JP2008015523A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示素子の製造方法は、第1基板、及び第2基板を準備する段階と、第1基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜、半導体膜、導電膜、及びフォトレジスト膜を順次積層する段階と、ハーフトーンマスクを利用してフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、フォトレジスト膜パターンを利用して導電膜及び半導体膜をパターニングする段階と、第1アッシング工程を行ってフォトレジスト膜パターンの一部を除去する段階と、一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用して導電膜をパターニングすることによりソース/ドレイン電極を形成する段階と、第1基板上に保護膜及び画素電極を形成する段階と、第1基板と第2基板との間に液晶層を形成する段階とを含む。
【選択図】図3C
Description
一般に、このような表示素子駆動方式をアクティブマトリクス駆動方式といい、アクティブマトリクス駆動方式においては、マトリクス状に配列されたそれぞれの画素に能動素子が配置されて該当画素を駆動する。
図5はアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示素子を示す図である。
図6に示すように、ガラスなどの透明な物質からなる第1基板11上に薄膜トランジスタが形成されてアレイ基板を構成する。
図8A及び図8Bは、スリットマスクを使用する4マスク工程による液晶表示素子の製造工程のうち、ソース/ドレイン電極を形成する工程を示す断面図である。
ウェーブノイズとは、ソース及びドレイン電極形成時にソース及びドレイン電極より突出するアクティブパターンがバックライト光を回折させたり、バックライト光によりチャネル信号が揺れて画面に現れる波状のノイズをいう。
図3A〜図3Cは、本発明の一実施形態によるハーフトーンマスクを使用し、アクティブパターンをパターニングする前にプリアッシング工程を行った工程図であり、データライン側から見た断面図である。
図3Cは、半導体基板300、半導体基板300上に形成された半導体層303、n+シリコン薄膜305、ソース/ドレイン電極形成用導電物質層307、保護膜311、及び画素電極313を示している。
13a ゲート電極
15 ゲート絶縁膜
17a アクティブパターン
19 ソース/ドレイン電極形成用導電物質層
21 フォトレジストパターン
23 保護膜
25 画素電極
300 半導体基板
301a ゲート電極
302 ゲート絶縁膜
311 保護膜
313 画素電極
Claims (20)
- 画素部とパッド部とに区分される第1基板、及び前記第1基板と貼り合わせられる第2基板を準備する段階と、
前記第1基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含む第1基板上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、導電膜、及びフォトレジスト膜を順次積層する段階と、
ハーフトーンマスクを利用して前記フォトレジスト膜をパターニングすることによりフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、
前記フォトレジスト膜パターンを利用して前記導電膜及び前記半導体膜をパターニングする段階と、
第1アッシング工程を行って前記フォトレジスト膜パターンの一部を除去する段階と、
前記一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用して前記導電膜をパターニングすることによりソース/ドレイン電極を形成する段階と、
前記第1基板上に保護膜及び画素電極を形成する段階と、
前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記ゲート電極を含む第1基板上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、導電膜、及びフォトレジスト膜を順次積層する段階は、
前記半導体膜と前記導電膜との間にオーミックコンタクト膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記フォトレジスト膜パターンを利用して前記導電膜をパターニングする段階は、ウェットエッチング工程を用いることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用してソース/ドレイン電極を形成する段階は、
前記フォトレジスト膜パターンに第2アッシング工程を行って、チャネル領域に残存する前記フォトレジスト膜パターンを除去する段階と、
前記チャネル領域の前記導電膜を除去し、残留する前記フォトレジスト膜パターンを除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用してソース/ドレイン電極を形成する段階は、
前記フォトレジスト膜パターンに第2アッシング工程を行って、チャネル領域の前記導電膜を露出させる段階と、
前記チャネル領域の前記導電膜を除去する段階と、
前記チャネル領域の前記オーミックコンタクト膜を除去する段階と、
前記フォトレジスト膜パターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記導電膜としては、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、又はこれらの合金の少なくとも1つを使用することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記画素電極としては、ITO、IZO、又はその他の透明導電物質の少なくとも1つを使用することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記ハーフトーンマスクが、透明基板、光遮断膜、及び半透過膜から構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記光遮断膜としてはクロムを使用し、前記半透過膜としてはモリブデンシリサイドを使用することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記光遮断膜がソース/ドレイン電極形成用導電膜に対応する位置に位置し、前記半透過膜がチャネル領域に対応する導電膜上に位置することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 画素部とパッド部とに区分される第1基板、及び前記第1基板と貼り合わせられる第2基板を準備する段階と、
第1マスクを利用して前記第1基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含む第1基板上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、及び第1導電膜を順次積層する段階と、
ハーフトーンマスクを利用して前記第1導電膜上に、トランジスタのチャネル領域でその厚さが相対的に薄くパターニングされたPRパターンを形成する段階と、
前記PRパターンを利用して前記第1導電膜及び前記半導体膜をパターニングする段階と、
前記PRパターンに第1アッシング工程を行って前記PRパターンの一部を除去する段階と、
前記一部が除去されたPRパターンを利用して前記第1導電膜をパターニングすることによりソース/ドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース/ドレイン電極を含む第1基板上に保護膜を形成する段階と、
第2マスクを利用して前記保護膜をパターニングすることにより前記ドレイン電極の一部を露出させる段階と、
前記第1基板上に第2導電膜を形成する段階と、
第3マスクを利用して前記第2導電膜をパターニングすることにより、前記第1基板上に画素電極を形成する段階と、
前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記ゲート電極を含む第1基板上に、ゲート絶縁膜、半導体膜、及び第1導電膜を順次積層する段階は、
前記半導体膜と前記第1導電膜との間にオーミックコンタクト膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記PRパターンを利用して前記第1導電膜をパターニングする段階は、ウェットエッチング工程を用いることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記一部が除去されたPRパターンを利用してソース/ドレイン電極を形成する段階は、
前記PRパターンに第2アッシング工程を行って、前記チャネル領域に残存する前記フォトレジスト膜パターンを除去する段階と、
前記チャネル領域の前記第1導電膜を除去し、残留する前記PRパターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記一部が除去されたPRパターンを利用してソース/ドレイン電極を形成する段階は、
前記PRパターンに第2アッシング工程を行って、前記チャネル領域の前記第1導電膜を露出させる段階と、
前記チャネル領域の前記第1導電膜を除去する段階と、
前記チャネル領域の前記オーミックコンタクト膜を除去する段階と、
前記PRパターンを除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記第1導電膜としては、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、又はこれらの合金の少なくとも1つを使用することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記第2導電膜としては、ITO、IZO、又はその他の透明導電物質の少なくとも1つを使用することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記ハーフトーンマスクが、透明基板、光遮断膜、及び半透過膜から構成されることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記光遮断膜としてはクロムを使用し、前記半透過膜としてはモリブデンシリサイドを使用することを特徴とする請求項18に記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記光遮断膜がソース/ドレイン電極形成用導電膜に対応する位置に位置し、前記半透過膜が前記チャネル領域に対応する導電膜上に位置することを特徴とする請求項18に記載の液晶表示素子の製造方法。
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