって、この製造方法によれば、強誘電体キャパシタ3の高密度化を可能にし、しかも特性の劣化による信頼性低下を防止した、信頼性の高い強誘電体メモリ装置1を得ることができる。
Claims (4)
- 基体上に下部電極と強誘電体膜と上部電極とからなる強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを覆って前記基体上に第1水素バリア膜を化学気相成長法で形成する工程と、
前記第1水素バリア膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチバックし、前記強誘電体キャパシタの側部に前記絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
前記第1水素バリア膜上及び前記サイドウォール上に第2水素バリア膜を化学気相成長法で形成する工程と、
前記第2水素バリア膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、を有してなることを特徴とする強誘電体メモリ装置の製造方法。 - 前記第1水素バリア膜及び第2水素バリア膜がアルミニウム酸化物であることを特徴とする請求項1記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
- 前記第1水素バリア膜及び第2水素バリア膜の形成法として、原子層気相成長法を用いることを特徴と請求項2記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程と前記第2水素バリア膜を化学気相成長法で形成する工程との間に、前記サイドウォールの加熱処理を行うことを特徴と請求項1〜3のいずれか一項に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
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