JP2008070806A - 多面取り薄膜トランジスタアレイ基板および液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】マザー基板から複数の薄膜トランジスタアレイを作製する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、各薄膜トランジスタアレイを取り出すための切断をした後で行う切断端面の角の面取り工程において、面取り量の確認を容易にできるようにするとともに、OLBパッドを基板から剥がれにくくして、OLBパッドが剥がれる率を低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】マザー基板から複数の薄膜トランジスタアレイを作製する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、OLBパッドと切断境界線までの端面配線において、該配線の両側に枝配線である目盛兼OLB保護用枝配線を所定の間隔で配置し、薄膜トランジスタアレイをマザー基板から切断した後に行う面取りの際に、目盛兼OLB保護用枝配線が基板の端面からOLB用パッドまでの寸法を確認する際の目盛となり、かつ、OLBパッドが基板から剥がれにくくするという効果を奏するようにする。
【選択図】図1

Description

本発明は、1枚のマザー基板上に薄膜トランジスタアレイを複数配置した多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から各薄膜トランジスタアレイを切り出す際の工程における歩留まりの改善に寄与し得る配線構造に関する。
近年、液晶表示装置の主流はアクティブマトリックス型液晶表示装置である。一般的にこのアクティブマトリックス型液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイは1枚のマザー基板に複数作成された後に、マザー基板を切断して個々の薄膜トランジスタアレイとする。
該切断の直後の工程に、切断された端面の欠け等を防止するために切断単面の面取り工程が在る。この面取り工程において、薄膜トランジスタアレイ上の配線やパッドが剥がれてしまう場合がある。特に薄膜トランジスタアレイと外部回路等との接続部分となるOLB(Outer Lead Bonding)パッドが剥がれてしまうことは問題である。図に基づいて説明する。
図2は、1枚の従来のマザー基板から4枚の薄膜トランジスタアレイを作製する場合に、マザー基板を切断する切断線とOLBパッドの位置関係を示す説明用平面図である。図2において、201は多面取り薄膜トランジスタアレイ基板であり、110は縦方向の切断線であり、203は横方向の切断線であり、107は端面配線であり、211乃至214はマザー基板から切断される前の薄膜トランジスタアレイである。
図6は従来の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板上の一つの薄膜トランジスタアレイと切断線の位置関係を説明するための説明用部分平面図である。図6において、110は多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から薄膜トランジスタアレイを切り出すための切断線であり、111は該切断後に行う面取り工程の際に、面取り量の基準とする面取り基準線であり、BはOLBパッド104の端から面取り基準線111までの距離である。
薄膜トランジスタアレイ212をマザー基板201から取りだすためには、切断線110に基づいて多面取り薄膜トランジスタアレイ基板201を切断する。次に、該切断した切断端面において欠け等が発生することを防止するための該切断端面の面取りをするために切断端面の角を削る。この時、切断端面の角を削りすぎると、図6上の端面配線107がマザー基板から剥ぎ取られ、さらに端面配線107に連結しているOLBパッド104までが、剥ぎ取れてしまう。そのために、面取り量を注意深く、頻繁に、距離Bを確認しつつ面取り作業を行う必要があり、該作業には、相当の労力と注意を必要とした。
そのため、係る面取り量の確認をし易くすれば、製造効率を向上させることが可能となる。
また、配線を基板から剥がれにくすることも製造効率を向上させるのに効果的である。
特開2001−356357
そこで、本発明は、1枚のマザー基板から複数の薄膜トランジスタアレイを作製する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、各薄膜トランジスタアレイを取り出すために必要な切断をした後で行う切断端面の角の面取り工程において、面取り量の確認を容易かつ確実にできるようにするとともに、OLBパッドを基板から剥がれにくくして、面取り工程においてOLBパッドが剥がれる率を低減し、薄膜トランジスタアレイ製造工程の生産効率と歩留まりを向上させ得る配線構造を有する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、
請求項1に記載の発明は、多面取り薄膜トランジスタアレイ基板であって、
各薄膜トランジスタアレイは
絶縁基板上に縦横に列設された信号線および走査線と、
前記信号線および走査線の各交点付近に形成された表示素子と、
前記マザー基板から切断された後で外部との接続のために前記絶縁基板の周辺に形成された複数のアウターリードボンディング用パッド(以下「OLBパッド」ともいう)及び接続用配線と、を有し、
前記OLBパッドから出て、該薄膜トランジスタアレイを前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切り出すために前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を切断する位置を示す線(以下「切断線」ともいう)と交差する配線(以下「端面配線」ともいう)の両側に枝配線(以下「目盛兼OLB保護枝配線」ともいう)を所定の間隔で設け、
該薄膜トランジスタアレイを前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切断した後に切断した端面の面取りを行う際に、前記目盛兼OLB保護用枝配線が前記表示装置用基板の端面から前記OLB用パッドまでの寸法を確認する際の目盛となるとともに、前記OLBパッドが前記表示装置用基板から剥がれにくくなるように構成されていることを特徴とする。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、
前記薄膜トランジスタアレイはアクティブマトリックス型液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイであることを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、液晶表示装置であって、
請求項1または2に記載の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切り出された薄膜トランジスタアレイを有することを特徴とする。
本発明によれば、1枚のマザー基板に複数の薄膜トランジスタアレイを
作製し、各薄膜トランジスタアレイを取り出すために、切断した後に、切断端面の角の面取り工程をより少ない労力で行うことが可能になるとともに、OLBパッドが剥離してしまう割合を低減でき、薄膜トランジスタアレイの製造コストの低減と品質の向上を図ることができる。
以下、図を参照しつつ、発明を実施するための最良の形態につき説明する。
図1は本発明に係る特殊配線構造を有する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を説明するための多面取り薄膜トランジスタアレイ基板の部分平面図である。
図1において、121乃至128は目盛兼OLB保護用枝配線であり、107は端面配線であり、104はOLBパッドであり、102は走査線であり、105は信号線であり、
109は走査線102とOLBパッド104を接続さるためのスルーホールであり、110は切断線であり、111は面取り量の基準とする面取り基準線であり、112は画素が配置される所謂表示領域であり、106は検査用配線である。なお、図1では、薄膜トランジスタアレイの表示領域、走査線、信号線、の一部だけを図示している。また、走査線102を点線で描いている理由は、走査線102が存在する層は信号線105が存在する層とは異なり、信号線105が存在する層の下にあることを考慮したものである。目盛兼OLB保護用枝配線としては121乃至128のいずれも同じ目盛兼OLB保護用枝配線であるが、説明の都合上異なる番号を付している。
本発明に係る多面取り薄膜トランジスタアレイ基板においては、検査用配線106とOLBパッド104との間の配線であって、切断線110をまたがって設置されている端面配線107の両側に枝のように枝配線が、所定の間隔毎に目盛兼OLB保護用枝配線121乃至128として設けられている。この目盛兼OLB保護用枝配線が設置されることにより、切断線110に沿って、多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を切断した後で、切断端面の角の面取りをする工程において、目盛兼OLB保護用枝配線121乃至128が面取り量の確認をする際の目盛となる。該目盛兼OLB保護用枝配線を基準にできれば、物差し等は不必要であり、面取り量の確認が容易となる。その結果、作業の効率が上がる。さらに、目盛兼OLB保護用枝配線が設置されていることにより、OLBパッド104が剥がれにくくなる。図に基づいて説明する。
図3は本発明に係る多面取り薄膜トランジスタアレイ基板の配線構造を設置した場合の効果を説明するための部分平面図である。図3において、Aは隣接する目盛兼OLB保護用枝配線の間隔であり、Cは切断端面から面取り基準線までの距離であり、BはOLBパッド104から面取り基準線111までの距離である。
図4は図3の切断線110に基づいて切断した後の薄膜トランジスタアレイ基板の部分平面図である。
図5は図4のY−Y切断線断面図である。図5において、501は面取りをした場合に削りとられる部分を示す線(以下「面取り線」ともいう)である。面取り線501まで面取りを行うと、図5から理解できるように面取り線501までの端面配線107、目盛兼OLB保護用枝配線126、目盛兼OLB保護用枝配線127は削り取られてしまう。この場合、もし、目盛兼OLB保護用枝配線が設置されていないと、端面配線107に加えられた力がそのまま、OLBパッドにかかり、OLBパッドが剥離しやすい。一方、目盛兼OLB保護用枝配線が設置されていると、目盛兼OLB保護用枝配線126、目盛兼OLB保護用枝配線127は削り取られてしまうが、目盛兼OLB保護用枝配線128は、該枝配線の面積に対応した力で基板に固着しているので、基板から剥がれず、端面配線107に加えられた力は目盛兼OLB保護用枝配線128で食い止められ、OLBパッドが基板から剥離することを防止できる。
また、OLBパッドが剥離することを防ぐため等の目的により、面取り量を確認しながら作業をする必要があるが、目盛兼OLB保護用枝配線が設置されていると、別途、物差し等を使用することなく、目盛兼OLB保護用枝配線を目安に、作業をすることができる。図3に基づいて説明する。面取りは面取り基準線111付近まで行う場合、もし目盛兼OLB保護用枝配線が設置されていないとOLBパッドからの距離を常に確認し、その距離がB以上であることを常に確認する必要がある。しかし、多面取り薄膜トランジスタアレイ基板上のこれらの配線や、OLBパッドは微細なものであり、その確認は困難である。一方、目盛兼OLB保護用枝配線を設置し、隣接する目盛兼OLB保護用枝配線の間隔Aを所定の値とすること等により、
目盛兼OLB保護用枝配線を設置してある場合には、OLBパッドから何個目の目盛兼OLB保護用枝配線を残しておけばよいかを基準として、面取り作業をすることができる。図4の場合には、目盛兼OLB保護用枝配線127まで、削ることができ、目盛兼OLB保護用枝配線128を残しておけば良い。この作業方法によれば、別の物差し等は不必要で、作業も簡単で確実である。
なお、本発明に係る多面取り薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法は、公知のフォトリソ工程であるので説明は省略する。
また、以上の説明は走査線に連結するOLBパッド104につながる端面配線の目盛兼OLB保護用枝配線に対して行っているが、信号線に連結する図1に示されるOLBパッド134につながる端面配線137の場合も同様であり、図1に示されるように、端面配線137に対して目盛兼OLB保護用枝配線141等を設置すればよい。また、信号線や走査線でなくても、本実施例と同様な配線構造となる場合の端面配線にも適用できる。
本発明に係る特殊配線構造を有する多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を説明するための多面取り薄膜トランジスタアレイ基板の部分平面図である。 従来の1枚のマザー基板から4枚の薄膜トランジスタアレイを作製する場合に、切断する切断線とOLBパッドの位置関係を示す説明図である。 本発明に係る多面取り薄膜トランジスタアレイ基板の配線構造を設置した場合の効果を説明するための部分平面図である。 図3の切断線110に基づいて切断した後の薄膜トランジスタアレイ基板の部分平面図である。 図4のY−Y切断線断面図である。 従来の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板上の一つの薄膜トランジスタアレイと切断線の位置関係を説明するための説明用部分平面図である。
符号の説明
102 走査線
104 OLBパッド
105 信号線
106 検査用配線
107 端面配線
109 走査線102とOLBパッド104を接続さるためのスルーホール
110 切断線
111 面取り基準線
121 目盛兼OLB保護用枝配線
122 目盛兼OLB保護用枝配線
123 目盛兼OLB保護用枝配線
124 目盛兼OLB保護用枝配線
125 目盛兼OLB保護用枝配線
126 目盛兼OLB保護用枝配線
127 目盛兼OLB保護用枝配線
128 目盛兼OLB保護用枝配線
134 OLBパッド
137 端面配線
141 目盛兼OLB保護用枝配線

Claims (3)

  1. 1枚のマザー基板上に薄膜トランジスタアレイを複数配置した多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、
    各薄膜トランジスタアレイは
    絶縁基板上に縦横に列設された信号線および走査線と、
    前記信号線および走査線の各交点付近に形成された表示素子と、
    前記マザー基板から切断された後で外部との接続のために前記絶縁基板の周辺に形成された複数のアウターリードボンディング用パッド(以下「OLBパッド」ともいう)及び接続用配線と、を有し、
    前記OLBパッドから出て、該薄膜トランジスタアレイを前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切り出すために前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板を切断する位置を示す線(以下「切断線」ともいう)と交差する配線(以下「端面配線」ともいう)の両側に枝配線(以下「目盛兼OLB保護用枝配線」ともいう)を所定の間隔で設け、
    該薄膜トランジスタアレイを前記多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切断した後に切断した端面の面取りを行う際に、前記目盛兼OLB保護用枝配線が前記表示装置用基板の端面から前記OLB用パッドまでの寸法を確認する際の目盛となるとともに、前記OLBパッドが前記表示装置用基板から剥がれにくくなるように構成されていることを特徴とする多面取り薄膜トランジスタアレイ基板。
  2. 請求項1に記載の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板において、前記薄膜トランジスタアレイはアクティブマトリックス型液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイであることを特徴とする多面取り薄膜トランジスタアレイ基板。
  3. 請求項1または2に記載の多面取り薄膜トランジスタアレイ基板から切り出された薄膜トランジスタアレイを有する液晶表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013011911A1 (ja) * 2011-07-19 2015-02-23 シャープ株式会社 素子基板の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8889549B2 (en) 2013-02-14 2014-11-18 Globalfoundries Inc. Methods of forming conductive structures using a sacrificial liner layer
CN105739200A (zh) * 2016-04-20 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 在olb区绑定引脚的方法
CN109585422B (zh) 2017-09-29 2021-06-11 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法
CN109188743A (zh) 2018-11-14 2019-01-11 惠科股份有限公司 显示面板的制作方法及显示装置
KR20210018724A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0360437A (ja) * 1989-07-26 1991-03-15 Hitachi Ltd 切断マーク
JPH07140450A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Toshiba Corp ガラス基板
JPH08338972A (ja) * 1995-04-14 1996-12-24 Sharp Corp 表示装置
JP2001166324A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Advanced Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
JP2004252276A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Advanced Display Inc マトリクスアレイ基板及び表示装置
JP2005242125A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Optrex Corp 電気光学表示パネル製造用の多面取り基板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5781262A (en) * 1994-04-19 1998-07-14 Nec Corporation Liquid crystal display cell
JP3208658B2 (ja) * 1997-03-27 2001-09-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 電気光学素子の製法
JP2001356357A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
KR100366769B1 (ko) * 2001-03-28 2003-01-06 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치
KR100904270B1 (ko) * 2002-12-31 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0360437A (ja) * 1989-07-26 1991-03-15 Hitachi Ltd 切断マーク
JPH07140450A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Toshiba Corp ガラス基板
JPH08338972A (ja) * 1995-04-14 1996-12-24 Sharp Corp 表示装置
JP2001166324A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Advanced Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
JP2004252276A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Advanced Display Inc マトリクスアレイ基板及び表示装置
JP2005242125A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Optrex Corp 電気光学表示パネル製造用の多面取り基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013011911A1 (ja) * 2011-07-19 2015-02-23 シャープ株式会社 素子基板の製造方法
US9276019B2 (en) 2011-07-19 2016-03-01 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing element substrate

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