JP2008116949A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 処理チャンバにおいて、サポート部材にレチクルを配置する工程であって、前記レチクルが、光学的に透明な基板上に形成された金属フォトマスク層と、前記金属フォトマスク層上に堆積したパターン化レジスト材料とを含む工程と、
   酸素含有ガスと、塩素含有ガスと、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）又はアンモニア（ＮＨ_３）のうち少なくとも１つとを含む処理ガスを導入する工程と、
   前記処理チャンバに電力を分配して、前記処理ガスから形成されたプラズマを生成する工程と、
   前記金属フォトマスク層の露出部分を前記プラズマを用いてエッチングする工程とを含むフォトリソグラフィーレチクルを処理する方法。
2. 前記処理ガスを導入する工程が、無塩素ハロゲン含有ガスを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
3. 前記処理ガスを導入する工程が、臭化水素又はヨウ化水素のうち少なくとも１つを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項２記載の方法。
4. 前記処理ガスを導入する工程が、酸素、一酸化炭素又は二酸化炭素のうち少なくとも１つを前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
5. 前記処理ガスを導入する工程が、塩素、四塩化炭素又は塩酸のうち少なくとも１つを前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
6. 前記プラズマを生成する工程が、前記処理チャンバにおいて、約２００ワット〜約１５００ワットのＲＦ電源をコイルに印加する工程と、前記処理チャンバにおいて、約５ワット〜約２００ワットのバイアス電力をレチクルサポートに印加する工程とを含む請求項１記載の方法。
7. 処理チャンバにおいて、サポート部材にレチクルを配置する工程であって、前記レチクルが、光学的に透明なケイ素系材料上に形成されたクロム系フォトマスク層と、前記クロム系フォトマスク層上に堆積したパターン化レジスト材料とを含む工程と、
   塩素ガスと、酸素ガス、及び、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）又はアンモニア（ＮＨ_３）のうち少なくとも１つとを含む処理ガスを導入する工程と、
   処理中に、チャンバ圧を約３ミリトル〜約８ミリトルに、前記レチクルを約２０℃〜約１５０℃の温度に維持する工程と、
   前記処理チャンバ近傍に配置されたコイルに約３００〜約３５０ワットの電力を分配して、前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
   前記サポート部材に約１５〜約２０ワットのバイアス電力を供給する工程と、
   前記クロム系フォトマスク層の露出部分をエッチングする工程と、
   前記クロム系フォトマスク層を、約１：１以上のクロム系フォトマスク層対レジスト材料の除去レート比で、除去する工程とを含むフォトリソグラフィーレチクルを処理する方法。
8. 前記処理ガスを導入する工程が、臭化水素を前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項７記載の方法。
9. 前記クロム系フォトマスク層が、クロム、酸窒化クロム又はこれらの組み合わせを含み、前記光学的に透明なケイ素系材料が、水晶、ケイ化モリブデン、酸窒化モリブデンケイ素又はこれらの組み合わせを含む請求項１又は７記載の方法。
10. 前記レチクルが、酸窒化クロムの反射防止コーティングを含む請求項１又は７記載の方法。
11. 前記処理ガスを導入する工程が、アルゴンを、５〜１００ｓｃｃｍの流量で、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
12. 前記処理ガスを導入する工程が、アルゴンを、２０〜４５ｓｃｃｍの流量で、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
13. 前記処理ガスを導入する工程が、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン又はクリプトンのうち少なくとも１つを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
14. 前記金属フォトマスク層をエッチングする工程は、前記金属フォトマスク層を、１：１〜約３：１の金属フォトマスク層対レジスト材料の除去レート比で選択的にエッチングすることを含む請求項１又は７記載の方法。
15. 前記処理ガスを導入する工程が、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）又はアンモニア（ＮＨ_３）のうち少なくとも１つを、約１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍのレートで、処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
16. 前記処理ガスを導入する工程が、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）又はアンモニア（ＮＨ_３）のうち少なくとも１つを、約１ｓｃｃｍ〜５ｓｃｃｍのレートで、処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。