JP2008035067A - 負荷駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば、端子DDまたは端子SSの間にnチャネル型の出力トランジスタQ3を設け、Q3によって端子DDまたは端子SSに接続された負荷を駆動する。出力トランジスタQ3には、ESD保護等のため、そのゲートと端子DDの間にアクティブクランプ回路ACPを設け、ゲートと端子SSの間に抵抗R4を設ける。更に、Q3のゲートと端子SSの間には、外来ノイズの発生時にQ3のゲートと端子SSとをシャントすることでQ3をオフに駆動するシャント回路SHを設ける。そして、このような構成に加えて、シャント回路SHの有効/無効をACPからの帰還信号に基づいて制御するための帰還回路FBおよびトランジスタQ5を設ける。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1による負荷駆動回路において、その構成の一例を示す回路図である。図1に示す負荷駆動回路は、nチャネル型の出力トランジスタQ3と、アクティブクランプ回路ACPと、抵抗R4,R5と、nチャネル型のトランジスタQ4,Q5と、容量C4と、帰還回路FBとを含んでいる。各トランジスタQ3,Q4,Q5は、例えばMOSトランジスタなどである。詳細は後述するが、C4、R5およびQ4は、外来ノイズが生じた際にQ3をオフに駆動する機能を備えたシャント回路SHであり、FBおよびQ5は、ACPからの帰還信号に応じてシャント回路SHの有効/無効を制御する回路(第1回路)である。
本実施の形態2では、実施の形態1で述べた図3の回路の上アーム側を変形した構成例について説明する。実施の形態1で述べたようなアクティブクランプ回路ACPは、上アーム側では省略することが多い。これは、一つの要因として、通常、下アーム側に比べて上アーム側の方が回路面積が大きくなるため、上アーム側に対しては回路面積の縮小が求められることが挙げられる。すなわち、例えば図11(a)等から判るように、上アーム側におけるプリドライバ回路PD1の各トランジスタが、例えば電源電圧VBにQ1のゲート〜ソース間電圧Vgs分を加えた電圧までの耐圧確保が必要なのに対し、下アーム側のプリドライバ回路PD2では、例えば出力トランジスタQ2のVgs分の耐圧を備えていればよい。したがって、通常、上アーム側の方が各トランジスタのサイズが大きくなり、回路面積が大きくなる。
FB 帰還回路
C 容量
Q トランジスタ
R 抵抗
DD ダイオード
ZD ツェナーダイオード
DD,SS,VS,HSO,LSO,PGND,A,B 端子
L インダクタ
SW スイッチ
CMP 比較回路
Z 負荷
ESD_P ESD保護素子
ND ノード
P,N,N+,P+ 半導体層
SUB 半導体基板
IS ゲート絶縁膜
PD プリドライバ回路
MR スピンドルモータ
WH ワイヤハーネス
NS ノイズ
ESD_G サージ発生回路
SH シャント回路
Claims (5)
- 第1ノード、第2ノードおよび第1制御入力ノードを備え、前記第1制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御され、このオン/オフの制御によって負荷を駆動する出力トランジスタと、
前記第1ノードと前記第1制御入力ノードの間に設けられ、ダイオードおよびツェナーダイオードを含んだアクティブクランプ回路と、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第1抵抗と、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられ、第2制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御されるシャント用トランジスタと、
前記第1ノードと前記第2制御入力ノードの間に設けられた容量と、
前記第2制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第2抵抗と、
前記アクティブクランプ回路からの帰還信号に応じて前記シャント用トランジスタのオン/オフを制御する第1回路とを有することを特徴とする負荷駆動回路。 - 第1ノード、第2ノードおよび第1制御入力ノードを備え、前記第1制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御され、このオン/オフの制御によって前記第2ノード側に接続される負荷を駆動する出力トランジスタと、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第1抵抗と、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられ、第2制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御されるシャント用トランジスタと、
前記第2制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第2抵抗と、
前記第2制御入力ノードと接地電圧の間に設けられた容量とを有することを特徴とする負荷駆動回路。 - 請求項2記載の負荷駆動回路において、
さらに、前記第2制御入力ノードと前記第1制御入力ノードの間に設けられたダイオードを有することを特徴とする負荷駆動回路。 - 第1ノード、第2ノードおよび第1制御入力ノードを備え、前記第1制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御され、このオン/オフの制御によって前記第2ノード側に接続される負荷を駆動する第1出力トランジスタと、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第1抵抗と、
前記第1制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられ、第2制御入力ノードと前記第2ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御される第1シャント用トランジスタと、
前記第2制御入力ノードと前記第2ノードの間に設けられた第2抵抗と、
前記第2制御入力ノードと接地電圧の間に設けられた第1容量と、
第3ノード、第4ノードおよび第3制御入力ノードを備え、前記第3制御入力ノードと前記第4ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御され、このオン/オフの制御によって前記第3ノード側に接続される前記負荷を駆動する第2出力トランジスタと、
前記第3ノードと前記第3制御入力ノードの間に設けられ、ダイオードおよびツェナーダイオードを含んだアクティブクランプ回路と、
前記第3制御入力ノードと前記第4ノードの間に設けられた第3抵抗と、
前記第3制御入力ノードと前記第4ノードの間に設けられ、第4制御入力ノードと前記第4ノードとの間の電位差に応じてオン/オフが制御される第2シャント用トランジスタと、
前記第3ノードと前記第4制御入力ノードの間に設けられた第2容量と、
前記第4制御入力ノードと前記第4ノードの間に設けられた第4抵抗と、
前記アクティブクランプ回路からの帰還信号に応じて前記第2シャント用トランジスタのオン/オフを制御する第1回路とを有することを特徴とする負荷駆動回路。 - 請求項4記載の負荷駆動回路において、
前記第1容量は、半導体基板との間の寄生容量で実現されることを特徴とする負荷駆動回路。
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