JP2007073750A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜15−1と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグ16と、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第1接着膜33−1と、前記コンタクトプラグ上および前記第1接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第1キャパシタ電極21と、前記第1キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜22と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第2キャパシタ電極23とを具備する。
【選択図】図1
Description
まず、この発明の一実施形態に係る半導体装置について、図1を用いて説明する。図1は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図9を用いて説明する。図9は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
Claims (5)
- 絶縁膜と、
前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグと、
前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第1接着膜と、
前記コンタクトプラグ上および前記第1接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第1キャパシタ電極と、
前記第1キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第2キャパシタ電極とを具備すること
を特徴とする半導体装置。 - 前記第1接着膜の膜厚は、1nm以上10nm以下であること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記コンタクトプラグ上に設けられ、その膜厚が前記第1接着膜の膜厚よりも小さい第2接着膜を更に具備し、
前記第1キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとは、直接接する部分を少なくとも1つは有すること
を特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記金属は、Wを含み、
前記第1接着膜は、Tiを含み、
前記第1キャパシタ電極は、Irを含むこと
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にコンタクトホールを開口する工程と、
前記コンタクトホール内に金属を充填し、コンタクトプラグを形成する工程と、
前記絶縁膜上および前記コンタクトプラグ上に、前記金属より酸素親和性が高く、その膜厚が1nm以上5nm以下の金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1キャパシタ電極を形成する工程と、
前記第1キャパシタ電極上に強誘電体膜を形成する工程と、
酸化性雰囲気中において熱処理を行い、前記強誘電体膜を結晶化させてキャパシタ絶縁膜を形成すると共に、前記絶縁膜上に前記金属膜と酸素とを反応させた第1接着膜を形成し、前記第1キャパシタ電極と前記コンタクトプラグとが直接接する部分を少なくとも1つは有するように前記コンタクトプラグ上の前記金属膜を拡散させ残存した前記金属膜と酸素を反応させて前記コンタクトプラグ上に第2接着膜を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜上に第2キャパシタ電極を形成する工程とを具備すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
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