JP2006208278A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電流センサ1Aは、第1の階層L1においてX軸方向へ延在する巻線体部分31A,31Bを含む薄膜コイル31と、第2の階層L2において、巻線体部分31A,31Bと対応した領域に配設され、巻線体部分31A,31Bに流れる10mAから50mAの検出対象電流Imにより生じる電流磁界Hm1に応じて抵抗値が変化する素子パターン21A,21Bを含む第1の磁気抵抗効果素子21とを備える。巻線体部分31A,31Bと素子パターン21A,21Bとの距離D1は0.4μm以上1.0μm以下であり、巻線体部分31A,31Bにおける各断面積S1は0.4μm2以上3.0μm2以下である。よって、薄膜コイル31による発熱の影響を受けることなく、かつ、効率的に電流磁界Hm1を検出することができる。
【選択図】 図1
Description
0.4μm≦D1≦1.0μm ……(1)
0.4μm2≦S1≦3.0μm2 ……(2)
0.2μm≦D1≦0.4μm ……(3)
0.4μm2≦S1≦2.5μm2 ……(4)
0.4μm≦D2≦1.0μm ……(5)
0.4μm2≦S2≦3.0μm2 ……(6)
0.2μm≦D2≦0.4μm ……(7)
0.4μm2≦S2≦2.5μm2 ……(8)
ここでは特に、第2の導体が、第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して第1の方向へ延在する第2の延在部分としての巻線体部分を複数含んで第3の階層内において巻回するように構成され、かつ、第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して第2の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第2の薄膜コイルであることが望ましい。
0.4μm≦D3≦1.0μm ……(11)
0.4μm2≦S3≦3.0μm2 ……(12)
0.2μm≦D3≦0.4μm ……(9)
0.4μm2≦S3≦2.5μm2 ……(10)
ここで、さらに、第1の階層を基準として第2の階層と反対側に位置する第3の階層において、第1の磁気抵抗効果素子と対応して第1の方向に延在する第2の延在部分を有すると共に検出対象電流が供給されることにより第1の磁気抵抗効果素子に対して第1の電流磁界と同じ向きの第2の電流磁界を付与するように構成された第2の導体と、第3の階層における第2の導体が形成された領域以外の領域において、第2の磁気抵抗効果素子と対応して第1の方向へ延在する第4の延在部分を有すると共に検出対象電流が供給されることにより第2の磁気抵抗効果素子に対して第3の電流磁界と同じ向きの第4の電流磁界を付与するように構成された第4の導体とをさらに備えるようにすることもできる。その場合、第1の電流センサでは以下の条件式(17)から(20)を満足するようにし、第2の電流センサでは、以下の条件式(13)から(16)を満足するようにする。ただし、D4は第4の延在部分と第2の磁気抵抗効果素子との距離であり、S4は第4の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積である。
0.4μm≦D2≦1.0μm ……(17)
0.4μm≦D4≦1.0μm ……(18)
0.4μm2≦S2≦3.0μm2 ……(19)
0.4μm2≦S4≦3.0μm2 ……(20)
0.2μm≦D2≦0.4μm ……(13)
0.2μm≦D4≦0.4μm ……(14)
0.4μm2≦S2≦2.5μm2 ……(15)
0.4μm2≦S4≦2.5μm2 ……(16)
こうした場合には、第2の磁気抵抗効果素子が、第3の電流磁界および第4の電流磁界をそれぞれ付与されることにより、第1の電流磁界および第2の電流磁界によって生ずる第1の磁気抵抗効果素子における抵抗値の変化とは逆方向に抵抗値が変化するように構成されていることが望ましい。
最初に、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施の形態としての電流センサの構成について説明する。図1は、本実施の形態の電流センサ1の斜視構成を表す概略図である。図2は、図1の電流センサ1に示したII−II切断線における矢視方向(−X軸方向)の断面構成を表したものである。この電流センサ1は、例えば、通信機器に搭載され、制御信号としての電流を検出対象として正確に測定するために用いられるものである。ここでは特に、10mA以上50mA以下の電流を検出対象とする。なお、後述する第2の実施の形態等における電流センサとの区別を行うため、本実施の形態では電流センサ1Aと呼ぶ。
P=Im2・(ρ/S) ……(A)
本実施の形態の電流センサ1Aは、通信機器等の制御信号を検出対象としていることから、検出対象電流Imの大きさは最大で50[mA](=5×10-2[A])である。また、銅の比抵抗ρは1.92×10-8[Ω・m]であるので、これらを式(A)に当てはめると、
P=(25×10-4)・(1.92×10-8)/S
=48.0×10-12/S1 [W/m]……(B)
となる。
このような発熱量Pを発生する巻線体部分31Aから絶縁膜Z1を隔てて配設された素子パターン21Aは、以下の式(C)で表される単位長さ(1m)当たりの伝熱量Qを受け取ることとなる。ただし、ここでは簡略化のため、図4に示したように、巻線体部分31Aの断面を半径r1(=(S1/π)0.5)[m]を有する円形とすると共に、これを中心として半径r2[m]の範囲内に絶縁膜Zを充填するように構成した近似モデルに置き換える。この場合、巻線体部分31Aで発生した発熱量Pが周囲に均等に伝搬して半径r2の絶縁膜Zを通過し、絶縁膜Zの表面から外部へ放熱される。このとき、巻線体部分31Aの近傍に存在する素子パターン21Aが伝熱量Qの一部を受け取ることにより、素子パターン21Aの温度が巻線体部分31Aの表面温度上昇分ΔT[℃]と同等程度上昇する。なお、絶縁膜Z1を構成する酸化アルミニウム(Al2O3)の熱伝導率をλとする。
Q=λ(2π/ln(r2/r1))・ΔT ……(C)
ここで、熱伝導率λは30[W/m/℃]である。また、温度変化ΔTについては2.0℃以下であることが望ましい。これらを式(C)に当てはめると、
Q≦30×(2π/ln(r2/r1))×2.0
≦120π/ln(r2/r1) ……(D)
となる。ここでQ=Pであるので、式(B)および式(D)から、
48.0×10-12/S1≦120π/ln(r2/r1) ……(E)
となる。断面積「S1」を「π・(r1)2」と置き換えると、
ln(r2/r1)/(r1)2≦120π2/48.0×1012
≦2.5π2×1012 ……(F)
本実施の形態の場合、素子パターン21Aの近傍における絶縁膜Zの平均的な厚みから、半径r2(=5+r1)μmの領域を絶縁膜Zが覆っていると近似することができるので、式(F)から半径r1は約0.36μm以上となる。したがって、断面積Sは0.4μm2以上であることが望ましい。
上記した本実施の形態では、10mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定する場合を例に挙げて説明したが、より微弱な検出対象電流Imをも測定可能な構成とすることが可能である。具体的には、3mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定可能な構成とすることができる。その場合には、図3に示した断面図において、距離D1を0.2μm以上0.4μm以下(条件式3)とする。これは、10mA以下という、より微弱な検出対象電流Imが形成する電流磁界Hm1を検知するために、巻線体部分31Aと素子パターン21Aとをさらに接近させる必要があるからである。一方、0.2μm以上とすれば、700Vの電圧の瞬間印加に耐えることができ、実用上、好ましいものとなる。
続いて、図11から図13を参照して、本発明の第2の実施の形態としての電流センサ1Bについて説明する。
上記した本実施の形態では、10mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定する場合を例に挙げて説明したが、より微弱な検出対象電流Imをも測定可能な構成とすることが可能である。具体的には、3mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定可能な構成とすることができる。その場合には、距離D1,D2を0.2μm以上0.4μm以下(条件式3,7)とすると共に、断面積S1,S2を、0.4μm2以上2.5μm2以下(条件式4,8)とする。
続いて、図14から図17を参照して、本発明の第3の実施の形態としての電流センサ1Cについて説明する。図14は、電流センサ1Cの斜視構成を表す概略図である。図15は、図14の電流センサ1Cに示したXV−XV切断線における矢視方向(−X方向)の断面構成を表したものである。
V1=I0・R1
であり、第4の接続点P4(電極膜47)における電位V2は、
V2=I0・R2
となる。よって、第3の接続点P3と第4の接続点P4との間の電位差は、
V0=V1−V2
=I0・R1−I0・R2
=I0・(R1−R2) ……(a)
となる。
V0=V1−V2
=I0・(R1−R2)
=I0・{(R1+ΔR1)−(R2+ΔR2)} ……(b)
となる。
R1=R2=R
かつ
ΔR1=−ΔR2=ΔR
であると仮定した場合、式(b)は、
V0=I0・(R1+ΔR1−R2−ΔR2)
=I0・(R+ΔR−R+ΔR)
=I0・(2ΔR) ……(c)
となる。したがって、予め外部磁界と抵抗変化量との関係を把握した第1および第2の磁気抵抗効果素子21,22を用いるようにすれば、電流磁界Hm1,Hm3の大きさを求めることができ、その大きさの電流磁界Hm1,Hm3を発生する検出対象電流Imの大きさを推定することができる。この場合、2つの第1および第2の磁気抵抗効果素子21,22を用いてセンシングを行っているので、第1の磁気抵抗効果素子21または第2の磁気抵抗効果素子22を単独で用いてセンシングを行う場合と比べて2倍の抵抗変化量を取り出すことができ、測定値の高精度化に有利となる。
上記した本実施の形態では、10mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定する場合を例に挙げて説明したが、より微弱な検出対象電流Imをも測定可能な構成とすることが可能である。具体的には、3mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定可能な構成とすることができる。その場合には、距離D1,D3を0.2μm以上0.4μm以下(条件式3,9)とすると共に、断面積S1,S3を、0.4μm2以上2.5μm2以下(条件式4,10)とする。
続いて、図18および図19を参照して、本発明の第4の実施の形態としての電流センサ1Dについて説明する。
上記した本実施の形態では、10mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定する場合を例に挙げて説明したが、より微弱な検出対象電流Imをも測定可能な構成とすることができる。具体的には、3mA以上50mA以下の検出対象電流Imを測定可能な構成とすることができる。その場合には、距離D1〜D4を0.2μm以上0.4μm以下(条件式3,7,13,14)とすると共に、断面積S1〜S4を、0.4μm2以上2.5μm2以下(条件式4,8,15,16)とする。
Claims (25)
- 10mA以上50mA以下の検出対象電流を検出するための電流センサであって、
第1の階層において第1の方向に延在する第1の延在部分を有し、前記検出対象電流が供給される第1の導体と、
前記第1の階層と異なる第2の階層において、前記第1の延在部分と対応した領域に配設され、前記第1の延在部分に流れる検出対象電流により生ずる第1の電流磁界に応じて抵抗値が変化するように構成された第1の磁気抵抗効果素子と
を備え、かつ、以下の条件式(1)および(2)を満足することを特徴とする電流センサ。
0.4μm≦D1≦1.0μm ……(1)
0.4μm2≦S1≦3.0μm2 ……(2)
ただし、
D1;第1の延在部分と、第1の磁気抵抗効果素子との距離
S1;第1の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 3mA以上50mA以下の検出対象電流を検出するための電流センサであって、
第1の階層において第1の方向に延在する第1の延在部分を有し、前記検出対象電流が供給される第1の導体と、
前記第1の階層と異なる第2の階層において、前記第1の延在部分と対応した領域に配設され、前記第1の延在部分に流れる検出対象電流により生ずる第1の電流磁界に応じて抵抗値が変化するように構成された第1の磁気抵抗効果素子と
を備え、かつ、以下の条件式(3)および(4)を満足することを特徴とする電流センサ。
0.2μm≦D1≦0.4μm ……(3)
0.4μm2≦S1≦2.5μm2 ……(4)
ただし、
D1;第1の延在部分と、第1の磁気抵抗効果素子との距離
S1;第1の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第1の階層を基準として前記第2の階層と反対側に位置する第3の階層において、前記第1の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向に延在する第2の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子に対して前記第1の電流磁界と同じ向きの第2の電流磁界を付与するように構成された第2の導体をさらに備え、かつ、以下の条件式(5)および(6)を満足する
ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
0.4μm≦D2≦1.0μm ……(5)
0.4μm2≦S2≦3.0μm2 ……(6)
ただし、
D2;第2の延在部分と第1の磁気抵抗効果素子との距離
S2;第2の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第1の階層を基準として前記第2の階層と反対側に位置する第3の階層において、前記第1の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向に延在する第2の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子に対して前記第1の電流磁界と同じ向きの第2の電流磁界を付与するように構成された第2の導体をさらに備え、かつ、以下の条件式(7)および(8)を満足する
ことを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
0.2μm≦D2≦0.4μm ……(7)
0.4μm2≦S2≦2.5μm2 ……(8)
ただし、
D2;第2の延在部分と第1の磁気抵抗効果素子との距離
S2;第2の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記第1の方向へ延在すると共に前記第1の方向と直交する第2の方向に互いに隣在し合うように配設された帯状の複数の素子パターンを有し、
前記第1の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第1の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第1の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第1の薄膜コイルであり、
前記第2の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第2の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第3の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第2の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第2の薄膜コイルである
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子は、前記第1の方向へ延在すると共に前記第1の方向と直交する第2の方向に互いに隣在し合うように配設された帯状の複数の素子パターンを有し、
前記第1の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第1の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第1の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第1の薄膜コイルである
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、前記第1の方向と直交する幅が0.5μm以上2.0μm以下である
ことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに並列接続されている
ことを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに直列接続されている
ことを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1の階層における前記第1の導体が形成された領域以外の領域において前記第1の方向に延在する第3の延在部分を有し、前記検出対象電流が供給される第3の導体と、
前記第1の磁気抵抗効果素子と直列接続されるように前記第2の階層における前記第3の延在部分と対応した領域に配設され、前記第3の延在部分に流れる検出対象電流により生ずる第3の電流磁界に応じて抵抗値が変化するように構成された第2の磁気抵抗効果素子と
をさらに備え、かつ、以下の条件式(9)および(10)を満足する
ことを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
0.2μm≦D3≦0.4μm ……(9)
0.4μm2≦S3≦2.5μm2 ……(10)
ただし、
D3;第3の延在部分と第2の磁気抵抗効果素子との距離
S3;第3の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第1の階層における前記第1の導体が形成された領域以外の領域において前記第1の方向に延在する第3の延在部分を有し、前記検出対象電流が供給される第3の導体と、
前記第1の磁気抵抗効果素子と直列接続されるように前記第2の階層における前記第3の延在部分と対応した領域に配設され、前記第3の延在部分に流れる検出対象電流により生ずる第3の電流磁界に応じて抵抗値が変化するように構成された第2の磁気抵抗効果素子と
をさらに備え、かつ、以下の条件式(11)および(12)を満足する
ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。
0.4μm≦D3≦1.0μm ……(11)
0.4μm2≦S3≦3.0μm2 ……(12)
ただし、
D3;第3の延在部分と第2の磁気抵抗効果素子との距離
S3;第3の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第2の磁気抵抗効果素子は、前記第3の電流磁界をそれぞれ付与されることにより、前記第1の電流磁界によって生ずる前記第1の磁気抵抗効果素子変化とは逆方向に抵抗値が変化するように構成されている
ことを特徴とする請求項10または請求項11に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子は、前記第1の方向へ延在すると共に前記第2の方向に互いに隣在し合うように配設された帯状の複数の素子パターンをそれぞれ有している
ことを特徴とする請求項10から請求項12に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、前記第1の方向と直交する幅が0.5μm以上2.0μm以下である
ことを特徴とする請求項13に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに並列接続されている
ことを特徴とする請求項13または請求項14に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに直列接続されている
ことを特徴とする請求項13または請求項14に記載の電流センサ。 - 前記第1の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第1の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第1の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第1の薄膜コイルであり、
前記第3の導体は、前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第3の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第3の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第3の薄膜コイルである
ことを特徴とする請求項13から請求項16のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1の階層を基準として前記第2の階層と反対側に位置する第3の階層において、前記第1の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向に延在する第2の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子に対して前記第1の電流磁界と同じ向きの第2の電流磁界を付与するように構成された第2の導体と、
前記第3の階層における前記第2の導体が形成された領域以外の領域において、前記第2の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向へ延在する第4の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第2の磁気抵抗効果素子に対して前記第3の電流磁界と同じ向きの第4の電流磁界を付与するように構成された第4の導体と
をさらに備え、かつ、以下の条件式(13)から(16)を満足する
ことを特徴とする請求項10に記載の電流センサ。
0.2μm≦D2≦0.4μm ……(13)
0.2μm≦D4≦0.4μm ……(14)
0.4μm2≦S2≦2.5μm2 ……(15)
0.4μm2≦S4≦2.5μm2 ……(16)
ただし、
D2;第2の延在部分と第1の磁気抵抗効果素子との距離
S2;第2の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積
D4;第4の延在部分と第2の磁気抵抗効果素子との距離
S4;第4の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第1の階層を基準として前記第2の階層と反対側に位置する第3の階層において、前記第1の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向に延在する第2の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子に対して前記第1の電流磁界と同じ向きの第2の電流磁界を付与するように構成された第2の導体と、
前記第3の階層における前記第2の導体が形成された領域以外の領域において、前記第2の磁気抵抗効果素子と対応して前記第1の方向へ延在する第4の延在部分を有すると共に、前記検出対象電流が供給されることにより前記第2の磁気抵抗効果素子に対して前記第3の電流磁界と同じ向きの第4の電流磁界を付与するように構成された第4の導体とをさらに備え、かつ、以下の条件式(17)から(20)を満足する
ことを特徴とする請求項11に記載の電流センサ。
0.4μm≦D2≦1.0μm ……(17)
0.4μm≦D4≦1.0μm ……(18)
0.4μm2≦S2≦3.0μm2 ……(19)
0.4μm2≦S4≦3.0μm2 ……(20)
ただし、
D2;第2の延在部分と第1の磁気抵抗効果素子との距離
S2;第2の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積
D4;第4の延在部分と第2の磁気抵抗効果素子との距離
S4;第4の延在部分における第1の方向と直交する断面の面積 - 前記第2の磁気抵抗効果素子は、前記第3の電流磁界および第4の電流磁界をそれぞれ付与されることにより、前記第1の電流磁界および第2の電流磁界によって生ずる前記第1の磁気抵抗効果素子における抵抗値の変化とは逆方向に抵抗値が変化するように構成されている
ことを特徴とする請求項18または請求項19に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子は、前記第1の方向へ延在すると共に前記第2の方向に互いに隣在し合うように配設された帯状の複数の素子パターンをそれぞれ有している
ことを特徴とする請求項18から請求項20のいずれか1項に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、前記第1の方向と直交する幅が0.5μm以上2.0μm以下である
ことを特徴とする請求項21に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに並列接続されている
ことを特徴とする請求項21または請求項22に記載の電流センサ。 - 前記第1の磁気抵抗効果素子および第2の磁気抵抗効果素子における各素子パターンは、互いに直列接続されている
ことを特徴とする請求項21または請求項22に記載の電流センサ。 - 前記第1の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第1の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第1の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第1の薄膜コイルであり、
前記第2の導体は、前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第2の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第3の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第1の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第2の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第2の薄膜コイルであり、
前記第3の導体は、前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第3の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第1の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第3の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第3の薄膜コイルであり、
前記第4の導体は、前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンとそれぞれ対応して前記第1の方向へ延在する前記第4の延在部分としての巻線体部分を複数含んで前記第3の階層内において巻回するように構成され、かつ、検出対象電流が供給されることにより前記第2の磁気抵抗効果素子の各素子パターンに対して前記第4の電流磁界をそれぞれ付与するように構成された第4の薄膜コイルである
ことを特徴とする請求項21から請求項24のいずれか1項に記載の電流センサ。
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