JP2008085165A - エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008085165A JP2008085165A JP2006265148A JP2006265148A JP2008085165A JP 2008085165 A JP2008085165 A JP 2008085165A JP 2006265148 A JP2006265148 A JP 2006265148A JP 2006265148 A JP2006265148 A JP 2006265148A JP 2008085165 A JP2008085165 A JP 2008085165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- polysilicon film
- film
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 113
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 136
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を大きくすることができ、且つシリコン基材におけるリセスの発生を抑制することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】ラジアルラインスロットアンテナ１９を備える基板処理装置１０の処理容器１１内にウエハＷを搬入し、ウエハＷにおいて開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分をゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングし、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を６６．７Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＨｅガスを供給し、ラジアルラインスロットアンテナ１９には２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給してＨＢｒガスから発生したプラズマによってポリシリコン膜３７をエッチングして完全に除去し、露出したゲート酸化膜３６をエッチングし、レジスト膜３９及び反射防止膜３８をエッチングする。
【選択図】図５
【解決手段】ラジアルラインスロットアンテナ１９を備える基板処理装置１０の処理容器１１内にウエハＷを搬入し、ウエハＷにおいて開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分をゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングし、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を６６．７Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＨｅガスを供給し、ラジアルラインスロットアンテナ１９には２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給してＨＢｒガスから発生したプラズマによってポリシリコン膜３７をエッチングして完全に除去し、露出したゲート酸化膜３６をエッチングし、レジスト膜３９及び反射防止膜３８をエッチングする。
【選択図】図５
Description
本発明は、エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法に関し、特に、ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン層をエッチングするエッチング方法に関する。
半導体デバイスのポリシリコン（多結晶シリコン）単層のゲートを形成する場合、シリコン基材１００上に酸化珪素からなるゲート酸化膜１０１、ポリシリコン膜１０２、反射防止膜（ＢＡＲＣ膜）１０３及びレジスト膜１０４が順に形成されたウエハ（図８（Ａ））参照。）を加工する。このウエハでは、反射防止膜１０３及びレジスト膜１０４が所定のパターンに従って形成され、ポリシリコン膜１０２を露出させる開口部１０５を所定の位置に有する。
ウエハの加工工程は基板処理室としての或るチャンバにおいて実行されるメインエッチングステップ及びオーバーエッチングステップ、並びに基板処理室としての別のチャンバにおいて実行される酸化膜エッチングステップ及びアッシングステップからなる。或るチャンバにおいて実行されるメインエッチングステップではポリシリコン膜１０２を該ポリシリコン膜１０２がゲート酸化膜１０１上に僅かに残る程度までエッチングする（図８（Ｂ））。また、同チャンバにおいて実行されるオーバーエッチングステップでは残されたポリシリコン膜１０２をエッチングして完全に除去し、ゲート酸化膜１０１を露出させる（図８（Ｃ））。そして、ウエハが別のチャンバに移された後、該別のチャンバで実行される酸化膜エッチングステップではゲート酸化膜１０１をエッチングして除去し、シリコン基材１００を露出させる（図８（Ｄ））。また、同チャンバにおいて実行されるアッシングステップではレジスト膜１０４や反射防止膜１０３がエッチングされて除去される（図８（Ｅ））。なお、露出したシリコン基材１００には後にイオンがドープされる。
通常、ポリシリコン膜１０２のエッチングでは塩素系ガス及び弗素系ガスを含まない臭化水素（ＨＢｒ）系の処理ガスから発生したプラズマが用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
ところで、処理ガスに酸素ガスが混入されるとエッチングにおいてゲート酸化膜１０１に対するポリシリコン膜１０２の選択比を大きくすることができ、ゲート酸化膜１０１のエッチングを抑制することができる。したがって、通常、オーバーエッチングステップではゲート酸化膜１０１をエッチングすることがないように処理ガスに酸素ガスを混入させる。
特開平１０−１７２９５９号公報
しかしながら、ゲート酸化膜１０１は厚さが薄いため、或るチャンバにおいて実行されるオーバーエッチングステップにおいて、酸素ガスから発生した酸素プラズマがゲート酸化膜１０１を透過してシリコン基材１００に到達することがある（図８（Ｃ）））。該シリコン基材１００に到達した酸素プラズマはシリコン基材１００の一部１０７を酸化珪素に変質させる。そして、別のチャンバにおいて実行される酸化膜エッチングステップにおいて、ＨＦ系ガスから発生したプラズマがゲート酸化膜１０１だけでなく変質したシリコン基材１００の一部１０７も除去する。その結果、ゲートの両脇にはシリコン基材１００の表面から窪んだリセス１０６が発生する（図８（Ｄ））。
リセス１０６が発生すると露出したシリコン基材１００へのイオンドープの際、イオンが所望の範囲にドープされず、その結果、半導体デバイスにおいて所望の性能を得ることができなくなる。
本発明の目的は、シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を大きくすることができ、且つシリコン基材におけるリセスの発生を抑制することができるエッチング方法及び半導体デバイスの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載のエッチング方法は、シリコン基材上に少なくともシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及び開口部を有するマスク膜が順に形成された基板のエッチング方法であって、前記開口部に対応する前記ポリシリコン膜を該ポリシリコン膜の一部を残すようにエッチングする第１のエッチングステップと、前記残されたポリシリコン膜を、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングする第２のエッチングステップとを有し、前記第２のエッチングステップでは、圧力が３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする。
請求項２記載のエッチング方法は、請求項１記載のエッチング方法において、前記第２のエッチングステップでは、圧力が４０．０Ｐａ〜８０．０Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする。
請求項３記載のエッチング方法は、請求項１又は２記載のエッチング方法において、前記酸素ガスを含まない処理ガスは、臭化水素ガス及び不活性ガスの混合ガスであることを特徴とする。
請求項４記載のエッチング方法は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエッチング方法において、前記第１のエッチングステップでは、臭化水素ガス、フルオロカーボンガス又は塩素ガスから発生したプラズマを用いて前記ポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする。
請求項５記載のエッチング方法は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエッチング方法において、前記シリコン酸化膜をエッチングする第３のエッチングステップを有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項６記載の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基材上に少なくともシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及び開口部を有するマスク膜が順に形成された基板から半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、前記開口部に対応する前記ポリシリコン膜を該ポリシリコン膜の一部を残すようにエッチングする第１のエッチングステップと、前記残されたポリシリコン膜を、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングする第２のエッチングステップとを有し、前記第２のエッチングステップでは、圧力が３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする。
請求項１記載のエッチング方法及び請求項６記載の半導体デバイスの製造方法によれば、マスク膜の開口部に対応するポリシリコン膜が該ポリシリコン膜の一部を残すようにエッチングされ、該残されたポリシリコン膜が、圧力が３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａの雰囲気下で、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングされる。圧力が３３．３Ｐａ以上であるとプラズマのスパッタ力が低下するため、ポリシリコン膜のエッチレートに比べて酸化膜のエッチレートが大幅に低下する。したがって、シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を大きくすることができる。また、酸素ガスを用いないのでシリコン酸化膜下のシリコン基材が酸化することがない。その結果、リセスの発生を抑制することができる。
請求項２記載のエッチング方法によれば、圧力が４０．０Ｐａ〜８０．０Ｐａの雰囲気下で残されたポリシリコン膜がエッチングされる。圧力が４０．０Ｐａ以上であるとプラズマのスパッタ力が極端に弱くなり、シリコン酸化膜に対するポリシリコン膜の選択比を確実に大きくすることができる。その結果、シリコン酸化膜の割れ等の発生を防止することができる。
請求項３記載のエッチング方法によれば、酸素ガスを含まない処理ガスは、臭化水素ガス及び不活性ガスの混合ガスである。臭化水素ガスから発生したプラズマはポリシリコン膜を効率良くエッチングできる。したがって、スループットを向上することができる。
請求項４記載のエッチング方法によれば、第１のエッチングステップでは、臭化水素ガス、フルオロカーボンガス又は塩素ガスから発生したプラズマを用いてポリシリコン膜がエッチングされる。臭化水素ガス、フルオロカーボンガス又は塩素ガスから発生したプラズマはポリシリコン膜を効率良くエッチングできる。したがって、スループットをより向上することができる。
請求項５記載のエッチング方法によれば、シリコン酸化膜がエッチングされるので、イオンをドープさせるシリコン基材を確実に露出させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の実施の形態に係るエッチング方法を実行する基板処理装置について説明する。
図１は、本実施の形態に係るエッチング方法を実行する基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
図１において、基板処理装置１０は、略円筒形の処理容器１１と、該処理容器１１内に設けられ、後述するウエハＷを載置する略円柱状の載置台としてのサセプタ１２とを備える。サセプタ１２は静電チェック（図示しない）を有する。静電チャックはウエハＷをクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によって吸着保持する。
処理容器１１は、例えば、アルミニウムを含有するオーステナイトステンレス鋼からなり、その内壁面はアルマイトやイットリア（Ｙ２Ｏ３）の絶縁膜（図示しない）によって覆われている。また、処理容器１１の上部には、サセプタ１２に吸着保持されたウエハＷに対向するように誘電体板、例えば石英板からなるマイクロ波透過窓１３がリング部材１４を介して取り付けられている。該マイクロ波透過窓１３は円板状を呈し、後述するマイクロ波を透過させる。
マイクロ波透過窓１３の外縁部には段差部が形成され、リング部材１４の内周部にはマイクロ波透過窓１３の段差部に対応する段差部が形成される。マイクロ波透過窓１３及びリング部材１４は互いの段差部を係合させることによって接合される。マイクロ波透過窓１３の段差部及びリング部材１４の段差部の間にはＯリングであるシールリング１５が配設され、該シールリング１５はマイクロ波透過窓１３及びリング部材１４からのガスの漏れを防止して処理容器１１内の気密を保持する。
マイクロ波透過窓１３の上にはラジアルラインスロットアンテナ（Radial Line Slot Antenna）１９が配置されている。該ラジアルラインスロットアンテナ１９は、マイクロ波透過窓１３に密接する円板状のスロット板２０と、該スロット板２０を保持し且つ覆う円板状のアンテナ誘電体板２１と、スロット板２０及びアンテナ誘電体板２１の間に狭持された遅波板２２とを備える。該遅波板２２はＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４の低損失誘電体材料からなる。
ラジアルラインスロットアンテナ１９はリング部材１４を介して処理容器１１に装着されている。ラジアルラインスロットアンテナ１９及びリング部材１４の間はＯリングであるシールリング２３によって密封されている。また、ラジアルラインスロットアンテナ１９には同軸導波管２４が接続されている。同軸導波管２４は管体２４ａ及び該管体２４ａと同軸に配置されている棒状の中心導体２４ｂからなる。管体２４ａはアンテナ誘電体板２１に接続され、中心導体２４ｂはアンテナ誘電体板２１に形成された開口部を介してスロット板２０に接続されている。
また、同軸導波管２４は外部のマイクロ波源（図示しない）に接続され、周波数が２．４５ＧＨｚ又は８．３ＧＨｚのマイクロ波をラジアルラインスロットアンテナ１９に供給する。供給されたマイクロ波はアンテナ誘電体板２１及びスロット板２０の間を径方向に進行する。遅波板２２は進行するマイクロ波の波長を圧縮する。
図２は、図１におけるスロット板の平面図である。
図２において、スロット板２０は複数のスロット２５ａ及びスロット２５ａの数と同数のスロット２５ｂを有する。複数のスロット２５ａは複数の同心円状に配列され、複数のスロット２５ｂは各スロット２５ａに各スロット２５ｂが対応し且つ直交するように配置されている。スロット２５ａ及び対応するスロット２５ｂからなる一対のスロット組において、スロット２５ａ及びスロット２５ｂのスロット板２０の半径方向における配置間隔は遅波板２２によって圧縮されたマイクロ波の波長に対応する。これにより、該マイクロ波はスロット板２０から略平面波として放射される。また、スロット２５ａ及びスロット２５ｂは互いに直交するように配置されているため、スロット板２０から放射されるマイクロ波は２つの直交する偏波成分を含む円偏波を呈する。
図１に戻り、基板処理装置１０はアンテナ誘電体板２１の上に冷却ブロック体２６を備える。該冷却ブロック体２６は複数の冷却水通路２７を有する。冷却ブロック体２６は冷却水通路２７を循環する冷媒の熱交換により、マイクロ波によって加熱されるマイクロ波透過窓１３に蓄積される熱をラジアルラインスロットアンテナ１９を介して除去する。
さらに、基板処理装置１０は、処理容器１１内においてマイクロ波透過窓１３及びサセプタ１２の間に配置されている処理ガス供給部２８を備える。該処理ガス供給部２８は、例えば、マグネシウム含有アルミニウム合金やアルミニウム添加ステンレススチール等の導体からなり、サセプタ１２上のウエハＷに対向するように配置されている。
また、処理ガス供給部２８は、図３に示すように、同心円状に配置された互いに直径が異なる複数の円形パイプ部２８ａと、各円形パイプ部２８ａ同士を接続する複数の接続パイプ部２８ｂと、最外周の円形パイプ部２８ａ及び処理容器１１の側壁を接続して円形パイプ部２８ａ及び接続パイプ部２８ｂを支持する支持パイプ部２８ｃとを備える。
円形パイプ部２８ａ、接続パイプ部２８ｂ及び支持パイプ部２８ｃは断面が管状を呈し、これら内部には処理ガス拡散通路２９が形成されている。該処理ガス拡散通路２９は、各円形パイプ部２８ａの下面に設けられた複数のガス穴３０により、処理ガス供給部２８及びサセプタ１２の間の処理空間Ｓ２と連通する。また、処理ガス拡散通路２９は処理ガス導入管３１を介して他の外部処理ガス供給装置（図示しない）に接続されている。処理ガス導入管３１は処理ガス拡散通路２９に処理ガスＧ１を導入する。各ガス穴３０は処理ガス拡散通路２９に導入された処理ガスＧ１を処理空間Ｓ２に供給する。
なお、基板処理装置１０は処理ガス供給部２８を有していなくてもよい。この場合、リング部材１４がガス穴を備えて処理空間Ｓ１，Ｓ２に処理ガスを供給してもよい。
また、基板処理装置１０は、処理容器１１の下部において開口する排気ポート３２を備える。排気ポート３２は、ＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ（図示しない）を介してＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）やＤＰ（Dry Pump）（いずれも図示しない）に接続される。ＴＭＰやＤＰは処理容器１１内のガス等を排気し、ＡＰＣバルブは処理空間Ｓ１,Ｓ２の圧力を制御する。
さらに、基板処理装置１０では、サセプタ１２に高周波電源３３が整合器（Matcher）３４を介して接続されており、該高周波電源３３は高周波電力をサセプタ１２に供給する。これにより、サセプタ１２は高周波電極として機能する。また、整合器３４は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への供給効率を最大にする。高周波電源３３からの高周波電流はサセプタ１２を介して処理空間Ｓ１,Ｓ２に供給される。
なお、マイクロ波透過窓１３及び処理ガス供給部２８の間の距離Ｌ１（すなわち、処理空間Ｓ１の厚さ）は３５ｍｍであり、処理ガス供給部２８及びサセプタ１２の間の距離Ｌ２（すなわち、処理空間Ｓ２の厚さ）は１００ｍｍである。また、処理ガス供給部２８が供給する処理ガスＧ１は臭化水素（ＨＢｒ）ガス、フルオロカーボン（ＣＦ系）ガス、塩素（Ｃｌ２）ガス、弗化水素（ＨＦ）ガス、酸素（Ｏ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、希ガス、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスから選択された単ガス若しくは混合ガス該当する。
基板処理装置１０では、処理空間Ｓ１,Ｓ２の圧力が所望の圧力に制御され、処理ガス供給部２８から処理空間Ｓ２に処理ガスＧ１が供給される。次いで、サセプタ１２を介して処理空間Ｓ１，Ｓ２に高周波電流が供給されると共に、ラジアルラインスロットアンテナ１９はスロット板２０からマイクロ波を放射する。該放射されたマイクロ波はマイクロ波透過窓１３を介して処理空間Ｓ１,Ｓ２に放射されてマイクロ波電界を形成する。該マイクロ波電界は処理空間Ｓ２に供給された処理ガスＧ１を励起してプラズマを発生させる。このとき、周波数の高いマイクロ波によって処理ガスＧ１が励起されるため、高密度のプラズマを得ることができる。処理ガスＧ１のプラズマはサセプタ１２上のウエハＷにエッチング処理を施す。
ラジアルラインスロットアンテナ１９では外部のマイクロ波源から供給されたマイクロ波がアンテナ誘電体板２１及びスロット板２０の間で均一に拡散するため、スロット板２０はその表面から均一にマイクロ波を放射する。したがって、処理空間Ｓ２では均一なマイクロ波電界が形成され、処理空間Ｓ２においてプラズマは均一に分布する。その結果、ウエハＷの表面に均一にエッチング処理を施すことができ、処理の均一性（Uniformity）を確保することができる。
基板処理装置１０では、サセプタ１２から離れた処理ガス供給部２８の近傍において処理ガスＧ１を励起してプラズマを発生させる。すなわち、ウエハＷから離れた空間においてのみプラズマが発生するため、ウエハＷはプラズマに直接晒されることなく、また、プラズマがウエハＷに到達したときにはプラズマの電子温度が下がる。その結果、ウエハＷ上の半導体デバイスの構造を破壊することがない。また、ウエハＷの近傍において処理ガスＧ１の再解離を防ぐことできるため、ウエハＷを汚染することもない（例えば、“山中、阿刀田、” 「大口径・高密度プラズマ処理装置の開発」にて産学官連携功労者表彰 内閣総理大臣賞を受賞”、[online]、平成１５年６月９日、新エネルギー・産業技術総合開発機構、[平成１８年５月２２日検索]、インターネット<http://www.nedo.go.jp/informations/press/150609_1/150609_1.html>”参照。）。
上述した基板処理装置１０では、処理ガスＧ１の励起の際、周波数の高いマイクロ波を用いるため、処理ガスＧ１に効率よくエネルギーを伝達することができる。その結果、処理ガスＧ１は励起し易くなり、高圧環境下でもプラズマを発生させることができる。したがって、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を極端に低下させることなく、ウエハＷにエッチング処理を施すことができる。
図４は、図１の基板処理装置においてエッチング処理が施されるウエハの構成を示す断面図である。
図４において、半導体デバイス用のウエハＷは、シリコンからなるシリコン基材３５と、該シリコン基材３５上に形成された膜厚が１．５ｎｍのゲート酸化膜３６と、該ゲート酸化膜３６上に形成された膜厚が１５０ｎｍのポリシリコン膜３７と、該ポリシリコン膜３７上に形成された反射防止膜３８と、該反射防止膜３８上に形成されたレジスト膜３９（マスク膜）とを備える。このウエハＷでは、反射防止膜３８及びレジスト膜３９が所定のパターンに従って形成され、ポリシリコン膜３７を露出させる開口部４０を所定の位置に有する。
シリコン基材３５はシリコンからなる円板状の薄板であり、熱酸化処理が施されて表面にゲート酸化膜３６が形成される。ゲート酸化膜３６は酸化珪素（ＳｉＯ２）からなり、絶縁膜として機能する。ポリシリコン膜３７は多結晶シリコンからなり、成膜処理によって形成される。なお、ポリシリコン膜３７には何もドープされていない。
反射防止膜３８は或る特定の波長の光、例えば、レジスト膜３９に向けて照射されるＡｒＦエキシマレーザ光を吸収する色素を含む高分子樹脂からなり、レジスト膜３９を透過したＡｒＦエキシマレーザ光がポリシリコン膜３７によって反射されて再びレジスト膜３９に到達するのを防止する。レジスト膜３９はポジ型の感光性樹脂からなり、ＡｒＦエキシマレーザ光に照射されるとアルカリ可溶性に変質する。
ウエハＷでは、反射防止膜３８が塗布処理等によって形成された後、レジスト膜３９がスピンコータ（図示しない）を用いて形成される。さらに、所定のパターンに反転するパターンに対応したＡｒＦエキシマレーザ光がステッパー（図示しない）によってレジスト膜３９に照射されて、該レジスト膜３９の照射された部分がアルカリ可溶性に変質する。その後、レジスト膜３９に強アルカリ性の現像液が滴下されてアルカリ可溶性に変質した部分が除去される。これにより、レジスト膜３９から所定のパターンに反転するパターンに対応した部分が取り除かれるため、ウエハＷ上には所定のパターン、例えば、ゲート電極の脇に対応する位置に開口部４０を有するレジスト膜３９が残る。なお、反射防止膜３８もレジスト膜３９をマスクとしてエッチングによって開口部４０が形成される。
次に、本実施の形態に係るエッチング方法について説明する。
図５は、本実施の形態に係るエッチング方法としての半導体デバイスのゲート構造を得るためのエッチング方法を示す工程図である。
図５において、まず、ウエハＷを基板処理装置１０の処理容器１１内に搬入してサセプタ１２の上面に吸着保持する(図５（Ａ）)。
次いで、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を４．０Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）に設定し、処理ガス供給部２８から処理空間Ｓ２へＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスをそれぞれ所定の流量で供給する。また、ラジアルラインスロットアンテナ１９に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると共に、サセプタ１２に４００ＫＨｚの高周波電力を供給する。このとき、ＨＢｒガス等がスロット板２０から放射されたマイクロ波によってプラズマになり、陽イオンやラジカルが発生する。これらの陽イオンやラジカルは開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分と衝突・反応し、当該部分をエッチングする（第１のエッチングステップ）。当該部分のポリシリコン膜３７はポリシリコン膜３７がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングされる（図５（Ｂ））。
次いで、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を６６．７Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ）に設定し、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＨｅガスをそれぞれ所定の流量で供給する。また、ラジアルラインスロットアンテナ１９には２．４５ＧＨｚのマイクロ波をそのまま供給すると共に、サセプタ１２に４００ＫＨｚの高周波電力を６０Ｗで供給する。このとき、ＨＢｒガス等がスロット板２０から放射されたマイクロ波によってプラズマになり、陽イオンやラジカルが発生する。これらの陽イオンやラジカルはゲート酸化膜３６上に僅かに残されたポリシリコン膜３７（以下、「残留ポリシリコン膜」という。）と衝突・反応し、残留ポリシリコン膜をエッチングして完全に除去する（第２のエッチングステップ）（図５（Ｃ））。なお、残留ポリシリコン膜のエッチングは１０４秒間に亘って行われる。
上記残留ポリシリコン膜のエッチングの際、雰囲気の圧力が６６．７Ｐａと高く設定されている。圧力が高いとプラズマのイオンのエネルギーが低下してスパッタ力が低下する。また、酸化珪素はポリシリコンよりスパッタされにくいため、プラズマのスパッタ力が低下すると、ポリシリコンのエッチング速度（以下、「エッチレート」という。）は多少しか低下しない一方、酸化珪素のエッチレートは大幅に低下する。その結果、酸素プラズマを用いることなくゲート酸化膜３６に対するポリシリコン膜３７の選択比を大きくすることができる。また、ポリシリコン膜３７を完全に除去する際に、酸素ガスを用いる必要がないため、ゲート酸化膜３６下のシリコン基材３５の一部が酸化するのを防止できる。
次いで、ウエハＷを基板処理装置１０の処理容器１１から搬出してウェットエッチング装置の処理容器（図示しない）に搬入し、ポリシリコン膜３７が除去されて露出したゲート酸化膜３６の部分を薬液等によってウェットエッチングする（第３のエッチングステップ）。当該部分のゲート酸化膜３６はシリコン基材３５が露出するまでエッチングされる（図５（Ｄ））。
次いで、ウエハＷをウェットエッチング装置の処理容器から搬出してアッシング装置の処理容器に（図示しない）に搬入する。ウエハＷの搬入後、アッシング装置の処理容器内へＯ２ガス及び高周波電流を供給する。これにより、Ｏ２ガスをプラズマにして、該プラズマによってレジスト膜３９及び反射防止膜３８を除去する。レジスト膜３９及び反射防止膜３８はポリシリコン膜３７が露出するまで除去され（図５（Ｅ））、その後、本処理を終了する。
本実施の形態に係るエッチング方法によれば、開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分が該ポリシリコン膜３７の一部を残すようにエッチングされ、残留ポリシリコン膜が、圧力が６６．７Ｐａの雰囲気下で、ＨＢｒガス及びＨｅガスからなる処理ガス、すなわち、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングされる。圧力が高いとプラズマのスパッタ力が低下するため、スパッタされにくいゲート酸化膜３６のエッチレートは大幅に低下する。したがって、ゲート酸化膜３６に対するポリシリコン膜３７の選択比を大きくすることができる。また、酸素ガスを用いる必要がないのでゲート酸化膜３６下のシリコン基材３５の一部が酸化することがない。その結果、ゲート酸化膜３６のエッチングの際にシリコン基材３５の一部が除去されることがなく、リセスの発生を抑制することができる。
上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、ポリシリコン膜３７の一部を残すようにエッチングする際、ＨＢｒガスから発生したプラズマを用いてポリシリコン膜３７をエッチングする。ＨＢｒガスから発生したプラズマはポリシリコン膜３７を効率良くエッチングできる。また、ＨＢｒガス及びＨｅガスからなる混合ガスを用いて残留ポリシリコン膜をエッチングする。ＨＢｒガスから発生したプラズマは残留ポリシリコン膜を効率良くエッチングできる。したがって、スループットを向上することができる。
また、上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、残留ポリシリコン膜のエッチングが１０４秒間に亘って行われたが、エッチングの時間はこれに限られない。スループット及びゲート酸化膜３６のエッチング抑制の観点からは残留ポリシリコン膜のエッチングの時間は短いのが好ましいが、特に、１０秒〜１８０秒の間であるのが好ましい。
さらに、上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、残留ポリシリコン膜のエッチングにおいてサセプタ１２へ供給される高周波電力の大きさは６０Ｗであったが、供給される高周波電力の大きさはこれに限られず、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力に応じて設定される。処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力が低いほどプラズマのスパッタ力が強くなる一方、供給される高周波電力の大きさが小さいほどプラズマのスパッタ力は弱くなる。したがって、ゲート酸化膜３６のエッチング抑制の観点からは、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力が低くなれば供給される高周波電力の大きさを小さくするのが好ましく、具体的には、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力が１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）であれば、供給される高周波電力の大きさは３０Ｗであるのが好ましい。
また、上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、残留ポリシリコン膜のエッチングの際、ＨＢｒガス及びＨｅガスからなる処理ガスを用いたが、処理ガスはこれに限られず、ＨＢｒガスのみからなる処理ガスでもよく、また、Ｈｅガスの代わりに、他の不活性ガス、例えば、希ガス（Ａｒガス）を用いてもよい。
上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、ポリシリコン膜３７の一部を残すようにエッチングする際、ＨＢｒガス及び不活性ガスの混合ガスを処理ガスとして用いるが、処理ガスはこれに限られない。ＨＢｒガスの代わりにＣｌ２ガスを用いてもよい。
上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、ゲート酸化膜３６、レジスト膜３９及び反射防止膜３８はウェットエッチング装置やアッシング装置の処理容器内においてエッチングされたが、ゲート酸化膜３６、レジスト膜３９及び反射防止膜３８を基板処理装置１０の処理容器１１内においてエッチングしてもよい。
また、上述した本実施の形態に係るエッチング方法では、残留ポリシリコン膜のエッチングの際、サセプタ１２に４００ＫＨｚの高周波電力を供給したが、さらに高い周波数の高周波電力を供給してもよく、具体的には、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給してもよい。プラズマ中の陽イオン等は高い周波数の電圧変動に追従することができない。したがって、サセプタ１２に高い周波数の高周波電力を供給すると、プラズマのスパッタ力をより低下させることができる。
また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
まず、処理空間Ｓ１,Ｓ２の圧力及び処理ガスの成分（Ｏ２ガスの有無）がリセスの発生に与える影響を検討した。
実施例１
まず、図４のウエハＷを準備し、該ウエハＷを基板処理装置１０の処理容器１１に搬入し、処理ガスＧ１としてＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスを処理空間Ｓ２に供給し、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を４．０Ｐａに設定し、ラジアルラインスロットアンテナ１９に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると共に、サセプタ１２に４００ＫＨｚの高周波電力を供給して開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＨｅガスを供給し、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を６６．７Ｐａに設定し、ＨＢｒガス等から発生したプラズマによって残留ポリシリコン膜をエッチングした。このとき、残留ポリシリコン膜が完全に除去される一方、ゲート酸化膜３６が殆どエッチングされていないことが確認された。
まず、図４のウエハＷを準備し、該ウエハＷを基板処理装置１０の処理容器１１に搬入し、処理ガスＧ１としてＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスを処理空間Ｓ２に供給し、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を４．０Ｐａに設定し、ラジアルラインスロットアンテナ１９に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給すると共に、サセプタ１２に４００ＫＨｚの高周波電力を供給して開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＨｅガスを供給し、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を６６．７Ｐａに設定し、ＨＢｒガス等から発生したプラズマによって残留ポリシリコン膜をエッチングした。このとき、残留ポリシリコン膜が完全に除去される一方、ゲート酸化膜３６が殆どエッチングされていないことが確認された。
そして、ウエハＷをウェットエッチング装置の処理容器に搬入し、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６をエッチングし、続いて、アッシング装置で反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ウエハＷのゲートを観察したところ、シリコン基材３５にリセスが殆ど発生してないのが確認された（図６（Ａ）参照。）。
また、ゲートにおいてゲート酸化膜３６の形状が多少裾広がりになっていることも確認された。ゲート酸化膜３６の形状が裾広がりになったのは、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力が比較的高く設定されたため、ポリシリコン膜３７のエッチングの際、プラズマのスパッタ力が弱くなり、ゲートの隅に対応するポリシリコン膜３７がエッチングされずに残留し、該残留部分が、ゲート酸化膜３６のエッチングにおいて、該ゲート酸化膜３６をマスクしたためと考えられた。
シリコン基材３５におけるリセスの発生を完全に排除できなかった訳は、残留ポリシリコン膜のエッチング中に処理容器１１の酸化物から構成された構成部品から、Ｏ２ガスが放出されてシリコン基材３５へ到達したためと、ゲート酸化膜３６中の酸素原子がノックオン現象によって下層のシリコン基材３５へ到達したためと考えられた。
比較例１
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を１３．３Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＯ２ガスを供給し、ＨＢｒガス等から発生したプラズマによって残留ポリシリコン膜をエッチングした。そして、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６、続いて、反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ウエハＷのゲートを観察したところ、シリコン基材３５に深さが５．０５ｎｍのリセス４１が発生しているのが確認された（図６（Ｂ）参照。）。さらに、ゲートにおいてゲート酸化膜３６の形状が裾広がりになっていないことも確認された。
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を１３．３Ｐａに設定し、処理空間Ｓ２へＨＢｒガス及びＯ２ガスを供給し、ＨＢｒガス等から発生したプラズマによって残留ポリシリコン膜をエッチングした。そして、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６、続いて、反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ウエハＷのゲートを観察したところ、シリコン基材３５に深さが５．０５ｎｍのリセス４１が発生しているのが確認された（図６（Ｂ）参照。）。さらに、ゲートにおいてゲート酸化膜３６の形状が裾広がりになっていないことも確認された。
以上より、残留ポリシリコン膜のエッチングの際、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を比較的高く設定する、具体的には、６６．７Ｐａに設定するとプラズマのスパッタ力が極端に弱くなり、ゲート酸化膜３６のエッチレートが極端に小さくなり、ゲート酸化膜３６に対するポリシリコン膜３７の選択比を確実に大きくすることができることが分かった。また、Ｏ２ガスを用いることなく、残留ポリシリコン膜をエッチングすると、シリコン基材３５におけるリセスの発生を抑制できることが分かった。
次に、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力がシリコン基材３５へのイオンドープに与える影響について検討した。
実施例２
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を３３．３Ｐａに設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を３３．３Ｐａに設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
そして、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６、続いて、反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ウエハＷのゲートを観察したところ、シリコン基材３５にリセスが僅かに発生しているものの、該リセスの深さはシリコン基材３５へのイオンドープに影響を与えない深さの限界であることが確認された（図７（Ａ）参照。）。また、ゲートにおいてゲート酸化膜３６の形状が裾広がりになっていないことも確認された。
実施例３
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を９３．３Ｐａ（７００ｍＴｏｒｒ）に設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を９３．３Ｐａ（７００ｍＴｏｒｒ）に設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
そして、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６、続いて、反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ウエハＷのゲートを観察したところ、シリコン基材３５にリセスが全く発生していないものの、ゲートにおいてゲート酸化膜３６の形状が裾広がりになっており、その裾広がりの大きさはシリコン基材３５へのイオンドープに影響を与えない裾広がりの限界であることが確認された（図７（Ｂ））。
なお、実施例３において処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力は残留ポリシリコン膜のエッチングにおいて９３．３Ｐａに設定された。
以上より、シリコン基材３５へのイオンドープに影響を与えない処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力は３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａであることが分かった。
実施例４
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を４０．０Ｐａに設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングした。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力を４０．０Ｐａに設定した以外は実施例１と同じ条件で残留ポリシリコン膜をエッチングした。
そして、残留ポリシリコン膜が完全に除去されることによって露出したゲート酸化膜３６、続いて、反射防止膜３８及びレジスト膜３９を除去した。その後、ゲート酸化膜３６の状態を観察したところ、ゲート酸化膜３６に割れの発生がないことを確認した。これは、圧力が４０．０Ｐａ以上であるとプラズマのスパッタ力が極端に弱くなり、ゲート酸化膜３６に対するポリシリコン膜３７の選択比を確実に大きくすることができるためと推察された。
実施例５
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングしたサンプルを幾つか準備した。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力をサンプル毎に異なるように設定し（具体的には８０．０Ｐａを中心に幾つかの圧力に設定した。）、これらのサンプルについて残留ポリシリコン膜をエッチングした。
まず、実施例１と同じ条件で開口部４０によって露出されているポリシリコン膜３７の部分を当該部分がゲート酸化膜３６上に僅かに残る程度までエッチングしたサンプルを幾つか準備した。さらに、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力をサンプル毎に異なるように設定し（具体的には８０．０Ｐａを中心に幾つかの圧力に設定した。）、これらのサンプルについて残留ポリシリコン膜をエッチングした。
その後、ゲートにおけるゲート酸化膜３６を観察したところ、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力８０．０Ｐａを境に、該圧力が高くなると急激に裾広がり形状が発達しているのが確認された。
以上の実施例４、５より、処理空間Ｓ１，Ｓ２の圧力は４０．０Ｐａ〜８０．０Ｐａに設定するのがより好ましいことが分かった。
Ｇ１ 処理ガス
Ｓ１，Ｓ２ 処理空間
Ｗ ウエハ
１０ 基板処理装置
１１ 処理容器
１２ サセプタ
１３ マイクロ波透過窓
１４ リング部材
１９ ラジアルラインスロットアンテナ
２０ スロット板
２１ アンテナ誘電体板
２２ 遅波板
２４ 同軸導波管
２５ａ,２５ｂ スロット
２８ 処理ガス供給部
３３ 高周波電源
Ｓ１，Ｓ２ 処理空間
Ｗ ウエハ
１０ 基板処理装置
１１ 処理容器
１２ サセプタ
１３ マイクロ波透過窓
１４ リング部材
１９ ラジアルラインスロットアンテナ
２０ スロット板
２１ アンテナ誘電体板
２２ 遅波板
２４ 同軸導波管
２５ａ,２５ｂ スロット
２８ 処理ガス供給部
３３ 高周波電源
Claims (6)
- シリコン基材上に少なくともシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及び開口部を有するマスク膜が順に形成された基板のエッチング方法であって、
前記開口部に対応する前記ポリシリコン膜を該ポリシリコン膜の一部を残すようにエッチングする第１のエッチングステップと、
前記残されたポリシリコン膜を、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングする第２のエッチングステップとを有し、
前記第２のエッチングステップでは、圧力が３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 前記第２のエッチングステップでは、圧力が４０．０Ｐａ〜８０．０Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
- 前記酸素ガスを含まない処理ガスは、臭化水素ガス及び不活性ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２記載のエッチング方法。
- 前記第１のエッチングステップでは、臭化水素ガス、フルオロカーボンガス又は塩素ガスから発生したプラズマを用いて前記ポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエッチング方法。
- 前記シリコン酸化膜をエッチングする第３のエッチングステップを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエッチング方法。
- シリコン基材上に少なくともシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及び開口部を有するマスク膜が順に形成された基板から半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、
前記開口部に対応する前記ポリシリコン膜を該ポリシリコン膜の一部を残すようにエッチングする第１のエッチングステップと、
前記残されたポリシリコン膜を、酸素ガスを含まない処理ガスから発生したプラズマを用いてエッチングする第２のエッチングステップとを有し、
前記第２のエッチングステップでは、圧力が３３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａの雰囲気下で前記残されたポリシリコン膜をエッチングすることを特徴とする製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006265148A JP4801553B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| CN2007101466418A CN101154582B (zh) | 2006-09-28 | 2007-08-23 | 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 |
| EP07017735.7A EP1906439B1 (en) | 2006-09-28 | 2007-09-11 | Etching method |
| US11/861,469 US20080261406A1 (en) | 2006-09-28 | 2007-09-26 | Etching method and semiconductor device fabrication method |
| KR1020070097476A KR100931427B1 (ko) | 2006-09-28 | 2007-09-27 | 에칭 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| TW096136039A TWI463563B (zh) | 2006-09-28 | 2007-09-27 | Etching method and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006265148A JP4801553B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008085165A true JP2008085165A (ja) | 2008-04-10 |
| JP4801553B2 JP4801553B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=38938287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006265148A Expired - Fee Related JP4801553B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080261406A1 (ja) |
| EP (1) | EP1906439B1 (ja) |
| JP (1) | JP4801553B2 (ja) |
| KR (1) | KR100931427B1 (ja) |
| CN (1) | CN101154582B (ja) |
| TW (1) | TWI463563B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302181A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング処理方法およびプラズマエッチング処理装置 |
| WO2011021539A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101752207B (zh) * | 2008-12-02 | 2011-11-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法 |
| JP4968861B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板のエッチング方法及びシステム |
| US8809199B2 (en) * | 2011-02-12 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of etching features in silicon nitride films |
| CN104900515B (zh) * | 2014-03-07 | 2019-04-12 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法 |
| JP6489483B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-03-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
| CN107492485B (zh) * | 2016-06-13 | 2020-03-06 | 北大方正集团有限公司 | 半导体器件的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243188A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Japan Steel Works Ltd:The | エッチング方法 |
| JPH09260349A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09270420A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4502915B1 (en) * | 1984-01-23 | 1998-11-03 | Texas Instruments Inc | Two-step plasma process for selective anisotropic etching of polycrystalline silicon without leaving residue |
| US5201993A (en) * | 1989-07-20 | 1993-04-13 | Micron Technology, Inc. | Anisotropic etch method |
| US5242536A (en) * | 1990-12-20 | 1993-09-07 | Lsi Logic Corporation | Anisotropic polysilicon etching process |
| JP3165047B2 (ja) * | 1996-12-12 | 2001-05-14 | 日本電気株式会社 | ポリサイド膜のドライエッチング方法 |
| CN1287430C (zh) * | 2001-06-15 | 2006-11-29 | 东京毅力科创株式会社 | 干蚀刻方法 |
| US6759340B2 (en) * | 2002-05-09 | 2004-07-06 | Padmapani C. Nallan | Method of etching a trench in a silicon-on-insulator (SOI) structure |
| KR20040036802A (ko) * | 2002-10-24 | 2004-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006265148A patent/JP4801553B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-23 CN CN2007101466418A patent/CN101154582B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-11 EP EP07017735.7A patent/EP1906439B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-26 US US11/861,469 patent/US20080261406A1/en not_active Abandoned
- 2007-09-27 KR KR1020070097476A patent/KR100931427B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-09-27 TW TW096136039A patent/TWI463563B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243188A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Japan Steel Works Ltd:The | エッチング方法 |
| JPH09260349A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09270420A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302181A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング処理方法およびプラズマエッチング処理装置 |
| KR101147964B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2012-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 에칭 처리 방법 및 플라즈마 에칭 처리 장치 |
| TWI405260B (zh) * | 2008-06-11 | 2013-08-11 | Tokyo Electron Ltd | A plasma etching treatment method and a plasma etching processing apparatus |
| WO2011021539A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置とプラズマ処理方法 |
| CN102473634A (zh) * | 2009-08-20 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
| US8771537B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-07-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment device and plasma treatment method |
| US10224220B2 (en) | 2009-08-20 | 2019-03-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma etching apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080029856A (ko) | 2008-04-03 |
| CN101154582B (zh) | 2010-06-09 |
| EP1906439A2 (en) | 2008-04-02 |
| EP1906439A3 (en) | 2008-04-30 |
| US20080261406A1 (en) | 2008-10-23 |
| EP1906439B1 (en) | 2015-02-25 |
| TW200826188A (en) | 2008-06-16 |
| JP4801553B2 (ja) | 2011-10-26 |
| TWI463563B (zh) | 2014-12-01 |
| KR100931427B1 (ko) | 2009-12-11 |
| CN101154582A (zh) | 2008-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4972594B2 (ja) | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP4801553B2 (ja) | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US8974628B2 (en) | Plasma treatment device and optical monitor device | |
| US8809199B2 (en) | Method of etching features in silicon nitride films | |
| JP4668205B2 (ja) | 多孔質低誘電率層内に形状を形成する方法および装置 | |
| KR101056199B1 (ko) | 플라즈마 산화 처리 방법 | |
| CN103081074B (zh) | 基板处理方法、图案形成方法、半导体元件的制造方法及半导体元件 | |
| JP5171683B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR101718170B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| US8778206B2 (en) | Substrate processing method and storage medium | |
| JP3893888B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002520848A (ja) | ２ステップ自己整合コンタクトエッチング | |
| US7608544B2 (en) | Etching method and storage medium | |
| JP6840041B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR20110102243A (ko) | 표면 평탄화 방법 | |
| JP2000294626A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4643916B2 (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 | |
| JP2005072352A (ja) | 層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090925 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110217 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110411 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110708 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110802 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110805 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |