JP2007527030A - 半剛性材料からなる中央コアにより分離された2枚の圧電層を備えたバイモルフミラー - Google Patents

半剛性材料からなる中央コアにより分離された2枚の圧電層を備えたバイモルフミラー Download PDF

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Abstract

本発明は、圧電セラミック材料製の第一層(1)および第二層(2)と、圧電セラミックに印加された少なくとも一の電圧に応じてミラーの少なくとも一つの曲率を変化させる少なくとも一個の電極とを含んでなるバイモルフミラーに関する。本発明のミラーは、第一(1)および第二(2)の層が、半剛性の梁を形成する、ガラスまたはシリカ等の材料からなる中央コア(5)により分離されていることを特徴とする。

Description

発明の分野
本発明は、バイモルフミラーに関する。
従来、バイモルフミラーは2枚の圧電セラミックを重ね合わせて製造され、2枚のセラミック間の界面に少なくとも一枚の制御電極を配置し、圧電セラミックに印加された電圧に応じてミラーの曲率を変化させるものである。その結果、ミラーが薄い程、その曲率半径の変化が大きくなる。
さらに、セラミックの組立加工は、得られる最大幅に制限があるのが難点であり、その結果、セラミック断片を用いて組み立てる必要があるため、バイモルフミラーの剛性および/または安定性に影響を及ぼす。特に、剛性および安定性は、バイモルフミラーを組み立てた後に必要とされるミラー研磨にとって、重要なファクターである。
発明の概要
本発明の目的は、先行技術によるミラーよりも高い剛性を示すバイモルフミラーを提供することである。
本発明の別の目的は、先行技術によるミラーよりも高い安定性を示すバイモルフミラーを提供することである。
本発明のさらに別の目的は、より大きな寸法、例えばメートルオーダーで製造できるバイモルフミラーを提供することである。
上記目的の少なくとも一つは、少なくとも一個の電極と共に、圧電セラミックの第一層と第二層とを有し、その圧電セラミックに印加された少なくとも一の電圧に応じてミラーの少なくとも一つの曲率を変化させるバイモルフミラーであって、第一および第二の圧電セラミック層が、半剛性ビームを形成するガラスまたはシリカ等の材料からなる中央コアにより分離されていることを特徴とする、バイモルフミラーにより達成される。
中央コアの厚さeは、例えば1ミリメートル(mm)〜80mmの範囲内にあり、2mm、さらに3mmを超えてもよく、実際、5mmを超えていてもよい。バイモルフミラーの総厚Eは、例えば10mm〜150mmの範囲内にある。
本発明のバイモルフミラーは、第一および第二の圧電セラミック層が、セクション面(section plane)に沿った少なくとも一の方向で並列に配置された複数のセラミック素子により形成され、かつ第二層のセクション面が、第一層のセクション面に対して少なくとも一の方向でずれている、ことを特徴とするものである。
さらに、少なくとも一の方向における圧電素子間のずれは、その方向において圧電素子が配置されているピッチPの半分に等しいことを特徴とする。
発明の具体的説明
以下に、図面を参照しながら非限定的な例として記載する説明により、本発明をより深く理解することができる。
図1で、先行技術のバイモルフミラーは、ガラスまたはシリカの2枚のいわゆる「スキン」層3、4の間に狭持された2枚の積層された圧電層1、2を含み、層3および4の少なくとも一方をミラーとして使用する。これらのミラーは、とりわけ適応光学に使用されるものであり、圧電セラミックに印加された電圧に応じて曲率が変化する。
それにも関わらず、圧電セラミックの厚さ(製造により最大厚さが規定される)と、スキン層3および4の厚さによってバイモルフミラーの厚さが増加するにつれて、ミラーの動的曲率が減少するため、バイモルフミラーの厚さは約25mmの値に制限されている。
本発明では、シリカまたはガラス等の材料から製造された中央層またはコア5が、層1と2との間に挿入されている。
このコア5の存在によって、
実質的にコア5の中間面に位置するように中間ファイバーを配置させて、ミラーの中間のファイバーからセラミックがより遠くに移るようにして、各セラミックの効率を向上させることができる、
厚さを増加させてミラーの慣性を向上させ、それによって、ミラーの剛性および安定性を向上させることができる、
このコアは、ミラーの長さ全体にわたって連続的であり、半剛性の梁として作用するので、安定性に対して非常に好ましい効果を与える。それによって、安定性を失うことなく、または曲率範囲が低下することなく、長さが大きい、例えば長さ1メートルのミラーを製造することができる、
というようないくつかの利点が得られる。
中央コア5の厚さeは、必要とする曲率特性に応じて規定することができる。この厚さを増加すると、ミラーの剛性が増加するが、圧電アクチュエータが中間ファイバーから益々遠くに移動するため、圧電アクチュエータの効率も増加する。従って、各厚さは、印加される電圧に応じた曲率に対応した特性を有する。従って、適切な厚さは、実験的に、または有限の素子による変形に基づく計算により、決定することができる。実際には、1mm〜80mmの範囲内にある厚さeを使用するのが有利である。バイモルフミラーの厚さEは、例えば10mm〜150mmの範囲内でよく、特に25mmを超えてもよい。
圧電層を図示するが、この圧電層は、曲率平面(112、123、134、・・・、178、212、223、234、・・・、267)に沿って、1ピッチまたは2ピッチで並列に配列した複数のセラミック素子11、12および21、22、・・・から形成されており、また、曲率平面は、層1および2の主要面6、7、8、9に対して直角である。
本発明によれば、層2のセクション面(212、223、234、・・・、267)は、主要面と平行に、層1のセクション面(112、123、134、・・・、178)に対して互い違いになっており、例えば、少なくとも一の主要面と平行な方向において半ピッチだけずれているのが有利である(図3aおよび3c参照)。これによって、構造は、コア5を有していなくても、剛性がより高くなる。
図3a〜3dは、セラミック層1および2を制御するための電極の配置を示す。先ず、層1と3の間に、ミラーの長さ方向全体にわたって連続的であり、側方接触点45(図3d)を伴った、共通の電極45があり、そして、層2と4の間に、ミラーの長さ方向全体にわたって連続的であり、側方接触点65(図3d)を伴った、共通の電極65がある。次に、層1とコア5との間に、全体的に30で示す複数の制御電極がある。この例では、14個の制御電極31〜44があり、素子の側端には層1を制御するための同数の接触区域がある。最後に、層3とコア5との間に、全体的に30で示す複数の制御電極がある。この例では、電極31〜44に面して配置された、層3を制御するための14個の制御電極51〜64があり、デバイスの側端には同数の接触区域がある。
層1および2の圧電素子は、従来の方法により対向する極性で取り付けられているので、対面する制御電極(31、51;32、52;・・・等)に同じ電圧を印加すると、層の一方に収縮変位(compression displacement)変形を引き起こし、他方に引張変位(traction displacement)変形を引き起こし、それによって、層1および2は中間ファイバーの両側に配置されているので、ミラーを湾曲させる。
先行技術のバイモルフミラーを示す。 本発明のバイモルフミラーを示す。 本発明の好ましい実施態様を構成するバイモルフミラーの側面図を示したものである。 図3aの細部の拡大図である。 本発明の好ましい実施態様を構成するバイモルフミラーのBに沿って観察した図である。 本発明の好ましい実施態様を構成するバイモルフミラーの制御電極を示したものである。

Claims (8)

  1. 少なくとも一個の電極と共に、圧電セラミックの第一層と第二層とを有し、その圧電セラミックに印加された少なくとも一の電圧に応じてミラーの少なくとも一つの曲率を変化させるバイモルフミラーであって、前記圧電セラミックの第一層および第二層(1、2)が、半剛性の梁を形成する、ガラスまたはシリカ等の材料からなる中央コア(5)により分離されている、ことを特徴とする、バイモルフミラー。
  2. 前記圧電セラミックの第一層および第二層(1、2)が、ガラスまたはシリカ等からなる2枚のスキン層(3、4)の間に狭持されていることを特徴とする、請求項1に記載のバイモルフミラー。
  3. 前記中央コア(5)の厚さ()が、1mm〜80mmの範囲内にあることを特徴とする、請求項1または2に記載のバイモルフミラー。
  4. 総厚(E)が、10mm〜150mmの範囲内にあることを特徴とする、請求項3に記載のバイモルフミラー。
  5. 前記圧電セラミックの第一層および第二層(1、2)は、セクション面に沿った少なくとも一の方向で並列に配置された複数のセラミック素子により形成され、前記第二層(2)のセクション面(212、223、・・・)は、前記第一層(1)のセクション面(112、123、・・・)に対して、少なくとも一の方向でずれている、ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のバイモルフミラー。
  6. 前記少なくとも一の方向における圧電素子間のずれが、前記の方向において圧電素子が配置されているピッチPの半分に等しいことを特徴とする、請求項5に記載のバイモルフミラー。
  7. 少なくとも一個の電極と共に、圧電セラミックの第一層と第二層とを有し、その圧電セラミックに印加された少なくとも一の電圧に応じてミラーの少なくとも一つの曲率を変化させるバイモルフミラーであって、前記圧電セラミックの第一層および第二層(1、2)が、セクション面に沿った少なくとも一の方向で並列に配置された複数のセラミック素子により形成され、前記第二層(2)のセクション面(212、223、・・・)が、前記第一層(1)のセクション面(112、123、・・・)に対して、少なくとも一の方向でずれている、ことを特徴とする、バイモルフミラー。
  8. 前記少なくとも一の方向における圧電素子間のずれが、その方向において圧電素子が配置されているピッチPの半分に等しいことを特徴とする、請求項7に記載のバイモルフミラー。
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