JP2008042059A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10の領域Tr1に、基板10内部に不純物濃度のピークを有するチャネル領域18を形成し、領域Tr2及び領域Tr3に、半導体基板10の表面近傍に不純物濃度のピークを有するチャネル領域16、14を形成する。その後、領域Tr1、領域Tr2及び領域Tr3に、それぞれエクステンション領域22を形成した後、基板10を熱処理して、エクステンション領域22に発生した欠陥を消滅させる。その後、ゲート電極21、側壁スペーサ23をマスクに、領域Tr1、領域Tr2及び領域Tr3に、それぞれソース・ドレイン領域24を形成する。
【選択図】図3
Description
好適には、上記第2のゲート絶縁膜は、第1のゲート絶縁膜に比べて膜厚が厚い。
図1(a)〜図2(c)は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
図4(a)〜図5(c)は、本発明の第2の実施形態における半導体装置の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
図7(a)〜図8(d)は、本発明の第3の実施形態における半導体装置の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
11 素子分離領域
12 保護膜
13、15、17 レジストマスク
14、16、18、18A チャネル領域
19、20 ゲート絶縁膜
21 ゲート電極
22 エクステンション領域
23 側壁スペーサ
24 ソース・ドレイン領域
Claims (18)
- 半導体基板に形成された第1のMISトランジスタ及び第2のMISトランジスタを備えた半導体装置であって、
前記第1のMISトランジスタは、
前記半導体基板における第1のMISトランジスタ形成領域上に形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、
前記第1のMISトランジスタ形成領域に形成され、前記第1のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有する第1のチャネル領域と、
前記第1のMISトランジスタ形成領域における前記第1のゲート電極の側方下に形成された第1のエクステンション領域とを備え、
前記第2のMISトランジスタは、
前記半導体基板における第2のMISトランジスタ形成領域上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、
前記第2のMISトランジスタ形成領域に形成され、前記第2のMISトランジスタ形成領域の表面近傍に不純物濃度のピークを有する第2のチャネル領域と、
前記第2のMISトランジスタ形成領域における前記第2のゲート電極の側方下に形成された第2のエクステンション領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1のMISトランジスタは、
前記第1のゲート電極の側面上に形成された第1の側壁スペーサと、
前記第1のMISトランジスタ形成領域における前記第1の側壁スペーサの外側方下に形成された第1のソース・ドレイン領域とをさらに備え、
前記第2のMISトランジスタは、
前記第2のゲート電極の側面上に形成された第2の側壁スペーサと、
前記第2のMISトランジスタ形成領域における前記第2の側壁スペーサの外側方下に形成された第2のソース・ドレイン領域とをさらに備えている、半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第1のゲート絶縁膜と膜厚が同じである、半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第1のゲート絶縁膜に比べて膜厚が厚い、半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第1のチャネル領域は、同一導電型で不純物種の異なる第1の不純物と第2の不純物からなる、半導体装置。 - 請求項2又は3に記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成された第3のMISトランジスタをさらに備え、
前記第3のMISトランジスタは、
前記半導体基板における第3のMISトランジスタ形成領域上に形成され、前記第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜に比べて膜厚の厚い第3のゲート絶縁膜と、
前記第3のゲート絶縁膜上に形成された第3のゲート電極と、
前記第3のMISトランジスタ形成領域に形成され、前記第3のMISトランジスタ形成領域の表面近傍に不純物濃度のピークを有する第3のチャネル領域とを備えている、半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成された第3のMISトランジスタをさらに備え、
前記第3のMISトランジスタは、
前記半導体基板における第3のMISトランジスタ形成領域上に形成され、前記第1のゲート絶縁膜と同じ膜厚を有する第3のゲート絶縁膜と、
前記第3のゲート絶縁膜上に形成された第3のゲート電極と、
前記第3のMISトランジスタ形成領域に形成され、前記第3のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有し、前記第2の不純物からなる第3のチャネル領域とを備えている、半導体装置。 - 請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1のMISトランジスタは、SRAMを構成するトランジスタである、半導体装置。 - 互いに異なるチャネル領域の不純物濃度プロファイルを有する第1のMISトランジスタ及び第2のMISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板における前記第1のMISトランジスタ形成領域に、第1の不純物をイオン注入して、前記第1のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有する第1のチャネル領域を形成する工程(a)と、
前記半導体基板における前記第2のMISトランジスタ形成領域に、第2の不純物をイオン注入して、前記第2のMISトランジスタ形成領域の表面近傍に不純物濃度のピークを有する第2のチャネル領域を形成する工程(b)と、
前記第1のMISトランジスタ形成領域上に第1のゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極を形成すると共に、前記第2のMISトランジスタ形成領域上に第2のゲート絶縁膜を介して第2のゲート電極を形成する工程(c)と、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極をマスクにして、前記第1のMISトランジスタ形成領域及び前記第2のMISトランジスタ形成領域に、第3の不純物をイオン注入して、第1のエクステンション領域及び第2のエクステンション領域を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後、前記半導体基板を熱処理して、前記第3の不純物のイオン注入によって、前記第1のエクステンション領域及び前記第2のエクステンション領域に発生した欠陥を消滅させる工程(e)と
を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(e)の後、前記第1のゲート電極の側面上に第1の側壁スペーサを形成すると共に、前記第2のゲート電極の側面上に第2の側壁スペーサを形成する工程(f)と、
前記第1のゲート電極及び前記第1の側壁スペーサをマスクにして、前記第1のMISトランジスタ形成領域に第4の不純物をイオン注入し、第1のソース・ドレイン領域を形成するとともに、前記第2のゲート電極及び前記第2の側壁スペーサをマスクにして、前記第2のMISトランジスタ形成領域に前記第4の不純物をイオン注入し、第2のソース・ドレイン領域を形成する工程(g)とをさらに備えている、半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(g)の後、前記半導体基板を熱処理して、前記第1のMISトランジスタ形成領域及び前記第2のMISトランジスタ形成領域にイオン注入された、前記第1の不純物、前記第2の不純物、前記第3の不純物、及び前記第4の不純物を活性化させる工程(h)をさらに有する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜11のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(d)において、前記第1のエクステンション領域の深さが、前記第1のチャネル領域における前記第1の不純物の不純物濃度のピーク位置と略一致するように形成されている、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜12のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第1のゲート絶縁膜と膜厚が同じである、半導体装置の製造方法。 - 請求項9〜12のうちいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2のゲート絶縁膜は、前記第1のゲート絶縁膜に比べて膜厚が厚い、半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(c)よりも前に、前記第1のMISトランジスタ形成領域に、前記第1のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有するように、前記第1の不純物と同一導電型で不純物種の異なる第5の不純物をイオン注入する工程(i)を有し、前記第1の不純物及び前記第5の不純物からなる前記第1のチャネル領域を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の半導体装置の製造方法において、
第3のチャネル領域を有する第3のMISトランジスタをさらに備え、
前記工程(c)よりも前に、前記半導体基板における前記第3のMISトランジスタ形成領域に、前記第6の不純物をイオン注入して、前記第3のMISトランジスタ形成領域の表面近傍に不純物濃度のピークを有する前記第3のチャネル領域を形成する工程(j)をさらに備え、
前記工程(c)は、前記第3のMISトランジスタ形成領域上に前記第1のゲート絶縁膜と同じ膜厚を有する第3のゲート絶縁膜を介して第3のゲート電極を形成する工程を含んでいる、半導体装置の製造方法。 - 請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、
第3のチャネル領域を有する第3のMISトランジスタをさらに備え、
前記工程(i)は、前記半導体基板における前記第3のMISトランジスタ形成領域に、前記第5の不純物をイオン注入して、前記第3のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有する前記第3のチャネル領域を形成する工程を含み、
前記工程(c)は、前記第3のMISトランジスタ形成領域上に前記第1のゲート絶縁膜と同じ膜厚を有する第3のゲート絶縁膜を介して第3のゲート電極を形成する工程を含んでいる、半導体装置の製造方法。 - 請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、
第3のチャネル領域を有する第3のMISトランジスタをさらに備え、
前記工程(a)及び前記工程(b)よりも後で、前記工程(c)よりも前に、前記第1〜第3のMISトランジスタ形成領域上に前記第2のゲート絶縁膜を形成する工程(k)を有し、
前記工程(i)は、前記工程(k)よりも後で前記工程(c)よりも前に行い、前記半導体基板における前記第1のMISトランジスタ形成領域及び前記第3のMISトランジスタ形成領域に、前記第2のゲート絶縁膜を通して前記第5の不純物をイオン注入することにより、前記第1のMISトランジスタ形成領域に前記第1のチャネル領域を形成するとともに、前記第3のMISトランジスタ形成領域に前記第3のMISトランジスタ形成領域の表面から離間している内部に不純物濃度のピークを有する前記第3のチャネル領域を形成する工程を含み、
前記工程(i)よりも後で前記工程(c)よりも前に、前記第1のMISトランジスタ形成領域及び前記第3のMISトランジスタ形成領域上の前記第2のゲート絶縁膜を除去した後、前記第1のMISトランジスタ形成領域に前記第1のゲート絶縁膜を形成するとともに、前記第3のMISトランジスタ形成領域上に前記第1のゲート絶縁膜と同じ膜厚を有する第3のゲート絶縁膜を形成する工程(l)を有し、
前記工程(c)は、前記第3のMISトランジスタ形成領域上に前記第3のゲート絶縁膜を介して第3のゲート電極を形成する工程を含んでいる、半導体装置の製造方法。
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