JPH0915416A - 低反射ブラックマスクを有する液晶表示素子用カラーフィルター - Google Patents
低反射ブラックマスクを有する液晶表示素子用カラーフィルターInfo
- Publication number
- JPH0915416A JPH0915416A JP16567395A JP16567395A JPH0915416A JP H0915416 A JPH0915416 A JP H0915416A JP 16567395 A JP16567395 A JP 16567395A JP 16567395 A JP16567395 A JP 16567395A JP H0915416 A JPH0915416 A JP H0915416A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium
- film
- color filter
- low reflection
- ratio
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- Pending
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- Optical Filters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】十分に低反射率であり、エッチング特性にも優
れる低反射クロム膜を加工して得られる膜を、低反射ブ
ラックマスクとするカラーフィルターを提供すること。 【構成】基板上に、ターゲットとしてクロム金属を用
い、雰囲気ガスとして酸素ガスの比率4.5容量％以上20
容量％以下、窒素ガスの比率40容量％以上、不活性ガス
の比率50容量％以下の混合ガスを用いて反応性スパッタ
リングを行なうことにより、クロム酸化物およびクロム
窒化物の混合物からなるクロム化合物の膜からなる反射
防止層を形成し、ついでターゲットとしてクロム金属を
用い、雰囲気ガスとして不活性ガスを用いてスパッタリ
ングを行なうことことにより、前記クロム化合物の膜の
上に遮光を形成し、得られる基板上の低反射クロム膜を
加工して得られる膜を低反射ブラックマスクとする液晶
表示素子用カラーフィルター。
れる低反射クロム膜を加工して得られる膜を、低反射ブ
ラックマスクとするカラーフィルターを提供すること。 【構成】基板上に、ターゲットとしてクロム金属を用
い、雰囲気ガスとして酸素ガスの比率4.5容量％以上20
容量％以下、窒素ガスの比率40容量％以上、不活性ガス
の比率50容量％以下の混合ガスを用いて反応性スパッタ
リングを行なうことにより、クロム酸化物およびクロム
窒化物の混合物からなるクロム化合物の膜からなる反射
防止層を形成し、ついでターゲットとしてクロム金属を
用い、雰囲気ガスとして不活性ガスを用いてスパッタリ
ングを行なうことことにより、前記クロム化合物の膜の
上に遮光を形成し、得られる基板上の低反射クロム膜を
加工して得られる膜を低反射ブラックマスクとする液晶
表示素子用カラーフィルター。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成したクロ
ム化合物の膜等からなる低反射クロム膜を加工して得ら
れる膜を、低反射ブラックマスクとするカラーフィルタ
ーに関する。
ム化合物の膜等からなる低反射クロム膜を加工して得ら
れる膜を、低反射ブラックマスクとするカラーフィルタ
ーに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子に用いられるカラーフィル
ターでは、パネル視認性を向上させるため、その構成要
素の一つであるブラックマスク表面での光反射を低減さ
せることが求められる。フォトマスク素材用の分野で
は、例えば、特公平3-73628公報に記載されているよう
に、基板の上に遮光層としてクロム化合物膜を形成し、
次にこのクロム化合物膜の上に反応性スパッタリング法
により、クロム酸化物とクロム窒化物の混合膜（反射防
止膜）を形成して、２層の低反射クロム膜を有する基板
を製造する方法において、反応性スパッタリングの雰囲
気ガスとして酸素ガス比率１〜５％、窒素ガス比率１０
〜４０％、不活性ガス４５〜８９％からなる混合ガスを
用いて、スパッタ圧力２〜６ｍｔｏｒｒ、スパッタパワ
ー（電力）０．５〜５W/cm2で行なうことが知られてい
る。しかし、これら従来の技術で得られる、２層の低反
射クロム膜は、光の反射率が十分に小さくないという欠
点がある。また、これらの技術はフォトマスク素材用の
ものであり、液晶表示素子に用いられるカラーフィルタ
ーの素材用に適用しうるかどうか明らかでない。
ターでは、パネル視認性を向上させるため、その構成要
素の一つであるブラックマスク表面での光反射を低減さ
せることが求められる。フォトマスク素材用の分野で
は、例えば、特公平3-73628公報に記載されているよう
に、基板の上に遮光層としてクロム化合物膜を形成し、
次にこのクロム化合物膜の上に反応性スパッタリング法
により、クロム酸化物とクロム窒化物の混合膜（反射防
止膜）を形成して、２層の低反射クロム膜を有する基板
を製造する方法において、反応性スパッタリングの雰囲
気ガスとして酸素ガス比率１〜５％、窒素ガス比率１０
〜４０％、不活性ガス４５〜８９％からなる混合ガスを
用いて、スパッタ圧力２〜６ｍｔｏｒｒ、スパッタパワ
ー（電力）０．５〜５W/cm2で行なうことが知られてい
る。しかし、これら従来の技術で得られる、２層の低反
射クロム膜は、光の反射率が十分に小さくないという欠
点がある。また、これらの技術はフォトマスク素材用の
ものであり、液晶表示素子に用いられるカラーフィルタ
ーの素材用に適用しうるかどうか明らかでない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、十分
に低反射率であり、エッチング特性にも優れる低反射ク
ロム膜を加工して得られる膜を、低反射ブラックマスク
とするカラーフィルターを提供することである。
に低反射率であり、エッチング特性にも優れる低反射ク
ロム膜を加工して得られる膜を、低反射ブラックマスク
とするカラーフィルターを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、反射防止
層として、いくつかのクロム化合物の中でクロム酸化物
とクロム窒化物の混合膜に注目し、それを形成する方法
について鋭意検討した結果、本発明に到達した。
層として、いくつかのクロム化合物の中でクロム酸化物
とクロム窒化物の混合膜に注目し、それを形成する方法
について鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００５】すなわち、本発明は、基板上に、ターゲッ
トとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして酸素ガス
の比率4.5容量％以上20容量％以下、窒素ガスの比率40
容量％以上、不活性ガスの比率50容量％以下の混合ガス
を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、ク
ロム酸化物およびクロム窒化物の混合物からなるクロム
化合物の膜からなる反射防止層を形成し、ついでターゲ
ットとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして不活性
ガスを用いてスパッタリングを行なうことことにより、
前記クロム化合物の膜の上にクロム金属からなる遮光膜
を形成し、得られる基板上の低反射クロム膜を加工して
得られる膜を低反射ブラックマスクとする液晶表示素子
用カラーフィルターに関する。
トとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして酸素ガス
の比率4.5容量％以上20容量％以下、窒素ガスの比率40
容量％以上、不活性ガスの比率50容量％以下の混合ガス
を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、ク
ロム酸化物およびクロム窒化物の混合物からなるクロム
化合物の膜からなる反射防止層を形成し、ついでターゲ
ットとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして不活性
ガスを用いてスパッタリングを行なうことことにより、
前記クロム化合物の膜の上にクロム金属からなる遮光膜
を形成し、得られる基板上の低反射クロム膜を加工して
得られる膜を低反射ブラックマスクとする液晶表示素子
用カラーフィルターに関する。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、反応性スパッタリングは、公知の方法で行われ
る。本発明において、使用される基板としては、代表例
としてガラス板があげられる。本発明において、ターゲ
ットとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして酸素ガ
スの比率4.5容量％以上20容量％以下、窒素ガスの比率4
0容量％以上、不活性ガスの比率50容量％以下の混合ガ
スを用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、
クロム酸化物およびクロム窒化物の混合物からなるクロ
ム化合物の膜を有する基板を製造することができる。
おいて、反応性スパッタリングは、公知の方法で行われ
る。本発明において、使用される基板としては、代表例
としてガラス板があげられる。本発明において、ターゲ
ットとしてクロム金属を用い、雰囲気ガスとして酸素ガ
スの比率4.5容量％以上20容量％以下、窒素ガスの比率4
0容量％以上、不活性ガスの比率50容量％以下の混合ガ
スを用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、
クロム酸化物およびクロム窒化物の混合物からなるクロ
ム化合物の膜を有する基板を製造することができる。
【０００７】基板上に形成されるクロム化合物膜は、ク
ロム酸化物とクロム窒化物の混合膜であり、その膜厚は
４００〜５００オングストローム程度である。この膜は
光反射防止性能を有し、液晶表示素子用等のカラーフィ
ルターの低反射ブラックマスクの反射防止層の素材とし
て使用される。
ロム酸化物とクロム窒化物の混合膜であり、その膜厚は
４００〜５００オングストローム程度である。この膜は
光反射防止性能を有し、液晶表示素子用等のカラーフィ
ルターの低反射ブラックマスクの反射防止層の素材とし
て使用される。
【０００８】基板上にクロム化合物膜を形成したあと、
次いでその上にスパッタリング法により、膜厚が１００
０〜１５００オングストローム程度である金属クロム膜
からなる遮光層を形成し、２層化した低反射クロム膜を
有する基板を製造する。こうして得られる低反射クロム
膜を有する基板は、液晶表示素子用等のカラーフィルタ
ーの素材として使用される。低反射クロム膜を有する基
板を素材として、カラーフィルターを製造する方法の一
例をあげれば、次のとおりである。
次いでその上にスパッタリング法により、膜厚が１００
０〜１５００オングストローム程度である金属クロム膜
からなる遮光層を形成し、２層化した低反射クロム膜を
有する基板を製造する。こうして得られる低反射クロム
膜を有する基板は、液晶表示素子用等のカラーフィルタ
ーの素材として使用される。低反射クロム膜を有する基
板を素材として、カラーフィルターを製造する方法の一
例をあげれば、次のとおりである。
【０００９】すなわち、まず、低反射２層クロム膜上に
感光性レジストを塗布し、露光、現像を行うことによっ
て、所定のレジストパターンを形成する。次に、硝酸第
２セリウムアンモニウムを主成分としたエッチング液を
用いて、前記２層クロム膜をエッチングし、ブラックマ
スクを形成する。次に、赤色のレジストを塗布後、露
光、現像を行って赤色画素の形成を行う。青、緑の画素
についても同様の手法で形成する。最後にITO膜を形成
することによって、カラーフィルターを完成させる。
感光性レジストを塗布し、露光、現像を行うことによっ
て、所定のレジストパターンを形成する。次に、硝酸第
２セリウムアンモニウムを主成分としたエッチング液を
用いて、前記２層クロム膜をエッチングし、ブラックマ
スクを形成する。次に、赤色のレジストを塗布後、露
光、現像を行って赤色画素の形成を行う。青、緑の画素
についても同様の手法で形成する。最後にITO膜を形成
することによって、カラーフィルターを完成させる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。 実施例１ ガラス基板を、スパッタリング装置内に装着し、1.0×1
0-4Paまで排気した後、流量パーセント比がO2:N2:Ar ＝
8:42:50 である酸素ガス，窒素ガスおよび不活性ガスの
混合ガスを0.4Paまで導入した。スパッタパワーを2.2W/
cm2にして、クロム金属をターゲットとしてスパッタリ
ングを行い、クロム酸化物とクロム窒化物の混合物から
なる膜厚５００オングストロームの反射防止層を得た。
その後再び1.0×10-4Paまで排気した後、アルゴンガス
を0.1Paまで導入した。そしてスパッタパワーを5W/cm2
に調製してクロム金属をターゲットとしてスパッタリン
グを行い、クロム金属からなる膜厚１２００オングスト
ロームの遮光層を形成した。このようにして作製した低
反射２層クロム膜の反射率は第1 図（a）に示すよう
に、低反射率であった。また、低反射２層クロム膜上に
感光性レジストを塗布し、露光、現像を行うことによっ
て、所定のレジストパターンを形成し、次に、硝酸第２
セリウムアンモニウムを主成分としたエッチング液を用
いて、前記２層クロム膜をエッチングし、カラーフィル
ターのブラックマスクを形成するテストを行なった。２
層クロム膜の剥がれ等は起こらず、均一にエッチングを
することができた。
れに限定されるものではない。 実施例１ ガラス基板を、スパッタリング装置内に装着し、1.0×1
0-4Paまで排気した後、流量パーセント比がO2:N2:Ar ＝
8:42:50 である酸素ガス，窒素ガスおよび不活性ガスの
混合ガスを0.4Paまで導入した。スパッタパワーを2.2W/
cm2にして、クロム金属をターゲットとしてスパッタリ
ングを行い、クロム酸化物とクロム窒化物の混合物から
なる膜厚５００オングストロームの反射防止層を得た。
その後再び1.0×10-4Paまで排気した後、アルゴンガス
を0.1Paまで導入した。そしてスパッタパワーを5W/cm2
に調製してクロム金属をターゲットとしてスパッタリン
グを行い、クロム金属からなる膜厚１２００オングスト
ロームの遮光層を形成した。このようにして作製した低
反射２層クロム膜の反射率は第1 図（a）に示すよう
に、低反射率であった。また、低反射２層クロム膜上に
感光性レジストを塗布し、露光、現像を行うことによっ
て、所定のレジストパターンを形成し、次に、硝酸第２
セリウムアンモニウムを主成分としたエッチング液を用
いて、前記２層クロム膜をエッチングし、カラーフィル
ターのブラックマスクを形成するテストを行なった。２
層クロム膜の剥がれ等は起こらず、均一にエッチングを
することができた。
【００１１】比較例 流量パーセント比がO2:N2:Ar ＝15:28:57である酸素ガ
ス，窒素ガスおよび不活性ガスの混合ガスを使用した以
外は、実施例１と同様にして、膜厚５００オングストロ
ームのクロム化合物からなる反射防止層および膜厚１２
００オングストロームのクロム金属からなる遮光層を形
成した。このようにして作製した低反射２層クロム膜の
反射率は第1 図（b）に示すように高く、悪かった。実
施例１と同様にして２層クロム膜をエッチングし、カラ
ーフィルターのブラックマスクを形成するテストを行な
ったところ、エッチングむらが発生し、以下の工程に進
ことができなかった。
ス，窒素ガスおよび不活性ガスの混合ガスを使用した以
外は、実施例１と同様にして、膜厚５００オングストロ
ームのクロム化合物からなる反射防止層および膜厚１２
００オングストロームのクロム金属からなる遮光層を形
成した。このようにして作製した低反射２層クロム膜の
反射率は第1 図（b）に示すように高く、悪かった。実
施例１と同様にして２層クロム膜をエッチングし、カラ
ーフィルターのブラックマスクを形成するテストを行な
ったところ、エッチングむらが発生し、以下の工程に進
ことができなかった。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、低反射率で、エッチン
グ特性にも優れる低反射クロム膜を加工してして得られ
る膜を、低反射ブラックマスクとするカラーフィルター
を提供することができる。
グ特性にも優れる低反射クロム膜を加工してして得られ
る膜を、低反射ブラックマスクとするカラーフィルター
を提供することができる。
【図１】本発明で使用される低反射クロム膜の光反射率
の波長依存性を示すグラフである。
の波長依存性を示すグラフである。
a：反射防止層形成時のガス流量パーセント比がO2:N2:A
r=8:42:50 の場合 b：反射防止層形成時のガス流量パーセント比がO2:N2:A
r=15:28:57 の場合
r=8:42:50 の場合 b：反射防止層形成時のガス流量パーセント比がO2:N2:A
r=15:28:57 の場合
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、ターゲットとしてクロム金属を
用い、雰囲気ガスとして酸素ガスの比率4.5容量％以上2
0容量％以下、窒素ガスの比率40容量％以上、不活性ガ
スの比率50容量％以下の混合ガスを用いて反応性スパッ
タリングを行なうことにより、クロム酸化物およびクロ
ム窒化物の混合物からなるクロム化合物の膜からなる反
射防止層を形成し、ついでターゲットとしてクロム金属
を用い、雰囲気ガスとして不活性ガスを用いてスパッタ
リングを行なうことことにより、前記クロム化合物の膜
の上にクロム金属からなる遮光膜を形成し、得られる基
板上の低反射クロム膜を加工して得られる膜を低反射ブ
ラックマスクとする液晶表示素子用カラーフィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16567395A JPH0915416A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 低反射ブラックマスクを有する液晶表示素子用カラーフィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16567395A JPH0915416A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 低反射ブラックマスクを有する液晶表示素子用カラーフィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915416A true JPH0915416A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15816861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16567395A Pending JPH0915416A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 低反射ブラックマスクを有する液晶表示素子用カラーフィルター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101333744B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2013-11-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토리소그래픽 레티클을 프로세싱하기 위한 방법 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16567395A patent/JPH0915416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101333744B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2013-11-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토리소그래픽 레티클을 프로세싱하기 위한 방법 |
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