JP2008078353A - 光送信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ16がレーザ光を連続的に発して、光変調器18にレーザ光を入力し、信号源30からの高周波電気信号に応じて、光変調器18は、透過するレーザ光のパワーを変調して出力する。このとき、フィードフォワード制御部40によって、検知された温度に応じて、直流電源28の直流電流を制御し、半導体レーザ16から目標値のパワーのレーザ光を発するように制御する。また、フィードバック制御部42によって、DCフォトカレントの電流値に応じて、高周波電気信号に与えるバイアス源38のバイアスを制御して、光変調器18から出力されるレーザ光のパワーが所定値となるように制御する。このように、光送信装置10全体として、出力されるレーザ光のAPC機能を実現する。
【選択図】図2
Description
また、光送信装置210には、電流計234が計測した出力光センサからのDCフォトカレントの電流値に基づいて、バイアス源38が高周波電気信号に与えるバイアスを制御するフィードバック制御部242が設けられている。フィードバック制御部242には、電流値とバイアス値とを対応させたルックアップテーブルが記憶されており、フィードバック制御部242は、ルックアップテーブルに基づいて、電流計234が計測した電流値に対応するバイアス値のバイアスがバイアス源38によって高周波電気信号に与えられるように制御する。ルックアップテーブルには、温度変化による光変調器18の出力特性の変化に対応するように、計測されるDCフォトカレントの電流値に応じて、出力光センサ214によって出力されるDCフォトカレントの電流値が所定値になり、光変調器18によって出力されるレーザ光のパワーが所定値となるように、高周波電気信号に与えられるバイアスのバイアス値が定められている。すなわち、計測されるDCフォトカレントの電流値が大きくなると、光変調器18から出力されるレーザ光のパワーが上昇しており、DCフォトカレントの電流値が小さくなると、光変調器18から出力されるレーザ光のパワーが低下しているため、ルックアップテーブルには、計測される電流値が大きいほど、小さいバイアス値が対応して定められており、一方、計測される電流値が小さいほど、大きいバイアス値が対応して定められている。
12、212、312、412 集積化回路
14 モジュール本体
16 半導体レーザ
18 光変調器
20 光ファイバ
26 サーミスタ
28 直流電源
30 信号源
34、234、334 電流計
38 バイアス源
40、342 フィードフォワード制御部
42、242、340 フィードバック制御部
50 終端抵抗
214 出力光センサ
314 バックビーム光センサ
Claims (10)
- パワーが目標値になるように制御されたレーザ光を発する半導体レーザと、
前記半導体レーザから発せられたレーザ光を変調して出力する光変調器と、
レーザ光を変調させるための変調信号にバイアスを与え、前記変調信号を前記光変調器に出力する信号出力源と、
自装置内の温度を検知する温度センサと、
前記温度センサによって検知された温度に応じて、前記光変調器によって出力されるレーザ光のパワーが一定となるように、前記信号出力源から出力される前記変調信号の振幅又はバイアスを制御する信号制御手段と、
を含む光送信装置。 - パワーが目標値になるように制御されたレーザ光を発する半導体レーザと、
前記半導体レーザから発せられたレーザ光を変調して出力する光変調器と、
レーザ光を変調させるための変調信号にバイアスを与え、前記変調信号を前記光変調器に出力する信号出力源と、
前記光変調器から出力されるレーザ光を受光する出力光センサと、
前記出力光センサによって受光されたレーザ光に応じて、前記光変調器によって出力されるレーザ光のパワーが一定となるように、前記信号出力源から出力される前記変調信号の振幅値又はバイアス値を制御する信号制御手段と、
を含む光送信装置。 - パワーが目標値になるように制御されたレーザ光を発する半導体レーザと、
前記半導体レーザから発せられたレーザ光を変調して出力する電界吸収型の光変調器と、
レーザ光を変調させるための変調信号にバイアスを与え、前記変調信号を前記光変調器に出力する信号出力源と、
前記光変調器から出力される光電流に応じて、前記光変調器によって出力されるレーザ光のパワーが一定となるように、前記信号出力源から出力される前記変調信号の振幅値又はバイアス値を制御する信号制御手段と、
を含む光送信装置。 - 自装置内の温度を検知する温度センサと、
前記半導体レーザに駆動電流を供給する電源回路と、
前記温度センサによって検知された温度に応じて、前記半導体レーザによって発するレーザ光のパワーが前記目標値となるように、前記電源回路によって供給される駆動電流を制御する電源制御手段と、
を更に含む請求項2又は3記載の光送信装置。 - 前記半導体レーザから発せられたレーザ光を受光する半導体レーザ光センサと、
前記半導体レーザに駆動電流を供給する電源回路と、
前記半導体レーザ光センサによって受光されたレーザ光に応じて、前記半導体レーザによって発するレーザ光のパワーが前記目標値となるように、前記電源回路によって供給される駆動電流を制御する電源制御手段と、
を更に含む請求項1〜請求項3の何れか1項記載の光送信装置。 - 前記光変調器は、電界吸収型の光変調器であって、
前記半導体レーザに駆動電流を供給する電源回路と、
前記光変調器から出力される光電流に応じて、前記半導体レーザによって発するレーザ光のパワーが前記目標値となるように、前記電源回路によって供給される駆動電流を制御する電源制御手段と、
を更に含む請求項1又は2記載の光送信装置。 - 前記変調信号の反射を抑圧するために、前記光変調器と並列に接続された終端抵抗を更に含み、
前記終端抵抗は、前記半導体レーザ及び前記光変調器と同一の半導体基板上に設けられていないことを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか1項記載の光送信装置。 - 前記半導体レーザ及び前記光変調器を別々に形成し、前記形成された半導体レーザ及び光変調器の各々を、1つの半導体基板上に集積化した請求項1〜請求項7の何れか1項記載の光送信装置。
- 前記半導体レーザ及び前記光変調器を、1つの半導体基板上に形成して集積化した請求項1〜請求項7の何れか1項記載の光送信装置。
- 前記光変調器は、電界吸収型の光変調器、マッハツエンダ型の光変調器、及び方向性結合器型の光変調器の何れか一つである請求項1又は2記載の光送信装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012141335A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 非冷却光半導体装置 |
JP2016162962A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール及び光送受信モジュール |
EP2487763A4 (en) * | 2009-11-05 | 2018-02-07 | ZTE Corporation | Biasing circuit of electro-absorption modulated laser and debugging method thereof |
JP2019120724A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
CN117477329A (zh) * | 2023-12-20 | 2024-01-30 | 吉林省科英医疗激光有限责任公司 | 大功率半导体泵浦光纤激光器并联驱动电源及其控制方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188978A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Nec Corp | 光変調回路 |
JPH02271582A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
JPH0461390A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Corp | 光送信装置 |
JPH04192729A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | 光送信装置 |
JPH07307527A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Canon Inc | 光半導体装置、光通信用光源の駆動方法、それを用いた光通信方式、及び光通信システム |
JPH08316580A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び該光変調器を備えた光送信機 |
JPH10117170A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
JPH1168669A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送信装置 |
JPH11220213A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光源装置、および、その制御方法 |
JP2000196185A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 光送信機 |
JP2001189699A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
JP2001350128A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 光送信器 |
JP2004061556A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器を備えた半導体レーザモジュールの駆動回路および駆動方法 |
JP2006054272A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、レーザモジュール、及び光送受信器 |
JP2007019561A (ja) * | 2006-10-26 | 2007-01-25 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置及びその制御方法並びに光モジュール |
-
2006
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02188978A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Nec Corp | 光変調回路 |
JPH02271582A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
JPH0461390A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Corp | 光送信装置 |
JPH04192729A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Fujitsu Ltd | 光送信装置 |
JPH07307527A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Canon Inc | 光半導体装置、光通信用光源の駆動方法、それを用いた光通信方式、及び光通信システム |
JPH08316580A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び該光変調器を備えた光送信機 |
JPH10117170A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
JPH1168669A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送信装置 |
JPH11220213A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光源装置、および、その制御方法 |
JP2000196185A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 光送信機 |
JP2001189699A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
JP2001350128A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 光送信器 |
JP2004061556A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-26 | Fujitsu Ltd | 電界吸収型光変調器を備えた半導体レーザモジュールの駆動回路および駆動方法 |
JP2006054272A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Opnext Japan Inc | 半導体光素子、レーザモジュール、及び光送受信器 |
JP2007019561A (ja) * | 2006-10-26 | 2007-01-25 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置及びその制御方法並びに光モジュール |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2487763A4 (en) * | 2009-11-05 | 2018-02-07 | ZTE Corporation | Biasing circuit of electro-absorption modulated laser and debugging method thereof |
JP2012141335A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 非冷却光半導体装置 |
JP2016162962A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 日本オクラロ株式会社 | 光送信モジュール及び光送受信モジュール |
JP2019120724A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
JP7098930B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-07-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器及びそれを用いた光送信装置 |
CN117477329A (zh) * | 2023-12-20 | 2024-01-30 | 吉林省科英医疗激光有限责任公司 | 大功率半导体泵浦光纤激光器并联驱动电源及其控制方法 |
CN117477329B (zh) * | 2023-12-20 | 2024-03-19 | 吉林省科英医疗激光有限责任公司 | 大功率半导体泵浦光纤激光器并联驱动电源及其控制方法 |
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