JP2008098137A - 表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の表示素子製造方法は、基板110上にアノード電極120を形成し、その上に有機EL層130を形成し、その上に第1の下部金属層141を熱化学気相蒸着又はE-ビーム蒸着により1nm〜100nmの範囲の膜厚で形成し、下部金属層141の一部に酸化膜151を形成し、そして下部金属層141上に第2の下部金属層142を形成する段階を含む。下部金属層140は少なくとも2個の金属層からなり、酸化工程は各金属層形成工程後にそれぞれ実行される。第1、第2の金属層は、アルミニウム、マグネシウム、マンガンカルシウム及びその合金よりなる群から選択された材料からなる。上記酸化膜は、Al2O3、MgOx、MnOx又はCaOxからなる。
【選択図】図5
Description
有機電界発光素子は、基板1上に配列されたアノード電極2(ITO層)、アノード電極2上に形成された有機電界発光層3(以下、「有機EL層」という)、有機EL層3上に形成されたカソード電極4(金属電極として主にアルミニウム(Al)で形成される。)を含む。
有機EL層3は、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層されて構成され、各カソード電極4(有機EL層包含)は、隔壁5によって隣接するカソード電極と所定の間隔を保持する。
図1及び図2に示されるような構造からなる多数のピクセル回路部を基板1に上に形成した後、各ピクセル回路部のアノード電極2とカソード電極4に対する配線工程、キャップ接着工程及びスクライブ工程を経て個別表示素子として形成する。
ここで、下部金属層形成段階は、少なくとも2個の単位金属層を形成する段階からなり、酸化工程段階は下部金属層を構成する各単位金属層形成後に実行されていてもよい。
このような構造の表示素子では、金属電極を構成する少なくとも一つの金属層上に形成された酸化膜によって導電性パーティクルによる金属電極(カソード電極)での電流漏洩を防止し、また金属電極の抵抗を低減することができる。
図4は本発明に係る有機電界発光素子の構成を示した断面図、図5(a)及び(b)は本発明に係る図4に示されたカソード電極の形成過程を工程段階別に示した部分詳細断面図である。以下では、カソード電極を「金属電極」という。
図5(a)を参照すると、基板110上にアノード電極120及び有機EL層130を形成する。上記説明のように、有機EL層130形成工程では、ある要因(例えば、工程チャンバー内に存在する不純物粒子)によって導電性パーティクル150が生じることがあり、この導電性パーティクル150は有機EL層130上に存在する。
本発明に係る素子の製造方法及びこれにより製造された素子は、パーティクル150の存在の有無と関係なく、パーティクル150が存在する場合に発生する問題点を解決するために提案されたものであり、従って、実際、全ての製造工程が完了した素子内の導電性パーティクルの存在有無は、本発明の範囲及び本発明の実施を判断する基準として考慮されない。
このとき、第1金属層141は熱化学気相蒸着(thermal chemical vapor deposition)工程又はE−ビーム蒸着(E-beam deposition)工程などを通じて形成され、有機EL層130及び有機EL層130に存在する導電性パーティクル150を覆う状態で形成される。
上記条件下で、20分間、酸化工程が行われれば、導電性パーティクル150周辺に形成された第1金属層141を構成する金属材料と反応し、これにより、導電性パーティクル150と対応する第1金属層141表面に酸化膜151が形成される。
有機EL層130上に形成された第1金属層141中で、導電性パーティクル150が存在しない領域に形成された部分は、その組織が緻密、且つ表面が平坦であるため、上述の条件下でも、金属層141を構成する金属材料はO2と反応することは難しい。
上述するように、チャンバー内でのO2の割合が15体積%以上である条件で、20分以上、酸化工程が進む場合、O2は第1金属層141の金属材料と反応し、その結果、導電性パーティクル150が存在しない領域に形成された第1金属層141表面に酸化膜が形成される。
第1金属層141は、以後、積層状態で形成される別の金属層と共に電極(カソード電極)の機能を果たすようになり、これにより、その表面に酸化膜が形成される場合、電極の機能に大きな影響を及ぼすようになり好ましくない。
これと逆に、チャンバー内でのO2の割合が2体積%以下で、酸化工程時間が20分未満の場合、平坦な形状の第1金属層141の表面には酸化膜が形成されないか、または導電機能に影響を及ぼさない程度の酸化膜が形成され得るが、導電性パーティクル150と第1金属層141と間の境界面上にも十分な膜厚の酸化膜151が形成されない。従って、酸化膜151は漏洩電流を防止する機能を実行できなくなる。また、上記条件下では、酸化工程を20分以上実施しなければ、十分な膜厚の酸化膜が形成されない。
まず、第1金属層141の形成に使用される材料は、酸化工程で反応ガスであるO2と反応するアルミニウム、マグネシウム、マンガン、カルシウム及びその合金よりなる群から選択されてもよい。従って、導電性パーティクル150と第1金属層141と間の界面に形成される酸化膜151は、アルミニウムオキサイド(Al2O3)、マグネシウムオキサイド(MgOx)、マンガンオキサイド(MnOx)又はカルシウムオキサイド(CaOx)であってもよい。しかし、O2との反応度を考慮するとき、上記条件を満たす材料としてはアルミニウムが最も好ましい。
仮に、第1金属層141の膜厚が1nm以下のとき、酸化工程でO2が第1金属層141を完全に通過し、その下部に位置する有機EL層130に浸透するようになり、これにより、O2によって有機EL層130が損傷を受けることがある。
さらに、図5(b)を参照すると、上述した酸化形成工程を実施した後、金属層形成工程を実行し、第1金属層141上に上部金属層である第2金属層142を形成する。
酸化工程での工程条件(O2の体積%、及び工程時間、第1金属層141を構成する材料のO2との反応度など)を利用して、導電性パーティクル150周辺に形成された酸化膜151の膜厚を算出しうる。
即ち、仕事関数とは絶対零度での電子放出のために必要なエネルギーを電子ボルト(eV)単位として表示するものであるので、金属(又は半導体)内にある電子を表面で外部へ放出するためには、電子に熱や光などのあるエネルギーを与える必要がある。
酸化膜形成工程後のチャンバー内部には、酸化膜形成工程に用いられた多量のO2が存在している。このような条件下で、素子に逆バイアス電圧を印加する場合、導電性パーティクル150と対応する第1金属層141の微細な亀裂149が拡大し、従って、チャンバー内に存在するO2は拡大した微細な亀裂149を通じて、第1金属層141と導電性パーティクル150との間の空間にさらに流入する。
上記では、第1金属層141上に酸化膜を形成した後、逆バイアス電圧を印加する段階を説明しているが、酸化膜が形成される過程中に逆バイアス電圧を印加する場合にも同じ効果を得ることができる。
このとき、導電性パーティクル250のサイズが大きいため、第2金属層242b中で導電性パーティクル250と対応する部分242aにも亀裂249が発生する。
120 アノード電極
130 有機EL層
140 金属電極
141 第1金属層
149 微細な亀裂
150 導電性パーティクル
151 酸化膜
Claims (23)
- 基板上に第1電極を形成する段階、
上記第1電極上に有機物層を形成する段階、
上記有機物層上に下部金属層を形成する段階、
上記下部金属層の一部に酸化膜を形成する酸化工程実施段階、及び
上記下部金属層上に上部金属層を形成する段階、
を含む表示素子製造方法。 - 酸化膜は、逆バイアス電圧が印加される状態で形成される請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 酸化膜形成段階後、逆バイアス電圧を印加する段階を、さらに含む請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層は、熱化学気相蒸着又はE−ビーム蒸着工程によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層は、1nm〜100nmの範囲の膜厚を持つことを特徴とする請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層形成段階は、少なくとも2個の単位金属層を形成する段階からなり、上記酸化工程実施段階は上記各単位金属層形成段階後に、それぞれ、実施されることを特徴とする請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層の最下層単位金属層は、1nm〜100nmの範囲の膜厚であることを特徴とする請求項6に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層の上記最下層単位金属層は、60nm〜70nmの範囲の膜厚であることを特徴とする請求項6に記載の表示素子製造方法。
- 上記酸化工程は、不活性ガス及び酸素が含まれるチャンバー内で実施されることを特徴とする請求項1または6に記載の表示素子製造方法。
- 不活性ガスは、アルゴンまたは窒素であり、O2の割合は2〜15体積%であることを特徴とする請求項9に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層と上記上部金属層は、同じ材料からなることを特徴とする請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 上記下部金属層及び上部金属層は、アルミニウム、マグネシウム、マンガンカルシウム及びその合金よりなる群から選択された材料からなることを特徴とする請求項1に記載の表示素子製造方法。
- 基板、
上記基板に形成された第1電極、
上記第1電極上に形成された有機物層、及び
上記有機物層上に形成された下部金属層及び上記下部金属層上に形成された上部金属層からなる第2電極を含み、
上記下部金属層の一部には酸化膜が形成されている表示素子。 - 上記下部金属層は、1nm〜100nmの範囲の膜厚であることを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記下部金属層は、少なくとも2個の単位金属層からなることを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記下部金属層の上記各単位金属層の一部には、酸化膜が形成されている請求項15に記載の表示素子。
- 上記各単位金属層は、1nm〜100nmの範囲の膜厚であることを特徴とする請求項15に記載の表示素子。
- 上記各単位金属層は、60nm〜70nmの範囲の膜厚であることを特徴とする請求項15に記載の表示素子。
- 上記下部金属層は、その膜厚が上部金属層の膜厚より小さいことを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記下部金属層と上記上部金属層は、同じ材料からなることを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記下部金属層と上記上部金属層は、アルミニウム、マグネシウム、マンガン、カルシウム又はその合金よりなる群から選択された材料からなることを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記酸化膜は、アルミニウムオキサイド(Al2O3)、マグネシウムオキサイド(MgOx)、マンガンオキサイド(MnOx)又はカルシウムオキサイド(CaOx)であることを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
- 上記酸化膜は、隣接する酸化膜と1nm以上の間隔を持って形成されたことを特徴とする請求項13に記載の表示素子。
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