TWI355213B - Display device and method for manufacturing the sa - Google Patents

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1355213 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案享有於2006年10月12日所提交之韓國專利申 請第10-2 006-000099393號的優先權，且在此將該案引入本 文作爲參考。 本發明之實施例係關於一種顯示裝置和/或一種顯示裝 置之製造方法。更具體地說，本發明之實施例係關於一種 顯示裝置和/或一種顯示裝置之製造方法，其可防止電流自 陰極電極洩漏和/或減低該陰極電極的電阻。 【先前技術】 各種類型的平面顯示裝置已發展成重量輕、體積小，沒 有陰極射線管（CRT)的缺點。這些平面顯示裝置包括液晶顯 示裝置（LCD)、場發射顯示裝置（FED)、電漿顯示面板（PDP) 以及電致發光（EL)顯示裝置。 【發明內容】 以下，將結合附圖對本發明的實施例作詳細敍述》在以 下實施例中，一種有機電致發光裝置提供作爲一種發光裝 置的例子。然而，本發明的實施例並不限於一種有機電致 發光裝置： 第1圖係爲依據一配置實施例的顯示裝置之方塊圖。也 可提供其他配置，例如，在美國專利申請第1 0/85 8,3 87號（公 開第 2004-222749 號）、第 1 1 /85 8,3 87 號（公開第 2004-222749 號）、第11/318,515號（公開第2006- 146827號）以及第 11-289,644號（公開第2006-119256號）等，本文結合其所有揭 1355213 示之內容作爲參考。一種顯示裝置可用在或構成一種電子 圖書、報紙、雜誌等等的剛性或軟性顯示裝置。該顯示裝 置還可用在不同類型的可攜式裝置（例如，手機、MP3播放 器、筆記型電腦等等）' 音響應用 '導航應用、電視機、顯 示器、或其他類型使用可作爲顯示用之裝置，不管單色或 彩色。 第1圖所示爲該顯示裝置，其包括一面板10，一資料驅 動裝置20，一掃瞄驅動裝置3 0以及一控制裝置40。該面板 10還包括在資料線（DL1至DLm)與掃瞄線（SL1至SLn)的交叉 區所形成之複數個像素50。 該掃瞄驅動裝置30將掃瞄信號按順序發送到掃瞄線 (SL1至SLn)。資料驅動裝置20將資料信號按順序發送到資 料線（DL1至DLm)。該資料驅動裝置20係使用脈衝調幅方法 (PAM)或脈衝調寬方法（PWM)，例如，將該資料信號施加到 該資料線（DL1至DLm)。例如，第2圖爲一計時圖，其表示 由該掃瞄驅動裝置3 0將掃瞄信號施加到該掃瞄線，以及由 該資料驅動裝置20將資料信號施加到該資料線之實例。 第3圖係爲表示一種使用脈衝調幅方法（P AM)以驅動面 板10之方法的計時圖。該資料驅動裝置20通過使用PAM法 將資料信號（即，對應於該數位視訊資料的資料流）施加到 該資料線（DL1至DLm)。在PAM法中，該像素的灰階與該資 料流的幅度成正比。在該資料流中，具有高邏輯値的時間 爲常數而與對應於數位視訊資料的灰階無關》在美國專利 申請11/3 18,515(公開專利申請第2006- 1 46827號）中揭示了 -6- 1355213 類似的驅動方法，本說明書在此將之倂入作爲參考。 第4圖係爲表示一種使用脈衝調寬方法（PWM)驅動面板 10之方法的計時圖。該資料驅動裝置20通過使用PWM法將 資料信號（即，對應於該數位視訊資料的資料流）施加到該 資料線（DL1至DLm)。在PWM法中，該像素的灰階與在該資 料流中具有高邏輯値的時間成正比。該資料流的幅度爲常 數而與對應之數位視訊資料的灰階無關。在美國專利申請 11/318,5 15(公開專利申請第2006- 1 46827號）中揭示了類似 驅動方法，本說明書在此將之倂入作爲參考。 該資料驅動裝置20使用一種PAM流產生電路和/或一種 PWM流產生電路驅動該面板10，取決於由控制裝置40探測 到的影像信號的灰階位準。當具有相對地高灰階位準的影 像信號將被顯示時，可用該P AM法使耗電量減至最小。當 具有相對地低灰階位準的影像信號將被顯示時，可用該 PWM法確保維持優良影像畫質。也可以使用其他方法。 第5圖係爲表示依據一配置實施例之面板。也可提供其 他配置諸如，例如，美國專利第6,897,471號所述等等，本 說明書在此將之倂入作爲參考。更具體地說，第5圖所示爲 對應於第1圖所示的面板10的平面顯示裝置70。該平面顯示 裝置7 0包括含有複數個像素72之單元塊71 (例如，發光區）、 陽電極層（或陽電極或資料電極）74、陰電極層（或陰電極或 掃瞄電極）76以及壁78。該次像素72係形成於陽電極層74與 陰電極層76的交叉區中。 1355213 負電 而使 層74 。例 則與 面板 取之 圖。 的電 對應 成的 在該 層74 8 2以 電洞 過接 陽電極層74可作爲陽電極，及陰電極層76可作爲 極。壁78係由一種絕緣材料構成以分開陰電極層76, 得陰電極層76不會短路。 資料線DL1、DL2…DLm均爲導電體，其與陽電極 耦合。掃瞄線（未表示於第5圖中）可與陰電極層7 6耦合 如’第一掃瞄線與奇數陰電極層連接，而第二掃瞄線 偶數陰電極層連接。 第6圖及第7圖均爲根據一配置實施例的電致發光 的側視圖。更具體地說，第6圖爲沿第5圖中線Ι-Γ截 截面圖，以及第7圖爲沿第5圖中線ΙΙ-ΙΓ截取之截面 也可使用其他配置。 第6圖所示爲一種基板80，其具有依次在其上構成 極層74及發光層（或多層）82。每一發光層82包括一種由 於紅光、綠光或藍光，或其組合的有機或無機材料製 發光層。 絕緣層84(或多層）係可形成於基板80區上，而不是 發光區及接觸電洞部88。該絕緣層84可防止在陽電極 之間發生短路。掃瞄線90係可連接到接觸電洞部8 8。 可以在基板80上沿陽電極層74、絕緣層84、發光層 及掃瞄線90以形成金屬層92»該金屬層9 2係通過接觸 部88以連接到掃瞄線90。陰電極層76(第6圖未示）係通 觸電洞部88以連接到掃瞄線90。 第7圖所示爲該陽電極層74、發光層82以及陰電極層76 係按順序形成在基板80上。另外，該絕緣層84及壁78係按 1355213 順序形成在陽電極層74上。 第8圖所示爲根據一配置實施例的發光裝置的細節（例 如，有機電致發光裝置）。也可提供其他配置諸如，例如， 美國專利第6,5 79,629號、第6,614,176號和第6,803，123號以 及美國專利申請第1 1 /1 02,358號（專利公開第226767號）中， 等等，本說明書在此將之併入作爲參考。第8圖所示的多層 係對應於第6-7圖所示的發光層82。更具體地說，該裝置包 括形成於陽電極74上之電洞射出層（HIL)92，在該HIL92上 形成之電洞運送層（HTL)94，在該HTL94上形成之有機電致 發光層95，在該HTL94上形成之電子運送層（ETL)96以及在 該ETL96上形成之電子射出層（EIL)98。該陰電極層76係可 形成於ETL96上。依據採用的特定裝置構造，一或多層HIL、 HTL、ETL以及EIL可以略去。再者，可使用無機電致發光 裝置。 更進一步，依據陰電極所用之材料，陽電極及/或基板， 電致發光裝置係可發射光通過透明陰極，或通過透明陽極 及基板，或通過兩者（也就是雙向的）。 【實施方式】 以下，將結合第9-14圖對本發明的配置及實施例作出更 詳細說明。 第9圖係爲表示根據一配置實施例的有機電致發光裝置 的像素電路部份之平面圖。第10圖爲沿第9圖中線A_A截取 的截面圖。第9-10圖槪括地顯示有機電致發光裝置的構 造。也可使用其他配置。 1355213 有機電致發光裝置包括配置在基板101上之陽極電極 102、在該陽極電極102上形成之有機電致發光發光層103以 及在該有機電致發光發光層103上形成之陰極電極104。陽 極電極102可爲ITO層（或者是一種軟性透明層）。該陰極電 極104可爲主要由鋁製造之金屬層。 每一陰極電極104(包括該有機電致發光發光層103)係藉 由壁105而與鄰近的陰極電極（多電極）分隔。第10圖亦顯示 絕緣層102a及在形成陰極電極104的過程中，在壁105上形 成之金屬層104a。 在基板101上形成具有第9-10圖所示構造之複數個像素 線路部之後，各別的獨立有機電致發光裝置的形成係可藉 由金屬接線方法（至陽極電極102及陰極電極104)，蓋附著方 法以及在每一像素線路部中的劃割方法而製成。 第11圖爲根據一配置實施例之陰極電極104及其下方構 造的部份放大截面圖。還可使用其他配置。該下方構造包 括基板101及陽極電極102。配置在有機電致發光發光層103 上之陰極電極104係由金屬製成，諸如鋁。該陰極電極104 可稱之爲“金屬電極”。 在所述有機電致發光發光層103的製造方法中，導電微 粒（或多微粒）1 08會因爲一個原因而產生。例如，由於存在 於處理室中的雜質微粒，導電微粒108會因而產生。該微粒 108可存在於有機電致發光發光層103中。此外，在製造該 金屬層之後，微粒108可存在於有機電致發光發光層103上 所形成之金屬電極104中。 -10- 1355213 如第11圖所示，該導電微粒（或多微粒）1〇8配置在該陽極 電極102之上，該有機電致發光發光層1〇3及該金屬電極1〇4 可防止漏電。雖然不應該有電流通過，但是可施加一反電 壓。然而，如果該導電微粒108存在的話，由於該導電微粒 108，該電流會便通過金屬電極丨04、有機電致發光發光層 103以及陽極電極102。 第12圖係爲表不根據本發明的一實例的有機電致發光 裝置結構之截面圖。第13A圖及第13B圖係爲表示根據本發 明的一具體實施例的陰極電極的製造方法（按順序）的局部 放大圖。其他實施例及構造也在本發明的保護範圍內。以 下，該陰極電極140可稱之爲“金屬電極”。 如第13A圖所示，陽極電極120及有機電致發光發光層 130係可形成於基板110上。在有機電致發光發光層130的製 造過程中，諸如因爲在處理室中的雜質微粒，導電微粒150 便會產生。還可因爲其他原因而提供該導電微粒150。該導 電微粒150係可存在於有機電致發光發光層130中。以下， 該有機電致發光發光層可稱之爲有機EL層130。 該有機電致發光裝置的製造過程中，很難確定該導電微 粒15 0是否存在於該構造中。而且其亦很難防止該導電微粒 150在製造過程中產生。 本發明的一典型實施例可解決當有導電微粒存在於構 造中的一個問題或者多個問題（與該導電微粒實際存在無 關）。 第13A圖所示爲透過在真空室中金屬層之製程以形成在 -11- 1355213 有機EL層130上之第一金屬層141(即，較低金屬層或者第一 導電層）。 當覆蓋有機EL層130及在有機EL層130上的導電微粒150 時，第一金屬層141可透過一種熱化學蒸汽沈澱方法或者一 種E-光束沈澱方法構成。也可使用其他所述第一金屬層141 的製造方法。 該基板110可加入到一反應腔室中以進行第一氧化過 程。進行該第一氧化過程的反應腔室包含容積在85 %到98% 範圍內的惰性氣體及容積在2%到15 %範圍內的氧氣（00。例 如，該惰性氣體可以是氬、氮或其混合物。 一旦進行氧化過程，（例如，維持20分鐘）及/或在該氧化 過程期間，氧氣可構成第一金屬層141之金屬材料反應，而 第一金屬層形成於導電微粒150周圍。氧化物層151(或者其 他類型的絕緣層）在第一金屬層141對應於該導電微粒150 的部份141 a上形成。該氧化物層151可鄰近第一金屬層141。 現在將對該氧化反應作出說明。在有機EL層130上形成 的第一金屬層141中，由於在沒有導電微粒150的區上形成 的一部份厚及該表面平坦（或基本上平坦），因此第一金屬 層141的那部份便不會與氧氣有化學反應》 如果處理時間延長及包含在該反應腔室中的整體化學 反應氣體中的氧氣比率（即，容積在2 %到15 %範圍內）高，第 一金屬層141便與氧產生化學反應以在表面上形成該氧化 物層。然而，在本發明的一典型實施例中，條件被控制在 〇2的容積在2%到15%範圍內及大約20分鐘處理時間之下以 -12- 1355213 達到不在該第一金屬層141上形成該氧化物層。 另一方面，因爲導電微粒150的表面並不均勻，所以在 導電微粒150上形成的第一金屬層141的部份141a會有不規 則構造及形狀。更具體地說，因爲導電微粒15 0的不規則形 狀，微縫149可在該具有不規則形狀的導電微粒150上形成 的第一金屬層141的部份141a上或者鄰近該的導電微粒150 的一區上產生。 氧氣會穿過對應於導電微粒150的第一金屬層141的部 份141a上形成的微縫149滲透到該導電微粒150。滲透的氧 氣沿著導電微粒150的不規則表面與第一金屬層141之間的 界面（即爲微細空間）流動。氧氣與形成對應於所述導電微 粒150的第一金屬層141的金屬材料產生化學反應。 由於形成第一金屬層141的金屬材料與氧氣產生化學反 應，該氧化物層151在與該導電微粒150接觸的第一金屬層 141表面上形成。該氧化物層151位於該導電微粒150與該第 —金屬層141之間的界面上。氧化物層151的寬度（即，尺寸） 小於該第一金屬層141的寬度。 如果在氧氣比大於容積15 %，並持續20分鐘或更長的條 件下，在該反應腔室中進行氧化過程，該氧便會與形成該 第一金屬層141的金屬材料產生化學反應。該氧化物層151 在該第一金屬層141的一區上形成，其上並沒有該微粒 150。在以上的條件之下，氧氣可通過不同路徑滲透到該有 機EL層130及氧化該有機EL層130。 由於該第一金屬層141連同其他在該第一金屬層141上 -13- 1355213 疊起的金屬層有陰極電極的功能，因此，如果氧化物層151 在第一金屬層141上形成，該氧化物層151便對電極的功能 有重要的影響。 另一方面，如果在氧氣比小於容積2%，並持續短過20 分鐘的條件下，在該反應腔室中進行氧化過程，該氧化物 層151便不會在第一金屬層141的平滑表面上形成或者形成 —層厚氧化物層，其不會影響該第一金屬層141的導電功 能。然而，具有足夠厚度的氧化物層151並不會在導電微粒 150與第一金屬層141之間的界面上形成，同時，該氧化物 層151不能防止漏電。再者，在以上的條件之下，氧化過程 可進行一段長時間（例如，超過20分鐘）以獲得具有足夠厚 度的氧化物層。 爲了在導電微粒150與第一金屬層141之間的界面上之 氧化物層151的製造過程中獲得最佳效果，該第一金屬層 1 4 1可滿足條件。 第一金屬層141的形成材料可以爲一種（或多種）自由 鋁、錳、鎂 '鈣及其合金組成的組，其能與在氧化過程中 作爲一種反應氣體的氧發生化學反應。因此，在該導電微 粒150與該第一金屬層141之間的界面上形成的氧化物層 151可以爲氧化錦（Ah〇3)、氧化猛（ΜηΟχ)、氧化錶（MgOx)或 者氧化鈣（Ca〇x)»在本發明的領域內還可有其他氧化物層。 該第一金屬層141的厚度在lnm到100nm的幅度內。如另 一例子，該第一金屬層141的厚度在60nm到70nm的幅度內。 這揭示的領域內還有其他的厚度和幅度。 -14- 1355213 如果該第一金屬層141的厚度爲小於lnm，在該氧化過程 中，氧氣便會穿過第一金屬層141及滲透到有機EL層130。 氧氣會損壞有機EL層130。 另一方面，如果第一金屬層141的厚度爲大於100nm，氧 氣便不會穿過第一金屬層141或者到達導電微粒150。結果 是，氧化物層151便不會在接觸到導電微粒150之第一金屬 層141的表面上形成。 以上所述氧化過程的條件（即，氧氣比率在容積2%到15% 的範圍內以及20分鐘的過程時間）只是作爲一個例子。本發 明的實施例並不限於此。例如，如果在進行氧化過程的反 應腔室中的氧氣比率爲大於容積1 5 %，該氧化過程時間則會 短過20分鐘。另一方面，如果該反應腔室中的氧氣比率爲 小於容積2%，該氧化過程時間則會長過20分鐘。本發明的 實施例包括其他比率及時間。 因此，該氧化過程條件從不同範圍中，考慮到諸如氧化 反應在其上產生的金屬層材料，進行氧化過程的反應腔室 中的氧氣容積率，處理時間，及/或氧化物層的形成比例 (即，厚度）來選擇。 如第13B圖所示，在進行氧化過程之後，形成下金屬層 的第二金屬層142 (即，上金屬層或者第二導電層）會在第一 金屬層1 4 1上形成。 如果導電微粒150的尺寸比較小以及該第一金屬層141 完全蓋住（或基本上蓋住）整個導電微粒150的表面，在該第 —金屬層141上形成該第二金屬層142之後，該氧化過程則 -15- 1355213 不會進行。 在該導電微粒150周圍部份形成的氧化物層151之厚度 可利用第一氧化過程的處理條件來計算或決定。該處理條 件包括氧氣容積率、處理時間、構成具有氧氣的第一金屬 層141之材料反應度，等等。 該氧化物層151的厚度可通過量取在相同條件或類似條 件的第一氧化過程中產生到另一裝置的漏電流來計算。當 與未包括氧化過程的裝置比較時，如果包括氧化過程的裝 置的漏電流明顯地低，在裝置中藉由導電微粒1 50產生的漏 電流則通過第一氧化過程而顯著地降低。 如果藉由該導電微粒150產生的漏電流通過在第一氧化 過程中，在導電微粒150與該第一金屬層141之間的界面上 的氧化物層1 5 1顯著地降低，則可進行第三金層的製造過程 而無須執行第二氧化過程。 因此，由於在該第一金屬層141與該導電微粒150與之間 的界面上之氧化物層151，該導電微粒15 0與該第一金屬層 141之間便產生電絕緣以及藉由該導電微粒150的漏電流便 不會產生（或給減少）。再者，該金屬電極140(包括多金屬層 14 1和142)具有相對地大的厚度。因此，該金屬電極140的 電阻便減低。 如以上所述，在氧化過程中，讓氧氣滲透的第一金屬層 141的厚度應該受到限制（約1到lOOnm)。然而，爲了電阻達 到最低以及維持該金屬電極作爲電極的功能，該金屬電極 140必須具有某厚度。如第13B圖所示，因爲，與第一金屬 -16- 1355213 層141的限制厚度比較，第二金屬層142具有之厚度與該第 —金屬層141的相同或較厚，以致於包含第一金屬層141及 第二金屬層142的金屬電極140能自然地執行該電極功能及 具有低電阻値。 另一方面，構成所述金屬電極140的第一及第二金屬層 141及142可由相同或類似金屬材料製成（例如，鋁、鎂、鈣 或其合金）。該第一及第二金屬層141及142還可由不同金屬 材料製成 如果該第一及第二金屬層141及142分別由不同金屬材 料製成，該第一及第二金屬層141及142的形成次序（gp，層 疊）則通過每一金屬材料的功函數來決定。 功函數係爲表示在絕對零度下，以電子伏特（eV)單位表 示用來釋放電子所須的能量的詞彙。諸如熱和光之類的能 量可施加到電子以達到將該電子自表面釋放到外界。 功函數係視金屬種類而定。例如，鈉、鋇、金、鉑及鎢 的功函數分別爲 2.28 eV、2.51 eV、4090 eV、5,32 eV 及 4.52 eV»因此，釋放電子的第一及第二金屬層141及142的配置 可在考慮到形成金屬層的金屬材料之功函數之後才決定。 如以上所述，另一方面，在製造第一金屬層141之後進 行的氧化過程中，氧化物層141b能在第一金屬層141的表面 上部份形成。在該第一金屬層141表面上形成的氧化物層 141b能起一絕緣層的作用以防止在第一金屬層141與形成 金屬電極的第二金屬層142之間有電流通過。 因此，該氧化物層141最好是不在該第一金屬層141上形 -17- 1355213 成或者該氧化物層141b具有最小表面積。例如，該氧化物 層141b以與鄰近氧化物層141b之間的距離爲lnm或更大的 形式來形成，因此不能防止在該第一金屬層141與該第二金 屬層142之間有電流通過以及該金屬電極140能正常地執行 其功能。 這裡，通過控制所述氧化過程的條件（氧氣容積率及處 理時間），與鄰近對應有以上條件的氧化物層14 lb之間的距 離便能得到。 另一方面，根據本發明之顯示裝置的製造方法（即，金 屬電極的製造方法）還可包括在形成該氧化物層之後，施加 一反偏壓的步驟。 在形成該氧化物層之後，在反應腔室中有大量用來製造 該氧化物層的氧氣。在此條件之下，如果施加一反偏壓到 該裝置，對應於該導電微粒150的第一金屬層141的微縫149 便會擴大，因此在反應腔室中的氧氣便會通過該擴大微縫 149額外地流入該導電微粒150與第一金屬層141之間的空 間。隨後，除已在該第一金屬層141上形成的氧化物層151 以外，具有足夠厚度的氧化物層也會額外地形成。 在以上說明中，雖然在該第一金屬層141上形成該氧化 物層之後，才執行施加反偏壓的步驟，但是在該氧化物層 的製造過程中也能施加該反偏壓以得到相同的效果。 第14A-14C圖所示爲陰極電極的製造方法（按順序）之局 部放大圖，其中微粒並沒有完全被根據本發明具體實施例 之第一金屬層蓋住。其他構造及實施例也在本發明的保護 -18- 1355213 範圍之內。 如果所述導電微粒250的尺寸相對地大，具有以上所述 範圍內（即，自lnm到100nm)厚度的第一金屬層241(或者第 一導電層）便形成。然而，該第一金屬層241不能完全蓋住 導電微粒25 0及其一部份會露出第一金屬層241的外邊。 通過該第一氧化過程製成（如以上參照第13A圖所述）之 氧化物層251 (或絕緣層）可在第一金屬層241與導電微粒250 之間的界面上形成。然而，該氧化物層251不會在露出第一 金屬層241外邊之導電微粒250的表面上形成。氧化物層251 之寬度（即，尺寸）會小於第一金屬層241之寬度。 如第14B圖所示，在該第一金屬層241上形成的第二金屬 層242 (或第二導電層）會與導電微粒250的外露部份接觸。在 該裝置中通過第一氧化過程的漏電流與在另一裝置中不通 過氧化過程的漏電流並無太大差異。 雖然，當在第一金屬層241上形成的第二金屬層242接觸 到導電微粒250的外露部份時，該第一氧化過程便會進行’ 但是漏電還會通過導電微粒25 0產生。因此’第二氧化過程 便可執行。 如第1 4 B圖所示，在進行第一氧化過程之後’形成下金 屬層的第二金屬層242可通過該金屬層製造方法在第一金 屬層241上形成。 由於導電微粒250的尺寸可能大’裂縫249便會在對應於 導電微粒250的第二金屬層242的部份242a上形成。 在形成第二金屬層242的製程之後’第二氧化過程便在 -19- 1355213 充滿氧氣的反應腔室中進行。該氧氣便會穿過對應於導電 微粒250的第二金屬層242的部份242a的裂縫249。 氧氣到達該導電微粒250後，便與形成鄰近該導電微粒 250的第二金屬層242的金屬材料產生化學反應，以致在該 第二金屬層242的表面上形成氧化物層252(或絕緣層）。氧化 物層252形成於第二金屬層242與導電微粒250之間的界面 上。氧化物層2 5 2之寬度爲小於第二金屬層242之寬度。 如第13B圖所示，第三金屬層243(即是上金屬層）或者第 三導電層可通過金屬層製造方法在第二金屬層242上形 成。因此，一多層金屬電極240可在該有機EL層230上形成。 該多層金屬電極240包括該第一及第二金屬層241及242(作 爲該下金屬層）及該第三金屬層243(作爲該上金屬層）。 在與第一及第二氧化過程相同條件之下，在氧氣反應腔 室中可進行第三氧化過程。另一方面，在該第一及第二氧 化過程中，漏電流明顯地減少或者在該裝置中完全沒有產 生，則不用進行第三氧化過程。 在通過以上方法形成之多層金屬電極240 (如第14C圖所 示）中有導電微粒250。然而，氧氣可穿過第一及第二金屬 層24 1及24 2，並與形成在第一及第二氧化過程中對應於該 導電微粒250的第一及第二金屬層241及242之金屬材料產 生化學反應。 因此，由於氧化物層251在第一金屬層241與導電微粒250 之間的界面上及該氧化物層251在該第二金屬層24 2與該導 電微粒250之間的界面上，所以導電微粒250與第一及第二 -20- 1355213 金屬層241及24 2完全電絕緣。因此，由導電微粒250引起的 漏電流便不會產生及/或可大大地減少。 在至少一實施例中，該氧化過程可通過在製造第一金屬 層241作爲下金屬層之後的第一氧化過程以及在製造第二 金屬層242之後的第二氧化過程作爲示範。然而，在製造包 括第一及第二金屬層24 1及242之下金屬層之後，可進行氧 化過程。 該金屬層製造方法可重複地進行（即，至少2次）以形成具 有多層構造的陰極（金屬）電極，因而使到該陰極電極更 厚。結果，本發明的實施例可減低所述陰極電極的電阻値。 另外，由於該氧化過程是在製成該金屬層之後進行，因 此該氧化物層可在該導電微粒250周圍構成（即，在該導電 微粒與該金屬層之間的界面上）以防止和/或減少藉由該導 電微粒引致的漏電流》 如以上所述，在該氧化過程中氧氣滲透到下金屬層的厚 度（即，第一金屬層241及第二金屬層242)應該受到限制。然 而’爲了使電阻値達到最小及維持金屬電極之電極功能， 該金屬電極240必須具有某厚度。因此，如第14C圖所示， 與下金屬層的限制厚度（第一金屬層241及第二金屬層2 4 2) 比較’第三金屬層24 3(上金屬層）具有之厚度，其與下金屬 層之厚度相同或較厚，以致於包含第一、第二及第三金屬 層241、242及243的金屬電極240能正常地執行所述電極的 功能及具有低電阻値。 另一方面，關於在每一個第一金屬層241上形成的鄰近 -21- 1355213 氧化物層與該第二金屬氧化物層242之間的距離，以及在製 成該氧化物層後或者氧化物層的製造過程中，其反偏壓的 施加步驟的條件爲與參考第13A圖及第13B圖的上述說明 中，關於在鄰近氧化物層之間的距離以及所述反偏壓的施 加步驟之條件相同。 第15A-15E圖係表示根據本發明之具體實施例之陰極電 極的製造方法。其他實施例及構造亦落入本發明的範圍 中。更具體地說，在沒有導電微粒的情況之下，如第15A 圖所示，第一金屬層241係可形成於有機EL層230上。第15 B 圖係表示鄰近第一金屬層24 1(或之上）形成之氧化物層 241b。第15C圖係表示在第一金屬層241及氧化物層241b上 形成之第二金屬層242。 另外’第15D圖係表示鄰近第二金屬層242(或之上）形成 之氧化物層242b。第15E圖係表示第二金屬層242及氧化物 層242b上形成之第三金屬層243。 本發明的實施例供應一種顯示裝置，其中金屬電極以多 金屬層的構造製成以防止（或減少）漏電流產生，以及減低 該金屬電極的電阻値。當實施例參照三重金屬層作出說明 時，本發明的領域還有其他數目的金屬層（或導電層）。 本發明的實施例供應一種顯示裝置的製造方法，其特徵 在於，在金屬電極製造方法中存在的導電微粒的周邊形成 氧化物層。氧化物層與形成金屬電極的金屬層之間電絕緣 及防止（或減少）產生由在顯示裝置中之導電微粒所引起的 漏電流。氧化物層局部地蓋住該有機以層，以致於在沒有 -22- 1355213 被氧化物層蓋住的至少一區中有機EL層與金屬電極互相接

Am 觸。 當本發明的實施例參照導電微粒作出以上說明時，在該 顯不裝置中’還可供應其他類型的微粒和/或材料。本發明 的實施例還適用到在顯示裝置中供應的其他類型的微粒和 /或材料。 在不同實施例中揭示的電致發光裝置可用在或構成— 種電子圖書 '報紙、雜誌、不同類型的可攜式裝置，例如， 手機、MP3播放器、筆記型電腦等等、汽車音響應用、汽 車導航應用、電視機、顯示裝置、或其他類型裝置的軟性 顯示裝置。 在本說明書中’任何參照“一種實施例"、“實施 例、“具體實施例"，等等，均表示一種特定特徵、構 造、或者結合所述實施例該特性被包括在本發明的至少— 實施例中。在本說明書中不同地方出現的這樣一些用詞並 不需全部參考相同的實施例。另外，當一種特定特徵、構 造、或者特性結合任何一實施例敍述時，應認爲，在本領 域技術人員的知識範圍內可結合其他一些實施例實施這樣 的特徵、構造、或者特性。 雖然本文已敍述了 一些示範性實施例，但是應該明白 到’本領域技術人員可以作出許多其他改型及具體實施方 式’而這些仍將落入本發明的精神及原則範圍之中。更具 體地說，在本發明所揭示之附圖以及申請專利範圔內可能 對本組合配置中的零部件和/或結構作出各種變型及改 -23- 1355213 型。除了零部件和/或結構中變型及改型以外，可供選擇的 用途對本領域技術人員也是顯而易見的。 【圖式簡單說明】 第1圖 係爲依據一配置實施例的顯示裝置之方塊圖。 第2圖 係爲表示一配置實施例的掃瞄信號施加到掃瞄線 實例之計時圖。 第3圖 係爲表示一種使用脈衝調幅方法（PAM)以驅動面板 之方法的計時圖。 第4圖 係爲表示一種使用脈衝調寬方法（PWM)驅動面板 之方法的計時圖。 第5圖 係爲表示依據一配置實施例之面板。 第6圖 係爲表示根據一配置實施例之面板側視圖。 第7圖 係爲表示根據一配置實施例之面板側視圖。 第8圖 係爲表示根據一配置實施例之有機電致發光（EL) 裝置。 第9圖 係爲表示根據一配置實施例的有機電致發光裝置 的像素電路部份之平面圖》 第10圖係爲表示沿第9圖中線A-A的截面圖。 第11圖係爲表示根據一配置實施例的陰極電極及其結構 之局部放大截面圖。 第12圖係爲表示根據本發明的一實例的有機電致發光裝 置結構之截面圖。 第13A圖及第13B圖 係爲表示根據本發明的一具體實 施例的陰極電極的製造方法（按順序）的局部放大圖。 -24- 1355213 第14A-14C圖係爲表示陰極電極的製造方法（按順序）的局 部放大圖，其中一微粒並非完全被根據本發明具體實施例 之第一金屬層蓋住。 第15A-15E圖 係爲表示根據本發明具體典型實施例的陰 極電極之製造方法。 【主要元件符號說明】

10 面板 20 資料驅動裝置 30 掃描驅動裝置 40 控制裝置 70 平面顯示裝置 7 1 單元塊 72 像素 74 陽電極層 76 陰電極層 78 壁 80 基板 82 發光層 84 絶緣層 88 接觸電洞部 92 金屬層 94 電洞運送層 95 有機電致發光層 96 電子運送層 -25- 1355213

98 電 子 射 出 層 90 掃 描 線 101、 110、 210 基 板 102、 120、 220 陽 極 (第— -)電極 103、 130、 230 有 機 電 致 發光發光層 104、 140、 240 陰 極 (第二 :)電極 141、 24 1 第 一 金 屬 層 14 1b 氧 化 物 層 142、 242 第 二 金 屬 層 243 第 二 金 屬 層 150、 250 導 電 虫丄 子 151 ' 25 1 氧 化 物 層

-26-

Claims (1)

1353213 —__ 1日鞭)正替換 1 第96 1 04 2 43號「顯示器裝置及其製造方法」專利案 (2011年3月9日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種電致發光裝置，其包括： 基板； 第一電極，其配置在該基板上； 發光層，其配置在該第一電極上； 第二電極’其配置於該發光層上，該第二電極係包括 該電致發光裝置的第一導電層、友在該第一導電層上之 該電致發光裝置的第二導電層：以及 至少一個第一絕緣層，其形成在該電致發光裝置的該 第一導電層之上表面上，其中該至少一個第一絕緣層包 括在該第一導電層之該上表面上之彼此分隔的複數個第 一絕緣膜，該複數個第一絕緣膜配置在該電致發光裝置 的該第一導電層與該第二導電層之間； 其中，該電致發光裝置的該第一導電層的表面的一部 分未被該至少一個第一絕緣層之該複數個第一絕緣膜覆 蓋。 2. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該至少一個 第一絕緣層與鄰近的第一絕緣層的距離爲等於或大於 1 n m ° 3. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該至少一個 第一絕緣層的寬度比該第一導電層小。 4. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該至少一個 1355213 --- 1畔M f日修(更)正替換頁 —L ______ 第一絕緣層的厚度比該第一導電層小β 5.如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，_ 層的厚度與該第一導電層的厚度相同或者比該胃 層的厚度厚。 • 6.如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中更包括形$ • 於該第二導電層之上表面上之至少一個第二絕緣層。 7.如申請專利範圍第6項之電致發光裝置，其中該至少一個 第二絕緣層包括在該電致發光裝置之該第二導電層之該 • 上表面上之彼此分隔的複數個第二絕緣膜。 8·如申請專利範圍第7項之電致發光裝置，其中該至少一個 第二絕緣層與鄰近的第二絕緣層的距離爲等於或大於 . 1 nm。 9.如申請專利範圍第7項之電致發光裝置，其中該至少一個 第二絕緣層的寬度比該第二導電層小。 10.如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該第二電極 還包括在該第二導電層上之第三導電層。 • 11.如申請專利範圍第10項之電致發光裝置，其中該第三導電 ' 層的厚度與該第一及第二導電層相同或者比該第一及第 二導電層大。 12. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置’其中該至少一個 第一絕緣層包括氧化物。 13. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置’其中該第—導電 層包括金屬層。 14. 一種製造電致發光裝置之方法，其包括： -2 - 1355213 Γ----- 日修(更)正替 在基板上形成陽極電極； 在該陽極電極上形成電致發光層·， 在該電致發光層上形成陰極電極，該陰極電極包括第 一導電層及在該第一導電層上之第二導電層；以及 ' 形成至少一個第一絕緣層，其中該至少—個第一絕緣 - 層係形成在該第一導電層之上表面上，其中該至少—個 第一絕緣層包括在該第一導電層之該上表面上之彼此 分隔的複數個第一絕緣膜，其中該複數個第一絕緣膜配 • 置在該第一導電層與該第二導電層之間；以及 其中，該第一導電層的該表面的一部分未被該至少— 個第一絕緣層之該複數個第一絕緣膜覆蓋。 • 15.如申請專利範圍第14項之方法，更包括在形成該第一導 電層之後，施加一反偏壓· 16.如申請專利範圍第14項之方法，其中形成該至少一個第 一絕緣層包括在該第一導電層上形成複數個第一絕緣 膜。 ® 17.如申請專利範圍第14項之方法，更包括在該第二導電層 ' 之上表面上形成第二絕緣層。 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中形成該第二絕緣層 包括在該第二導電層之該上表面上形成彼此分隔的複 數個第二絕緣膜。 19. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該第一導 電層的厚度比該發光層的厚度小。 20. 如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中該第二電 1355213 月？日修(更)正替換頁 ~~~·—------------ 極的厚度比該發光層的厚度大。 21.如申請專利範圍第6項之電致發光裝置，其中該至少_ 個第二絕緣層的厚度比該第二導電層的厚度小。 2 2.如申請專利範圍第6項之電致發光裝置，其中該至少一 個第二絕緣層包括氧化物。 23.如申請專利範圍第10項之電致發光裝置，其中該第二 電極的厚度比該發光層大。