JP2008047590A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2領域R2のうちの少なくとも一部の領域R2a(もしくは全領域R2)の導電層間絶縁膜5は、その膜厚が第1領域R1の導電層間絶縁膜5の膜厚に比較して厚く形成されている。これにより、第2領域の耐圧特性を向上できる。
【選択図】図15
Description
以下、本発明の半導体装置をNAND型のフラッシュメモリ装置に適用した第1の実施形態について、図1ないし図16を参照しながら説明する。
以下、本実施形態の特徴部分となるメモリセル領域Mにおけるゲート電極構造について図2および図15を参照しながら説明する。本実施形態においては、実質的にNANDセルユニットSUが構成される第1領域R1(セルアレイ形成領域)と、複数の第1領域R1の境界領域となる第2領域R2(セルアレイ端領域、ソース線コンタクト領域、ウェルコンタクト領域に相当)との構造的な違いに特徴を備えているため、この部分を中心に説明する。
フラッシュメモリ装置1は、半導体基板としてのp型のシリコン基板2にメモリセル領域Mおよび周辺回路領域(図示せず)が区画されることにより形成されている。図15に示すように、シリコン基板2の上の第1の素子形成領域Saにソース/ドレイン領域2aが形成されている。シリコン基板2上の第1の素子形成領域Saおよび第2の素子形成領域Scに第1のゲート絶縁膜(ゲート酸化膜:トンネル絶縁膜)としての第1の絶縁膜3がそれぞれ形成されている。これらの複数の第1の絶縁膜3の上にはそれぞれ第1の導電層6が複数離間して形成されている。
Cr=Cono/(Cono+Cox)…(1)
により表される。
以下、上記構造の製造方法について、図3ないし図16を参照しながら説明する。尚、本実施形態の特徴部分を中心に説明するが、本発明を実現できれば、後述説明する工程は必要に応じて省いても良いし、製造方法を変更しても良いし、一般的な工程であれば工程を付加しても良い。
次に、図10に示すように、RIE法により素子分離絶縁膜4の表面を150[nm]程度エッチング処理し、アッシング技術によりレジスト(図示せず)を除去する。すると、素子分離絶縁膜4の上面が、第1の絶縁膜3の上面よりも上方で且つ第1の導電層6の上面よりも下方に位置するように構成される。その後、シリコン窒化膜10を除去する。
領域R2aのうちの幅広な素子分離領域Sbの上方において導電層間絶縁膜5をその他の領域に比較して厚く形成しているため、第2の導電層7に流れる電流分布の均一性をより向上することができる。
図17ないし図18は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、セルアレイ端領域に適用したところにある。前述実施形態と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。
この図17に示すように、メモリセル領域Mの端部には第2領域R2としてセルアレイ端領域(ガードリング領域とも称する)が設けられている。このセルアレイ端領域においては、その端部側に幅広の素子分離領域Sbが設けられており、他の電気的構成要素との絶縁性が高められている。
本発明は、上記実施形態のみに限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
フラッシュメモリ装置1に適用したが、不揮発性半導体記憶装置やその他の半導体装置に適用できる。半導体基板としてシリコン基板2に適用したが、他材料の半導体基板に適用しても良い。
Claims (5)
- 活性領域が表層内の所定方向に対して所定の幅寸法で周期的に複数形成された第1領域、および前記第1領域に隣接して配設され前記第1領域の幅寸法よりも広い幅寸法で前記活性領域が形成された第2領域が設けられる半導体基板と、
前記半導体基板の第1領域および第2領域の活性領域上にそれぞれ形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1領域の第1のゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極層と、
前記第2領域の第1のゲート絶縁膜上に形成されたダミーゲート電極層と、
前記浮遊ゲート電極層およびダミーゲート電極層を覆うように形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、
前記第2のゲート絶縁膜の膜厚は、前記第1領域よりも前記第2領域の少なくとも一部において厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2領域の第2のゲート絶縁膜は、前記第1領域に形成される第2のゲート絶縁膜に加えて他の絶縁膜を積層して構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2の領域はソース線と電気的な接続を行うためのコンタクトが形成される領域であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記第2の領域はメモリセル領域の端部に配置されるセルアレイ端領域であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第1の導電層を形成する工程と、
前記半導体基板の表面内の所定方向に対して所定の第1幅寸法で周期的に複数個のマスクパターンを前記半導体基板の第1領域に形成すると同時に、当該第1領域に隣接した前記半導体基板の第2領域において前記所定方向に対して前記第1幅寸法よりも広い所定の第2幅寸法で第1のマスクパターンを形成する工程と、
前記第1のマスクパターンをマスクとして前記第1の導電層、前記第1の絶縁膜、前記半導体基板をエッチングする工程と、
該エッチング工程により前記半導体基板に形成された溝内に第2の絶縁膜を埋込む工程と、
前記第1領域および前記第2領域の前記第1の導電層および前記第2の絶縁膜それぞれを覆うように第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜上に対して前記第2領域の少なくとも一部に第2のマスクパターンを形成する工程と、
前記第2のマスクパターンをマスクとして前記第1領域の第3の絶縁膜を除去する工程と、
該除去工程により露出した前記第1領域の第1の導電層および前記第2領域の第3の絶縁膜を覆うように第4の絶縁膜を形成する工程と、
前記第4の絶縁膜上に第2の導電層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258032A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
KR101049360B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-07-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
US8471326B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7948021B2 (en) | 2007-04-27 | 2011-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method of fabricating the same |
KR100944591B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2010-02-25 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR20100071211A (ko) * | 2008-12-19 | 2010-06-29 | 삼성전자주식회사 | 셀 어레이로 인가되는 리키지 커런트를 막는 더미 셀 비트 라인 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
JP2011165975A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012174992A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8916920B2 (en) * | 2011-07-19 | 2014-12-23 | Macronix International Co., Ltd. | Memory structure with planar upper surface |
CN103854985B (zh) * | 2012-12-03 | 2016-06-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 |
US9269766B2 (en) * | 2013-09-20 | 2016-02-23 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Guard ring for memory array |
JP6367044B2 (ja) * | 2014-08-13 | 2018-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI672766B (zh) * | 2015-08-10 | 2019-09-21 | 聯華電子股份有限公司 | 隔離元件及其製作方法 |
JP2018044811A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社村田製作所 | ピエゾ抵抗型センサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020050609A1 (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and fabrication method thereof |
JP2006013538A (ja) * | 2005-08-08 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5641696A (en) * | 1994-08-31 | 1997-06-24 | Nkk Corporation | Method of forming diffusion layer and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device |
JP3799727B2 (ja) * | 1997-04-08 | 2006-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP4149644B2 (ja) | 2000-08-11 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
TWI277199B (en) * | 2001-06-28 | 2007-03-21 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP4160283B2 (ja) | 2001-09-04 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3944013B2 (ja) | 2002-07-09 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法 |
JP4005895B2 (ja) | 2002-09-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2005056989A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4398750B2 (ja) | 2004-02-17 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | Nand型フラッシュメモリ |
KR100596484B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치의제조방법 |
JP2006344900A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2006
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-
2007
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020050609A1 (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and fabrication method thereof |
JP2006013538A (ja) * | 2005-08-08 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101049360B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-07-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
JP2010258032A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8471326B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080073696A1 (en) | 2008-03-27 |
US7786524B2 (en) | 2010-08-31 |
JP4764284B2 (ja) | 2011-08-31 |
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