JP2008064707A - 磁気検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 磁気抵抗効果を利用した可変抵抗素子と参照抵抗素子との中間から出力を得る磁気検出装置において、抵抗値のバランスを、簡単で且つ広い範囲で調整できるようにする。
【解決手段】 直列に接続された抵抗調整部３と参照抵抗素子４と可変抵抗素子５および、可変抵抗素子６と参照抵抗素子と抵抗調整部とに電圧が印加される。所定の大きさの磁界が与えられると、可変抵抗素子５，６の抵抗値が変化し、検出出力１４，１５の電位が変化する。抵抗調整部３，８には、複数の抵抗素子が並列に接続された並列部が設けられ、この並列部が直列に接続されている。並列に接続されている一方の抵抗素子を非導通にすることにより、抵抗調整部の抵抗値を変えることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、抵抗値の変化を検出して外部磁界を検出する磁気検出装置に係り、特に抵抗値を修正して高精度な磁気検出を可能とした磁気検出装置を提供することを目的としている。

外部環境によって抵抗値が変化する可変抵抗素子を使用して、前記外部環境の変化を検出する場合に、通常は、前記可変抵抗素子と、抵抗値が変化しない参照抵抗素子とが直列に接続されて、直列の前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子に直流電圧が印加される。そして、前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との中間の電位を検出することで、使用環境温度の影響を大きく受けることなく、可変抵抗素子の抵抗値の変化を精度よく検出することができる。

この種の磁気検出装置では、参照抵抗素子の抵抗値を調整して、可変抵抗素子と参照抵抗素子との中間の電位を調整することが必要であり、好ましくは、前記中間の電位が電源電圧の１／２の値に設定される。

以下の特許文献１および特許文献２に記載されているように、従来の抵抗値の調整方法は、基板に抵抗素子を形成した後に、抵抗素子の一部をトリミングにより除去して行っている。
特開２００１−３５７０２号公報 特開２００１−４４００１号公報

特許文献１および特許文献２に記載の抵抗値の調整方法は、正方形の枠形状に形成された抵抗膜を部分的に除去するものである。しかし、正方形の各辺に位置する抵抗膜は、全て抵抗値が同じであるため、いずれかの抵抗膜をトリミングしたときに、全体の抵抗値の変化量が少なく、抵抗値の調整幅を広く確保するのが困難である。

また、抵抗値の調整幅を広く確保しようとすると、特許文献２に記載のように、抵抗膜で形成された正方形の枠形状を多数設けることが必要となり、また抵抗膜をトリミングするときに、どの位置を除去するかを複雑な公式から求めることが必要になる。そのため、抵抗値を調整するための抵抗膜の構造が複雑になり、また調整作業も複雑になる。

本発明は上記従来の課題を解決するものであり、抵抗値の調整幅を広く確保でき、また調整作業が容易な磁気検出装置を提供することを目的としている。

本発明は、外部磁界で電気抵抗が変化する可変抵抗素子と、外部磁界で電気抵抗が変化しない参照抵抗素子とが直列に接続され、直列の前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子に直流電圧が印加されるとともに、前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との中間の電位が検出される磁気検出装置において、
前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との少なくとも一方に、抵抗調整部が直列に接続されており、前記抵抗調整部には、複数の抵抗素子が並列に接続された並列部が設けられ、複数の前記並列部が直列に接続されて、それぞれの並列部の合成抵抗値が互いに相違しており、
いずれかの抵抗素子が非導通状態とされることにより、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されていることを特徴とするものである。

本発明の磁気検出装置は、複数の並列部が直列に接続され、それぞれの並列部の合成抵抗値が互いに相違している。そのため、いずれかの並列部の抵抗素子を選択して非導通状態とすることにより、抵抗調整部の合成抵抗値の合計値を広い調整幅で変化させることができる。

なお、以下の実施の形態では、ひとつの並列部で、２つの抵抗素子が並列に接続されているが、それぞれの並列部において、３つ以上の抵抗素子が並列に接続されていてもよい。この場合に、同じ並列部内では、ひとつの抵抗素子を残して他の全ての抵抗素子を非導通状態とする調整が可能になる。

例えば、本発明は、前記抵抗調整部には、互いに平行に延びる複数の抵抗層が設けられ、前記抵抗層の間が複数箇所において導電層で接続され、導電層と導電層とで挟まれた部分の前記抵抗層で前記並列部を構成する前記抵抗素子が形成されており、
前記導電層と導電層の間隔が相違することで、それぞれの並列部の合成抵抗値が相違し、
前記導電層と導電層との間に位置する部分で前記抵抗素子が分断されることで、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されているものとすることが好ましい。

上記構成では、互いに平行に延びる抵抗層を形成し、複数の導電層によって、抵抗層どうしを複数箇所で導通させることで、抵抗調整部を簡単に形成することができる。また導電層の間隔を変えることで、それぞれの並列部の合成抵抗値を個別に設定することが可能である。

例えば、本発明は、前記可変抵抗素子は磁気抵抗効果素子であり、前記抵抗調整部を構成する前記抵抗層は、前記磁気抵抗効果素子と同じ膜材料で形成され、外部磁界で抵抗値が変化しないように膜の積層順位が決められているものが好ましい。

抵抗調整部を、可変抵抗素子と同じ材料で形成することにより、抵抗調整部のそれぞれの抵抗素子と可変抵抗部とで、温度変化による特性の変動を同じにできる。

例えば、本発明は、それぞれの並列部では、複数の抵抗素子の抵抗値が同じであり、前記並列部の合成抵抗値は、抵抗調整部の直列方向に向けて、段階的に増加するように構成されている。このように構成することにより、抵抗調整部の抵抗値を調整するときに、どの程度の調整を行ったかを正確に認識することができる。

この場合に、本発明は、直列方向に向けて隣接する並列部の一方の合成抵抗値が他方の合成抵抗値の２倍であることが好ましい。隣り合う並列部間で、合成抵抗値が２倍となるように設定すると、いずれかの抵抗素子を非導通状態としたときに、抵抗調整部で調整された抵抗値の調整幅を広くでき、また調整により変化した抵抗値を正確に認識できるようになる。

本発明では、抵抗値の調整が容易であり、また抵抗値の調整幅を広く確保できる。よって、可変抵抗素子と、これに直列に接続されている参照抵抗素子との抵抗値のバランスを良好に設定できる。

図１は本発明の実施の形態の磁気検出装置の平面図、図２（Ａ）は可変抵抗素子の断面図、図２（Ｂ）は参照抵抗素子の断面図である。図３は、図１に示す磁気検出装置の回路図、図４は抵抗調整部の詳細を示す回路図である。

磁気検出装置１は、基板２の表面に薄膜プロセスで形成されている。図３の回路図に示すように、この磁気検出装置１は、第１の抵抗調整部３、第１の参照抵抗素子４、第１の可変抵抗素子５、第２の可変抵抗素子６、第２の参照抵抗素子７および第２の抵抗調整部８を有している。

図１に示すように、基板２の表面には電源端子１１が設けられている。この電源端子１１は、リード層１２ａを介して第１の抵抗調整部３の一端に接続されている。また電源端子１１は、リード層１２ｂを介して第２の可変抵抗素子６の一端に接続されている。

第１の抵抗調整部３と第１の参照抵抗素子４および第１の可変抵抗素子５は直列に接続されて、第１の可変抵抗素子５の他端部が接地端子１３に接続されている。第２の可変抵抗素子６と第２の参照抵抗素子７および第２の抵抗調整部８は直列に接続されており、第２の抵抗調整部８の他端部が前記接地端子１３に接続されている。また、第１の参照抵抗素子４と第１の可変抵抗素子５との接続中点が、第１の出力端子１４に接続されており、第２の可変抵抗素子６と第２の参照抵抗素子７との接続中点が、第２の出力端子１５に接続されている。

図２（Ａ）は、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６をＸ方向に延びる面で切断した断面図である。第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、同じ積層構造である。

第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子である。この磁気抵抗効果素子は、基板２の上に、反強磁性層２１、固定磁性層２２、非磁性導電層２３、および自由磁性層２４の順に積層されて成膜されており、自由磁性層２４の表面が保護層２５で覆われている。

反強磁性層２１は、Ｉｒ−Ｍｎ合金（イリジウム−マンガン合金）などの反強磁性材料で形成されている。固定磁性層２２はＣｏ−Ｆｅ合金（コバルト−鉄合金）などの軟磁性材料で形成されている。非磁性導電層２３はＣｕ（銅）などである。自由磁性層２４は、Ｎｉ−Ｆｅ合金（ニッケル−鉄合金）などの軟磁性材料で形成されている。保護層２５はＴａ（タンタル）の層である。

第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６では、反強磁性層２１と固定磁性層２２との反強磁性結合により、固定磁性層２２の磁化の方向が固定されている。この実施の形態では、固定磁性層２２の磁化の方向がＸ２方向に向けられて固定されている。また、非磁性導電層２３を挟んで、固定磁性層２２と自由磁性層２４とが磁気的に結合され、外部磁界が作用していないときに、自由磁性層２４の磁化の方向がＸ２方向へ向けられて安定している。

図１に示すように、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、細長であり、アスペクト比は、幅寸法の１に対して、長さ寸法が５０〜１２０程度である。第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、平面パターンがミアンダ形状であり、そのほとんどの部分が、固定磁性層２２の磁化の固定方向と直交する方向であるＹ方向に延びている。第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、主にＹ方向へ延びる縦長形状であるため、その基本となる抵抗値が高く設定されている。

第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６は、外部磁界が作用していないときに。固定磁性層２２の磁化の固定方向と自由磁性層２４の磁化の方向が共にＸ２方向であるため、電気抵抗値が最小値となる。磁石などがＸ１方向へ向けて接近し、磁気検出装置１にＸ１方向に向く磁場が与えられ、この磁場の力がある程度大きくなると、自由磁性層２４の磁化の方向がＸ１方向へ向けられる。このとき、固定磁性層２２の磁化の固定方向がＸ２であるため、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の電気抵抗値が最大になる。

図２（Ｂ）は、第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７をＸ方向に延びる面で切断した断面図である。第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７は、互いに同じ積層構造である。第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７は、第１の可変抵抗素子５および第２の可変抵抗素子６と同様に多層構造である。第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７の各層を構成する材質および各層の厚み寸法は、第１の可変抵抗素子５および第２の可変抵抗素子６と同じである。ただし、第１の参照抵抗素子５および第２の参照抵抗素子７と、第１の可変抵抗素子５および第２の可変抵抗素子６とでは、非磁性導電層２３と自由磁性層２４の積層の順番が逆であり、参照抵抗素子４，７の層構造は、基板２側から順に、反強磁性層２１、固定磁性層２２、自由磁性層２４、非磁性導電層２３、そして保護層２５の順となっている。

参照抵抗素子４，７と、可変抵抗素子５，６は、同じ基板２上に成膜されるため、図２（Ｂ）に示す参照抵抗素子４，７内の固定磁性層２２は、図２（Ａ）に示す可変抵抗素子５，６と同様に、磁化方向がＸ２方向へ固定されている。しかし、参照抵抗素子４，７では、固定磁性層２２の上に自由磁性層２４が直接に重ねられているため、外部磁界が作用しても全体の抵抗値が変化しない。

しかも、参照抵抗素子４，７と可変抵抗素子５，６とでは、層の構造および膜厚が同じであるため、環境温度の変化などに伴なう特性の変化を同じにできる。

第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８は、その構造と平面パターン形状が互いに同じである。第１の抵抗調整部３は、第１の参照抵抗素子４の先端４ａと、前記リード層１２ａの基端１２ａ１との間に設けられており、第２の抵抗調整部８は、第２の参照抵抗素子７の先端７ａと、前記接地端子１３の基端１３ａとの間に設けられている。

第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８は、同じ構造であるため、以下では第１の抵抗調整部３のみを説明し、第２の抵抗調整部８は、第１の抵抗調整部３と同じ符号を付してその説明を省略する。

第１の抵抗調整部３には、互いに平行に延びる第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２とが設けられている。第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２の、幅寸法と厚み寸法および全長寸法は互いに同じである。第１の抵抗調整部３は、図２（Ｂ）に示した第１の参照抵抗素子４および第２の参照抵抗素子７と同じ積層構造であり、各層の膜厚も第１の参照抵抗素子４および第２の参照抵抗素子７と同じである。

図１に示すように、第１の抵抗調整部３には、第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２との間を導通させる導電層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇが設けられている。導電層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇは、銅、銀、金、あるいは銀や金の導電フィラーを含んだ導電性インクなどで形成されており、導電層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇの比抵抗は、第１の抵抗層３１および第２の抵抗層３２の平均した比抵抗よりも十分に低い。なお、電源端子１１とリード層１２ａ，１２ｂ、接地端子１３、第１の出力端子１４および第２の出力端子１５も、十分に比抵抗が低い導電性材料で形成されており、前記導電層３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇが、各端子１１，１３，１４，１５およびリード層１２ａ，１２ｂと同じ導電性材料で形成されていてもよい。

図３に示すように、導電層３３ａと導電層３３ｂとの間では、第１の抵抗層３１の一部で抵抗素子Ｒ１が形成され、第２の抵抗層３２の一部で抵抗素子Ｒ１が形成されている。すなわち、導電層３３ａと導電層３３ｂとの間には、抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ１が並列に接続された並列部が構成されている。また、導電層３３ｂと導電層３３ｃとの間では、第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２のそれぞれにより抵抗素子Ｒ２，Ｒ２が形成され、互いに並列な抵抗素子Ｒ２とＲ２とで並列部が構成されている。

同様にして、導電層３３ｃと導電層３３ｄとの間に、抵抗素子Ｒ３と抵抗素子Ｒ３が並列に接続された並列部が形成され、導電層３３ｄと導電層３３ｅとの間には、抵抗素子Ｒ４と抵抗素子Ｒ４が平行に接続された並列部が形成されている。また、導電層３３ｅと導電層３３ｆとの間には、抵抗素子Ｒ５と抵抗素子Ｒ５とが並列に接続された並列部が形成され、導電層３３ｆと導電層３３ｇとの間には、抵抗素子Ｒ６と抵抗素子Ｒ６とが並列に接続された並列部が形成されている。そして、第１の抵抗調整部３では、抵抗素子Ｒ１，Ｒ１の並列部から、抵抗素子Ｒ６，Ｒ６の並列部までの、それぞれの並列部が直列に接続されている。

各抵抗素子Ｒ１ないしＲ６は、同じ幅寸法で同じ膜厚で形成された第１の抵抗層３１の一部と第２の抵抗層３２の一部とで形成されている。よって、同じ並列部を構成している抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ１の抵抗値は同じであり、同じ並列部を構成している抵抗素子Ｒ２とＲ２が同じ抵抗値、抵抗素子Ｒ３とＲ３が同じ抵抗値、抵抗素子Ｒ４とＲ４が同じ抵抗値、抵抗素子Ｒ５と抵抗素子Ｒ５が同じ抵抗値、そして抵抗素子Ｒ６とＲ６が同じ抵抗値である。

また、第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２との間を導通させている前記導電層は、その間隔が相違しており、導電層３３ａと導電層３３ｂとの間隔よりも、導電層３３ｂと導電層３３ｃとの間隔の方が２倍広い。また導電層３３ｂと導電層３３ｃとの間隔よりも、導電層３３ｃと導電層３３ｄとの間隔の方が２倍広い。同様に、導電層３３ｄと導電層３３ｅと間隔よりも、導電層３３ｅと導電層３３ｆとの間隔の方が２倍広い。

その結果、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が抵抗素子Ｒ１の抵抗値の２倍である。また、抵抗素子Ｒ３の抵抗値が抵抗素子Ｒ２の抵抗値の２倍、抵抗素子Ｒ４の抵抗値が抵抗素子Ｒ３の抵抗値の２倍、抵抗素子Ｒ５の抵抗値が抵抗素子Ｒ４の抵抗値の２倍で、抵抗素子Ｒ６が抵抗素子Ｒ５の２倍である。

図４は、第１の抵抗調整部３の回路構成を示している。この実施の形態では、抵抗素子Ｒ１の抵抗値が１０Ω、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が２０Ω、抵抗素子Ｒ３の抵抗値が４０Ω、抵抗素子Ｒ４の抵抗値が８０Ω、抵抗素子Ｒ５の抵抗値が１６０Ω、抵抗素子Ｒ６の抵抗値が３２０Ωである。よって、抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ１の並列部の合成抵抗は５Ω、抵抗素子Ｒ２と抵抗素子Ｒ２の並列部の合成抵抗は１０Ω、抵抗素子Ｒ３と抵抗素子Ｒ３の並列部の合成抵抗は２０Ω、抵抗素子Ｒ４と抵抗素子Ｒ４の並列部の合成抵抗は４０Ω、抵抗素子Ｒ５と抵抗素子Ｒ５の並列部の合成抵抗は８０Ω、そして抵抗素子Ｒ６と抵抗素子Ｒ６の並列部の合成抵抗は１６０Ωである。各並列部の合成抵抗も、直列方向に向かって、順に２倍となっている。

図３に示すように、第２の抵抗調整部８も、各抵抗素子Ｒ１ないしＲ６の構成が、第１の抵抗調整部３と同じである。

この磁気検出装置１は、電源端子１１に電源からプラスの電位が与えられ、接地端子１３が接地される。磁場が接近していないときには、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の抵抗値が共に最低である。このときに、出力端子１４から得られる中間の電位は最小値となり、出力端子１５から得られる中間の電位が最大値となる。

磁気検出装置１に磁石が接近して、Ｘ１方向への磁場が大きくなると、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の自由磁性層２４の磁場の方向がＸ１方向となり、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の抵抗値が最大になる。その結果、出力端子１４の中間電位が最大となり、出力端子１５の中間電位が最大になる。例えば、差動増幅器を用いて出力端子１５の電位と、出力端子１４の電位との差をとることにより、大きな変動幅の検出出力を得ることができる。前記差動増幅器からの出力が所定のしきい値を超えたときに、磁石が接近したことを検出できる。

前記出力端子１４から出力される電位の変化と、前記出力端子１５から出力される電位の変化を、しきい値との関係で、所定の規格内に収めるためには、第１の可変抵抗素子５の抵抗値と、これに直列に接続されている固定抵抗の抵抗値とのバランスを適正に調整することが必要である。例えば、外部磁界が作用していないときに、出力端子１４の電位を電源電圧の１／２とし、出力端子１５の電位を電源電圧の１／２にすると、外部磁界が作用していないときに、差動増幅器からの出力をゼロにすることができる。

この磁気検出装置１では、第１の抵抗調整部３の抵抗値を調整することで、出力端子１４の出力電位を調整でき、第２の抵抗調整部８の抵抗値を調整することで、出力端子１５の出力電位を調整できるようにしている。

第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の磁場が与えられていないときの抵抗値が１ｋΩ〜３ｋΩ程度であり、その抵抗値のばらつきは±１０＆程度である。この実施の形態では、第１の可変抵抗素子５と第２の可変抵抗素子６の磁場が与えられていないときの抵抗値の設計値が２ｋΩであり、その抵抗値のばらつきは±２００Ω程度である。そして、第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７の抵抗値が、それぞれ１．５ｋΩ程度に設定されている。

第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８は、図１に示すように成膜したままの状態であるときに、それぞれの合成抵抗値の合計値が３１５Ωであり、また、第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８は、それぞれ調整の最大幅が３１５Ωである。よって、第１の参照抵抗素子４と第１の抵抗調整部３との合成抵抗値の設計値は、１８１５〜２１３０Ωであり、同様に第２の参照抵抗素子７と第２の抵抗調整部８の合成抵抗値の設計値も、１８１５〜２１３０Ωである。しかも、第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８は、それぞれ抵抗値を５Ω単位の幅で変化させることができる。

このように、第１の参照抵抗素子４と第２の参照抵抗素子７の抵抗値の調整幅を広く確保でき、しかも抵抗値を５Ω単位で調整することにより、磁場が作用していないときの、出力端子１４および１５からの出力電圧を、電源電圧の１／２などに調整しやすくなる。

図５は、第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８のそれぞれの抵抗値の調整量を表で示している。

図５の最も左の欄は、第１の抵抗調整部３と第２の抵抗調整部８の抵抗値の調整量である。例えば表の最上部は、調整量が５Ωであり抵抗値が５Ω増加することを意味している。また、表の最下部は、調整量が３１５Ωであり、抵抗値が３１５Ω増加することを意味している。また表中の「○」は、並列部を構成する抵抗素子を非導通状態とすることを意味している。すなわち、表の最上段は、並列部を構成している抵抗素子Ｒ１の一方のみを非導通状態とすることを意味しており、表の最下段は、並列部を構成している一方の抵抗素子である抵抗素子Ｒ１とＲ２とＲ３とＲ４とＲ５およびＲ６を非導通状態とすることを意味している。

図５に示すように、例えば並列部を構成する一方の抵抗素子Ｒ１のみを非導通状態にすると、第１の抵抗調整部３または第２の抵抗調整部８の抵抗値を５Ω大きくできる。また抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３をそれぞれ非導通状態とすること、抵抗値を３５Ω大きくすることができる。最下段のように、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６を非導通状態とすると、抵抗値を３１５Ω大きくすることができる。

このように、それぞれの並列部内の一方の抵抗素子のみを非導通状態とし、非導通状態とする抵抗素子を組み合わせることにより、５Ω単位で抵抗値を変えることが可能となる。

例えば、抵抗素子Ｒ１の一方を非導通状態とするには、導電層３３ａと導電層３３ａとの間で、第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２のいずれか一方を切断すればよい。これは他の抵抗素子Ｒ２ないしＲ６の場合も同じである。

第１の抵抗層３１と第２の抵抗層３２のいずれか一方を切断する方法は、レーザによる切断、ミリングによる切断、フォトリソ法による切断などがある。一般に図１に示す磁気検出装置１は、共通の基板上に複数組が薄膜で形成されて、形成後に個々のものに切断される。したがって、同じ基板上の同じ領域に形成されている磁気検出装置は、その特性が非常に近似している。したがって、同じ基板に形成されているいずれかの磁気検出装置１をモニターして、どの抵抗素子を切断すべきかを決定した後、前記のいずれかの方法により、複数の磁気検出装置１に対して、同じ工程で抵抗値の調整作業を施すことができる。

あるいは、例えば、抵抗素子Ｒ１の一方を非導通状態にする方法として、第１の抵抗層３１または第２の抵抗層３２の一方の表面において、導電層３３ａと導電層３３ｂを連続させて形成してもよい。

また、第１の抵抗調整部３を、図３に示す位置に設けずに、接地端子１３と出力端子１４との間に配置してもよい。または、第１の抵抗調整部３を、図３に示す位置および、接地端子１３と出力端子１４との間の双方に設けてもよい。同様に、第２の抵抗調整部８を、図３に示す位置に設けずに、電源端子１１と出力端子１５との間に配置してもよい。または、第２の抵抗調整部８を、図３に示す位置および、電源端子１１と出力端子１５との間の双方に配置してもよい。

本発明の実施の形態の磁気検出装置を示す平面図、 （Ａ）は可変抵抗素子の断面図、（Ｂ）は参照抵抗素子の断面図、 磁気検出装置の回路図、 抵抗調整部を示す回路図、 抵抗調整部の調整段階と調整幅を示す説明図、

符号の説明

１ 磁気検出装置
２ 基板
３ 第１の抵抗調整部
４ 第１の参照抵抗素子
５ 第１の可変抵抗素子
６ 第２の可変抵抗素子
７ 第２の参照抵抗素子
８ 第２の抵抗調整部
１１ 電源端子
１２ａ，１２ｂ リード層
１３ 接地端子
１４ 第１の出力端子
１５ 第２の出力端子
２１ 半強磁性層
２２ 固定磁性層
２３ 非磁性導電層
２４ 自由磁性層
２５ 保護層
３１ 第１の抵抗層
３２ 第２の抵抗層
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ 導電層
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６ 抵抗素子

Claims (5)

1. 外部磁界で電気抵抗が変化する可変抵抗素子と、外部磁界で電気抵抗が変化しない参照抵抗素子とが直列に接続され、直列の前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子に直流電圧が印加されるとともに、前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との中間の電位が検出される磁気検出装置において、
   前記可変抵抗素子と前記参照抵抗素子との少なくとも一方に、抵抗調整部が直列に接続されており、前記抵抗調整部には、複数の抵抗素子が並列に接続された並列部が設けられ、複数の前記並列部が直列に接続されて、それぞれの並列部の合成抵抗値が互いに相違しており、
   いずれかの抵抗素子が非導通状態とされることにより、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されていることを特徴とする磁気検出装置。
2. 前記抵抗調整部には、互いに平行に延びる複数の抵抗層が設けられ、前記抵抗層の間が複数箇所において導電層で接続され、導電層と導電層とで挟まれた部分の前記抵抗層で前記並列部を構成する前記抵抗素子が形成されており、
   前記導電層と導電層の間隔が相違することで、それぞれの並列部の合成抵抗値が相違し、
   前記導電層と導電層との間に位置する部分で前記抵抗素子が分断されることで、前記抵抗調整部の合成抵抗値の合計値が調整されている請求項１記載の磁気検出装置。
3. 前記可変抵抗素子は磁気抵抗効果素子であり、前記抵抗調整部を構成する前記抵抗層は、前記磁気抵抗効果素子と同じ膜材料で形成され、外部磁界で抵抗値が変化しないように膜の積層順位が決められている請求項２記載の磁気検出装置。
4. それぞれの並列部では、複数の抵抗素子の抵抗値が同じであり、前記並列部の合成抵抗値は、抵抗調整部の直列方向に向けて、段階的に増加するように構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気検出装置。
5. 直列方向に向けて隣接する並列部の一方の合成抵抗値が他方の合成抵抗値の２倍である請求項４記載の磁気検出装置。

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