JP2007528584A - Ｐｉｎ光検出器 - Google Patents
Ｐｉｎ光検出器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007528584A JP2007528584A JP2006514183A JP2006514183A JP2007528584A JP 2007528584 A JP2007528584 A JP 2007528584A JP 2006514183 A JP2006514183 A JP 2006514183A JP 2006514183 A JP2006514183 A JP 2006514183A JP 2007528584 A JP2007528584 A JP 2007528584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- layer
- photodetector
- contact layer
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- 229950007538 pecazine Drugs 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
ＰＩＮ光検出器は、第１の半導体コンタクト層と、第１の半導体コンタクト層よりも広い面積を有する半導体吸収層と、第１の半導体コンタクト層と半導体吸収層の間に配置された半導体不活性化層と、第２の半導体コンタクト層とを含む。半導体吸収層及び半導体不活性化層は、第１の半導体コンタクト層と第２の半導体コンタクト層との間に配置される。
Description
本願は、２００３年５月２日出願の米国仮特許出願第６０／４６７３９９号の利益を主張するものであり、その全内容を参照により本明細書に組み込む。
本発明は、一般に光検出の分野に関する。より詳しくは、本発明は、半導体光検出器を用いた光子の検出に関する。
光子と電子の間の相互作用が知られてきたため、近年では光検出器、特に半導体材料を利用した光検出器の分野において進歩が見られている。ＰＩＮ光検出器として知られる半導体ベースのあるタイプの光検出器には、吸収や不活性化など異なる目的で働くいくつかの半導電性材料が含まれる。
多くのタイプのＰＩＮ光検出器では、光検出器の感度及び信頼性は時間と共に劣化する。さらに、光検出器は全体的に疲労し傷みが生じてくる。したがって、所期の寿命にわたって高い応答性、高帯域幅、及び低暗電流を維持し、且つ製造しやすい光検出器が望まれている。
本発明は、第１の半導体コンタクト層と、第１の半導体コンタクト層よりも広い面積を有する半導体吸収層と、第１の半導体コンタクト層と半導体吸収層の間に配置された、第１の半導体コンタクト層よりも広い面積を有する半導体不活性化層と、第２の半導体コンタクト層とを含むＰＩＮ光検出器を提供する。図１に示すように、半導体吸収層及び半導体不活性化層は、第１の半導体コンタクト層と第２の半導体コンタクト層との間に配置される。
光検出器の使用時には、図２に示すように、半導体吸収層の中央付近の電界は、半導体吸収層の縁部付近の電界よりも大きく、フォトダイオードの容量はまた、第１の半導体小コンタクト層の面積によって決まる。この光検出器は、２０ＧＨｚを超える３ｄＢ帯域幅を有することができる。ある実施態様では、フォトダイオードは、長期間（例えば２０年）にわたって初期値に対してほぼ一定の暗電流挙動を有する。
本発明の諸実施態様は、１つ又は複数の以下の利点を有し得る。この構成では、寿命が長期化されると共に温度エージング特性が改善される。第１の半導体コンタクト層は、吸収高パフォーマンス、高帯域ＰＩＮの機能強化（ｅｎｈａｎｃｅ）に有利なミニメサ構造を画定する。さらに、ｐ拡散ステップを用いてｐコンタクトを局所的に形成する必要がないので、このミニメサＰＩＮ光検出器の製造は簡単になる。
その他の特徴及び利点は、以下の説明及び特許請求の範囲から明らかとなろう。
ここで図面を参照すると、光検出器、具体的には本発明の原理を実施したミニメサＰＩＮ光検出器が１０で示されている。ＰＩＮ光検出器１０は、その主要な構成部品として、ｎ＋コンタクト層１２、ｐ＋金属コンタクト層１４、及びｐ＋ミニメサ１６を含む。ＩｎＧａＡｓ吸収層２２が、ｐ＋ミニメサ１６とｎ＋コンタクト層１２の間に配置されている。１対のバンドギャップ傾斜層２０が、ＩｎＧａＡｓ吸収層２２と境界を画している。また、「意図的にドープされていない」（ｎｉｄ：ｎｏｔ ｉｎｔｅｎｔｉｏｎａｌｌｙ ｄｏｐｅｄ）不活性化層１８が、ｌｎＧａＡｓ吸収層２２とｐ＋ミニメサ１６の間に配置されている。特定の実施態様では、ＰＩＮ光検出器１０の外側表面上に不活性化層２４が配置されている。不活性化層２４は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、二酸化シリコン、窒化シリコン、又はポリイミドでよい。ｎ金属コンタクト２６に電子が集まり、また、ｎ金属コンタクト２６はｎ＋コンタクト層１２上に配置される。
ミニメサ１６の面積がより狭くなっているので、ｎ大型メサの縁部における電界は大幅に低減し、したがって表面状態又は他の表面欠陥のどんな悪影響も低減することになる。さらに、これらの表面では電流もまた低減するので、これらの境界におけるどんな充電状態又は界面状態も低減することになる。
図２は、３０μｍのミニメサ１６及び５０μｍの外側ｎメサを備えたＰＩＮ光検出器の吸収層２２にわたる電界プロフィルを概略的に示している。電界は、外側メサの縁部ではゼロ近くまで低下し、これはＰＩＮ光検出器１０の不活性化特性を示すものである。
これらの効果によって、従来のメサ光検出器デバイスよりも、ＡＰＤや非ドープ又は低ドープＰＩＮなどの光検出器の寿命が大幅に長期化されると共に、エージング特性も大幅に改善される。
図３及び４は、従来のデバイスのデバイスエージング特性（図３）とＰＩＮ光検出器１０のデバイスエージング特性（図４）との比較を示している。図３は、ある一定の電圧バイアス下で１２５℃の比較的低い維持温度（ａｇｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）で維持した従来のメサデバイス群の暗電流挙動を示している。図示のように、暗電流はほんの１５００時間のうちに初期値から２０倍も増大しており、これはこれらのメサデバイスの急速な劣化を示している。
一方、図４は、ある一定の電圧バイアス下で１７５℃の遥かに高い維持温度で維持したミニメサＰＩＮ光検出器１０群の暗電流挙動を示している。容易に分かるように、ＰＩＮ光検出器１０の暗電流は、５０００時間経過してもほとんど又はまったく劣化せずにその初期値を安定して保持している。これは、通常の動作温度、例えば７０℃では、２０年を超える寿命に相当する。
ミニメサＰＩＮ光検出器１０の特徴の１つは、ｎメサがより広くなっているため、光検出器の容量が大幅には増大しないことである。したがって、光波成分分析器（Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ａｎａｌｙｚｅｒ）を用いた一連のデバイス測定によって実証されているように、ＰＩＮ光検出器１０の帯域幅は、従来のメサＰＩＮの帯域幅とそれほど違わない。
ミニメサＰＩＮにおいて測定された電気的な帯域幅を従来のメサＰＩＮのものと比較すると、直径４０ミクロンのミニメサＰＩＮ光検出器１０と、同程度のサイズの標準メサＰＩＮのどちらも、３ｄＢ帯域幅は共に約１５ＧＨｚであることが分かる。したがって、ＰＩＮ光検出器１０は、ＯＣ−１９２通信アプリケーションに十二分に適した帯域幅を有する。
さらに、ミニメサＰＩＮ光検出器１０は、特に、高帯域ＰＩＮの速度及び感度を大きく増大させる、ドープ濃度が傾斜された「機能強化」ドープＰＩＮに適している。いくつかの実装例では、光検出器構造は、図５のＰＩＮ光検出器１１０で示すように、ＰＩＮ構造の上面のｐコンタクトが反転し、ｎドープが上面となるようにｐドープが傾斜されている。
ピン光検出器１１０は、ＩｎＡｌＡｓなどのｐ＋コンタクト１１２、ｎ＋金属コンタクト１１４、及びｎ＋ミニメサ１１６を含む。ある実施態様では、ｎ＋ミニメサ１１６はＩｎＡｌＡｓである。低ドープ又は意図的にドープされていない（ｎｉｄ）ＩｎＧａＡｓとすることができる吸収層１２２が、ｎ＋ミニメサ１１６とｐ＋コンタクト１１２の間に配置されている。１対のバンドギャップ傾斜層１２０が、吸収層１２２の上下に配置されている。傾斜ｐ＋層１２４が吸収層１２２とｐ＋コンタクト１１２の間に配置され、傾斜ｐ＋層１２４のドープ濃度はｐ＋コンタクト１１２に近づくにつれて増大するようになっている。意図的にドープされていない（ｎｉｄ）不活性化層１１８、好ましくはＩｎＡｌＡｓが、ｎ＋ミニメサ１１６と上側バンドギャップ傾斜層１２０との間に配置されている。不活性化１２６が、機能強化ＰＩＮ１１０の表面上に配置されている。不活性化層１２６は、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、二酸化シリコン、窒化シリコン、ポリイミドでよい。ｐ金属コンタクト１２８が、ｐ＋コンタクト層１１２上に配置されている。この構造によって、傾斜ｐ吸収層は、外側大型コンタクトメサと同じくらい広くなるが、依然として小型のミニメサのｎコンタクトを有し、それによって容量が低減すると共に帯域幅が増大する。
上述のＰＩＮ光検出器１０又は１１０を製造するのに、エッチストップ層を用いた簡単なエッチングプロセスを使用することができる。簡単なエッチングによるこうしたミニメサ構造は、再生可能に成長させ、製造することができ、且つウェハ全体にわたって極めて均一となる。まず構造を完全に成長させ、次いでエッチダウンして、関連する（ｒｅｌｅｖａｎｔ）容量面積を制御する小型のミニメサコンタクト領域を局所的に画定すると、低容量且つ高速のＰＩＮが得られる。したがって、この設計では、上面に小さいコンタクトを画定するための拡散ステップが不要となり、したがって、ウェハ全体にわたってより一層均一な光検出器をより簡単に製造することができる。
ＰＩＮ構造１０、１１０では、構造の上面近くの高い表面電界は、高バンドギャップ不活性化層１８及び１１８によって極めてよく制御されることに留意されたい。先に述べたように、非臨界の大型分離メサ（ｌａｒｇｅ ｎｏｎｃｒｉｔｉｃａｌ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｍｅｓａ）によってではなく、小型のミニメサの直径面積によって低容量が決まるので、これらの構造は高速になる。
本発明の原理の上記その他の実装例は、以下の特許請求の範囲に含まれる。
Claims (26)
- 第１の半導体コンタクト層と、
半導体吸収層であって、前記第１の半導体コンタクト層の方がより狭い面積を有する半導体吸収層と、
前記第１の半導体コンタクト層と前記半導体吸収層の間に配置された半導体不活性化層と、
第２の半導体コンタクト層とを含み、前記半導体吸収層及び前記半導体不活性化層が前記第１の半導体コンタクト層と前記第２の半導体コンタクト層の間に配置されている、ＰＩＮ光検出器。 - 前記半導体吸収層がＩｎＧａＡｓである、請求項１に記載の光検出器。
- 前記不活性化層がＩｎＡｌＡｓである、請求項１に記載の光検出器。
- 前記第１の半導体コンタクト層がｐ型であり、前記第２の半導体コンタクト層がｎ型である、請求項１に記載の光検出器。
- 前記第１の半導体コンタクト層がｎ型であり、前記第２の半導体コンタクト層がｐ型である、請求項１に記載の光検出器。
- 前記第１及び第２の半導体コンタクト層がＩｎＡｌＡｓである、請求項５に記載の光検出器。
- さらに、前記第１の半導体不活性化層及び前記半導体吸収層の周りに配置された第２の半導体不活性化層を含む、請求項１に記載の光検出器。
- さらに、前記第１の半導体コンタクト層に隣接して配置された第１の金属コンタクトと、前記第２の半導体コンタクト層に隣接して配置された少なくとも１つの第２の金属コンタクトとを有する、請求項１に記載の光検出器。
- 前記第１の金属コンタクトがｐ型であり、前記第２の金属コンタクトがｎ型である、請求項８に記載の光検出器。
- 前記第１の金属コンタクトがｎ型であり、前記第２の金属コンタクトがｐ型である、請求項８に記載の光検出器。
- さらに、前記半導体不活性化層と前記半導体吸収層の間に配置された第１のバンドギャップ傾斜層と、前記半導体吸収層と前記第２の半導体コンタクト層の間に配置された第２のバンドギャップ傾斜層とを含む、請求項１に記載の光検出器。
- 前記半導体吸収層の中央付近の電界が、前記半導体吸収層の縁部付近の電界よりも大きい、請求項１に記載の光検出器。
- フォトダイオードの容量が、前記第１の半導体コンタクト層の面積によって決まる、請求項１に記載の光検出器。
- 前記フォトダイオードが、初期値に対して実質的に一定の暗電流挙動を有する、請求項１に記載の光検出器。
- 前記フォトダイオードが、２０００時間を超える期間にわたって初期値に対して実質的に一定の暗電流挙動を有する、請求項１４に記載の光検出器。
- 前記フォトダイオードが、２０年を超える寿命を有する、請求項１に記載の光検出器。
- ＩｎＰ又はその他の２元若しくは３元のＩＩＩ−Ｖ族半導体のような、その他の半導体が使用される、請求項１に記載の光検出器。
- 下側半導体コンタクト層を提供すること、
半導体吸収層を堆積させること、
半導体不活性化層を堆積させること、及び
前記半導体吸収層よりも小さい面積を有する上側半導体コンタクト層を堆積又は製造することを含む、ＰＩＮ光検出器の製造方法。 - 前記半導体吸収層がＩｎＧａＡｓである、請求項１８に記載の方法。
- 前記不活性化層がＩｎＡｌＡｓである、請求項１８に記載の方法。
- 前記下側半導体コンタクト層がｎ型であり、前記上側半導体コンタクト層がｐ型である、請求項１８に記載の方法。
- 前記下側半導体コンタクト層がｐ型であり、前記上側半導体コンタクト層がｎ型である、請求項１８に記載の方法。
- 双方の半導体コンタクト層がＩｎＡｌＡｓである、請求項２２に記載の方法。
- さらに、前記第１の半導体不活性化層及び前記半導体吸収層の周りに第２の半導体不活性化層を堆積させることを含む、請求項１８に記載の方法。
- さらに、前記下側半導体コンタクト層と前記半導体吸収層との間に第１の傾斜層を堆積させること、及び、
前記半導体吸収層と前記半導体不活性化層との間に第２の傾斜層を堆積させること
を含む、請求項１８に記載の方法。 - ＩｎＰ又はその他の２元若しくは３元のＩＩＩ−Ｖ族半導体のような、その他の半導体を使用する、請求項１８に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46739903P | 2003-05-02 | 2003-05-02 | |
| US60/467,399 | 2003-05-02 | ||
| PCT/US2004/013464 WO2004100224A2 (en) | 2003-05-02 | 2004-04-30 | Pin photodetector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007528584A true JP2007528584A (ja) | 2007-10-11 |
| JP5022032B2 JP5022032B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=33435068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006514183A Expired - Lifetime JP5022032B2 (ja) | 2003-05-02 | 2004-04-30 | Ｐｉｎ光検出器 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7468503B2 (ja) |
| EP (1) | EP1620899B1 (ja) |
| JP (1) | JP5022032B2 (ja) |
| KR (1) | KR101131650B1 (ja) |
| CN (1) | CN100499173C (ja) |
| CA (1) | CA2528216C (ja) |
| ES (1) | ES2461524T3 (ja) |
| HK (1) | HK1097957A1 (ja) |
| WO (1) | WO2004100224A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080191240A1 (en) * | 2005-05-18 | 2008-08-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Avalanche Photo Diode |
| JP5025330B2 (ja) | 2007-05-22 | 2012-09-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
| CN102067346B (zh) * | 2008-08-19 | 2013-09-04 | 晶能光电（江西）有限公司 | 具有钝化层的半导体发光器件及其制造方法 |
| KR20110049799A (ko) * | 2008-08-19 | 2011-05-12 | 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 | 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 디바이스 제작 방법 |
| CN102064187B (zh) * | 2009-11-11 | 2013-02-13 | 中国科学院半导体研究所 | 一种碳化硅同质pin微结构材料及其制作方法 |
| TWI455354B (zh) * | 2012-07-05 | 2014-10-01 | Univ Nat Central | Homogeneous junction type of high speed photodiode |
| US10048391B2 (en) * | 2013-12-04 | 2018-08-14 | Koninklijke Philips N.V. | Imaging detector self-diagnosis circuitry |
| CN104576806B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-01-06 | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 | 侧入光式pin光电探测器芯片及其制作方法 |
| CN107210308B (zh) | 2014-11-13 | 2018-06-29 | 光澄科技股份有限公司 | 光吸收设备 |
| US9799689B2 (en) | 2014-11-13 | 2017-10-24 | Artilux Inc. | Light absorption apparatus |
| CN112259632B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-08-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 光电探测器及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255075A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-11-12 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 漏洩電流の低いｐｉｎフォトダイオード及びその製造方法 |
| JPS62501883A (ja) * | 1985-02-11 | 1987-07-23 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積光検出器−増幅器装置 |
| JPH04332178A (ja) * | 1991-05-02 | 1992-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JPH0613645A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-01-21 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ｐ−ｉ−ｎダイオード |
| JPH06314813A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、その製造方法及び光電子集積回路 |
| JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
| JP2001177143A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置および製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8322235D0 (en) * | 1983-08-18 | 1983-09-21 | Standard Telephones Cables Ltd | Photodetector |
| US4885622A (en) * | 1984-03-23 | 1989-12-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Pin photodiode and method of fabrication of the same |
| GB9003039D0 (en) * | 1990-02-10 | 1990-04-11 | Stc Plc | Photodiode |
| JP2743726B2 (ja) | 1992-07-07 | 1998-04-22 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器 |
| US5448099A (en) * | 1993-03-04 | 1995-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit |
| JPH0945954A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子，及び半導体素子の製造方法 |
| US5652435A (en) * | 1995-09-01 | 1997-07-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Vertical structure schottky diode optical detector |
| WO1997011494A1 (en) | 1995-09-19 | 1997-03-27 | Astralux, Incorporated | X-ray detector |
| AU2001245916A1 (en) | 2000-03-22 | 2001-10-03 | Aegis Semiconductor | A semitransparent optical detector with a transparent conductor and method of making |
| US6756613B2 (en) * | 2000-11-03 | 2004-06-29 | Multiplex, Inc. | Shallow-mesa structure for planar PIN and APD photodiodes |
| US6774448B1 (en) * | 2000-11-30 | 2004-08-10 | Optical Communication Products, Inc. | High speed detectors having integrated electrical components |
| JP4220688B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2009-02-04 | 日本オプネクスト株式会社 | アバランシェホトダイオード |
| WO2003065417A2 (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Picometrix, Inc. | Charge controlled avalanche photodiode and method of making the same |
| US6794631B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-09-21 | Corning Lasertron, Inc. | Three-terminal avalanche photodiode |
-
2004
- 2004-04-30 CN CNB2004800152263A patent/CN100499173C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-30 ES ES04751056.5T patent/ES2461524T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-30 US US10/555,144 patent/US7468503B2/en active Active
- 2004-04-30 CA CA2528216A patent/CA2528216C/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-30 KR KR1020057020803A patent/KR101131650B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-04-30 EP EP04751056.5A patent/EP1620899B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-30 JP JP2006514183A patent/JP5022032B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-30 WO PCT/US2004/013464 patent/WO2004100224A2/en active Application Filing
-
2007
- 2007-04-24 HK HK07104303.7A patent/HK1097957A1/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62501883A (ja) * | 1985-02-11 | 1987-07-23 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積光検出器−増幅器装置 |
| JPS61255075A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-11-12 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 漏洩電流の低いｐｉｎフォトダイオード及びその製造方法 |
| JPH04332178A (ja) * | 1991-05-02 | 1992-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JPH0613645A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-01-21 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ｐ−ｉ−ｎダイオード |
| JPH06314813A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、その製造方法及び光電子集積回路 |
| JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
| JP2001177143A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体受光装置および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060007422A (ko) | 2006-01-24 |
| CN100499173C (zh) | 2009-06-10 |
| WO2004100224A2 (en) | 2004-11-18 |
| JP5022032B2 (ja) | 2012-09-12 |
| EP1620899A2 (en) | 2006-02-01 |
| WO2004100224A3 (en) | 2005-06-16 |
| CA2528216A1 (en) | 2004-11-18 |
| EP1620899A4 (en) | 2007-08-01 |
| CN1853279A (zh) | 2006-10-25 |
| KR101131650B1 (ko) | 2012-03-28 |
| US7468503B2 (en) | 2008-12-23 |
| HK1097957A1 (en) | 2007-07-06 |
| ES2461524T3 (es) | 2014-05-20 |
| US20060226343A1 (en) | 2006-10-12 |
| EP1620899B1 (en) | 2014-03-12 |
| CA2528216C (en) | 2014-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6794631B2 (en) | Three-terminal avalanche photodiode | |
| US7936034B2 (en) | Mesa structure photon detection circuit | |
| JP2004193615A (ja) | 苛酷な環境で使用するためのアバランシェ・フォトダイオード | |
| JP5022032B2 (ja) | Ｐｉｎ光検出器 | |
| KR100617724B1 (ko) | 애벌랜치 포토다이오드의 제작 방법 | |
| JP5011607B2 (ja) | 受光素子 | |
| US20160240718A1 (en) | Double-pass photodiode with embedded reflector | |
| US6566724B1 (en) | Low dark current photodiode | |
| Laih et al. | Characteristics of MSM photodetectors with trench electrodes on p-type Si wafer | |
| EP1063709B1 (en) | Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector | |
| JP2013519241A (ja) | 光−電子デバイス | |
| EP1204148A2 (en) | Planar resonant cavity enhanced photodetector | |
| CN110571300B (zh) | 一种外延片、平面型光电二极管及其制备方法 | |
| Chizh et al. | High-speed high-power InAlAs/InGaAs/InP schottky photodiode | |
| US6730979B2 (en) | Recessed p-type region cap layer avalanche photodiode | |
| US4894703A (en) | Restricted contact, planar photodiode | |
| KR100509355B1 (ko) | 포토 다이오드의 구조 및 제조 방법 | |
| US20230327041A1 (en) | Mesa avalanche photodiode with sidewall passivation | |
| US4586066A (en) | Avalanche photodetector | |
| JP2007535810A (ja) | プレーナ型雪崩効果光ダイオード | |
| Bauer et al. | Long-term operation of planar InGaAs/InP pin photodiodes | |
| Hirota et al. | Reliable non-Zn-diffused InP/InGaAs avalanche photodiode with buried n-InP layer operated by electron injection mode | |
| JP4137568B2 (ja) | 受信器 | |
| JP2024064739A (ja) | 半導体受光素子およびその製造方法 | |
| US20110221045A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20070904 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100830 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110812 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120615 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5022032 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |