JP2008085019A - マクロセルブロック及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来のマクロを備えた半導体チップをパッケージ基板に搭載した場合、配線が引き出せない場合があった。
【解決手段】 マクロセルブロックは、複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、半導体チップの外部と接続される信号端子部と電源端子部と接地端子部とを有し、信号端子部は複数の辺の一辺に沿って配置され、電源端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置され、接地端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置されることを特徴とするものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 マクロセルブロックは、複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、半導体チップの外部と接続される信号端子部と電源端子部と接地端子部とを有し、信号端子部は複数の辺の一辺に沿って配置され、電源端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置され、接地端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置されることを特徴とするものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体装置に関し、特にマクロセルブロックを有する半導体装置に関する。
従来の半導体集積回路では、半導体チップ中心付近に内部回路を設計し、チップ周辺部には入出力バッファなどを配置するのが一般的である。図4は、このような従来の半導体集積回路(半導体チップ)を示す。図4に示す半導体集積回路では、外部との信号の入出力を行う入出力バッファ領域(以下、I/O領域と称す)44は、内部回路45を取り囲むように配置されている。このI/O領域44には、外部との信号の入出力を行う信号端子部41、電源端子部42及び接地端子部43等が配置されている。
一方で、近年では、A/D変換器、D/A変換器、PLL(Phase Locked Loop)などの特殊な機能を有する回路を、マクロセルブロック(以下マクロと称す)として、一纏めにし、回路中に組み込んで開発される集積回路が増加している。これらのマクロはマクロ専用のIO回路のほかに、このようなマクロが搭載される半導体チップの電源やGNDとは独立した、専用の電源とGNDを必要とするものが多い。図5は、このようなマクロの構成の1例を示した図である。
図5に示したマクロ50は、マクロ専用信号端子部(図中、MSで示す)51、マクロ専用電源端子部(図中、MVで示す)52、マクロ専用GND端子部(図中、MGで示す)53などのマクロ専用端子部を有している。また、マクロ50の機能を実行する回路である本体部54も有している。上記したマクロ専用端子部内には、それぞれマクロ専用信号端子(マクロ専用信号パッド)、マクロ専用電源端子(マクロ専用電源パッド)、マクロ専用GND端子(マクロ専用GNDパッド)が形成されている(不図示)。
図5に示した従来のマクロでは、図4に示した半導体チップ40のI/O領域に合わせて、マクロ専用端子部が配置されている。つまり、マクロ50の一辺に集中してマクロ専用端子部51、52、53が配置されている。図6は、図4に示した半導体チップ40に、図5に示したマクロ50を備えた半導体チップを示している。図6に示すように、従来のマクロ50をチップ上に配置するとマクロ専用端子部51、52、53は、チップ上の一辺に並んで配置される。このようにマクロ50を半導体チップ40に配置すると、マクロ専用端子部51、52、53によって、半導体チップ40のチップ周辺I/O領域44に配置できる入出力信号用の信号端子部41の数が減少してしまう。このチップ周辺I/O領域44に配置できる信号端子部41が減少してしまう問題を解決するために、特許文献1に記載のエリアI/O技術というものが知られている。この、エリアI/O技術とは、チップ周辺I/O領域44に限らずチップ内部45の任意の位置に入出力信号用の信号端子部41を設ける技術である。このエリアI/O技術を用いた場合の配置を図7に示す。図7から分かるように半導体チップの内部領域45に、信号端子部41が配置されている。このように配置された半導体チップ40は、例えばBGA(Ball Grid Array)用のパッケージ基板などにフリップチップ実装され、パッケージ化される。
図5に示した従来のマクロでは、図4に示した半導体チップ40のI/O領域に合わせて、マクロ専用端子部が配置されている。つまり、マクロ50の一辺に集中してマクロ専用端子部51、52、53が配置されている。図6は、図4に示した半導体チップ40に、図5に示したマクロ50を備えた半導体チップを示している。図6に示すように、従来のマクロ50をチップ上に配置するとマクロ専用端子部51、52、53は、チップ上の一辺に並んで配置される。このようにマクロ50を半導体チップ40に配置すると、マクロ専用端子部51、52、53によって、半導体チップ40のチップ周辺I/O領域44に配置できる入出力信号用の信号端子部41の数が減少してしまう。このチップ周辺I/O領域44に配置できる信号端子部41が減少してしまう問題を解決するために、特許文献1に記載のエリアI/O技術というものが知られている。この、エリアI/O技術とは、チップ周辺I/O領域44に限らずチップ内部45の任意の位置に入出力信号用の信号端子部41を設ける技術である。このエリアI/O技術を用いた場合の配置を図7に示す。図7から分かるように半導体チップの内部領域45に、信号端子部41が配置されている。このように配置された半導体チップ40は、例えばBGA(Ball Grid Array)用のパッケージ基板などにフリップチップ実装され、パッケージ化される。
しかしながら、図7に示すような半導体チップ40をパッケージ基板に搭載すると、内部領域45に形成された信号端子部41の信号端子(パッド)からの信号をパッケージ外部に引き出せない場合があった。図8は、このような例を説明するための模式図である。
図8に示すように半導体チップ40上の信号端子部41、マクロ専用端子部51、52、53には、それぞれ外部に接続するための端子(パッド)が形成されている。各端子は、バンプ電極833などを介してパッケージ基板830内の配線に電気的に接続され、パッケージ基板の配線によってパッケージ外部へと引き出される。ここで、例えば図7に示すA−A´ラインでは、マクロ専用電源端子部52内の端子に接続されるビア832が、信号端子部41内の端子に接続される信号配線層SMを貫通する構成となる。そのため、エリアI/O技術を用いて形成された信号端子部41からの信号をパッケージ外部まで引き出すことができなくなってしまう場合がある(図8(a)参照)。また、図7に示すB−B´ラインでは、チップ周辺のI/O領域44に配置されたマクロ専用信号端子部51の端子からの信号配線層が存在する。この場合も、やはり信号端子部41の端子からの信号を引き出すことができなくなってしまう場合がある(図8(b)参照)。
つまり、従来のマクロセルブロックを有する半導体集積回路では、マクロ専用信号端子部51、マクロ専用電源端子部52及びマクロ専用GND端子部53による信号端子部41の減少を補うために、特許文献1に示したエリアI/O技術を用いて、不足した信号端子部41の数を確保していた。しかしながら、エリアI/O技術で引き出した信号端子部41の端子もパッケージなどの基板上で、その信号配線層をパッケージ外部に引き出すための自由度が低くなってしまっていた。そのため、パッケージを設計するときに、パッケージ基板内の配線を最適化することが極めて困難となっていた。また、従来のマクロセルブロックでは、マクロ専用信号端子部51、マクロ専用電源端子部52及びマクロ専用GND端子部53を一辺に集中させた構造となっていたため、マクロが必要とする電源、GND、信号の端子数に応じてその大きさ(図5で上下方向の長さ)が大きくなってしまい、マクロの小型化の障害となっていた。
特開2004−47516号公報
従来のマクロを備えた半導体チップをパッケージ基板に搭載した場合、配線が引き出せない場合があった。
本発明の1態様によるマクロセルブロックは、複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、半導体チップの外部と接続される信号端子部と電源端子部と接地端子部とを有し、信号端子部は複数の辺の一辺に沿って配置され、電源端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置され、接地端子部は信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置されることを特徴とする。
また、本発明の1態様によるマクロセルブロックは、半導体チップに配置されたマクロセルブロックであって、半導体チップの周辺部に形成されたマクロセルブロック用の信号端子部と、マクロセルブロック用の信号端子よりも半導体チップの中心部近傍に形成されたマクロセルブロック用の電源端子部及びマクロセルブロック用の接地端子部とを有する。
また、本発明の1態様によるマクロセルブロックは、複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、複数の辺の一辺に沿って配置された信号端子部と、信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置された電源端子部と、信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置された接地端子部とを有する。
本発明の1態様によるマクロセルブロックによれば、マクロセルブロックを備えた半導体チップをパッケージ基板に搭載した場合、パッケージ基板側の信号用配線の自由度を向上させることが可能となる。
本発明によれば、マクロを備えた半導体チップを搭載したパッケージ基板の設計を容易にすることが可能となる。
実施の形態1
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態1に関わるマクロセルブロック(以下、マクロと称す)100を示す図である。本実施の形態でいうマクロとは、例えばCPUやRAM、ROM、乗算器のような所定の機能を有するコア部分である。このマクロは、所定の機能を実現する回路として予め設計されている。以下、本実施の形態におけるマクロの形状を四角形として説明するが、マクロの形状は四角形に限らず凸部や凹部を有する多角形状であってもよい。図1に示すように、本実施の形態のマクロ100は、マクロ専用信号端子部(図中、MSで示す)1、マクロ専用電源端子部(図中、MVで示す)2、マクロ専用接地端子部(GND端子部、図中、MGで示す)3及び本体部分4を有している。マクロ専用信号端子部1は、マクロ100の周辺(外周部)のうちの1辺に複数配置されている。また、本実施の形態では、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3は、マクロ専用信号端子部1が配置されている辺に対して対向する辺に配置されている。また、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3は、半導体チップとは独立(分離)した電源・GNDの供給を受けるものである。これらのマクロ専用信号端子部1、マクロ専用電源端子部2、マクロ専用GND端子部3が配置される周辺領域以外の部分が本体部分4となる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態1に関わるマクロセルブロック(以下、マクロと称す)100を示す図である。本実施の形態でいうマクロとは、例えばCPUやRAM、ROM、乗算器のような所定の機能を有するコア部分である。このマクロは、所定の機能を実現する回路として予め設計されている。以下、本実施の形態におけるマクロの形状を四角形として説明するが、マクロの形状は四角形に限らず凸部や凹部を有する多角形状であってもよい。図1に示すように、本実施の形態のマクロ100は、マクロ専用信号端子部(図中、MSで示す)1、マクロ専用電源端子部(図中、MVで示す)2、マクロ専用接地端子部(GND端子部、図中、MGで示す)3及び本体部分4を有している。マクロ専用信号端子部1は、マクロ100の周辺(外周部)のうちの1辺に複数配置されている。また、本実施の形態では、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3は、マクロ専用信号端子部1が配置されている辺に対して対向する辺に配置されている。また、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3は、半導体チップとは独立(分離)した電源・GNDの供給を受けるものである。これらのマクロ専用信号端子部1、マクロ専用電源端子部2、マクロ専用GND端子部3が配置される周辺領域以外の部分が本体部分4となる。
本体部分4は、マクロ100の機能を実行する回路部である。マクロ専用信号端子部1は、マクロ本体と外部(マクロが搭載される半導体チップの外部)との信号の入出力を行う部分である。このマクロ専用信号端子部1の下層(半導体チップの下層やトランジスタ層)には、I/O回路が備えられている。また、マクロ専用信号端子部1には、外部との信号の入出力が行われるマクロ専用信号端子(不図示)が形成されている。マクロ専用信号端子は、例えば半導体チップの表面に形成された金属パッドである。
マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3は、マクロ100に電源及び接地電位を与える部分である。マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3の下層(半導体チップの下層やトランジスタ層)には、例えば、静電気放電回路(ESD)等の保護回路を備える構成とすることが可能である。また、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部には、電源電位あるいは接地電位を接続するためのマクロ専用電源端子、マクロ専用GND端子が設けられている。マクロ専用電源端子及びマクロ専用GND端子は、半導体チップ上にパッドとして形成されている。
上記の説明では、マクロ専用信号端子部1の下層にI/O回路が形成され、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子3部の下層には保護回路が形成されている。しかし、マクロ専用信号端子部1、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子3部の下層は、必ずしもこのような構成をとる必要はない。本実施の形態のマクロ100では、マクロ専用信号端子部1、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3とI/O回路あるいは保護回路の位置がずれていても特に問題はない。
図2は、以上のように配置されたマクロ100をモノリシック半導体装置(以降、半導体チップと称す)20に搭載した図である。なお、図1に示したマクロ100では、5つのマクロ専用信号端子部1を設けているが、図2に示すマクロ100では、図面を簡単にするため、2つのマクロ専用信号端子部1を有しているものとする。
半導体チップ20は、チップ内部領域25、チップ周辺I/O領域24を有している。チップ内部領域25は、半導体チップ20の中心領域に位置している。また、チップ周辺I/O領域24は、チップ内部領域25の周辺を囲うように配置されている。
チップ内部領域25は、半導体チップ20上に設けられ、基本セル、論理ゲート、あるいはマクロの配置される領域である。またチップ周辺I/O領域24は、半導体チップ20の周辺全体に連続して設けられている。また、チップ周辺I/O領域24は、I/Oバッファやパッド(信号パッド、I/Oバッファ用電源パッド、I/Oバッファ用接地パッドを含む)を有するバッファ領域である。
本実施の形態では、半導体チップ20のチップ内部領域25にはマクロ100が配置され、チップ周辺I/O領域24には信号端子部(図中、Sで示す)21、電源端子部(図中、Vで示す)22及び接地端子部(図中、Gで示す)23等の入出力端子部が配置されている。これらの端子部にはそれぞれ信号端子、電源端子、GND端子が形成されている(不図示)。また、図1で説明したマクロ100の1辺に配置されているマクロ専用信号端子部1は、半導体チップ20のチップ周辺I/O領域24の一部として配置されている(図2参照)。また、マクロ専用電源端子部2、マクロ専用GND端子部3は、チップ周辺I/O領域24よりもチップ中心部に近い内部領域25に設けられている。このように図1を用いて説明したマクロ100を配置することにより、従来のエリアI/O技術を用いてチップ内部に形成していた信号端子部21はマクロ専用信号端子部1に隣接して配置することが可能となる。
図3にマクロ100を備えた半導体チップ20をパッケージ基板30に搭載した様子の模式図を示す。ここでパッケージ基板30は、パッケージ基板端子31、ビア32、信号配線層SM、電源配線層VM、グランド配線層GMを有している。ここで信号配線層SMは、パッケージ基板内で電源配線層VM、グランド配線層GMよりも上層(チップ搭載面側)に形成された配線層である。また、パッケージ基板11のパッケージ基板端子31上には、半田ボールなどのバンプ電極34が形成されている。図2に示した半導体チップ20のそれぞれの端子部1〜3、21〜23には、図3に示すようにマクロ専用電源端子34、マクロ専用信号端子35、マクロ専用GND端子36が形成されている。これらのマクロ専用端子は、バンプ電極33を介してパッケージ基板30と電気的に接続される。また、パッケージ基板30の裏面(半導体チップ20の搭載面とは反対側の面)には、例えばボール状の電極の外部接続端子が形成されている(不図示)。また、パッケージ基板端子31と各配線層(信号配線層SM、電源配線層VM、接地配線層GM)とはビア32内に形成された導電性ポストなどで接続されている。このように構成されたパッケージ基板30にマクロ100を備えた半導体チップ20を搭載する場合について、図3(a)及び図3(b)を参照して説明する。
図3(a)は、図2に示したマクロ100を備えた半導体チップ20をパッケージ基板30に搭載した場合の断面図である。なお、図3(a)は、マクロに形成されたマクロ専用信号端子部1と、マクロ専用電源端子部2とを結ぶ線に沿った断面図である(図2、C−C´参照)。
図3(a)に示すように、マクロ専用信号端子部1のマクロ専用信号端子35は、バンプ電極33、パッケージ基板端子31及びビア32を介して信号配線層SMに接続されている。この信号配線層SMを介してマクロ専用信号端子35は、外部接続端子へと接続される。また、半導体チップ20内部に位置するマクロ専用電源端子34も、バンプ電極33、電極端子31、ビア32を介して電源配線層VMに接続されている。また、電源配線層VMは、外部接続端子(不図示)に接続されている。
図3(b)は、半導体チップ20におけるマクロ専用信号端子部1と、マクロ専用GND端子部3とを結ぶ線に沿った断面図である(図2、D−D´参照)。
図3(b)に示すように、マクロ専用信号端子35は、バンプ電極33と電極端子31及びビア32を介して信号配線層SMに接続されている。この信号配線層SMを介してマクロ専用信号端子1は、外部接続端子へと接続される。また、半導体チップ20内部に位置するマクロ専用GND端子36も、バンプ電極33、電極端子31、ビア32を介して接地配線層GMに接続されている。また、接地配線層GMは、外部接続端子(不図示)に接続されている。
また、マクロ専用信号端子部1内に形成されていない他の信号端子は、信号端子部21内に形成されている。信号端子部21内に形成された信号端子は、マクロ専用信号端子35と同様に信号配線層SMに接続され、外部接続端子に接続されている。
複数の配線層を有するパッケージ基板などでは、パッケージ内の様々な場所に電源を供給するために、電源配線層、設置配線層をパッケージ全体に渡り、平板状に形成する。そのため、仮に従来のようなマクロを用いた場合は、図8を用いて説明したように信号配線層に対する設計の自由度が失われてしまう。それに対し、図3に示すように、本実施形態のマクロを用いることにより、電源配線層VM、接地配線層GMへと接続するビアが信号配線層SMを横切ってしまうのを防止することが可能となる。したがって、電源配線層VM、接地配線層GMをパッケージ基板全体に渡り形成していても、信号配線層SMは、下層に接続されるビアの影響を受けることはない。また、従来エリアI/O技術を用いてチップ内部領域に形成していた信号端子部は、マクロ専用信号端子部1に隣接して配置することが可能であるため、信号端子部21の信号端子を外部接続端子に引き出す信号配線層SMの設計の自由度が向上する。
つまり、本実施の形態ではマクロ1内で、マクロ専用信号端子部1を一辺に配置させ、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3をマクロ専用信号端子部1とは異なる辺に配置させている。このように配置することで、チップ周辺領域24に配置することが可能な端子数が増加し、半導体チップ20の信号端子部21をマクロ専用信号端子部1の両端に配置することが可能となる。したがって、マクロ専用信号端子部1および信号端子部21をチップ周辺部に集中させることが可能となる。その結果、複数の配線層を有するパッケージ基板において、信号配線層を外部接続端子に自由に引き出すことが可能となる。また、図5を用いて説明したように従来はマクロの大きさが端子数によって大きくなってしまう場合があったが、本実施の形態のマクロを用いることで、図1に示すようにマクロ1の上下方向の長さを小さく形成することが可能となる。
さらに、このようなマクロセルブロックを使用した半導体チップ20を搭載するフリップチップBGAのようなパッケージの基板やプリント基板の設計が容易になり、これらの基板の配線層の増加を抑えることが可能となる。
なお、本実施の形態では、マクロ専用信号端子部1が配置される一辺とマクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3が配置されるマクロ一辺とを対向するように形成している。しかしながら、マクロ専用信号端子部1を配置するマクロ100の外周辺は、マクロ専用電源端子部2及びマクロ専用GND端子部3が配置される辺と分けていればよい。例えば、図1におけるマクロ専用GND端子部3は、マクロ専用電源端子部2に隣接して、図1で示す上辺部に形成することも可能である。
以上、本発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、半導体チップ20をパッケージ基板に搭載する場合について説明したが、ベアチップ搭載されるプリント基板であっても本発明と同様の効果を奏することが可能である。
100 マクロセルブロック(マクロ)
1 マクロセルブロック専用信号端子部
2 マクロセルブロック専用電源端子部
3 マクロセルブロック専用接地端子部
4 本体部分
20 半導体チップ
21 信号端子
22 電源端子
23 接地端子
24 半導体チップのチップ周辺I/O領域
25 半導体チップのチップ内部領域
30 パッケージ基板
31 電極端子
32 ビア
33 バンプ電極
34 マクロセルブロック専用電源端子
35 マクロセルブロック専用信号端子
36 マクロセルブロック専用接地端子
SM 信号配線層
VM 電源配線層
GM 接地配線層
1 マクロセルブロック専用信号端子部
2 マクロセルブロック専用電源端子部
3 マクロセルブロック専用接地端子部
4 本体部分
20 半導体チップ
21 信号端子
22 電源端子
23 接地端子
24 半導体チップのチップ周辺I/O領域
25 半導体チップのチップ内部領域
30 パッケージ基板
31 電極端子
32 ビア
33 バンプ電極
34 マクロセルブロック専用電源端子
35 マクロセルブロック専用信号端子
36 マクロセルブロック専用接地端子
SM 信号配線層
VM 電源配線層
GM 接地配線層
Claims (12)
- 複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、
前記半導体チップの外部と接続される信号端子部と電源端子部と接地端子部とを有し、
前記信号端子部は前記複数の辺の一辺に沿って配置され、
前記電源端子部は前記信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置され、
前記接地端子部は前記信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置されることを特徴とするマクロセルブロック。 - 前記複数の信号端子部が配置される辺は、前記マクロセルブロックを含む半導体チップの辺の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載のマクロセルブロック。
- 請求項1に記載のマクロセルブロックを形成した半導体チップ。
- 前記信号端子部が配置される辺を、前記マクロセルブロックを含む半導体チップの辺の一部とする構成としていることを特徴とする請求項3に記載の半導体チップ。
- 前記半導体チップの外周辺に作成されたI/O領域に、前記信号端子部が位置するように前記マクロセルブロックを配置したことを特徴とする請求項3に記載の半導体チップ。
- 前記電源端子部及び接地端子部が、前記信号端子部よりも、前記半導体チップの中心部近傍に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体チップ。
- 請求項1に記載のマクロセルブロックを含む半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する基板とを有する半導体装置。 - 前記基板は、複数の配線層を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記基板は、
前記信号端子部に電気的に接続される信号配線層と、
前記電源端子部に電気的に接続される電源配線層と、
前記接地端子部に電気的に接続される接地配線層を有し、
前記信号配線層は、前記電源配線層及び前記接地配線層よりも前記半導体チップ近傍に形成されていることを特徴とする請求項7あるいは8に記載の半導体装置。 - 半導体チップに配置されたマクロセルブロックであって、
前記半導体チップの周辺部に形成されたマクロセルブロック用の信号端子部と、
前記マクロセルブロック用の信号端子部よりも前記半導体チップの中心部近傍に形成されたマクロセルブロック用の電源端子部及びマクロセルブロック用の接地端子部とを有するマクロセルブロック。 - 前記マクロセルブロック用の信号端子部は、前記半導体チップに形成された他の信号端子部が配置されるチップ辺と同一のチップ辺に沿って配置されていることを特徴とする請求項10に記載のマクロセルブロック。
- 複数の辺を有する多角形状に形成され、半導体チップに形成されるマクロセルブロックであって、
前記複数の辺の一辺に沿って配置された信号端子部と、
前記信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置された電源端子部と、
前記信号端子部が配置される辺とは異なる辺に沿って配置された接地端子部とを有するマクロセルブロック。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006262081A JP2008085019A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | マクロセルブロック及び半導体装置 |
US11/902,745 US20080258292A1 (en) | 2006-09-27 | 2007-09-25 | Macro-cell block and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006262081A JP2008085019A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | マクロセルブロック及び半導体装置 |
Publications (1)
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JP2008085019A true JP2008085019A (ja) | 2008-04-10 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (2)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017034092A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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JP2000340753A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Nec Corp | 半導体装置及びその設計装置と設計方法並びに半導体装置の配線情報を記憶した記憶媒体 |
JP2006210678A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置およびそのレイアウト設計方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2006
- 2006-09-27 JP JP2006262081A patent/JP2008085019A/ja active Pending
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2007
- 2007-09-25 US US11/902,745 patent/US20080258292A1/en not_active Abandoned
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US20080258292A1 (en) | 2008-10-23 |
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