JP2007525595A - メッキ装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
発明の分野(技術分野)
本発明は金属着層(デポジション)による基板のメッキ処理に関する。そのようなメッキには普通は自己触媒メッキと称される電解メッキまたは無電解メッキが関与する。
のpH及び金属複合体の相対濃度並びにそれらに対応する還元剤によって促される。典型的には基板面は、レドックス(酸化還元)反応のための開始部位の連続面層を提供するために、着層させる金属種に対して陰極とすることで無電解メッキのために下準備される。
2.亜鉛酸塩活性液に浸漬
3.デスマットあるいは剥離液に浸漬
4.第2亜鉛酸塩溶液に浸漬
5.脱イオン水でリンス
6.加熱されたニッケル無電解メッキバス溶液に浸漬
7.脱イオン水で複数回リンス(1回から3回)
8.浸漬金バス溶液に浸漬
9.脱イオン水でリンス
このプロセスは、プラスチックまたはプラスチックコーティングしたラックまたはウェハーキャリヤーに固定されたウェハーまたは基板を対象に、一連の開放タンクアレンジで実施される。ウェハーまたは基板はタンクからタンクへキャリヤーと共に手または搬送機で運搬される。ウェハーまたは基板をタンクからタンクへと物理的に運搬する必要性はウェハーにダメージを与える可能性を大きくしている。ダメージのリスクは半導体産業が化学的または機械的手段でウェハーをさらに薄くする傾向によって増大しており、既にデリケートな構造のウェハーをさらに脆くしている。
2.脱イオン水でセルをリンス
3.亜鉛酸塩溶液でセルを充填
4.脱イオン水でセルをリンス
5.ニッケル無電解メッキバス溶液をセルに導入し、作用温度にまでセルを加熱
6.脱イオン水でセルをリンス
7.浸漬金バス溶液をセルに導入し、作用温度にまでセルを加熱
8.脱イオン水でセルをリンス
本発明ではメッキ溶液200は最低メッキ温度の直下温度にて容器20の外部で維持できる。温度はメッキ溶液200がセル30に導入されるとき急速に最良メッキ温度に上昇される。メッキ溶液200は加熱タンク54で加熱することも、熱制御された加熱コイル58(図2)を通すことでも、あるいは容器20の壁に加熱システムを直接的に埋め込むことでもできる。例えば、加熱/冷却ジャケット59を図2aのようにドーム22の壁32に隣接させて組み入れても良い。加熱システムは水及び/又はグリコール等が循環できる熱制御液を通す加熱/冷却ジャケットを含むことができる。そのような加熱システムで利用できる他の熱伝導材料は気体である。電気抵抗式加熱及び気体冷却の組み合わせ、電熱加熱及び冷却、及びそれらの組み合わせが利用できる。実際には、知られたいかなる加熱/冷却システムでも温度管理に利用できる。また、温度制御システムをそのような加熱システム、熱カップルまたは他のシステムと組み合わせ、約±1℃以内で望む温度内にメッキ溶液200を温度制御するようにフィードバックさせることもできる。
Claims (53)
- メッキ装置であって、
加圧密閉容器と、
該密閉容器にリンクされた制御式メッキ液ソースと、
基板のメッキ処理が完了するまで該密閉容器内で基板を固定させる基板保持装置と、
該密閉容器内外に1以上のメッキ液を通入出させる少なくとも1つの開口部と、
を含んでいることを特徴とするメッキ装置。 - 基板のメッキ処理は自己触媒メッキ処理であることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 基板は半導体ウェハーであることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 相互リンクされた制御式メッキ液ソースと密閉容器とは閉鎖ループ系を構成していることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 静水圧を制御するために密閉容器内でメッキ液の圧力を制御する圧力制御システムを含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 制御式メッキ液ソースは密閉容器内外のメッキ液の別々で連続的な導入と排出のためのシステムを含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 導入排出システムは複数のノズルと導管とを含んでいることを特徴とする請求項6記載のメッキ装置。
- 導入排出システムは連続回転式ノズルシステムを含んでいることを特徴とする請求項7記載のメッキ装置。
- 温度制御システムを含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは±1℃以内で温度を制御することを特徴とする請求項9記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは毎秒0.5℃以上の速度でメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項9記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは毎秒1.0℃以上の速度でメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項11記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは毎秒2.5℃以上の速度でメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項12記載のメッキ装置。
- 温度制御システムはメッキ液を密閉容器に導入する前に温度を制御するように該密閉容器の外部に設置されることを特徴とする請求項9記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは密閉容器の上方に設置されることを特徴とする請求項9記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは密閉容器内に設置されることを特徴とする請求項9記載のメッキ装置。
- 温度制御システムは密閉容器の少なくとも1壁部内に設置されることを特徴とする請求項16記載のメッキ装置。
- 密閉容器は5リットル以下の容積であることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 密閉容器は3リットル以下の容積であることを特徴とする請求項18記載のメッキ装置。
- 密閉容器は2リットル以下の容積であることを特徴とする請求項19記載のメッキ装置。
- 密閉容器は1リットル以下の容積であることを特徴とする請求項20記載のメッキ装置。
- 密閉容器は0.5リットル以下の容積であることを特徴とする請求項21記載のメッキ装置。
- 密閉容器内に設置されたバッフルシステムをさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 密閉容器内に設置された陰極をさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 密閉容器はベースプレートと、該ベースプレート上に着脱式に設置されたカバーとを含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 基板保持装置は真空チャックを含んでいることを特徴とする請求項1記載のメッキ装置。
- 真空チャックはベースと、該ベース内の少なくとも1つの真空孔部とを含んでいることを特徴とする請求項26記載のメッキ装置。
- 少なくとも1つの孔部上方に少なくとも1つの膜体をさらに含んでいることを特徴とする請求項27記載のメッキ装置。
- 膜体は真空状態に対応して変形することを特徴とする請求項28記載のメッキ装置。
- 膜体は弾性材料であることを特徴とする請求項29記載のメッキ装置。
- 真空チャックはベース内に設置された中央シャトルをさらに含んでいることを特徴とする請求項27記載のメッキ装置。
- ベース上に設置されたエッジシールブーツをさらに含んでいることを特徴とする請求項27記載のメッキ装置。
- エッジシールブーツは基板と接触して基板の一部をシールするようにエッジスカートを含んでいることを特徴とする請求項32記載のメッキ装置。
- エッジスカート内に提供された電気ブリッジコンタクトをさらに含んでいることを特徴とする請求項33記載のメッキ装置。
- 電気ブリッジコンタクトはコンタクトのアレイを含んでいることを特徴とする請求項34記載のメッキ装置。
- 基板上に金属を被膜させる方法であって、
加圧密閉容器を提供するステップと、
該密閉容器内で基板を固定するステップと、
該密閉容器に1以上のメッキ液を導入するステップと、
該密閉容器からそのメッキ液を排出させるステップと、
金属が前記基板に着膜した後に該密閉容器から該基板を取り出すステップと、
を含んでいることを特徴とする被膜方法。 - メッキ液を別々で連続的に導入するステップと、
該メッキ液を別々で連続的に排出させるステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。 - 密閉容器内の静水圧を制御するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。
- 密閉容器内に陰極を設置するステップと、
該陰極に電流を流すステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。 - 少なくとも1つのメッキ液の温度を制御するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。
- ±1℃以内で温度を制御することを特徴とする請求項40記載の被膜方法。
- 毎秒0.5℃以上の速度で少なくとも1つのメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項40記載の被膜方法。
- 毎秒1.0℃以上の速度で少なくとも1つのメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項42記載の被膜方法。
- 毎秒2.5℃以上の速度で少なくとも1つのメッキ液を加熱または冷却することを特徴とする請求項43記載の被膜方法。
- メッキ液を密閉容器に導入する前に少なくとも1つのメッキ液の温度を制御するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項40記載の被膜方法。
- 密閉容器の内部で少なくとも1つのメッキ液の温度を制御するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項40記載の被膜方法。
- バッフルシステムを提供するステップと、該バッフルシステムを活用して密閉容器内で少なくとも1つのメッキ液の流れを制御するステップとをさらに含んでいることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。
- 基板保持装置を提供するステップと、該基板保持装置を密閉容器内に設置するステップとをさらに含んでおり、該基板保持装置は密閉容器内で基板を固定させることを特徴とする請求項36記載の被膜方法。
- 基板保持装置は少なくとも1つの真空孔部を含んだ真空チャックを含んでいることを特徴とする請求項48記載の被膜方法。
- 少なくとも1つの真空孔部上に変形膜体を設置するステップと、該膜体上に基板を配置するステップとをさらに含んでいることを特徴とする請求項49記載の被膜方法。
- 真空チャックに基板を固定させるように真空を適用するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項50記載の被膜方法。
- エッジスカートを含んだブーツを提供するステップと、真空チャック上に該ブーツを設置するステップとをさらに含んでいることを特徴とする請求項49記載の被膜方法。
- ブーツ内に電気ブリッジコンタクトを提供するステップと、該電気ブリッジコンタクトに電流を流すステップとをさらに含んでいることを特徴とする請求項52記載の被膜方法。
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