JP2004127609A - 有機elディスプレイおよび有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機ELディスプレイに用いられる有機EL素子は、ガラス基板1上に透明導電膜の陽極2が形成され、陽極2の上に発光層を含む有機薄膜3が積層され、さらに、有機薄膜3の上にアルミニウムが蒸着されて陰極4が形成され、陰極4の上にスパッタリングによってモリブデンの金属膜5が積層されることによって形成される。蒸着によって形成された陰極4の上にスパッタリングによって金属膜5が積層されると、スパッタリングによって形成された金属膜5の側に、陰極4に対して相対的に引っ張り応力が生じている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ELディスプレイおよび有機ELディスプレイの製造方法に関し、特に、陽極と陰極の短絡を防止するための有機ELディスプレイの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子(以下、有機EL素子という。)を使用した有機ELディスプレイは、液晶表示装置と比較して視野角が広く、また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。例えば、有機EL素子は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に発光層を含む薄膜状の有機化合物(有機薄膜)が積層され、さらに、有機EL薄膜の上に、基板上に形成された陽極に対向するように陰極が形成された構造である。有機EL素子は、対向して設けられた陽極と陰極との間に配置された有機薄膜に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。
【0003】
有機EL素子の陽極側を高電圧側にし、所定の電圧を両電極間に印加し有機薄膜に電流を供給すると発光する。供給される電流値に対する有機EL素子の発光輝度の変動は小さいので、有機EL素子を駆動する場合には、一般に定電流駆動法が用いられる。定電流駆動される有機EL素子では、陽極と陰極との短絡(層間短絡)により特定の画素が発光しなくなることがある。
【0004】
層間短絡の発生の様子を、図4〜図6の模式図を参照して説明する。図4に示すように、有機EL素子は、一般に、ガラス基板1の上にITO(インジウム・錫・酸化物)などの透明導電膜で陽極2が形成され、その上に薄膜状の有機化合物が複数層重ねられた有機EL薄膜3が形成され、さらに、その上にアルミニウム(Al)などの金属膜による陰極4が蒸着された構造を有する。なお、ガラス基板1の上に形成された透明導電膜が陰極とされ、有機EL薄膜3の上に蒸着された金属膜が陽極とされる場合もある。
【0005】
有機EL素子の作製時に、有機EL薄膜3にごみ等の異物9が混入したり、陽極2の透明導電膜に突起(図示せず)が生じ、その突起が有機EL薄膜3に侵入したりすることがある。異物9や透明導電膜の突起(以下、異物等という。)の大きさは、500×500nm〜10nm×10nm程度であると推定される。また、異物等の大きさが大きくても、有機EL素子が作製された直後では、異物等は有機EL薄膜3に覆われていて、異物等を介した陽極2と陰極4との短絡は生じていないと推定される。
【0006】
しかし、有機ELディスプレイの実稼働中に、異物等に電荷が集中し、局所的に熱が発生することがある。熱の発生によって、有機EL薄膜3における有機物の分解が進み、ついには有機物が陰極4とともに裂けてしまうことがある。以下、このような現象を爆裂と呼ぶことにする。
【0007】
爆裂の発生によって、図5に示すように、陰極4の裂けた部分が上または下(有機EL薄膜の側)に向かって反ることがある。有機EL薄膜3に多数の異物等が混入している場合には、稼働開始からの時間の経過とともに、1画面の中で爆裂部は増えていくのであるが、爆裂部の数箇所につき1箇所程度の割合で、陰極4の下に向かって反った部分が陽極2と短絡してしまう。さらに、時間の経過とともに短絡の程度が大きくなる場合があり、その場合には、短絡箇所からさらに発熱して有機物が溶融し、その結果、図6に示すように陰極4が変形してしまう。すると、短絡の程度がさらに大きくなってしまう。
【0008】
図7に、爆裂部を走査型電子顕微鏡(SEM)によって観察して得られたSEM像の例を示す。図7(A)は、爆裂部を上から見た場合の平面像を示す図であり、図7(B)は、平面像におけるB箇所の断面部を眺めた場合の斜視像を示す図である。図7(B)において、Pで示される箇所は、陰極4の裂けた部分が上に向かって反った箇所であり、Qで示される箇所は、陰極4の裂けた部分が下に向かって反り、陽極2と接触している箇所である。
【0009】
層間短絡の発生を抑制するために、有機EL素子を封止する封止部材によって形成される封止空間内に、支燃性ガスまたは支燃性ガス発生剤を封入する技術が開発されている(特許文献1、特許文献2参照。)。支燃性ガス発生剤は、支燃性ガスとしての酸素ガスを発生する。そして、有機EL薄膜3内の異物等に電荷が集中し、局所的に熱が発生した部位が生ずると、その部位が支燃性ガスにより酸化されて絶縁されることによって層間短絡の発生が防止される。また、層間短絡が発生して発熱した部位が生じても、その部位が支燃性ガスにより酸化されることによって層間短絡が修復される。
【0010】
特開平11−40346号公報(段落0007,0008)
【0011】
特開2001−210466号公報(段落0004〜0007)
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、封止空間に支燃性ガスまたは支燃性ガス発生剤を封入した場合には、上記特許文献2にも記載されているように、有機EL素子が支燃性ガスとしての酸素ガスにさらされる。すると、有機EL素子の端部などの電極の切れ目から両電極間に支燃性ガスとしての酸素ガスが侵入することがある。侵入した酸素ガスによって、ダークスポットやダークフレームが発生しやすくなる。また、それらの成長が促されることにもなる。ダークスポットやダークフレームは有機ELディスプレイの表示品位を低下させる。従って、従来の層間短絡を防止するための対策には、有機ELディスプレイの表示品位を低下させる可能性が残るという課題がある。
【0013】
本発明は、上記のような課題を解決するための発明であって、有機ELディスプレイの表示品位を低下させる可能性を排除しつつ、層間短絡の発生を防止することができる有機ELディスプレイおよび有機ELディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機ELディスプレイは、基板上に設けられた下部電極と上部電極との間に発光層を含む有機EL薄膜が挟持された構造の有機ELディスプレイであって、上部電極に、上部電極に対して引っ張り応力を有する金属膜が積層されていることを特徴とする。
【0015】
積層される金属膜の熱膨張率は、上部電極の熱膨張率の1/2以下であることが好ましい。そのような熱膨張率の関係によれば、有機ELディスプレイの動作環境が高温になっても、金属膜の引っ張り応力が維持される。
【0016】
本発明の有機ELディスプレイの製造方法は、基板上に下部電極を形成し、下部電極の上に発光層を含む有機EL薄膜を形成し、有機EL薄膜の上に上部電極を形成する有機ELディスプレイの製造方法であって、上部電極の上に、上部電極に対して引っ張り応力を有する金属膜を積層することを特徴とする。
【0017】
有機EL薄膜の上に金属を蒸着することによって上部電極を形成し、上部電極の上にスパッタリングによって金属膜を積層することが好ましい。そのような製造方法によれば、金属膜に、上部電極に対する引っ張り応力を与えることができる。
【0018】
上部電極の材質としてアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金を用い、金属膜の材質としてモリブデンまたはモリブデンを含む合金を用いることが好ましい。
【0019】
また、別の態様として、本発明の有機ELディスプレイは、基板上に設けられた下部電極と上部電極との間に発光層を含む有機EL薄膜が挟持された構造の有機ELディスプレイにおいて、前記上部電極の上面が、上部電極の下面に対し相対的に収縮するように形成されていることを特徴としている。また、前記上部電極が多層構造であることが好ましい。
【0020】
さらに、前記上部電極の上面に、前記上部電極に対し相対的に収縮する収縮膜が積層され、前記収縮膜の形状が前記上部電極の形状と同じであることが好ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は、本発明の有機ELディスプレイの一形態を示す断面図である。図1に示す有機ELディスプレイを形成する場合、まず、表1に示すように、ガラス基板1上に透明導電膜である膜厚150nmのITO(インジウム・錫・酸化物)を成膜し、ITOをエッチングして陽極2を形成する。次いで、陽極2の抵抗値を下げるための補助配線8を形成する。補助配線8として、例えば、膜厚50nmのクロム(Cr)、膜厚350nmのAlおよび膜厚50nmのCrを順にスパッタリングによって成膜し、補助配線8以外の部分をエッチングによって除去する。また、絶縁膜として感光性のポリイミドを塗布し、露光現像して各画素の発光部となる開口部を形成する。
【0022】
【表1】
【0023】
次に、有機薄膜3を真空蒸着法により積層する。その際、表1に示すように、第1正孔輸送層(正孔注入層)としての膜厚10nmの銅フタロシアニンと、第2正孔輸送層としての膜厚100nmのα−NPDとを形成し、次いで、有機発光材料による発光層および電子輸送層としてのAlqを、膜厚30nmとなるように蒸着する。さらに、電子注入層としてのフッ化リチウム(LiF)を0.5nm蒸着する。
【0024】
続いて、膜厚80nmのAlを蒸着によって成膜し陰極4を形成する。さらに、陰極4の上に、金属膜5として、膜厚10nmのモリブデン(Mo)をスパッタリングによって積層する。
【0025】
さらに、ガラス基板1上に形成された有機EL素子を水分等から守るために、他のガラス基板61を対向配置し、周辺シール材62によってガラス基板1,61を接合し、ガラス基板1とガラス基板61および周辺シール材62による封止部6とで封止された封止空間7に乾燥窒素ガスを封入する。
【0026】
なお、上記の製造方法および使用する材料は一例であって、他の製造方法および材料を用いてもよい。ただし、陰極4を形成するための金属膜は蒸着によって形成され、その上に積層される金属膜5はスパッタリングによって形成されることが好ましい。
【0027】
また、ガラス基板1の上に形成されたITOによる下部電極が陰極とされ、有機EL薄膜3の上に蒸着されたAlによる上部電極が陽極とされる場合もある。
【0028】
次に、陰極4の上に積層された金属膜5の作用効果を図2および図3の断面図を参照して説明する。図2は、図1に示す有機EL素子の補助配線8の部分以外の部分を模式的に示す断面図である。
【0029】
一般に、スパッタリングによって金属膜が形成される場合には、蒸着によって形成される場合に比べて、成膜される金属原子の運動エネルギーが大きく緻密な膜が形成される。従って、蒸着によって形成された金属膜の上にスパッタリングによって金属膜5が積層されると、スパッタリングによって形成された金属膜5の側に相対的に引っ張り応力が生じている。例えば、蒸着によって形成されたAl膜には106N/m2程度の引っ張り応力が内部において生じ、スパッタリングによって形成されたMo膜には107〜108N/m2程度の引っ張り応力が内部において生じている。
【0030】
よって、Moを用いた金属膜5の側に、陰極4に対して相対的に引っ張り応力が生じている。また、金属膜5の材料として用いられているMoの熱膨張率は陰極4の材料として用いられているAlの1/4以下である。従って、高温になっても、金属膜5の側の引っ張り応力が維持される。
【0031】
図2に示す有機EL素子において爆裂が生じ、図7(A)に示したような穴があくと、金属膜5の引っ張り応力が解除され、金属膜5には、陰極4に対して、収縮するような力が働く。この様子を図3の断面図に示す。金属膜5が収縮する方向に作用するので、図3に示すように、陰極4および金属膜5の裂けた部分は上に向かって反る。すなわち、金属膜5は、爆裂が生じた場合に爆裂部の裂け目の部分を上に反らせる反り強調層の役割を果たす。よって、従来例として図5に示したような下に向かって反る部分が発生しづらくなっている。その結果、陰極4と陽極2との短絡を生じづらくすることができる。
【0032】
このように、陰極4の上に、陰極4に対して引っ張り応力が生じている金属膜5を積層することによって、層間短絡の発生を効果的に防止することができる。さらに、本実施の形態では、陰極4に金属膜5を積層することによって、実質的に陰極として作用する部分の抵抗値を下げることができる。
【0033】
なお、本実施の形態では、陰極4としてAlを蒸着によって形成し、陰極4の上に積層される金属膜5としてMoをスパッタリングによって形成したが、陰極4および金属膜5の材料はAlおよびMoに限られず、また、形成方法も蒸着およびスパッタリングに限られない。陰極4に対して引っ張り応力が生じている金属膜5を形成できるのであれば、他の材料や他の形成方法を用いてもよい。
【0034】
また、本実施の形態では、熱膨張率が陰極4の材料として用いられているAlの1/4以下であるMoを金属膜5の材料として用いたが、高温になっても金属膜5の側の引っ張り応力が十分維持される程度、例えば金属膜5の熱膨張率が陰極4の熱膨張率の1/2以下の程度であれば、陰極4および金属膜5の材料の組み合わせとして、他の組み合わせを用いてもよい。
【0035】
例えば、陰極4の材料として少なくともAlを80%含む合金を用いたり、金属膜5の材料として少なくともMoを70%含む合金(例えばMo−ニオブ(Nb))を用いてもよい。さらに、例えば、陰極4としてAlを蒸着によって形成し、金属膜5としてAlやAlと他の金属との合金をスパッタリングによって形成してもよい。
【0036】
また、陰極4に対して引っ張り応力が生じている金属膜5を形成できるのであれば、陰極4と金属膜5とを蒸着によって形成してもよい。
【0037】
ただし、金属膜5の陰極4に対する引っ張り応力が大きすぎると、陰極4が有機EL薄膜3から剥離する原因ともなるので、陰極4の内部に生じている応力と金属膜5の内部に生じている応力との差が大きすぎることは好ましいことではない。
【0038】
また、本発明の第2の態様として、上部電極であるAlを多層構造とし、陰極の反有機EL薄膜側の層と、陰極の有機EL薄膜側の層とを成膜条件を変え、陰極の反有機EL薄膜側の層が陰極の有機EL薄膜側の層に比して収縮するように形成する。このような構成によって、陰極は爆裂時に反有機EL薄膜側に反り、短絡を発生、拡大を抑制することができる。
【0039】
さらに、本発明の第3の態様として、上部電極であるAlの上に、その電極と同一形状とされた前記上部電極に対し相対的に収縮する収縮膜を積層する。このように、上部電極に収縮膜を積層することで、上部電極の反りを反有機EL薄膜側に規制することができる。なお、この収縮膜としてSiO2、TiO2等の金属酸化物を例示することができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明では、有機ELディスプレイにおける上部電極の上に、上部電極に対して引っ張り応力を有する金属膜を積層するので、爆裂が生じた場合に爆裂によって裂けた部分を上に反らせることができ、層間短絡の発生を防止することができる。
【0041】
また、有機EL薄膜の上に金属を蒸着することによって上部電極を形成し、上部電極の上にスパッタリングによって金属膜を積層することによって、上部電極に対して相対的に引っ張り応力を有する金属層を形成することができ、層間短絡の発生を確実に防止することができる。
【0042】
さらに、上部電極の上面を、上部電極の下面に対し相対的に収縮するように形成することで、爆裂が生じた場合に爆裂によって裂けた部分を上に反らせることができ、層間短絡の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機EL素子の一形態を示す断面図。
【図2】図1に示す有機EL素子の補助配線の部分以外の部分を模式的に示す断面図。
【図3】爆裂が生じた場合の爆裂部の様子を示す断面図。
【図4】従来の有機EL素子を示す断面図。
【図5】爆裂が生じた場合の従来の爆裂部の様子を示す断面図。
【図6】爆裂発生後に発熱によって層間短絡が進行する様子を示す断面図。
【図7】爆裂部のSEM像の例を示す説明図。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 陽極
3 有機EL薄膜
4 陰極
5 金属層
6 封止部
7 封止空間
8 補助電極
Claims (8)
- 基板上に設けられた下部電極と上部電極との間に発光層を含む有機EL薄膜が挟持された構造の有機ELディスプレイにおいて、
前記上部電極に、前記上部電極に対して引っ張り応力を有する金属膜が積層されているを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 金属膜の熱膨張率は、上部電極の熱膨張率の1/2以下である請求項1記載の有機ELディスプレイ。
- 基板上に下部電極を形成し、
前記下部電極の上に発光層を含む有機EL薄膜を形成し、
前記有機EL薄膜の上に上部電極を形成する有機ELディスプレイの製造方法において、
前記上部電極の上に、前記上部電極に対して引っ張り応力を有する金属膜を積層する
ことを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。 - 有機EL薄膜の上に金属を蒸着することによって上部電極を形成し、
前記上部電極の上にスパッタリングによって金属膜を積層する
請求項3記載の有機ELディスプレイの製造方法。 - 上部電極の材質としてアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金を用い、
金属膜の材質としてモリブデンまたはモリブデンを含む合金を用いる
請求項4記載の有機ELディスプレイの製造方法。 - 基板上に設けられた下部電極と上部電極との間に発光層を含む有機EL薄膜が挟持された構造の有機ELディスプレイにおいて、
前記上部電極の上面が、上部電極の下面に対し相対的に収縮するように形成されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 前記上部電極が多層構造である請求項6記載の有機ELディスプレイ。
- 前記上部電極の上面に、前記上部電極に対し相対的に収縮する収縮膜が積層され、前記収縮膜の形状が前記上部電極の形状と同じである請求項6記載の有機ELディスプレイ。
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