JP2009232637A - スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 - Google Patents
スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009232637A JP2009232637A JP2008077651A JP2008077651A JP2009232637A JP 2009232637 A JP2009232637 A JP 2009232637A JP 2008077651 A JP2008077651 A JP 2008077651A JP 2008077651 A JP2008077651 A JP 2008077651A JP 2009232637 A JP2009232637 A JP 2009232637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- switch control
- control device
- signal
- transformer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Control Of Ac Motors In General (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係るスイッチ制御装置1は、入力信号INに基づいてスイッチ制御信号を生成するコントローラが集積化された第1半導体チップ10と、前記スイッチ制御信号に基づいてスイッチNUの駆動制御を行うドライバが集積化された第2半導体チップ20と、第1半導体チップ10と第2半導体チップ20との間を直流的に絶縁しながら前記スイッチ制御信号などの受け渡しを行う直流絶縁素子が集積化された第3半導体チップ30と、を一のパッケージに封止して成る構成とされている。
【選択図】図1
Description
2 エンジンコントロールユニット(ECU)
3 駆動回路
10 第1半導体チップ(コントローラチップ)
11 第1送信部
12 第1受信部
13 第2受信部
14 第2送信部
15 ロジック部
16 第1低電圧ロックアウト部(第1UVLO部)
20 第2半導体チップ(ドライバチップ)
21 第3受信部
22 第3送信部
23 第4送信部
24 第4受信部
25 ドライバ部
26 異常検知部
27 第2低電圧ロックアウト部(第2UVLO部)
28 過電流保護部(OCP部)
30 第3半導体チップ(トランスチップ)
31 第1トランス
32 第2トランス
33 第3トランス
34 第4トランス
35 第1ガードリング
36 第2ガードリング
40 第1アイランド(低圧側アイランド)
50 第2アイランド(高圧側アイランド)
NU ハイサイドスイッチ
NL ローサイドスイッチ
Na、Nb、N1〜N3 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
P1 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
E1、E2 直流電圧源
C1、C2 キャパシタ
R1〜R4 抵抗
T1、T2 ピン
Claims (10)
- 入力信号に基づいてスイッチ制御信号を生成するコントローラが集積化された第1半導体チップと、前記スイッチ制御信号に基づいてスイッチの駆動制御を行うドライバが集積化された第2半導体チップと、第1半導体チップと第2半導体チップとの間を直流的に絶縁しながら前記スイッチ制御信号などの受け渡しを行う直流絶縁素子が集積化された第3半導体チップと、を一のパッケージに封止して成ることを特徴とするスイッチ制御装置。
- 前記パッケージは、相対する2辺にそれぞれ複数のピンが配列されるものであり、第1半導体チップ、第2半導体チップ、及び、第3半導体チップは、前記ピンの配列方向に対して平行に並べられていることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ制御装置。
- 前記パッケージは、相対する2辺にそれぞれ複数のピンが配列されるものであり、第1半導体チップ、第2半導体チップ、及び、第3半導体チップは、前記ピンの配列方向に対して垂直に並べられていることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ制御装置。
- 前記パッケージは、4辺にそれぞれ複数のピンが配列されるものであり、第1半導体チップ、第2半導体チップ、及び、第3半導体チップは、前記パッケージの対角線方向に対して平行に並べられていることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ制御装置。
- 第3半導体チップは、前記直流絶縁素子として、第1半導体チップから第2半導体チップに前記スイッチ制御信号を伝達する第1直流絶縁素子のほか、第2半導体チップから第1半導体チップにウォッチドッグ信号を伝達する第2直流絶縁素子と、第2半導体チップから第1半導体チップに第1フォルト信号を伝達する第3直流絶縁素子と、第1半導体チップから第2半導体チップに第2フォルト信号を伝達する第4直流絶縁素子と、が集積化されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のスイッチ制御装置。
- 第1半導体チップ及び第2半導体チップは、それぞれ、半導体基板と、前記半導体基板上に集積化された回路素子と、前記回路素子上に形成された配線層及び絶縁膜と、を有して成り、第3半導体チップは、半導体基板と、前記半導体基板上に集積化された直流絶縁素子と、を有して成ることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載のスイッチ制御装置。
- 第1半導体チップ及び第3半導体チップは、第1アイランド上に搭載されており、第2半導体チップは、第2アイランド上に搭載されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載のスイッチ制御装置。
- 第1アイランド及び第2アイランドは、いずれも非磁性素材から成ることを特徴とする請求項7に記載のスイッチ制御装置。
- 前記直流絶縁素子は、トランスであることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれかに記載のスイッチ制御装置。
- モータ駆動電圧の印加端とモータコイルの一端との間に接続されるハイサイドスイッチの制御手段として、請求項1〜請求項9のいずれかに記載のスイッチ制御装置を有して成ることを特徴とするモータ駆動装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008077651A JP5303167B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008077651A JP5303167B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009232637A true JP2009232637A (ja) | 2009-10-08 |
JP5303167B2 JP5303167B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41247407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008077651A Active JP5303167B2 (ja) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5303167B2 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011134756A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Yazaki Corp | 混成回路 |
JP2012227517A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-15 | Rohm Co Ltd | 温度検出装置、温度検出回路およびパワー半導体モジュール |
JP2012257421A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Rohm Co Ltd | 信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2013012514A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Yazaki Corp | 混成回路 |
JP2013238472A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および電圧測定装置 |
JP2014096789A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 信号伝送回路を備える駆動回路及び動作方法 |
JP2015038989A (ja) * | 2009-11-05 | 2015-02-26 | ローム株式会社 | 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2016015521A (ja) * | 2010-08-06 | 2016-01-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2016028407A (ja) * | 2013-11-13 | 2016-02-25 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
JP2018087824A (ja) * | 2011-04-01 | 2018-06-07 | ローム株式会社 | 温度検出装置および駆動装置 |
JP2019062263A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2019062253A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
WO2019087699A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
DE102017222592A1 (de) * | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Mahle International Gmbh | Bestückte Platine für ein elektrisches Bordnetz eines Kraftfahrzeugs |
JP2019103136A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | パワー インテグレーションズ スイッツランド ゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH | 誘導結合を利用した通信 |
JP2020065078A (ja) * | 2016-07-01 | 2020-04-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2022070944A1 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | ローム株式会社 | 信号伝達装置、電子機器、車両 |
WO2022168606A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2022176963A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2022209584A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023282040A1 (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023095659A1 (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN116633238A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-22 | 成都金洹科科技有限公司 | 一种基于铝基板的大功率电动车控制器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469059A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH0469058A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH0469056A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH09232622A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Denso Corp | 半導体装置 |
WO1999066557A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
US20050230837A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component with coreless transformer |
JP2006333458A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 故障応答機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。 |
US20070081280A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Drive circuit having a transformer for a semiconductor switching element |
JP2007165343A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Nec Electronics Corp | 薄膜トランスおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-03-25 JP JP2008077651A patent/JP5303167B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0469059A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH0469058A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH0469056A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
JPH09232622A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Denso Corp | 半導体装置 |
WO1999066557A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
US20050230837A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component with coreless transformer |
JP2006333458A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 故障応答機能を備えた、パワー半導体スイッチを駆動するための回路装置、並びにそれに付属する方法。 |
US20070081280A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Drive circuit having a transformer for a semiconductor switching element |
JP2007165343A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Nec Electronics Corp | 薄膜トランスおよびその製造方法 |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017188903A (ja) * | 2009-11-05 | 2017-10-12 | ローム株式会社 | 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
US11658659B2 (en) | 2009-11-05 | 2023-05-23 | Rohm Co., Ltd. | Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device |
US11115020B2 (en) | 2009-11-05 | 2021-09-07 | Rohm Co., Ltd. | Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device |
US9632135B2 (en) | 2009-11-05 | 2017-04-25 | Rohm Co., Ltd. | Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device |
US10382035B2 (en) | 2009-11-05 | 2019-08-13 | Rohm Co., Ltd. | Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device |
JP2015038989A (ja) * | 2009-11-05 | 2015-02-26 | ローム株式会社 | 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2018207127A (ja) * | 2009-11-05 | 2018-12-27 | ローム株式会社 | 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2011134756A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Yazaki Corp | 混成回路 |
US9117735B2 (en) | 2009-12-22 | 2015-08-25 | Yazaki Corporation | Hybrid circuit |
JP2016015521A (ja) * | 2010-08-06 | 2016-01-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 |
US9523613B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-12-20 | Rohm Co., Ltd. | Temperature detecting circuit and temperature detecting apparatus using the same |
JP2012227517A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-15 | Rohm Co Ltd | 温度検出装置、温度検出回路およびパワー半導体モジュール |
JP2018087824A (ja) * | 2011-04-01 | 2018-06-07 | ローム株式会社 | 温度検出装置および駆動装置 |
JP2012257421A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Rohm Co Ltd | 信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP2013012514A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Yazaki Corp | 混成回路 |
JP2013238472A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および電圧測定装置 |
JP2014096789A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 信号伝送回路を備える駆動回路及び動作方法 |
US11011297B2 (en) | 2013-11-13 | 2021-05-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11657953B2 (en) | 2013-11-13 | 2023-05-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
JP2016028407A (ja) * | 2013-11-13 | 2016-02-25 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
JP2021166300A (ja) * | 2016-07-01 | 2021-10-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7121834B2 (ja) | 2016-07-01 | 2022-08-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US11329572B2 (en) | 2016-07-01 | 2022-05-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020065078A (ja) * | 2016-07-01 | 2020-04-23 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2019062253A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2019062263A (ja) * | 2017-09-25 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
JP7038511B2 (ja) | 2017-09-25 | 2022-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
CN111295746A (zh) * | 2017-11-02 | 2020-06-16 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
JPWO2019087699A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2020-12-03 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN111295746B (zh) * | 2017-11-02 | 2023-08-11 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
WO2019087699A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7217614B2 (ja) | 2017-12-05 | 2023-02-03 | パワー インテグレーションズ スイッツランド ゲーエムベーハー | 誘導結合を利用した通信 |
JP2019103136A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | パワー インテグレーションズ スイッツランド ゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH | 誘導結合を利用した通信 |
US11700037B2 (en) | 2017-12-05 | 2023-07-11 | Power Integrations, Inc. | Controlling a semiconductor switch which includes a transmitter and receiver that communicate across galvanic isolation using an inductive coupling |
DE102017222592A1 (de) * | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Mahle International Gmbh | Bestückte Platine für ein elektrisches Bordnetz eines Kraftfahrzeugs |
EP3724037B1 (de) * | 2017-12-13 | 2023-09-06 | Mahle International GmbH | Bestückte platine für ein elektrisches bordnetz eines kraftfahrzeugs |
WO2022070944A1 (ja) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | ローム株式会社 | 信号伝達装置、電子機器、車両 |
WO2022168606A1 (ja) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2022176963A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2022209584A1 (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-06 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023282040A1 (ja) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
WO2023095659A1 (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN116633238A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-22 | 成都金洹科科技有限公司 | 一种基于铝基板的大功率电动车控制器 |
CN116633238B (zh) * | 2023-07-26 | 2023-09-29 | 成都金洹科科技有限公司 | 一种基于铝基板的大功率电动车控制器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5303167B2 (ja) | 2013-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5303167B2 (ja) | スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置 | |
JP5714455B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP5926003B2 (ja) | 信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 | |
JP6384201B2 (ja) | 集積回路装置及び電子機器 | |
US7834575B2 (en) | Gate-driver IC with HV-isolation, especially hybrid electric vehicle motor drive concept | |
US9270111B2 (en) | Load drive device | |
JP5134987B2 (ja) | 入力信号を伝達するためのtopレベルシフタを有する駆動回路及びそれに付属の方法 | |
US8841940B2 (en) | System and method for a driver circuit | |
US20130285465A1 (en) | Transmitter circuit and semiconductor integrated circuit having the same | |
JP2012227517A (ja) | 温度検出装置、温度検出回路およびパワー半導体モジュール | |
US8493101B2 (en) | Drive circuit with a transmission circuit for capacitively transmitting a signal and associated method | |
JPWO2010113383A1 (ja) | 半導体装置 | |
US10236679B2 (en) | Circuit apparatus and electronic appliance | |
US20180115311A1 (en) | Configurable Clamp Circuit | |
US11522537B2 (en) | Galvanic isolated gate driver based on a transformer used for both power transfer from primary to secondary coil and data transmission | |
US10224969B2 (en) | Transmitter circuit, semiconductor apparatus and data transmission method | |
CN108475998B (zh) | 电力转换装置的控制系统 | |
US7626441B2 (en) | Drive circuit with BOT level shifter for transmitting an input signal and assigned method | |
JP6289673B2 (ja) | レベルシフト回路、集積回路、およびパワー半導体モジュール | |
JP2008017650A (ja) | 電力変換装置 | |
TWI591944B (zh) | 電源電路、矩陣轉換器及驅動器ic | |
US20190096863A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
CN107317507B (zh) | 设置有逻辑电路的信号传输电路 | |
US20210184562A1 (en) | Power module and level conversion circuit thereof | |
JP6557562B2 (ja) | 送信回路及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5303167 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |