JP2008124482A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理を含む一連の処理を、その前工程および後工程を含めて高スループットで行うことができる処理装置を提供すること、およびこれに加えて、フットプリントを極力小さくすることができる処理装置を提供すること。
【解決手段】いずれも基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の処理が行われる、洗浄処理ユニット21と、レジスト処理ユニット23と、現像処理ユニット43とを有し、さらに各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された複数の熱的処理ユニットセクション24,25,44を有し、露光装置3を挟んで一方側に洗浄処理ユニット21およびレジスト処理ユニット23が存在し、他方側に現像処理ユニット43が存在する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理を含む一連の処理を施す処理装置に関する。

ＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。

このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。

従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。

しかしながら、上記処理システムは基本的に閉鎖系であり、搬入出部であるカセットステーションに成膜処理等の前工程が終了した被処理基板を収納したカセットをセットし、カセット内の被処理基板を順次処理した後、再びカセットに収納し、そのカセットをエッチング等の後工程に搬送するという作業が必要であり、このような作業が処理のスループット向上を阻害する要因となっている。

一方、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められているが、上記中央搬送装置ではフットプリント縮小の要請を満たすことは困難である。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理を含む一連の処理を、その前工程および後工程を含めて高スループットで行うことができる処理装置を提供することを目的とする。またこのようなことに加えて、フットプリントを極力小さくすることができる処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、レジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットとを有し、前記レジスト処理ユニットと、前記現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられていることを特徴とする処理装置を提供する。

本発明の第２の観点では、被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットとを有し、前記レジスト処理ユニットと、前記現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられていることを特徴とする処理装置を提供する。

本発明の第３の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板に対してレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットとを有し、前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニットは、露光装置を挟んで一方側に前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットが存在し、他方側に前記現像処理ユニットが存在するように配置されていることを特徴とする処理装置を提供する。

本発明の第４の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットとを有し、前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニットは、露光装置を挟んで一方側に前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットが存在し、他方側に現像処理ユニットが存在するように配置されていることを特徴とする処理装置を提供する。

本発明の第５の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、露光装置の上流側に設けられた前段処理部と、露光装置の下流側に設けられた後段処理部とを具備し前記前段処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションとを有し、前記後段処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションとを有することを特徴とする処理装置を提供する。

本発明の第６の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、露光装置の上流側に設けられた前段処理部と、露光装置の下流側に設けられた後段処理部と、前記前段処理部から前記露光装置へ被処理基板を受け渡す第１のインターフェイス部と、前記露光装置から前記後段処理部へ被処理基板を受け渡す第２のインターフェイス部とを具備し、前記前段処理部は、被処理基板が搬入される搬入部と、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われ、空間を介して前記洗浄処理ユニットと対向して設けられたレジスト処理ユニットと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユニットと前記レジスト処理ユニットとの間の空間を移動可能に設けられ、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を載置した状態で前記レジスト処理ユニットへの搬入可能位置に被処理基板を移動させる載置移動手段とを有し、前記後段処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、被処理基板が搬出される搬出部とを有することを特徴とする処理装置を提供する。

上記本発明の第６の観点において、前記前段処理部は、前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットのいずれも、前記搬入部側に搬入口を有し、前記第１のインターフェイス部側に搬出口を有し、前記第１の熱的処理ユニットセクションは前記搬入部に隣接して設けられ、前記第２の熱的処理ユニットセクションは前記第１のインターフェイス部に隣接して設けられ、前記搬入部の被処理基板を前記洗浄処理ユニットに受け渡し、かつ前記載置移動手段に載置された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ受け渡す第１の搬送装置と、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記載置移動手段に受け渡し、かつ、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ受け渡す第２の搬送装置とをさらに有するように構成することができる。

また、前記後段処理部は、前記搬出部に隣接して前記第３の熱的処理ユニットセクションを有し、前記第２のインターフェイス部の被処理基板を前記現像処理ユニットに受け渡す第３の搬送装置と、前記現像処理ユニットから搬出された基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬出部へ受け渡す第４の搬送装置とをさらに有するように構成することができる。

さらに、前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有するように構成することができる。

本発明によれば、レジスト処理ユニットと、現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられており、洗浄処理ユニットが存在する場合には、露光装置を挟んで一方側に洗浄処理ユニットおよびレジスト処理ユニットが存在し、他方側に現像処理ユニットが存在するようにこれらが配置されているので、このような処理装置を用いることにより、その前工程、例えば成膜工程と、本処理装置におけるレジスト塗布・露光・現像と、その後工程、例えばエッチング工程とを連続して行うことが可能となり、全体的な処理のスループットを高めることができる。

また、上記に加え、レジスト処理ユニット、現像処理ユニット、洗浄処理ユニットが、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の処理が行われるように構成されることにより、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。

さらに、露光装置の上流側の前段処理部に、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の処理が行われるように構成された洗浄処理ユニットおよびレジスト処理ユニットを配し、かつ露光装置の下流側の後段処理部に、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の処理が行われるように構成された現像処理ユニットを配するとともに、複数の熱的処理ユニットが、これら洗浄処理、レジスト処理、現像処理に対応するもの毎に集約された第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションを構成するようにしたので、高いスループットを維持しつつ、よりフットプリントを小さくすることができる。

さらにまた、上記に加え、前段処理部において、洗浄処理ユニットとレジスト処理ユニットとを空間を介して対向するように設け、その空間を移動するシャトルにより洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板をレジスト処理ユニットへの搬入可能位置に搬送するようにしたので、前段処理部において洗浄処理ユニットおよびレジスト処理ユニットを一列に配置した場合よりも省スペース化を図ることができ、より一層フットプリントを小さくすることができる。

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。

このレジスト塗布現像処理装置１００は、露光装置３を挟んで設けられた前段処理部１および後段処理部２を有している。前段処理部１と露光装置３との間には第１のインターフェイス部４が設けられ、露光部３と後段処理部２との間には第２のインターフェイス部５が設けられている。そして、前段処理部１へはＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）膜成膜処理等の前処理工程を行う装置で所定の処理が施されたＬＣＤガラス基板Ｇが一枚ずつ受け渡され、後段処理部２から処理後の基板Ｇがエッチング処理等の後処理を行う装置へ受け渡されるようになっている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

前段処理部１においては、Ｘ方向に沿ってスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１とレジスト処理ユニット２３とが空間２０を隔てて相対向するように設けられている。前段処理部１の露光装置３と反対側の端部に加熱や冷却を伴う熱的処理を行う熱的処理ユニットが集合した第１の熱的処理ユニットセクション２４が設けられており、そこに後述する成膜処理等の前処理工程から搬送されてきた基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられている。また、露光装置３側の端部には第１のインターフェイス部４に隣接するように第２の熱的処理ユニットセクション２５が設けられている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の端部側の一部分にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。このエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラブ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。

空間２０内には、第１の熱的処理ユニットセクション２４に隣接した第１の搬送装置２６と、第２の熱的処理ユニットセクション２５に隣接した第２の搬送装置２７とが設けられており、また、空間２０内には、基板Ｇを載置した状態でその中を移動自在な載置移動手段としてシャトル２８が設けられている。そしてこのシャトル２８は後述するように基板Ｇを保持して第２の搬送装置２７から第１の搬送装置２６へ基板Ｇを搬送する。

上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は空間２０に面して、それぞれ第１および第２の搬送装置２６および２７に対応する位置に設けられており、基板Ｇの搬入は第１の搬送装置２６で行われ、搬出は第２の搬送装置２７で行われる。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の搬入出口は空間２０に面して第１の搬送装置２６に対応する位置に設けられており、第１の搬送装置２６により基板Ｇの搬入出が行われるようになっている。

レジスト処理ユニット２３は、図２のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。

第１の熱的処理ユニットセクション２４は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９，３０を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９は前段処理部１の露光装置３と反対側の端部に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３０はレジスト処理ユニット２３の搬入口側に設けられている。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９は、下から順に前工程からの基板Ｇの搬入を行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）６２、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）が３段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３０は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６４、クーリングユニット（ＣＯＬ）６５、アドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６６が３段積層されて構成されている。第１の搬送装置２６は、前工程の処理が終了した後の基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介して搬入し、上記複数の熱的処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）６４を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡し、およびシャトル２８上の基板Ｇの受け取りを行う。

第１の搬送装置２６は、図３に示すように、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。第１の搬送装置２６はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９，３０のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第２の熱的処理ユニットセクション２５は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された３つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２，３３を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の搬出口側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３の搬出口側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３は、第１のインターフェイス部４に隣接して設けられている。図４の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６７、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９が３段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７０、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７１，７２，７３が４段積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３は、下から順に基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４、クーリングユニット（ＣＯＬ）７５、２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７６，７７の４段積層されて構成されている。第２の搬送装置２７は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６７を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２３からの基板Ｇの受け取り、上記複数の熱的処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７０を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、シャトル２８への基板Ｇの受け渡し、およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４を介しての第１のインターフェイス部４への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第２の搬送装置２７は、第１の搬送装置２６と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３１，３２，３３のいずれのユニットにもアクセス可能である。また、側面図では熱的処理ユニットブロック３３は第２の搬送装置２７に隠れて見えないが、図４では便宜上、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３を第２の搬送装置２７の上方に描いている。

なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により搬送され、さらにスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１を出た後も熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６７まで例えばコロ搬送により搬送され、パスユニット（ＰＡＳＳ）６７で図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第２の搬送装置２７により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置２６により基板Ｇが熱的処理ユニットブロック３０のパスユニット（ＰＡＳＳ）６４に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）７０まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。

上記シャトル２８は、図５に示すように、ベース部材１０１と、ベース部材１０１の表面から突没可能に設けられ、基板Ｇを昇降する複数の昇降ピン１０２と、基板Ｇを位置決めするガイド部材１０３と、昇降ピン１０２を駆動するピン駆動部１０４と、連結部１０５を有しており、連結部１０５が空間２０内をＸ方向に延びるガイドレール１０６にスライド可能に連結されている。そして、マグネットを用いた駆動、ベルト駆動等の適宜の方式の図示しない駆動機構によりシャトル２８がガイドレール１０６に沿って空間２０内をＸ方向に沿って移動される。発塵を防止する観点からはマグネット駆動のほうが有利である。シャトル２８は、第２の搬送装置２７から受け取った基板Ｇを第１の搬送装置２６に隣接する位置まで搬送する。そして、その位置でシャトル２８上の基板Ｇが第１の搬送装置２６により受け取られる。なお、このようなシャトル２８は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は不要である。

第１のインターフェイス部４は、前段処理部１と露光装置３との間での基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３４と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）３５と、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングステージ（ＣＯＬ）３６とを有している。搬送機構３４は搬送アーム３４ａを備え、この搬送アーム３４ａにより前段処理部１と露光装置３との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

第２のインターフェイス部５は、露光装置３と後段処理部２との間での基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３７と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）３８と、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングステージ（ＣＯＬ）３９とを有している。搬送機構３７は搬送アーム３７ａを備え、この搬送アーム３７ａにより露光装置３と後段処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

後段処理部２は、Ｘ方向に沿って設けられた現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３を有している。現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３への基板Ｇの搬入は、第２のインターフェイス部５からエクステンションステージ４０を介して第３の搬送装置４１により行われ、基板Ｇの搬出は後段処理部２の露光装置３と反対側の端部に設けられた第４の搬送装置４５により行われる。第３の搬送装置４１の現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３と反対側には、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４２が設けられている。一方、第４の搬送装置４５の近傍には熱的処理を行う熱的処理ユニットが集合した第３の熱的処理ユニットセクション４４および現像の脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）４８が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３の搬出側端部には、エッチング処理等の後処理を行う装置へ基板Ｇを搬送するための第５の搬送装置４９が設けられており、この第５の搬送装置４９の近傍には、バッファカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）１１０が設けられている。

上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３は、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と同様、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３においても、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われる。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３への基板Ｇの搬入出は、その長手面の両端部にそれぞれ設けられた搬入口および搬出口（いずれも図示せず）を介して行われる。

第３の熱的処理ユニットセクション４４は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４６，４７を有しており、これらは第４の搬送装置４５の両側に配置されている。図６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４６は、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０が積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４７は、下から順に基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８１および３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２，８３，８４が４段積層されて構成されている。なお、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）４８は第４の搬送装置４５を挟んで現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３の反対側に配置されている。第４の搬送装置４５は、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）４８に対する基板Ｇの搬入出、上記複数の熱的処理ユニットに対する基板Ｇの搬入出、現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３からの基板Ｇの搬出を行う。なお、第４の搬送装置４５も第１の搬送装置２６と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４６，４７のいずれのユニットにもアクセス可能である。また、第３の搬送装置４１、第５の搬送装置４９も基本的に第１の搬送装置２６と同様の構造を有している。

このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）膜成膜処理等の前工程が終了した基板Ｇが前段処理部１に搬入される。具体的には、第１の熱的処理ユニットセクション２４に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に１枚ずつ受け渡され、そこに受け渡された基板Ｇが第１の搬送装置２６によりエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、第１の搬送装置２６により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第２の熱的処理ユニットセクション２５に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６７に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第２の搬送装置２７により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９のいずれかに搬送されて加熱処理される。次いで、基板Ｇは第２の搬送装置２７によりシャトル２８上に受け渡され、基板Ｇを保持したシャトル２８は、第１の搬送装置２６近傍まで空間２０を移動する。そして、シャトル２８上の基板Ｇは第１の搬送装置２６により受け取られ、必要に応じて第１の熱的処理ユニットセクション２４に属するクーリングユニット（ＣＯＬ）６２，６５のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）２９，３０のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６３，６６のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６２，６５のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３０のパスユニット（ＰＡＳＳ）６４に搬送される。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６４に搬送される。

その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６４に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。

このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）７０に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）７０に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置２７により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７１，７２，７３および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７６，７７のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３のクーリングユニット（ＣＯＬ）７５、またはパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、クーリングユニット（ＣＯＬ）７５で冷却された場合には第２の搬送装置２７によりパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４へ搬送され、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４で冷却された場合にはそのままそこに置かれる。

その後、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）７４上の基板Ｇは、第１のインターフェイス部４の搬送機構３４によりクーリングステージ（ＣＯＬ）３６へ搬送されて所定温度に保持された後、搬送機構３４により露光装置３に搬送され、そこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）３５上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置３に搬送される。

露光終了後、基板Ｇは第２のインターフェイス部５の搬送機構３７によりクーリングステージ（ＣＯＬ）３６へ搬送されて所定温度に保持された後、後段処理部２のエクステンションステージ４０に搬送される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）３５上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから後段処理部２へ搬送される。

エクステンションステージ４０の基板は、第３の搬送装置４１により外部装置ブロック４２の下段の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、第３の搬送装置４１により基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。

現像処理終了後、基板Ｇは第４の搬送装置４５により現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３から取り出され、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）４８に搬送されて脱色処理が施される。その後、基板Ｇは第４の搬送装置４５により第３の熱的処理ユニットセクション４４に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４６のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８，７９，８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２，８３，８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）４７のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８１に搬送されて所定温度に冷却された後、基板Ｇは第５の搬送装置４９によりエッチング等の後工程を行う装置に搬送される。その際に、処理タイミングを調節するために、場合によっては基板Ｇがバッファステージ（ＢＵＦ）１１０上のバッファカセットに収容される。

以上のように、露光装置３の上流側の前段処理部１にスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３を配置し、露光装置３の下流側の後段処理部２に現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３を配置したので、このような処理装置を用いることにより、その前工程、例えば成膜工程と、本処理装置におけるレジスト塗布・露光・現像と、その後工程、例えばエッチング工程とを連続して行うことが可能となり、従来のように一旦カセットに収容して次工程に搬送する必要がなくなり、全体的な処理のスループットを高めることができる。

また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３が、基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の処理が行われるように構成されているので、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。特に、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）４３では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。

さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱的処理ユニットセクション２４，２５，４４を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくして基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して第１、第２および第４の搬送装置２６，２７，４５を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。

さらにまた、前段処理部１において、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１とレジスト処理ユニット２３とを空間２０を介して対向するように設け、その空間を移動するシャトル２８によりスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１から搬出された基板Ｇをレジスト処理ユニット２３への搬入可能位置に搬送するようにしたので、前段処理部１においてこれらユニットを一列に配置した場合よりも省スペース化を図ることができ、その分さらにフットプリントを小さくすることができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）、レジスト処理ユニットおよび現像処理ユニット（ＤＥＶ）を被処理基板が略水平に搬送されつつ順次処理を行うタイプのものとしたが、これに限らず、中央搬送方式であっても構わない。また、シャトルの構造も上記構造に限るものではなく、例えば上記実施形態におけるレジスト処理ユニットに用いたサブアームと同様の構造のものであってもよい。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。

本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。 本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。 本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセクションおよび第１の搬送装置を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセクションおよび第２の搬送装置を示す側面図。 本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたシャトルの構造を示す斜視図。 本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第３の熱的処理ユニットセクションおよび第４の搬送装置を示す側面図。

符号の説明

１……前段処理部
２……後段処理部
４……第１のインターフェイス部
５……第２のインターフェイス部
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（洗浄処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット
２４……第１の熱的処理ユニットセクション
２５……第２の熱的処理ユニットセクション
２６……第１の搬送装置
２７……第２の搬送装置
２８……シャトル（載置移動手段）
２９，３０，３１，３２，３３，４６，４７……熱的処理ユニットブロック
４１……第３の搬送装置
４３……現像処理ユニット
４４……第３の熱的処理ユニットセクション
４５……第４の搬送装置
１００……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤガラス基板

Claims (9)

1. 被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   レジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと
   を有し、
   前記レジスト処理ユニットと、前記現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられていることを特徴とする処理装置。
2. 被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと
   を有し、
   前記レジスト処理ユニットと、前記現像処理ユニットとは、露光装置を挟んで両側に設けられていることを特徴とする処理装置。
3. 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
   被処理基板に対してレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと
   を有し、
   前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニットは、露光装置を挟んで一方側に前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットが存在し、他方側に前記現像処理ユニットが存在するように配置されていることを特徴とする処理装置。
4. 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記各処理ユニットに付随する熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットと
   を有し、
   前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニットは、露光装置を挟んで一方側に前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットが存在し、他方側に現像処理ユニットが存在するように配置されていることを特徴とする処理装置。
5. 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   露光装置の上流側に設けられた前段処理部と、
   露光装置の下流側に設けられた後段処理部と
   を具備し
   前記前段処理部は、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、
   前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションとを有し、
   前記後段処理部は、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションとを有することを特徴とする処理装置。
6. 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   露光装置の上流側に設けられた前段処理部と、
   露光装置の下流側に設けられた後段処理部と、
   前記前段処理部から前記露光装置へ被処理基板を受け渡す第１のインターフェイス部と、
   前記露光装置から前記後段処理部へ被処理基板を受け渡す第２のインターフェイス部と
   を具備し、
   前記前段処理部は、
   被処理基板が搬入される搬入部と、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われ、空間を介して前記洗浄処理ユニットと対向して設けられたレジスト処理ユニットと、
   前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、
   前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、
   前記洗浄処理ユニットと前記レジスト処理ユニットとの間の空間を移動可能に設けられ、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を載置した状態で前記レジスト処理ユニットへの搬入可能位置に被処理基板を移動させる載置移動手段と
   を有し、
   前記後段処理部は、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、
   被処理基板が搬出される搬出部と
   を有することを特徴とする処理装置。
7. 前記前段処理部は、
   前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットのいずれも、前記搬入部側に搬入口を有し、前記第１のインターフェイス部側に搬出口を有し、
   前記第１の熱的処理ユニットセクションは前記搬入部に隣接して設けられ、前記第２の熱的処理ユニットセクションは前記第１のインターフェイス部に隣接して設けられ、
   前記搬入部の被処理基板を前記洗浄処理ユニットに受け渡し、かつ前記載置移動手段に載置された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ受け渡す第１の搬送装置と、
   前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記載置移動手段に受け渡し、かつ、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ受け渡す第２の搬送装置と
   をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
8. 前記後段処理部は、
   前記搬出部に隣接して前記第３の熱的処理ユニットセクションを有し、
   前記第２のインターフェイス部の被処理基板を前記現像処理ユニットに受け渡す第３の搬送装置と、
   前記現像処理ユニットから搬出された基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ受け渡すとともに前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬出部へ受け渡す第４の搬送装置と
   をさらに有することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の処理装置。
9. 前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の処理装置。

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