JP2016015521A - 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ100は配線基板200の第1面上に実装されており、多層配線層を有している。第1インダクタ112は多層配線層に形成されており、巻き軸方向が配線基板200と水平方向を向いている。第2インダクタ122は多層配線層に形成されており、巻き軸方向が配線基板200と水平方向を向いている。第2インダクタ122は第1インダクタ112に対向している。封止樹脂400は、配線基板200の少なくとも第1面と、半導体チップ100とを封止している。溝500は、封止樹脂400と多層配線層の界面のうち、少なくとも第1インダクタ112と第2インダクタ122の間に位置している部分の全域に形成されている。
【選択図】図1
Description
前記配線基板の第1面上に実装され、多層配線層を有する半導体チップと、
前記多層配線層に形成され、巻き軸方向が前記配線基板と水平方向を向いている第1インダクタと、
前記多層配線層に形成され、巻き軸方向が前記配線基板と水平方向を向いており、前記第1インダクタに対向している第2インダクタと、
前記多層配線層に形成され、前記第1インダクタと前記第2インダクタの間に位置している溝と、
を備える半導体装置が提供される。
前記半導体装置を実装している実装基板と、
を備え、
前記半導体装置は、
配線基板と、
前記配線基板の第1面上に実装され、多層配線層を有する半導体チップと、
前記多層配線層に形成され、巻き軸方向が前記配線基板と水平方向を向いている第1インダクタと、
前記多層配線層に形成され、巻き軸方向が前記配線基板と水平方向を向いており、前記第1インダクタに対向している第2インダクタと、
前記多層配線層に形成され、前記第1インダクタと前記第2インダクタの間に位置している溝と、
を備える電子装置が提供される。
前記多層配線層に、前記第1インダクタと前記第2インダクタの間に位置している溝を形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、配線基板200、半導体チップ100、第1インダクタ112、第2インダクタ122、封止樹脂400、及び溝500を備えている。半導体チップ100は配線基板200の第1面上に実装されており、多層配線層106(図2に図示)を有している。第1インダクタ112は多層配線層106に形成されており、巻き軸方向が配線基板200と水平方向を向いている。第2インダクタ122は多層配線層106に形成されており、巻き軸方向が配線基板200と水平方向を向いている。第2インダクタ122は第1インダクタ112に対向している。封止樹脂400は、配線基板200の少なくとも第1面と、半導体チップ100とを封止している。溝500は、封止樹脂400と多層配線層106の界面のうち、少なくとも第1インダクタ112と第2インダクタ122の間に位置している部分の全域に形成されている。以下、詳細に説明する。
図9は、第2の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図7に対応している。本実施形態に係る電子装置は、溝500の側面に封止層501が形成されている点を除いて、第1の実施形態に係る電子装置と同様の構成である。
図10は、第3の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図7に対応している。本実施形態に係る電子装置は、溝500が半導体チップ100を貫通している点を除いて、第1の実施形態に係る電子装置と同様の構成である。溝500は、底部が配線基板200に入り込んでいてもよい。
図11は、第4の実施形態に係る電子装置の構成を示す断面図であり、第1の実施形態における図7に対応している。本実施形態に係る電子装置は、溝500が半導体チップ100及び配線基板200を貫通しており、2つの半導体装置410,420に分割されている点を除いて、第1の実施形態に係る電子装置と同様の構成である。一つの半導体装置を分割することにより形成された半導体装置410と半導体装置420は対を形成しており、実装基板600に実装される前は、一組の半導体装置として管理される。半導体装置410,420は、封止樹脂400の上面が平坦である。そして半導体装置410における封止樹脂400の上面から第1インダクタ112の巻き軸までの距離と、半導体装置420における封止樹脂400の上面から第2インダクタ122の巻き軸までの距離とは、互いに等しい。
図14は、第5の実施形態に係る半導体装置の平面概略図であり、第1の実施形態における図4に相当している。本実施形態に係る半導体装置は、磁気遮蔽層114,124を備えている点を除いて、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。磁気遮蔽層114,124は、例えば配線層を構成する導体層を積み重ねることにより形成されており、その長さは第1インダクタ112,122よりも長い。磁気遮蔽層114は、第1インダクタ112と第1回路領域110の他の回路を遮蔽する位置に形成されており、磁気遮蔽層124は、第2インダクタ122と第2回路領域120の他の回路を遮蔽する位置に形成されている。磁気遮蔽層114,124には定電位、例えばグラウンド電位又は電源電位が与えられている。
図15は、第6の実施形態に係る半導体装置の断面概略図である。本実施形態に係る半導体装置は、溝500の中に樹脂層520を充填している点を除いて、第1の実施形態又は第3の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。樹脂層520は、例えばエポキシ、ポリイミド、シリコーン、又はウレタンなどの樹脂である。ただし、樹脂層520がエポキシである場合、樹脂層520は封止樹脂400よりもフィラーの含有率が低いのが好ましい。ここでフィラーの含有率は、例えば断面においてフィラーが占める面積として定義される。そしてこれらの半導体装置を用いて、図16に示すように、第1の実施形態と同様の電子装置を形成することができる。
図17は、第7の実施形態に係る半導体装置の断面概略図である。本実施形態に係る半導体装置は、樹脂層520の中に透磁部材522が設けられている点を除いて、第6の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。透磁部材522は、例えば鉄などの透磁率が高い材料により形成されており、第1インダクタ112と第2インダクタ122の巻き軸を互いに結ぶ直線上に配置されている。そしてこれらの半導体装置を用いて、図18に示すように、第1の実施形態と同様の電子装置を形成することができる。
図19及び図20は、第8の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず図19(a)に示すように、半導体チップ100を配線基板200上に搭載する。半導体チップ100には、第1インダクタ112及び第2インダクタ122の代わりに、インダクタ130が形成されている。インダクタ130は、図19(b)に示すように、互いに平行な2つの配線132,134と、これらと互いに接続するループ型の複数の配線136を備えている。複数の配線136は互いに平行に形成されており、それぞれ一端が配線132に接続しており、他端が配線134に接続している。そして2つの配線132,134は、それぞれ、一端が第1回路領域110に設けられた発振回路に接続しており、他端が第2回路領域120に設けられた受信回路に接続している。
その後の工程は、第1の実施形態と同様である。
図21及び図22は、第9の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず図21(a)に示すように、半導体チップ100を配線基板200上に搭載する。このとき、半導体チップ100の能動面を配線基板200とは逆側に向ける。次いで、半導体チップ100と配線基板200とをボンディングワイヤ300を用いて接続する。次いで、配線基板200の第1面上、ボンディングワイヤ300、及び半導体チップ100を、封止樹脂400を用いて封止する。このとき、封止樹脂400にヒートシンク150を埋め込む。ヒートシンク150は平面視で半導体チップ100と重なっており、一面が封止樹脂400の上面から露出している。ヒートシンク150のこの一面と封止樹脂400の上面は、同一平面を形成している。
本実施形態によっても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図24は、第10の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、溝500の位置を除いて、第9の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図25は、第11の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図27及び図28は、第12の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、以下の点を除いて第11の実施形態にかかる半導体装置と同様の構成である。
図29は、第13の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、溝500の位置を除いて、第12の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図30の各図は、第14の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態において、半導体チップ100はリードフレーム220に実装される。
図31及び図32は、第15の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、溝500の代わりに第1溝502及び第2溝504を形成する点を除いて、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。
図33及び図34は、まず、図33(a)に示すように、半導体ウェハ40に、素子(図示せず)、第1インダクタ112、及び第2インダクタ122を形成する。半導体ウェハ40からは複数の半導体チップ100が切り出されるが、これら素子、第1インダクタ112、及び第2インダクタ122は、複数の半導体チップ100それぞれに設けられる。
図35は、第17の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、溝500に樹脂508を埋め込んでいる点を除いて、第16の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図36は、第18の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、溝500を形成するタイミング及び溝500の形成方法を除いて、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図38は、第19の実施形態に係る半導体チップ100の構成を示す平面図である。本実施形態に係る半導体チップ100は、溝500が第1インダクタ112と第2インダクタ122の間にのみ形成されており、半導体チップ100の縁までは伸びていない点を除いて、第16〜第18の実施形態のいずれかと同様である。
図39は、第20の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。本実施形態において、半導体チップ100は、パッシベーション膜108上にポリイミド膜109を有している。ポリイミド膜109は、多層配線層106に設けられた電極パッド(図示せず)上に、開口を有している。
図40は、第21の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。本実施形態に係る半導体装置は、ポリイミド膜109に、溝500が形成される部分に開口を有している点を除いて、第20の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図41及び図42は、第22の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。まず、図41(a)に示すように、半導体チップ100を吸着装置700の吸着面702に吸着する。吸着装置700の吸着面702には、凹部704が形成されている。凹部704は、平面視で、第1インダクタ112と第2インダクタ122の間に位置している。本図に示す例では、半導体チップ100は、能動面が吸着面702に吸着されている。ただし、半導体チップ100が配線基板200にフリップチップ実装される場合、半導体チップ100は、裏面が吸着面702に吸着されても良い。
図43(a)は、第23の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。図43(b)は、この半導体装置の裏面図である。本実施形態に示す半導体装置は、半導体チップ100、ボンディングワイヤ300、及び配線基板200を有している。この半導体装置では、ハンダボール620は格子状に形成されている。半導体チップ100及び配線基板200はいずれも矩形であり、互いに対向する辺が平行になっている。また半導体チップ100及び配線基板200は、互いの中心が重なっている。そして溝500は、半導体チップ100及び配線基板200の中心を通っている。ただし、平面視で溝500が通る直線A上及びその周囲位置する格子点には、ハンダボール620が形成されていない。また、配線基板200の4つの角部の近くには、ハンダボール620が配置されている。
図46(a)は、第24の実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。図46(b)、及び図47の各図は、この半導体装置の裏面図である。本実施形態に示す半導体装置は、以下の点を除いて、第23の実施形態に係る半導体装置と同様の構成である。
図48(a)は、第25の実施形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。本実施形態において、半導体チップ100は配線基板200に対して斜めに配置されている。そして溝500は、配線基板200の対角線上に位置している。
図49は、半導体チップ100を有する電子装置の機能ブロック図である。半導体チップ100は、上記したいずれかの実施形態に示した構造により、配線基板200に載置されている。半導体チップ100の第2回路領域120には、電力制御素子20が形成されている。電力制御素子20は、電源10から負荷30に供給される電力を制御している。
20 電力制御素子
30 負荷
40 半導体ウェハ
100 半導体チップ
102 基板
104 素子層
106 多層配線層
108 パッシベーション膜
109 ポリイミド膜
110 第1回路領域
112 第1インダクタ
114 磁気遮蔽層
120 第2回路領域
122 第2インダクタ
124 磁気遮蔽層
130 インダクタ
132 配線
134 配線
136 配線
150 ヒートシンク
200 配線基板
220 リードフレーム
222 ダイパッド
224 リード
300 ボンディングワイヤ
400 封止樹脂
402 封止樹脂
410 半導体装置
420 半導体装置
500 溝
501 封止層
502 第1溝
504 第2溝
506 絶縁膜
508 樹脂
510 ダイシングブレード
512 ダイシングブレード
520 樹脂層
522 透磁部材
600 実装基板
620 ハンダボール
700 吸着装置
702 吸着面
704 凹部
710 吸着ノズル
720 吸着ノズル
800 固定層
Claims (10)
- 表面、前記表面とは反対側の裏面、第1辺、前記第1辺とは反対側の第2辺、前記表面上に配置された複数の電極パッド、および前記裏面上に配置された複数の外部接続端子を有する配線基板と、
第1主面、前記第1主面上の第3辺、前記第3辺とは反対側の第4辺、前記第1主面上に配置された第1インダクタ、および前記第1主面上に配置された第1電極を有し、前記配線基板の前記表面上に搭載された第1半導体チップと、
第2主面、前記第2主面上の第5辺、前記第5辺とは反対側の第6辺、前記第2主面上に形成された第2インダクタ、および前記第2主面上に配置された第2電極を有し、前記第1半導体チップの前記第3辺と前記第5辺が対向するように前記第1半導体チップと並んで、前記配線基板の前記表面上に搭載された第2半導体チップと、
を備え、
前記複数の電極パッドは、平面視において、前記配線基板の前記第1辺と前記第1半導体チップの前記第4辺の間に配置された第1電極パッドと、前記配線基板の第2辺と前記第2半導体チップの前記第6辺の間に配置された第2電極パッドと、
を含み、
前記配線基板の前記複数の外部接続端子は、前記第2辺よりも前記第1辺の近くに配置された第1接続端子、および前記第1辺よりも前記第2辺の近くに配置された第2接続端子と、
を含み、
前記配線基板の前記第1電極パッドと前記第1半導体チップの前記第1電極とは、第1ワイヤを介して接続されており、
前記配線基板の前記第2電極パッドと前記第2半導体チップの前記第2電極とは、第2ワイヤを介して接続されており、
前記第1接続端子と前記第1電極パッドとは、前記配線基板の第1配線を介して接続されており、
前記第2接続端子と前記第2電極パッドとは、前記配線基板の第2配線を介して接続されており、
前記第1接続端子と前記第2接続端子との間隔は、前記配線基板の前記第1辺と直交する方向において前記第3辺と前記第5辺との間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップに印加される電圧と前記第2半導体チップに印加される電圧は、異なる半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップに印加される電圧と前記第2半導体チップに印加される電圧は、100V以上異なる半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとは電気的に絶縁されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1接続端子と前記第2接続端子とは電気的に絶縁されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第1接続端子と前記第2接続端子の間には、平面視において外部接続端子が配置されていない半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップは、更に前記第3辺と接する第1側面を有し、
前記第2半導体チップは、更に前記第5辺と接する第2側面を有し、
前記第1側面と前記第2側面の間は、断面視において樹脂で満たさせている半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記樹脂は、封止樹脂であり、
前記封止樹脂は、前記配線基板の一部と、前記第1および第2半導体チッブと、前記第1および第2ワイヤと、を封止する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップの前記第1インダクタは、前記第4辺よりも前記第3辺の近くに配置されており、
前記第2半導体チップの前記第2インダクタは、前記第6辺よりも前記第5辺の近くに配置されている半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置において、
前記第1半導体チップの前記第1電極は、前記第3辺よりも前記第4辺の近くに配置されており、
前記第2半導体チップの前記第2電極は、前記第5辺よりも前記第6辺の近くに配置されている半導体装置。
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