TW200809018A - Semiconductor wafers with highly precise edge profile and method for producing them - Google Patents

Description

200809018 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體晶圓，其具有一正面、一背面及一沿 著該半導體晶圓之圓周之邊緣，該邊緣係連接該正面及該背面， 且具有一清晰之邊緣輪廓，該邊緣輪廓於該半導體晶圓之整個圓 周上實質上係恒定的。本發明亦關於複數個半導體晶圓，該些半 導體晶圓之邊緣輪廓實質上係恒定的。此外，本發明尚關於一種 用於製造上述半導體晶圓之方法。 【先前技術】 用於製造微電子元件之半導體晶圓，尤其是矽晶圓，係藉由多 個機械加工步驟所製造。首先，將半導體材料製成一多晶或單晶 - 之鑄錠（ingot)。將該鑄錠切割成晶圓，藉由多個機械加工步驟， * 消除因該切割程序而導致之晶格損害，並形成一高度精確之幾何 形狀。 ^ 從而，半導體晶圓之表面例如藉由以下不同處理之適當組合以 獲得所需之平整度及平面平行度：單面或雙面之研磨（lapping)、 餘刻及單面或雙面之拋光（polishing )。此外，藉由邊緣磨圓（edge rounding)及邊緣抛光之方式產生一清晰之邊緣輪廓。 然而，根據習知技術所能達到之半導體晶圓之邊緣輪廓的精確 度及準確度，已明顯不足以用於製造最新一代的微電子元件。目 前，已可更高程度地確定邊緣輪廓或其精確度及準確度，與元件 生產線之產率間的關係。 5 200809018 根據習知技術，僅能以有限的精確度及準確度，測量半導體曰

圓之邊緣輪廓。此外1於測量方法之型式，而無法在半導體I 圓的整個圓周上進行有致、、目丨θ τι Q ^ . 攻測置。截至目前，通常藉由輪廓投影 (Pr〇filePr〇jeCti〇n)進行剛量。於此方法中，係利用—平行於半 導體晶圓之平面表面的光源以投影該邊緣輪廓，並利用照相機記 錄平行於晶圓圓周之邊緣輪廓所投射的陰影，然後藉由合適的圖 像處理方法及數學演算法㈣行評估。因此無法於取向特徵

(〇—η -腦）之區域内進行測*，該取向特徵通常係存 在於半導體晶圓上。半導體晶圓圓周上之凹口（nQtet〇或展平區 (flat region)(“平坦”）通常作為取向特徵。雖然輪廓投影原則上 也能於未經拋光之邊緣上發揮作用，但僅提供有限的準確度，其 係取決於邊緣區域内的表面粗糙度，因為較粗糙的邊緣將導致較 強烈的光線散射，使得陰影投射的輪廓不再如此清晰。此外，輪 廓投影無法用以測量凹口或平坦區域内之邊緣輪廓。由於僅於邊 緣已拋光之情況下方能精確測定該邊緣輪廓，因此，利用輪廓投 影僅能以有限之準確度，比較晶圓邊緣於不同方法步驟之前及之 後的狀態。因而，所有改變邊緣輪廓之機械加工步驟的程序控制， 尤其是邊緣機械加工步驟，也僅能實施至一非常有限的程度。因 此’即使表面上相同規格之半導體晶圓，其沿著晶圓圓周及於凹 口或平坦區域内之邊緣輪廓，差異亦相當大。 為解決該問題，JP 2003-017444提出於邊緣磨圓、邊緣磨削及邊 緣拋光期間，藉由量測一小凹坑（depressions)(其係為此目的而 引入半導體晶圓内）以測定材料之去除量。或者，US 6,722,954 B2 6 200809018 描述一測量-多晶矽層（其係 之材料去除量之方法。該方、、目的而特別施於測試晶圓上） 制。此外，該方法無法測，因而不適於連續程序控 殊製備之測試晶圓。 —曰曰圓本身，而係僅能針對經特 此外，亦嘗試於磨削半導曰 去的古土 日日囫之正面及背面期間藉由實施適 田的方法，以並非不可控制之 、 卜十坑 式改變存在於半導體晶圓兩侧 之琢面的長度，參見㈣971 39δΑι_ 6,465,328 Βΐ*

出曰398 AH田述—種方法流程’其並非於將半導體鑄鍵切割 二曰曰圓之後直接進行邊緣之磨圓，而是於—磨削步驟之後才進 仃該方法流程具有使所有晶圓具相同厚度之效益。此係為了確 保所有晶圓均具相同長度及琢面（“斜面（咖她〇，，）高度。然 即使於機械加工完成之半導體晶圓内，該措施亦不足以確保 /青晰且均勻的邊緣輪廟。 Μ上所述，目前僅利用精確度有限之測量方法以測定邊緣輪廓 之形咚。若適當，可額外地藉由輔助結構以控制晶圓邊緣區域内 材料去除置，该輔助結構例如是多晶石夕層或刻意產生之小洞。 因此無法在所有方法步驟内，精確追蹤晶圓邊緣之輪廓形狀，尤 其無法在凹口或平坦之區域内進行。因此，所製成半導體晶圓之 對應邊緣輪廓容易具有一大的波動範圍。 【發明内容】 因此，本發明之目的在於提供一具有精確之邊緣形狀的半導體 晶圓。 200809018 該目的係藉由一種半導體晶圓而實現，該晶圓具有一正面、一 背面及一沿該半導體晶圓圓周之邊緣，該邊緣係連接該正面及該 背面，且具有一清晰之邊緣輪廓，其中，該邊緣輪廓之參數，於 該半導體晶圓之整個圓周上具有以下標準偏差：· -該半導體晶圓正面上之琢面及鈍邊（web)間具一過渡區域， 該過渡區域之過渡半徑〇之標準偏差小於12微米（μιη); -該半導體晶圓背面上之琢面及鈍邊間具另一過渡區域，該過 渡區域之過渡半徑h之標準偏差小於10微米（μη〇; _該半導體晶圓之正面上具—琢面高度Β]且背面上之琢面具 一雨度B2，其標準偏差均小於5微米（ -該半導體晶圓之正面上具_琢面長度Αι，其標準偏差小於 11 微米（μπι); -该半導體晶圓之背面上具—琢面長度α2，其標準偏差小於8 微米（μπι);及 -該半導體晶圓之正面上具―琢面夹角01且背面上具一琢面 夹角Θ2 ’其_示準偏差係均小於〇 5。。 於此情況中，該些特定之標準偏差係藉由在單一半導體晶圓圓 周之複數個位置上，測量其邊緣輪廓而獲得。 該目的亦可藉由複數個半導體晶圓加以實現，其皆具有一正 面、一背面及—沿著該半導體晶圓圓周之邊緣，該邊緣係連接該 正面及該背面’且具有—清晰之邊緣輪靡，其中該邊緣輪廓之參 數’於所有複數個半導體晶圓上均具有上述特定之標準偏差。於 8 200809018 此情況中’該些標準偏差係藉由測量該複數個半導體晶圓之個別 邊緣輪廓而獲得。 於實貝上為圓形之半導體晶圓態樣中，較佳係不僅於圓周之圓 形部分滿足該上述條件，且亦於—取向特徵區域内滿足該上述條 件。 因此，根據本發明之半導體晶圓係具一非常精確之邊緣輪廊， 該邊緣輪廓於其所有區域内、晶圓之整侧周上及凹口或平坦區 域内，均符合在一小公差範圍内。 【實施方式】 -半導體晶圓！之邊緣輪廓具有—厚度“參考第！圖），將該 邊緣輪廓於晶圓之截面内，劃分成3個區域：—琢面2，即正面上 之傾斜區域；-位於圓周上之鈍邊3;及於該半導體晶圓背面上之 另-琢面4。該些琢面2、4各包含—實質上平直部分、—斜面及 一延伸至鈍面3之彎曲之過渡區域5、6。 該輪廓可藉由以下參數加以描述： · _該半導體晶圓之正面上之琢面夾角01及背面上之琢面夹角 〜：-參考平面與相對應琢面之斜面間的夹角。可以採用晶圓之 平面表面7、8或例如卡盤表面（伽Ck surface)作為參考平面。 邊緣輪廓之測量僅包含該晶圓之平面表面之一小區域，此導致 該晶圓表面之不確定測量。因此，通常較佳係定義卡盤表面為 參考平面。 _·該半導體晶圓正面上之琢面長度面上之該琢面長度 a2 ·係以平彳了於所定義之參考平面之方式，測量該兩琢面2、4 9 200809018 與該晶圓之平面表面7、8之交點，與半導體晶圓之最外點間的 距離而得。 -該半導體晶圓正面上之琢面高度Βι及該背面上之琢面高度 B2 :係該晶圓之平面表面7、8之延長線與一交點間的距離，該 父”、、i係琢面2 4之延長線與參考平面之一垂線的交點，該垂線 係通過半導體晶圓之最外點。鈍邊長度B係由半導體晶圓之厚 度t減去琢面高度Bl、&之和而得出，即b =丨一⑺1 + B2)。鈍 邊亦可包含複數個平直部分。 -該半導體晶圓正面上之過渡半徑^及該背面上之過渡半徑 r2 :係斜面（即琢面）與鈍邊3間之各個過渡區域$、6之曲率 半徑。 -鈍邊角度β:係鈍邊與參考平面之垂線間的夾角（第！圖中 鈍邊角度β = 0,因該鈍邊垂直於參考平面）。若純邊係由複數個 平直部分所描述，則將相應地存在複數個鈍邊角度。 利用該些參數可以大範圍地改變該邊緣輪廊。因此 不具有鈍邊3之邊緣輪廉，其中，其f曲之過渡區域5、6係互相 合併，於此情況下，其《半U Μ以是相等^ 、 根據本發明，所給定之參數於半導體晶圓間或於半導體晶圓内 均具有非常小的標準偏差。因此，可於製造電子树期間，可土 地避免由於不精確之邊緣幾何形狀所導致的產率損失。日 罪 根據本發明之半導體晶圓可藉由—包含以下步驟之方法製『： a) 由一半導體鑄錠分離出一半導體晶圓丨 卞 b) 機械加工該半導體晶圓，並改變 干V體曰曰圓之邊緣輪廣； 200809018 C)測量該半導體晶圓之邊緣輪廓； d )確定所測邊緣輪廓相對於所欲邊緣輪廓之與位置相關的偏 差；及 e)改變機械加工之參數，使得於後續機械加工下一個半導體晶 圓所形成之邊緣輪廓，其相對於所欲邊緣輪廓之偏差小於先前經 機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓。 在步驟a)中，以習知技術將半導體晶圓自半導體鑄錠分離，較 佳係使用多線鋸（multi wire saw)。 在步驟b)中，對第一半導體晶圓實施改變其邊緣輪廓之機械加 工步驟。該些機械加工步驟主要為邊緣機械加工步驟，例如邊緣 磨圓或邊緣拋光，但亦可為根據習知技術慣用之表面機械加工步 驟，如磨削、研磨或拋光晶圓表面，其中，可磨削或拋光半導體 晶圓之單面或雙面。此外，亦可於步驟b)中，進行其他會影響邊 緣輪靡之機械加工類型，例如一#刻處理、一清潔或一蠢晶塗覆。 第2 _圖例示邊緣輪廓如何隨著半導體晶圓之機械加工過程而變 化的情況。於一雙面磨削之後，半導體晶圓具有一邊緣輪廓11， 其藉由機械加工步驟而多次改變，例如藉由餘刻處理（形成一邊 緣輪廓12)、邊緣拋光（形成一邊緣輪廓13)及雙面拋光（形成 一邊緣輪靡14 )。 於機械加工之後，於步驟c)中精確地測量該半導體晶圓之邊緣 輪廓，並於步驟d)中評估其結果。較佳地，測量方法係以光截面 法（light section method)為主，於該方法中單個或複數個雷射光 束係通過該晶圓邊緣（半導體晶圓之正面及背面），以電荷耦合元 200809018 件（Charge Coupled Device，CCD)相機記錄雷射點的位置，並藉 由適當軟體加以评估。從而形成一晶圓邊緣輪廓，並藉此以適當 方法獲得輪廓參數（如琢面夾角、Θ2、琢面長度A〗、A2、琢面 高度、B2及過渡半徑r!、r*2)。因此，可以精確地測量未經高度 拋光之晶圓邊緣的輪廓，尤其在凹口或平坦之區域内。適當之測 量裝置係可商購的。若半導體晶圓於測量邊緣輪廓時已具有一經 拋光之邊緣，由於該邊緣所散射的光線過少，因而也不適合光截 面法。於此情況下，較佳係使用上述之輪廓投影方法以測量邊緣 ® 輪廓。光截面法與輪廓投影法之組合係適合於邊緣之任何機械加 工狀態中，於晶圓之所有區域内（於凹口及平坦之區域内，及整 個圓周上），高度精確且準確地測量其邊緣輪廓。 於步驟e)中，若一先前經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓， _相對於所需精確度有所偏差，則基於預先實施之測量及計算，實 施機械加工步驟之最適化，從而使下一個待機械加工之半導體晶 圓之邊緣輪廓，相對於該先前經機械加工之半導體晶圓得到改 φ •善。最適化係由例如加工參數及工具之特定控制所組成。 於-根據本發明方法之較佳實施例中，不僅於機械加工之後進 行邊緣輪廓之測量’並額外地於機械加以前錢行之。比較兩 次測量之結果，較佳係藉由差分格式（diffe_ef_tk)n)進行 比較。因而，以與位置相關之方今 關<万式，於整個邊緣輪廓上測定該藉 由於測量之間進行之機械加工步鹽& 所產生之材料去除量。以此方 式可分離不同機械加工步驟之影變 心〜響，此能進一步改善加工控制。 12 200809018 兩邊緣輪廓間之差值係該兩邊緣輪廓間之點對點之最短距離， 該兩邊緣輪廓係於機械加工步驟之前及之後先後繪製（參考第2 圖），並以如下方式進行測定：於該後形成之邊緣輪廓（例如經蝕 刻處理後之邊緣輪廓12)之每一點上，繪製該邊緣輪廓之垂線。 該垂線與該先形成之邊緣輪廓（例如經雙面磨削之後，即蝕刻處 理前之邊緣輪廓11)之交點，及該垂線與該後形成之邊緣輪廓（例 如邊緣輪廓12)之交點間的距離，其相當於該兩邊緣輪廓於該點 上之差值。以基於該後者邊緣輪廓之長度或角度之方式，描繪該 些差值以形成一差值曲線（difference profile )。因此，可以得到邊 緣輪廓於不同區域内之去除量。可依所需之方式，例如藉由將對 差值曲線或差值曲線之特定區域加以平均（線性或二次），測定量 化之去除量。相對於在一特定機械加工步驟内所產生之所欲輪靡 的偏差，其原因可輕易地利用此偏差曲線而決定。 本發明方法另具有之優點為，不須特別製備的測試晶圓。此一 方面可節省費用，另一方面則能連續地進行加工控制。 與習知技術相比，根據本發明之方法製造之半導體晶圓，其邊 緣輪廓之偏差範圍可明顯更小。 於根據本發明之方法之一較佳實施態樣中，利用一經輪廓化 (profiled)之磨削圓盤進行邊緣磨圓後，進行該方法之步驟c) 及d)，因此根據本發明之方法係可應用於邊緣磨圓。此為較佳者， 因為邊緣磨圓本身對邊緣輪廓之影響非常大。根據習知技術，邊 緣磨圓通常利用一經輪廓化之工具磨削該晶圓邊緣而達成，該工 具例如一磨削圓盤，其具有一與待製造之邊緣輪廓相符之反面形 13 200809018 狀（negative form)。於磨削期間，工具之反 , 製於半導體晶圓之邊緣上。該半導體晶圓<^狀以正向方式複 準確度，取決於磨騎財，磨㈣盤相^輪廓之精確度及 置及磨削圓盤之磨損。 ；該半導體晶圓之位 於該較佳實施態樣中，若於步驟d)中 相對於所欲值之偏差超出允許範圍，則於步驟e 琢=長度 圓盤之位置。相反地，若於步驟d)中確 ^二周即磨削 心您緣輪廓之其他參數相 j於所欲值之偏差超出允許範圍，則更換磨削圓盤。此兩種情況 圓句適合於晶圓圓周上及於平坦部分上或凹口内所進行之邊緣磨 隨後經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廊，係藉由此㈣ (feedback)而加讀似㈣。習知技射並沒有提供此類回 饋。因此，與習知技術相比，本發明能使得參數之偏差減小。於 表1中列出經邊緣磨圓後，經上述定義之邊緣輪廓之參數的標準 偏差。於此情況下，測量系列U1及U2係於16個沿著晶圓圓周 之測量位置上的測量結果，其中，於U1中受測之半導體晶圓係經 根據習知技術之機械加工，並未應用根據本發明之方法，而於U2 中受測之半導體晶圓則係根據本發明，利用輪廓測量及對邊緣磨 圓之回饋進行機械加工。於晶圓之凹口内達成類似之改良（測量 系列Nl、N2 ; N1係類似於根據現有技術之Ul，N2係類似於根 據本發明之U2)，從而能比較於晶圓圓周上及於凹口内之參數偏 差。除了如前述定義之參數外，表1亦列出邊緣輪廓之對稱性偏 差△Sym，即半導體晶圓之正面及背面參數之比較；以及相對於表 14 200809018 面上平直或圓弧區域之邊緣輪廓之偏差（輪廓變形（profile deformation)，Def) 〇 表1 測量 Γΐ r2 Βι β2 Αι Α2 ASym Def θι θ2 系列 [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [°] [°] U1 5.77 5,77 5.33 7.22 14.42 19.85 22,63 0.30 0.19 0.21 U2 2.52 2.52 4.00 5.04 10.64 11,53 17.67 0.29 0.13 0.18 N1 2,20 2.20 5.79 6.13 13.86 16.54 28.43 0.49 0.16 0.20 N2 1.24 1,24 5.20 5.58 12.12 13.80 24.36 0.62 0.10 0.11 於此情況下，同樣地，尤其較佳係於邊緣磨圓之前及之後均實 施邊緣輪扉之測量。 此外，根據本發明之方法較佳係應用於邊緣拋光上。於此情況 下，若於步驟d)中，確定邊緣輪廓相對於所欲輪廓之偏差超出允 許範圍，則於步驟e)中再次調節拋光工具之位置。較佳係藉由在 邊緣拋光之前及之後所測得之輪廓間的差值，精確地確定材料去 除量，並相對應地重新調節工具。 較佳地，根據本發明之方法係應用於雙面拋光：如此，可以根 據待製造之邊緣輪廓，選擇用於雙面拋光並接收半導體晶圓之載 具(carrier) ° 亦尤其較佳係於製造方法之過程中，於所有機械加工步驟之前 及之後，進行步驟c)及d)之測量及評估，此對邊緣輪廓具有顯 著之影響。尤其地，該些具有相當大之材料去除量之所有機械加 工步驟，例如對晶圓表面或晶圓邊緣實施之磨削、研磨、餘刻、 拋光，磊晶塗覆亦顯著影響邊緣輪廓。以此方式，可於直至最終 產品之所有機械加工步驟中^均確保精確之邊緣形狀。 15 200809018 類似於表1，表2列出前述參數之標準偏差，但係針對經機械加 工之隶終半導體晶圓，該半導體晶圓係經歷包含雙面抛光之所有 機械加工步驟。於此情況下，測量系列U3及U4亦為一於Μ個 沿著晶圓圓周之測量位置上之測量結果，其中於U3中受測之半導 體晶圓係根據習知技術加以加工，未應用根據本發明之方法，而 於U4中受測之半導體晶圓，係根據本發明，利用輪廓測量及對影 響邊緣輪廓之所有機械加工步驟之回饋，進行機械加工。與習知 技術相比，顯然所有參數之標準偏差均明顯減小。 表2 測量 系列 Π [μιη] r2 [μιη] Βι [μιη] β2 [μιη] A! [μιη] [μιη] ASym [μιη] Def [μιη] θ, [°] ^2 η U3 24.47 28.26 12.14 13.45 12.37 14,13 14.88 0.87 2.08 2.34 U4 11.14 9.80 4.75 3.10 10.96 7.11 14.53 0.37 οαΡ 0.25 16 200809018 【圖式簡單說明】 第1圖表示出可完整描述一半導體晶圓之邊緣輪廓之參數。 第2圖表示出一半導體晶圓於機械加工過程中，其邊緣輪廓之 改變。 * 【主要元件符號說明】 1 半導體晶圓 3 純面 7，8平面之晶圓表面 12 經蝕刻處理後之邊緣輪廓 14 經雙面拋光後之邊緣輪廓 Γ! 正面之過渡半徑 B 鈍面長度 B2 背面之琢面高度 A2 背面之琢面長度 Θ2 背面之琢面角度 2, 4琢面 5, 6彎曲之過渡區域 11 經雙面磨削後之邊緣輪廓 13 經邊緣拋光後之邊緣輪廓 t 厚度 . r2 背面之過渡半徑 B! 正面之琢面高度 Αι 正面之琢面長度 θι 正面之琢面角度 17

Claims (1)

1. 200809018 十、申請專利範圍·· 1. 一種半導體晶圓，其|右_ 曰 /、穷正面、一背面及一沿著該半導體 • Γ圓圓周之邊緣，該邊緣係連接該正面及該背面，且具有- 斤邊緣輪廓’其中該邊緣輪靡於該半導體晶圓之整個圓 周上之參數，具有以下之標準偏差·· 二半V體曰曰圓正面上之一琢面與一鈍邊間包含一過渡區 I心渡區域具有—過渡半徑h，且該過渡半徑η之標準 偏差係小於12微米（μηι); 該半導體晶Β]背面上之另_琢面與該鈍邊間包含另一過 =域’㈣渡輯具有—過渡半徑〇，且朗渡半徑^之 “準偏差係小於1 0微来； 該半導體晶圓正面上之琢面具有—高度B]且該半導體晶 r面上之琢面具有另一高度B2，其中該兩高度之標準偏差 均小於5微米； 該半導體晶圓正面上具有-琢面長度A,，其標準偏差小 於u微米； · 該半導體晶圓背面上具有另一琢面長度A2，其標準偏差 小於8微米；及 該半導體晶圓正面上具有—琢面失角01且其背面上具有 另—琢面夾角化’該兩夾角之標準偏差均小於05。。 如請求項！所述之半導體晶圓，其特徵在於—基本上為圓形 之戴面’及至少-選自由-凹口及—平坦部分所構成群組之 =向特徵·，該取向特徵區域内之該邊緣輪廓之參數亦具有如 請求項1中所給定之標準偏差。 18 2. 200809018 3.複數個半導體晶圓，各該半導體晶圓皆具有一正面、一背面 以及一沿著該半導體晶圓圓周之邊緣，該邊緣係連接該正面 及該月面，且具有一清晰之邊緣輪廊，該邊緣輪廊於全部該 些半導體晶圓上之參數具有以下標準偏差·· 每一該些半導體晶圓正面上之一琢面與一鈍邊間，包含 一過渡區域，該過度區域具有一過渡半徑q，該過渡半徑r〗 之標準偏差小於12微米（μιη); 每一該些半導體晶圓背面上之一琢面與—鈍邊間，包含 -過渡區域’該過渡區域具有—過渡半徑&，該過渡半徑、 之標準偏差小於1〇微米（μηι); 每一該些半導體晶圓之正面上具有-琢面高度Bl且其背 面上具有另一琢面高度b2，該兩高度之標準偏差均小於5微 米（μηι); 每一該些半導體晶圓正面上具有一琢面長度Α丨，其標準 偏差小於11微米（μιη); ,每—魅半導體晶®背面上具有另-琢面長度、，其標 準偏差小於8微米（μχη);及 且该些半導體晶圓之正面上具有一琢面夾角h且其背面上 /、有另-琢面夹角θ2，該兩夹角之標準偏差均小於仏5。。 毛如請求項3所述之複數個半導體晶圓，各該半導體晶圓之特 徵在於基本上為圓形之截面，及至少一選自由一凹口及一 平i—^刀所構成群組之取向特徵，·該取向特徵區域内之該邊 、、輪郭之參數亦具有如請求項！中所給定之標準偏差。 19 200809018 5. 一種用於製造半導體晶圓之方法，其包含以下步驟： a) 由一半導體鑄錠分離出一半導體晶圓； b) 機械加工該半導體晶圓，並改變該半導體晶圓之邊緣 輪廊， c) 測量該半導體晶圓之邊緣輪廓； d) 確定所測邊緣輪廓相對於所欲邊緣輪廓之與位置相關 之偏差；及 e) 改變機械加工之參數，使得於後續機械加工下一個半 導體晶圓所形成之邊緣輪廓，其相對於所欲邊緣輪廓之偏 差，小於先前經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓相對於理 論邊緣輪廓之偏差。 6. 如請求項5所述之方法，其中於機械加工該半導體晶圓之前， 於步驟b)中另外測量該邊緣輪廓，其中相互比較於機械加工 之前及之後之兩次測量結果，從而於整個該邊緣輪廓上，以 與位置相關之方式測定由機械加工所產生之材料去除量。 7. 如請求項5或6所述之方法，其中步驟b)中之該機械加工係 選自以下群組：邊緣磨圓、邊緣拋光、磨削至少一個面、研 磨、餘刻、拋光至少一個面、清潔及外延塗覆。 8. 如請求項7所述之方法，其中於步驟b)中藉由一經輪廓化之 磨削圓盤以進行邊緣磨圓，且於步驟e)中： 一若於步驟d)中，確定該半導體晶圓正面上之琢面長度 A!及該半導體晶圓背面上之琢面長度A2兩者至少一者，其相 對於所欲值之偏差係超出其允許範圍，則再次調整磨削圓盤 20 200809018 之位置； _若於步驟d)中，確定該邊緣輪廓之其他參數相對於所 欲值之偏差係超出其允許範圍，則更換該磨削圓盤。 9. 如請求項7所述之方法，其中於驟b)中進行邊緣拋光，且其 中若於步驟d)中確定該邊緣輪廓相對於所欲輪廓之偏差超出 其允許範圍，則於步驟e)中再次調整所用之拋光工具之位置。 10. 如請求項5或6所述之方法，其中若該邊緣未加以拋光，則 利用一光截面法測量該邊緣輪廓；及其中若該半導體晶圓之 ^ 邊緣已加以拋光，則利用一輪廓投影法測量該邊緣輪廓。 21