JP2008042213A - 極めて正確なエッジプロフィルを備えた半導体ウェハ及びこれを製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】正確なエッジ形状を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】本発明の内容は半導体ウェハ１であり、この半導体ウェハ１は、前側と、後側と、前記半導体ウェハ１の円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、エッジプロフィルは半導体ウェハの全周に亘って実質的に一定である。本発明の内容は多数の半導体ウェハ１でもあり、エッジプロフィルは半導体ウェハ１ごとに実質的に一定である。本発明の内容は、このタイプの半導体ウェハ１を製造する方法でもある。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体ウェハに関し、該半導体ウェハが、前側と、後側と、半導体ウェハの円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、前記エッジプロフィルが半導体ウェハの全周に亘って実質的に一定である。本発明は、エッジプロフィルが半導体ウェハごとに実質的に一定である、多数の半導体ウェハにも関する。さらに、本発明は、このタイプの半導体ウェハを製造する方法に関する。

超小型電子部品を製造するために使用される、半導体ウェハ、特にシリコンウェハは、多数の機械加工ステップによって製造される。第１のステップは、半導体材料から形成された多結晶又は単結晶インゴットを製造することを含む。前記インゴットはウェハに分離され、ウェハから、分離によって生ぜしめられる結晶格子損傷が、複数の機械加工ステップにおいて排除され、ウェハは、極めて正確な幾何学的形状にされる。

すなわち、例えば片面又は両面ラッピング、エッチング、及び片面又は両面ポリッシングである種々異なる処理の適切な組合せによって、半導体ウェハの表面に所要の平坦度及び平面平行度が付与される。さらに、エッジ丸味付け及びエッジポリッシングによって、規定されたエッジプロフィルが生ぜしめられる。

しかしながら、従来技術によって達成されるエッジプロフィルの精度はもはや、超小型電子部品の最新世代を製造するために使用される半導体ウェハのためには十分ではないことが明らかになった。エッジプロフィル、又はエッジプロフィルの精度と、部品のための製造ラインにおける歩留りとの間の関係が、最近ではますます大きくなっていることが確認された。

従来技術によれば、半導体ウェハのエッジプロフィルは、制限された精度でしか測定されることができない。さらに、測定方法のタイプによって、半導体ウェハの全周に亘って測定を行うことはできない。測定はこれまで概してプロフィル投影によって行われていた。この場合、エッジプロフィルは半導体ウェハの平面に対して平行な光源によって投影され、ウェハ円周に対して平行なエッジプロフィルによるシャドウキャスティングがカメラによって記録され、次いで、適切な画像処理法及び数学的アルゴリズムによって評価される。したがって、概して半導体ウェハに提供される向き特徴の領域において測定は不可能である。半導体ウェハの周面における切欠き又は平坦化された領域（フラット）は向き特徴として働く。プロフィル投影は、原理的に、ポリッシングされていないエッジとも機能するが、精度が制限される。より粗いエッジはより散乱した光を生じ、したがって、プロフィルがもはやシャドウキャスティングにおいても規定されないので、精度は、エッジの領域における表面の粗さに依存する。さらに、プロフィル投影は、切欠き又はフラットの領域におけるエッジプロフィルの測定を可能にしない。ポリッシングされたエッジの場合にのみエッジプロフィルは正確に決定されることができるので、種々異なる方法ステップの前後のウェハエッジの状態は、プロフィル投影による制限された精度でしか比較されることができない。したがって、エッジプロフィルを変更する全ての機械加工ステップ、特にエッジ機械加工ステップのプロセス制御も、極めて制限された範囲でしか可能ではない。したがって、名目上同一の仕様の場合でさえも、半導体ウェハのエッジプロフィルは、ウェハ円周に沿って及び切欠き又はフラットの領域において著しく変動させられる。

この問題を解決するために、特開２０００−０１７４４４号公報は、この目的のために半導体ウェハに導入された小さな凹所の測定によって、エッジ丸味付け、エッジグラインディング及びエッジポリッシングの間の材料除去を決定することを提案した。択一例として、米国特許第６７２２９５４号明細書には、この目的のために試験ウェハに特に適用された多結晶シリコンから形成された層における材料除去の測定が記載されている。この方法は複雑であり、したがって連続的なプロセス制御に適していない。さらに、測定は、半導体ウェハ自体においては不可能であり、特別に準備された試験ウェハにおいてのみ可能である。

これは、さらに、制御されなかった形式で半導体ウェハの２つの側に設けられたファセットの長さを変更するために、半導体ウェハの前側及び後側のグラインディングの間に適切なプロセス実行によって試みられた（欧州特許出願公開第０９７１３９８号明細書又は米国特許第６４６５３２８号明細書を参照）。つまり、欧州特許出願公開第０９７１３９８号明細書には、エッジ丸味付けが、半導体インゴットをウェハに分離した直後ではなく、グラインディングステップの後に初めて行われ、このことは、全てのウェハが同じ厚さを有するという効果を有する。このことは、全てのウェハのためのファセット（"チャンファ"）の同じ長さ及び高さを保証することが意図されている。しかしながら、この手段は、完成した機械加工された半導体ウェハにおける規定された均一なエッジプロフィルを保証するために十分ではないことが分かった。

要約すると、エッジプロフィルの形状はこれまで制限された精度の測定方法によってのみ決定されていた。適切であるならば、意図的に製造された多結晶シリコン層又は小孔等の補助的構造によって、ウェハエッジの領域における材料除去が付加的に制御される。したがって、全てのプロセスステップに亘ってのウェハエッジのプロフィル形状の正確なトラッキングは、特に切欠き又はフラットの領域においては不可能である。したがって、対応して製造された半導体ウェハのエッジプロフィルは、広い変動範囲を生じる。
特開２０００−０１７４４４号公報 米国特許第６７２２９５４号明細書 欧州特許出願公開第０９７１３９８号明細書 米国特許第６４６５３２８号明細書

したがって、本発明が基づく課題は、正確なエッジ形状を有する半導体ウェハを提供することである。

この目的は、半導体ウェハによって達成され、この半導体ウェハは、前側と、後側と、前記半導体ウェハの円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、前記エッジプロフィルのパラメータは半導体ウェハの全周に亘って以下の標準偏差を有している：
−半導体の前側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₁の標準偏差＜１２μｍ
−半導体の後側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₂の標準偏差＜１０μｍ
−半導体ウェハの前側におけるファセット高さＢ₁と後側におけるファセット高さＢ₂とのそれぞれの標準偏差＜５μｍ
−半導体ウェハの前側におけるファセット長さＡ₁の標準偏差＜１１μｍ
−半導体ウェハの後側におけるファセット長さＡ₂の標準偏差＜８μｍ
−半導体ウェハの前側におけるファセット角度θ₁と後側におけるファセット角度θ₂とのそれぞれの標準偏差＜０．５゜

この場合、明記された標準偏差は、１つの半導体ウェハの円周における複数の位置におけるエッジプロフィルの測定から決定される。

この目的は、同様に、多数の半導体ウェハによって達成され、それぞれの半導体ウェハは、前側と、後側と、前記半導体ウェハの円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、前記エッジプロフィルのパラメータは全ての多数の半導体ウェハに亘って標準偏差を有している。この場合、標準偏差は多数の半導体ウェハの個々の半導体ウェハのエッジプロフィルの測定から決定される。

好適には、実質的に円形の半導体ウェハの場合の前記条件は、円周の円形部分のみならず、向き特徴の領域においても満たされる。

つまり、本発明による半導体ウェハは、ウェハの全周において及び切欠き又はフラットの領域において、プロフィルの全ての領域において狭い公差に従われる極めて正確なエッジプロフィルを有する。

本発明は以下に図面を参照により詳しく説明される。

厚さｔを有する半導体ウェハ１のエッジプロフィル（図１）は、ウェハの横断面で見ると、３つの領域：ファセット２、すなわち前側における面取りされた領域と、円周におけるウェブ３と、再び半導体ウェハの後側におけるファセット４とに分割されている。ファセット２，４はそれぞれ、実質的に直線的な区分、すなわちチャンファと、ウェブ３への湾曲した移行領域５，６とを有する。

プロフィルは以下のパラメータによって説明されることができる：
−半導体ウェハの前側におけるファセット角度θ₁と後側におけるファセット角度θ₂：基準面と個々のファセットのチャンファとの間の角度。平坦なウェハ面７，８のそれぞれ１つ又は例えばチャック面が基準面として使用されることができる。エッジプロフィルの計測は、平坦なウェハ面の小さな領域のみを含み、これは、ウェハ面の不確実な決定を生じる。したがって、しばしばチャック面を基準面として規定することがより好ましい。
−半導体ウェハの前側におけるファセット長さＡ₁及び後側におけるファセット長さＡ₂：平坦なウェハ面７，８とのファセット２，４の交差個所と、規定された基準面に対して平行に測定された半導体ウェハの最も外側の点との間の距離。
−半導体ウェハの前側におけるファセット高さＢ₁及び後側におけるファセット高さＢ₂：基準面７，８の延長線と、半導体ウェハの最も外側の点を通る基準面に対する垂線とのファセット２，４の延長線の交差個所との間の距離。ウェブ長さＢは、半導体ウェハの厚さｔと、ファセット高さＢ₁，Ｂ₂の合計との差Ｂ＝ｔ−（Ｂ₁＋Ｂ₂）より得られる。ウェブは複数の直線的な区分を有することもできる。
−半導体ウェハの前側における移行半径ｒ₁及び後側における移行半径ｒ₂：チャンファとウェブ３との間の個々の移行領域５，６の曲率半径。
−ウェブ角度β：ウェブと基準面に対する垂線との間の角度（図１において、ウェブは基準面に対して垂直に延びているのでウェブ角度β＝０である）。ウェブが複数の直線的な区分によって規定されているならば、これに応じて複数のウェブ角度が存在する。

これらのパラメータに関してエッジプロフィルの大きな変動が可能である。したがって、ウェブ３を有しておらず、湾曲した移行領域５，６が直接に互いに結合しているエッジプロフィルを規定することも可能であり、この場合、適切であるならば移行半径ｒ₁及びｒ₂が同じであることができる。

本発明によれば、指定されたパラメータは、１つの半導体ウェハと別の半導体ウェハとの間で又は１つの半導体ウェハの中で、極めて小さな標準偏差を有する。その結果、電子コンポーネントの製造中の不正確なエッジジオメトリによって生ぜしめられる歩留りの損失は、確実に回避されることができる。

本発明による半導体ウェハは以下のステップを含む方法によって製造されることができる：
ａ）半導体ウェハを半導体インゴットから分離する
ｂ）半導体ウェハを機械加工し、半導体ウェハのエッジプロフィルが変更される
ｃ）半導体ウェハのエッジプロフィルを測定する
ｄ）所望のエッジプロフィルからの測定されたエッジプロフィルの位置依存偏差を確認する
ｅ）別の半導体ウェハのその後の機械加工が、前に機械加工された半導体ウェハのエッジプロフィルよりも、所望のエッジプロフィルからのより小さな偏差を有するエッジプロフィルを生じるように、機械加工パラメータを変更する。

ステップａ）において、半導体ウェハは、従来技術に従って、好適にはマルチワイヤソーを使用して半導体インゴットから分離される。

ステップｂ）において、第１の半導体ウェハに、ウェハエッジのプロフィルを変更する機械加工ステップが行われる。これらは主に、エッジ丸味付け又はエッジ研磨等のエッジ機械加工ステップであるが、ウェハ表面のグラインディング、ラッピング又はポリッシング等の、従来技術による慣用の表面機械加工ステップでもある。グラインディング又はポリッシングは、半導体ウェハの一方の側又は両方の側に関する。さらに、ステップｂ）において、エッジプロフィルに影響を有するあらゆる他の考えられるタイプの機械加工、例えば、エッチング処理、クリーニング又はエピタキシャルコーティングを行うことが可能である。

図２は、例として、半導体ウェハの機械加工の経過においてエッジプロフィルがどのように変更されるかを示している。両面グラインディングの後、半導体ウェハは、エッチング処理（エッジプロフィル１２）、エッジポリッシング（エッジプロフィル１３）及び両面ポリッシング（エッジプロフィル１４）によって多重に変更されたエッジプロフィル１１を有する。

機械加工の後、半導体ウェハのエッジプロフィルは、ステップｃ）において正確に測定され、結果はステップｄ）において評価される。測定方法は、好適には、光切断法に基づき、この光切断法において、１つ又は複数のレーザビームがウェハエッジ上に通過させられ（半導体ウェハの前側及び後側）、レーザスポットの位置がＣＣＤカメラによって記録されかつ適切なソフトウェアによって評価される。これにより、ウェハエッジプロフィルが生ぜしめられ、このプロフィルから、次いで、ファセット角度θ₁，θ₂、ファセット長さＡ₁，Ａ₂、ファセット高さＢ₁，Ｂ₂及び移行半径ｒ₁，ｒ₂等のプロフィルパラメータが、適切な方法によって得られる。したがって、特に切欠き又はフラットの領域において、十分にポリッシングされていないウェハエッジのプロフィルを正確に測定することが可能である。適切な測定装置は商業的に利用可能である。エッジプロフィルが測定されるときに半導体ウェハが既にポリッシングされたエッジを有しているならば、エッジがほとんど光を散乱させないので、光切断法は適していない。この場合、前記プロフィル投影法が好適にはエッジプロフィルを測定するために使用される。光切断法とプロフィル投影との組合せは、エッジのあらゆる機械加工状態及び全ての領域、全周及び切欠き及びフラットの領域においてエッジプロフィルの極めて正確な決定のために適している。

ステップｅ）において、機械加工ステップは、正確に行われる測定及び評価に基づいて最適化され、その結果、機械加工されるべき次の半導体ウェハのエッジプロフィルは、その前に機械加工された半導体ウェハが所要の精度からの偏差を有していたならば、前に機械加工された半導体ウェハよりも改善される。最適化は、例えばプロセスパラメータ及びツールの特定の制御から成る。

本発明による方法の好適な実施形態において、エッジプロフィルの測定は、機械加工の後だけでなく、付加的に前もって行われる。２つの測定の結果は、好適には差形成によって比較される。その結果、測定の間に行われた機械加工ステップによって生ぜしめられる材料除去は、エッジの全プロフィルに亘って位置依存形式で決定される。種々異なる機械加工ステップの影響は、このように分離されることができ、このことは、さらに改良されたプロセス制御を可能にする。

２つのエッジプロフィルの間の差は、機械加工ステップの前後で互いに重ねてプロットされた２つのエッジプロフィルの間の点ごとの最短距離であり（図２参照）、以下のように決定される：後のエッジプロフィル（例えばエッチング処理後のエッジプロフィル１２）のそれぞれの点において、エッジプロフィルに対する垂線が構成される。前のエッジプロフィル（例えば両面グラインディングの後、すなわちエッチング処理の前のエッジプロフィル１１）との垂線の交差点と、後のエッジプロフィル（例えばエッジプロフィル１２）との垂線の交差点との間の距離は、前記点における２つのエッジプロフィルの間の差に相当する。後のエッジプロフィルの長さベース又は角度ベースの展開に沿ったこれらの差のプロット化は、差プロフィルである。したがって、エッジプロフィルの差領域における除去を見つけることができる。量的には、所要のステートメントに応じて、例えば差プロフィル又は差プロフィルの特定の領域の平均化（一次式又は二次式）によって除去を決定することができる。特定の機械加工ステップにおいて生じる所望のプロフィルからの偏差の原因は、差プロフィルに基づき容易に決定されることができる。

本発明による方法は、特別に準備された試験ウェハが不要であるという利点も有する。このことは、費用を節約するとともに、連続的なプロセス制御を可能にする。

本発明による方法により、従来よりもエッジプロフィルが著しくより小さく変動する半導体ウェハを製造することができる。

本発明による方法の１つの好適な実施形態において、方法のステップｃ）及びｄ）は、プロフィルを有するグラインディングディスクによるエッジ丸味付けの後に行われ、本発明による方法は、したがって、エッジ丸味付けに適用される。このことは、エッジ丸味付けが本来エッジプロフィルに極めて大きな影響を与えるので好適である。従来技術によれば、エッジグラインディングは概して、プロフィル付きツール、例えばグラインディングディスクを使用してウェハエッジをグラインディングすることによって影響され、グラインディングディスクのネガティブな形状は、製造されるべきエッジプロフィルに相当する。グラインディングの間、ツールのネガティブな形状は半導体ウェハのエッジにポジティブに複製される。半導体ウェハのエッジプロフィルの精度は、グラインディング作業中の半導体ウェハに対するグラインディングディスクの位置と、このグラインディングディスクの摩耗とに依存する。

この好適な実施形態において、ステップｅ）において、許容公差を越える、所望の値からのエッジプロフィルのファセット長さの偏差が、ステップｄ）において確認されたならば、グラインディングディスクの位置が再調整される。対照的に、許容公差を越える、所望の値からのエッジプロフィルの別のパラメータの偏差が、ステップｄ）において確認されたならば、グラインディングディスクは交換される。両方とも、ウェハ円周におけるエッジ丸味付けのみならず、フラット又は切欠きにおける丸味付けにもはてはまる。

その後に機械加工される半導体ウェハのエッジプロフィルは、監視され、このフィードバックによって制御される。このようなフィードバックは従来技術において提供されない。これは、従来技術との比較によってパラメータの減じられた変動が達成されることを意味する。エッジ丸味付けの後のエッジプロフィルの前記パラメータの標準的な偏差は、表１に示されている。この場合、測定シリーズＵ1及びＵ2は、ウェハ円周に沿った１６の測定位置における測定に関し、Ｕ1において測定された半導体ウェハは、本発明による方法を適用することなく従来技術に従って機械加工され、Ｕ2において測定された半導体ウェハは、本発明に従ってプロフィル測定と、エッジ丸味付けに関するフィードバックとを用いて機械加工された。同様の改良がウェハの切欠きにおいて達成され（測定シリーズＮ1，Ｎ2；Ｎ1は従来技術によるＵ1に類似）、これにより、今やパラメータの変動は、ウェハ円周及び切欠きにおいて比較可能である。上に規定されたパラメータに加え、表１は、エッジプロフィルの対称性偏差ΔSym、すなわち半導体ウェハの前側及び後側のためのパラメータの比較、及び名目上直線又は円形の領域からのエッジプロフィルの偏差（プロフィル変形Def）をも明記している。

この場合にも、エッジプロフィルの測定をそれぞれエッジ丸味付けの前後に行うことが特に好適である。

さらに、本発明による方法がエッジポリッシングに適用されることが好適である。この場合、ステップｅ）において、許容公差を越える、所望のプロフィルからのエッジプロフィルの偏差が、ステップｄ）において確認されると、ポリッシングツールの位置が再調整される。好適には、材料除去は、測定プロフィルの差を形成することによってエッジポリッシングの前後の測定によって正確に決定され、これに対応してツールが再調整される。

両面ポリッシングへの本発明による方法の適用も好ましい：つまり、両面ポリッシングの間に使用されかつ半導体ウェハを受容するキャリヤは、製造されるべきエッジプロフィルに従って選択されることができる。

ステップｃ）及びｄ）の前記測定及び評価が、エッジプロフィルに対して著しい影響を与える製造プロセスの経過において全ての機械加工ステップの前後に行われることも特に好ましい。これらは、特に、ウェハ表面又はウェハエッジのそれぞれにおける、グラインディング、ラッピング、エッチング、ポリッシング等の、著しい材料除去を有する全ての機械加工ステップである。エピタキシャルコーティングもエッジプロフィルに大きな影響を与えることができる。このように、最終製品まで全ての機械加工ステップに亘って正確なエッジ形状が保証されることができる。

表１のように、表２は、両面ポリッシングを含む全ての機械加工ステップが行われた完成した機械加工された半導体ウェハのための、前記パラメータの標準偏差を表している。この場合、測定シリーズＵ3及びＵ4は再び、ウェハ円周に沿った１６の測定位置における測定に関し、Ｕ3において測定された半導体ウェハは、本発明による方法を適用することなく従来技術に従って機械加工され、Ｕ4において測定された半導体ウェハは、エッジプロフィルに影響する全ての機械加工ステップに関するプロフィル測定及びフィードバックを用いて機械加工された。従来技術と比較して全てのパラメータの標準偏差の著しい減少が明白である。

半導体ウェハのエッジプロフィルを完全に説明するために使用されることができるパラメータを表している。 半導体ウェハを機械加工する経過におけるエッジプロフィルの変化を示している。

符号の説明

１ 半導体ウェハ、 ２ ファセット、 ３ ウェブ、 ４ ファセット、 ５，６ 移行領域、 ７，８ ウェハ面

Claims (10)

1. 半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハが、前側と、後側と、前記半導体ウェハの円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、前記エッジプロフィルのパラメータは半導体ウェハの全周に亘って以下の標準偏差を有している：
   −半導体の前側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₁の標準偏差＜１２μｍ
   −半導体の後側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₂の標準偏差＜１０μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット高さＢ₁と後側におけるファセット高さＢ₂とのそれぞれの標準偏差＜５μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット長さＡ₁の標準偏差＜１１μｍ
   −半導体ウェハの後側におけるファセット長さＡ₂の標準偏差＜８μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット角度θ₁と後側におけるファセット角度θ₂とのそれぞれの標準偏差＜０．５゜
   ことを特徴とする、半導体ウェハ。
2. 実質的に円形の断面と、切欠き及びフラットから成るグループから選択された少なくとも１つの向き特徴とを特徴とし、エッジプロフィルのパラメータが、向き特徴の領域においても請求項１に示された標準偏差を有する、請求項１記載の半導体ウェハ。
3. 多数の半導体ウェハにおいて、これらの半導体ウェハがそれぞれ、前側と、後側と、前記半導体ウェハの円周に沿って延びておりかつ前記前側と前記後側とを結合しておりかつ規定されたエッジプロフィルを有するエッジとを有しており、前記エッジプロフィルのパラメータは半導体ウェハの全周に亘って以下の標準偏差を有している：
   −半導体の前側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₁の標準偏差＜１２μｍ
   −半導体の後側におけるファセットとウェブとの移行部の移行半径ｒ₂の標準偏差＜１０μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット高さＢ₁と後側におけるファセット高さＢ₂とのそれぞれの標準偏差＜５μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット長さＡ₁の標準偏差＜１１μｍ
   −半導体ウェハの後側におけるファセット長さＡ₂の標準偏差＜８μｍ
   −半導体ウェハの前側におけるファセット角度θ₁と後側におけるファセット角度θ₂とのそれぞれの標準偏差＜０．５゜
   ことを特徴とする、多数の半導体ウェハ。
4. それぞれの半導体ウェハが、実質的に円形の断面と、切欠き及びフラットから成るグループから選択された少なくとも１つの向き特徴とを特徴とし、エッジプロフィルのパラメータが、向き特徴の領域において請求項１に記載の標準偏差を有する、請求項３記載の多数の半導体ウェハ。
5. 半導体ウェハを製造する方法において、以下のステップを含む：
   ａ）半導体ウェハを半導体インゴットから分離する
   ｂ）半導体ウェハを機械加工し、半導体ウェハのエッジプロフィルが変更される
   ｃ）半導体ウェハのエッジプロフィルを測定する
   ｄ）所望のエッジプロフィルからの測定されたエッジプロフィルの位置依存偏差を確認する
   ｅ）別の半導体ウェハの次の後続の機械加工が、その前に機械加工された半導体ウェハのエッジプロフィルよりも、所望のエッジプロフィルからより小さな偏差を有するエッジプロフィルを生ぜしめる
   ことを特徴とする、半導体ウェハを製造する方法。
6. ステップｂ）において半導体ウェハを機械加工する前に、エッジプロフィルの付加的な測定が行われ、機械加工の前後の２つの測定結果が互いに比較され、これにより、機械加工によって生ぜしめられる材料除去が、エッジプロフィル全体に亘って位置依存形式で決定される、請求項５記載の方法。
7. ステップｂ）における機械加工が、エッジ丸味付け、エッジポリッシング、少なくとも１つの側のグラインディング、ラッピング、エッチング、少なくとも１つの側のポリッシング、クリーニング及びエピタキシャルコーティングから成るグループから選択されている、請求項５又は６記載の方法。
8. ステップｂ）において、プロフィルを有するグラインディングディスクによってエッジ丸味付けが行われ、ステップｅ）において、
   −許容公差を越える、所望の値からの、半導体ウェハの前側におけるファセット長さＡ₁と半導体ウェハの後側におけるファセット長さＡ₂との少なくとも１つの偏差が、ステップｄ）において確認されると、グラインディングディスクの位置が再調整され、
   −許容公差を越える、所望の値からのエッジプロフィルの別のパラメータの偏差が、ステップｄ）において確認されると、グラインディングディスクが交換される、請求項７記載の方法。
9. ステップｂ）においてエッジポリッシングが行われ、ステップｄ）において、許容公差を越える、所望のプロフィルからのエッジプロフィルの偏差が、確認されると、ステップｄ）において、ポリッシングツールの位置が再調整される、請求項７記載の方法。
10. エッジがポリッシングされないならばエッジプロフィルが光切断法によって測定され、半導体ウェハのエッジがポリッシングされるならばエッジプロフィルはプロフィル投影によって測定される、請求項５から９までのいずれか１項記載の方法。

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