JP7399258B2 - めっき処理装置 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、めっき処理装置に関する。

従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）をスピンチャックで保持しながらめっき処理を行い、ウェハの表面にめっき膜を形成する方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００５－１３３１６０号公報

本開示は、ウェハ全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる技術を提供する。

本開示の一態様によるめっき処理装置は、基板保持部と、第１電極と、第２電極と、電圧印加部とを備える。基板保持部は、基板を保持する。第１電極は、前記基板に電気的に接続される。第２電極は、前記基板の表面に対してスキャン可能に構成される。電圧印加部は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する。また、前記第２電極の底面には、めっき液を吐出する第１吐出口と、洗浄液を吐出する第２吐出口とが設けられる。

本開示によれば、ウェハ全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる。

図１は、実施形態に係るめっき処理装置の構成の概略を示す図である。 図２は、実施形態に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。 図３は、実施形態に係るアノード電極の底面の構成を示す図である。 図４は、実施形態の変形例１に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。 図５は、実施形態の変形例２に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。 図６は、実施形態の変形例３に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。 図７は、実施形態の変形例３に係るアノード電極の底面の構成を示す図である。 図８は、実施形態の変形例４に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。 図９は、実施形態の変形例４に係るアノード電極の底面の構成を示す図である。 図１０は、実施形態の変形例５に係るめっき処理装置のアノード電極の構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示するめっき処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）をスピンチャックで保持しながらめっき処理を行い、ウェハの表面にめっき膜を形成する方法が知られている。

しかしながら、従来の技術では、ウェハと同じ大きさのアノード電極を用いてめっき処理が行われることから、ウェハの全面で均一にめっき膜を形成することが困難である。

そこで、上述の問題点を克服し、ウェハ全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる技術が期待されている。

＜めっき処理装置＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係るめっき処理装置１の概略について説明する。図１は、実施形態に係るめっき処理装置１の構成の概略を示す図である。

かかるめっき処理装置１では、被処理基板としての半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と呼称する。）に対してめっき処理を行う。めっき処理装置１は、基板保持部１０と、めっき処理部２０と、電圧印加部３０とを備える。

基板保持部１０は、ウェハＷを水平に保持する。基板保持部１０は、基体１１と、保持部１２と、駆動機構１３とを有する。基体１１は、たとえば、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャックである。基体１１は、略円板状であり、平面視においてウェハＷの径よりも大きい径を有する。

保持部１２は、基体１１の上面に設けられ、ウェハＷを側面から保持する。ウェハＷは、かかる保持部１２によって基体１１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。なお、ウェハＷは、基板処理が行われる表面Ｗａを上方に向けた状態で基板保持部１０に保持される。

また、保持部１２には、カソード電極１２ａが設けられる。カソード電極１２ａは、第１電極の一例である。そして、保持部１２でウェハＷを保持する際に、かかるカソード電極１２ａがウェハＷの表面Ｗａに形成されるシード層（図示せず）と接触する。

さらに、このカソード電極１２ａは、後述する電圧印加部３０に接続されており、接触するウェハＷのシード層に所定の電圧を印加することができる。

基板保持部１０には、また、モータなどを備えた駆動機構１３が設けられており、基体１１を所定の速度に回転させることができる。また、駆動機構１３には、シリンダなどの昇降駆動部（図示せず）が設けられており、基体１１を鉛直方向に移動させることができる。

ここまで説明した基板保持部１０の上方には、基体１１の上面に向かい合って、めっき処理部２０が設けられる。めっき処理部２０は、アーム２１と、アノード電極２２とを有する。アノード電極２２は、第２電極の一例である。

アーム２１は、棒状の絶縁性材料などで構成される。アノード電極２２は、導電性材料で構成され、アーム２１の先端部における下面に設けられる。アノード電極２２の底面２２ａは、基板保持部１０に保持されるウェハＷと略平行に向かい合うように配置される。

そして、めっき処理を行う際、アノード電極２２の底面２２ａは、ウェハＷ上に供給されためっき液Ｌ１（図２参照）と直接接触する。また、アノード電極２２は、後述する電圧印加部３０に接続されており、接触するめっき液Ｌ１に所定の電圧を印加することができる。アノード電極２２の詳細な構成については後述する。

アーム２１の基端部には、図示しない移動機構が設けられる。かかる移動機構は、たとえば、シリンダなどの昇降駆動部や、モータなどの回転駆動部などを有する。そして、かかる昇降駆動部や回転駆動部などを用いることにより、アーム２１は、アノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャン可能に動作させることができる。

なお、図１の例では、アノード電極２２を支持する部材としてアーム２１を用いた例について示したが、アノード電極２２を支持する部材はアームに限られない。

電圧印加部３０は、保持部１２のカソード電極１２ａと、アノード電極２２との間に所定の電圧を印加する。電圧印加部３０は、たとえば、負電圧印加部３１と、正電圧印加部３２とを有する。

負電圧印加部３１は、保持部１２のカソード電極１２ａに負電圧を印加する。負電圧印加部３１は、直流電源３１ａと、スイッチ３１ｂとを有し、保持部１２のカソード電極１２ａに接続される。具体的には、直流電源３１ａの負極側が、スイッチ３１ｂを介して保持部１２のカソード電極１２ａに接続されるとともに、直流電源３１ａの正極側が接地される。

そして、スイッチ３１ｂをオン状態に制御することにより、負電圧印加部３１は、保持部１２のカソード電極１２ａに所定の負電圧を印加することができる。

正電圧印加部３２は、アノード電極２２に正電圧を印加する。正電圧印加部３２は、直流電源３２ａと、スイッチ３２ｂとを有し、アノード電極２２に接続される。具体的には、直流電源３２ａの正極側が、スイッチ３２ｂを介してアノード電極２２に接続されるとともに、直流電源３２ａの負極側が接地される。

そして、スイッチ３２ｂをオン状態に制御することにより、正電圧印加部３２は、アノード電極２２に所定の正電圧を印加することができる。

なお、電圧印加部３０の構成は図１の例に限られず、保持部１２のカソード電極１２ａとアノード電極２２との間に所定の電圧を印加可能な構成であれば、どのような構成であってもよい。

めっき処理装置１を制御する制御装置（図示せず）は、たとえばコンピュータであり、制御部（図示せず）と記憶部（図示せず）とを有する。制御部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。

かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、基板保持部１０やめっき処理部２０、電圧印加部３０などのめっき処理装置１における各部の制御を実現する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

記憶部は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

＜アノード電極＞
つづいて、図２および図３を参照しながら、実施形態に係るめっき処理装置１のアノード電極２２について説明する。図２は、実施形態に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図であり、図３は、実施形態に係るアノード電極２２の底面２２ａの構成を示す図である。

図２に示すように、実施形態に係るアノード電極２２の底面２２ａには、第１吐出口２３と第２吐出口２４とが設けられる。なお、実施形態において、アノード電極２２の底面２２ａは略平坦である。

第１吐出口２３は、第１供給流路２５を介して、めっき液Ｌ１を貯留するめっき液供給源（図示せず）と連通する。そして、第１吐出口２３は、かかるめっき液供給源から第１供給流路２５を介して供給されるめっき液Ｌ１を、ウェハＷの表面Ｗａに吐出する。

たとえば、めっき膜としてＣｕ膜を形成する場合、めっき液Ｌ１には、銅イオンと硫酸イオンとが含まれるとよい。

第２吐出口２４は、第２供給流路２６を介して、洗浄液Ｌ２を貯留する洗浄液供給源（図示せず）と連通する。そして、第２吐出口２４は、かかる洗浄液供給源から第２供給流路２６を介して供給される洗浄液Ｌ２を、ウェハＷの表面Ｗａに吐出する。洗浄液Ｌ２は、たとえば、純水である。

たとえば、図３に示すように、第１吐出口２３は、円状のアノード電極２２における底面２２ａの中央部に設けられ、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３よりも外側に設けられる。たとえば、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３を囲むように円状に設けられる。

実施形態に係るアノード電極２２を用いためっき処理について、図２を参照しながら説明する。実施形態に係るめっき処理装置１では、まず、図示しない搬送機構を用いて、ウェハＷを基板保持部１０（図１参照）に搬送する。そして、制御部は、保持部１２（図１参照）を動作させることにより、ウェハＷを基板保持部１０に保持する。

次に、制御部は、アーム２１を動作させてアノード電極２２をウェハＷに近づける。この際、制御部は、ウェハＷの表面Ｗａとアノード電極２２の底面２２ａとの間隔が所定の間隔（たとえば、１００μｍ程度）となるように、アノード電極２２をウェハＷに近づける。

次に、制御部は、駆動機構１３（図１参照）を用いてウェハＷを所定の回転数Ｒ１（たとえば、２～１０ｒｐｍ）で回転させながら、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間に、第１吐出口２３からめっき液Ｌ１を吐出する。

また、このめっき液Ｌ１の吐出処理と並行して、制御部は、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間に、第２吐出口２４から洗浄液Ｌ２を吐出する。これにより、実施形態では、図２に示すように、第１吐出口２３の周囲にめっき液Ｌ１が局所的に存在する領域を形成することができる。

次に、制御部は、駆動機構１３を用いてウェハＷを所定の回転数Ｒ１で回転させながら、電圧印加部３０（図１参照）のスイッチ３１ｂ、３２ｂ（図１参照）をオフ状態からオン状態に変更する。

これにより、保持部１２のカソード電極１２ａに負電位が印加されるとともに、アノード電極２２に正電圧が印加される。このように、電圧印加処理によって、電圧印加部３０は、ウェハＷとアノード電極２２との間に所定の電圧を印加する。

これにより、第１吐出口２３の周囲に局所的に存在するめっき液Ｌ１の内部に電界が形成され、ウェハＷの表面Ｗａ側に正の荷電粒子である銅イオンが集積されることから、ウェハＷの表面Ｗａにめっき膜が局所的に形成される。

なお、実施形態において、局所的にめっき液Ｌ１が存在する箇所以外の表面Ｗａには、洗浄液Ｌ２を主とする処理液が存在するため、ウェハＷとアノード電極２２との間に電圧が印加されたとしても、この箇所にめっき膜はほとんど形成されない。

そして、制御部は、アノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせながら、上述のめっき液吐出処理、洗浄液吐出処理および電圧印加処理を繰り返し実施する。これにより、実施形態に係るめっき処理装置１では、ウェハＷの全面にめっき処理を施すことができる。

ここまで説明したように、実施形態では、アノード電極２２の下部に限ってめっき処理しながら、かかるアノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせる。これにより、ウェハＷの各領域でめっき膜の膜厚を適宜調整しながらめっき処理を行うことができる。

したがって、実施形態によれば、ウェハＷの全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる。

また、実施形態では、めっき液Ｌ１を吐出する第１吐出口２３の外側に、洗浄液Ｌ２を吐出する第２吐出口２４が設けられることにより、アノード電極２２の下部以外の箇所に存在するめっき液Ｌ１の量を低減することができる。

すなわち、実施形態では、めっき処理の対象領域以外の箇所において、めっき液Ｌ１によるシード層の溶解や、めっき液Ｌ１に含まれる成分の異常析出などを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、めっき処理を安定して実施することができる。

また、実施形態では、第１吐出口２３を囲むように第２吐出口２４が設けられることにより、アノード電極２２の下部以外の箇所にはめっき液Ｌ１をほとんど存在させることなくめっき処理が可能である。

すなわち、実施形態では、めっき処理の対象領域以外の箇所において、めっき液Ｌ１によるシード層の溶解や、めっき液Ｌ１に含まれる成分の異常析出などをさらに抑制することができる。したがって、実施形態によれば、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

また、実施形態では、ウェハＷの表面Ｗａとアノード電極２２の底面２２ａとの間隔が１００μｍ程度の狭ギャップとなるように、アノード電極２２をウェハＷに近づけるとよい。

これにより、めっき液Ｌ１の使用量を削減することができるとともに、アノード電極２２をスキャンさせる際に発生するめっき液Ｌ１の抵抗を低減することができる。

実施形態に係るめっき処理では、ウェハＷの全面にめっき膜が形成された後に、基板洗浄処理が行われる。たとえば、制御部は、アームを動作させて、アノード電極２２を基板保持部１０に保持されたウェハＷにおける中心部の上方まで移動させる。

次に、制御部は、駆動機構１３を用いてウェハＷを所定の回転数Ｒ２（たとえば、５００ｒｐｍ以上）で回転させながら、第２吐出口２４から洗浄液Ｌ２をウェハＷの中心部に吐出する。そして、制御部が第２吐出口２４からの洗浄液Ｌ２の吐出を停止させると、基板洗浄処理が終了する。

かかる基板洗浄処理によって、ウェハＷに供給されていためっき液Ｌ１などが洗い流されて、ウェハＷの表面Ｗａが洗浄される。これにより、実施形態に係るめっき処理が完了する。

＜各種変形例＞
つづいて、実施形態の各種変形例について、図４～図１０を参照しながら説明する。なお、以下の各種変形例において、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

図４は、実施形態の変形例１に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図である。図４に示すように、変形例１では、めっき処理部２０にコイル４０が別途設けられる点が実施形態と異なる。

コイル４０は、めっき液Ｌ１を第１吐出口２３に供給する第１供給流路２５の近傍に設けられ、第１供給流路２５を流れるめっき液Ｌ１に対して磁界を発生させることができる。

これにより、変形例１では、第１吐出口２３から吐出されるめっき液Ｌ１の内部において、めっき膜を形成する金属イオンを拡散させることができる。したがって、変形例１によれば、均一なめっき膜を形成することができる。

図５は、実施形態の変形例２に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図である。図５に示すように、変形例２では、アノード電極２２における底面２２ａの形状が実施形態と異なる。具体的には、変形例２では、アノード電極２２の底面２２ａに複数の凹部２２ｂが設けられる。

これにより、アノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせながらめっき処理を行う際に、複数の凹部２２ｂでめっき液Ｌ１を揺動させることができる。したがって、変形例２によれば、めっき液Ｌ１の内部においてめっき膜を形成する金属イオンを拡散させることができることから、均一なめっき膜を形成することができる。

図６は、実施形態の変形例３に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図であり、図７は、実施形態の変形例３に係るアノード電極２２の底面２２ａの構成を示す図である。

図６に示すように、変形例３では、アノード電極２２の底面２２ａに、さらに吸引口２７が設けられる。吸引口２７は、吸引流路２８を介して、図示しない吸引機構に接続される。そして、変形例２のアノード電極２２は、かかる吸引機構を動作させることにより、吸引口２７から処理液などを吸引することができる。

たとえば、図７に示すように、第１吐出口２３は、円状のアノード電極２２における底面２２ａの中央部に設けられ、吸引口２７は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３よりも外側に設けられる。たとえば、吸引口２７は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３を囲むように円状に設けられる。

また、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、吸引口２７よりも外側に設けられる。たとえば、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、吸引口２７を同心円状に囲むように設けられる。

そして、変形例３では、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間にめっき液Ｌ１および洗浄液Ｌ２を供給する際に、吸引機構を動作させて、第１吐出口２３と第２吐出口２４との間に位置するめっき液Ｌ１や洗浄液Ｌ２を吸引口２７で吸引する。

これにより、アノード電極２２の下部以外の箇所に存在するめっき液Ｌ１の量をさらに低減することができる。すなわち、変形例３では、めっき処理の対象領域以外の箇所において、めっき液Ｌ１によるシード層の溶解や、めっき液Ｌ１に含まれる成分の異常析出などをさらに抑制することができる。

したがって、変形例３によれば、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

また、変形例３では、第１吐出口２３と第２吐出口２４との間に位置する洗浄液Ｌ２を吸引することができるため、アノード電極２２の下部に局在するめっき液Ｌ１に洗浄液Ｌ２が混ざることにより、めっき液Ｌ１の濃度が低下することを抑制することができる。

したがって、変形例３によれば、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

図８は、実施形態の変形例４に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図であり、図９は、実施形態の変形例４に係るアノード電極２２の底面２２ａの構成を示す図である。

図８に示すように、変形例４では、アノード電極２２の底面２２ａに、複数の吸引口２７Ａ、２７Ｂが設けられる。吸引口２７Ａは、吸引流路２８Ａを介して、図示しない吸引機構に接続される。

吸引口２７Ｂは、吸引流路２８Ｂを介して、図示しない吸引機構に接続される。そして、変形例３のアノード電極２２は、かかる吸引機構を動作させることにより、吸引口２７Ａ、２７Ｂから処理液などを吸引することができる。

たとえば、図９に示すように、第１吐出口２３は、円状のアノード電極２２における底面２２ａの中央部に設けられ、吸引口２７Ａは、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３よりも外側に設けられる。たとえば、吸引口２７Ａは、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第１吐出口２３を囲むように円状に設けられる。

また、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、吸引口２７Ａよりも外側に設けられる。たとえば、第２吐出口２４は、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、吸引口２７Ａを同心円状に囲むように設けられる。

また、吸引口２７Ｂは、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第２吐出口２４よりも外側に設けられる。たとえば、吸引口２７Ｂは、アノード電極２２の底面２２ａにおいて、第２吐出口２４を同心円状に囲むように設けられる。

そして、変形例４では、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間にめっき液Ｌ１および洗浄液Ｌ２を供給する際に、吸引機構を動作させて、第１吐出口２３と第２吐出口２４との間に位置するめっき液Ｌ１や洗浄液Ｌ２を吸引口２７Ａで吸引する。

これにより、変形例３と同様に、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

さらに、変形例４では、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間にめっき液Ｌ１および洗浄液Ｌ２を供給する際に、吸引機構を動作させて、第２吐出口２４の外側に位置する洗浄液Ｌ２を吸引口２７Ｂで吸引する。これにより、アノード電極２２の下部以外の箇所に洗浄液Ｌ２が溢れることを抑制することができる。

図１０は、実施形態の変形例５に係るめっき処理装置１のアノード電極２２の構成を示す図であり、アノード電極２２を上方から見た場合の平面図である。変形例５に係るめっき処理装置１では、バーノズル状のめっき処理部２０を用いてめっき処理を行う。

変形例２のめっき処理部２０は、ウェハＷの回転方向Ｒに対して略垂直な方向に延びる矩形状のアノード電極２２を有する。そして、かかるめっき処理部２０には、アノード電極２２の底面２２ａ（図２参照）に第１吐出口２３と、第２吐出口２４と、吸引口２７とが設けられる。

第１吐出口２３と、第２吐出口２４と、吸引口２７とは、それぞれアノード電極２２の長手方向に沿って並んで配置される。さらに、アノード電極２２の底面２２ａには、回転方向Ｒの前側から順に、吸引口２７、第１吐出口２３および第２吐出口２４が設けられる。

つづいて、変形例５のめっき処理装置１で行うめっき処理について説明する。まず、制御部は、アーム２１を動作させてアノード電極２２をウェハＷに近づける。この際、制御部は、ウェハＷの表面Ｗａとアノード電極２２の底面２２ａとの間隔が所定の間隔（たとえば、１００μｍ程度）となるように、アノード電極２２をウェハＷに近づける。

次に、制御部は、駆動機構１３（図１参照）を用いてウェハＷを所定の回転数Ｒ１で回転させながら、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間に、第１吐出口２３からめっき液Ｌ１を吐出する。

また、このめっき液Ｌ１の吐出処理と並行して、制御部は、ウェハＷとアノード電極２２との間の隙間に第２吐出口２４から洗浄液Ｌ２を吐出するとともに、吸引口２７からめっき液Ｌ１を吸引する。

これにより、変形例５では、第１吐出口２３の周囲にめっき液Ｌ１が局所的に存在する領域を形成することができる。このような状態で、電圧印加部３０（図１参照）を動作させることにより、制御部は、ウェハＷの表面Ｗａにめっき膜を局所的に形成することができる。

ここまで説明したように、変形例５では、アノード電極２２の下部に限ってめっき処理しながら、ウェハＷを回転させることにより、アノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせる。

これにより、ウェハＷの各領域でめっき膜の膜厚を適宜調整しながらめっき処理を行うことができることから、ウェハＷの全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる。

実施形態に係るめっき処理装置１は、基板保持部１０と、第１電極（カソード電極１２ａ）と、第２電極（アノード電極２２）と、電圧印加部３０とを備える。基板保持部１０は、基板（ウェハＷ）を保持する。第１電極（カソード電極１２ａ）は、基板（ウェハＷ）に電気的に接続される。第２電極（アノード電極２２）は、基板（ウェハＷ）の表面Ｗａに対してスキャン可能に構成される。電圧印加部３０は、第１電極（カソード電極１２ａ）と第２電極（アノード電極２２）との間に電圧を印加する。また、第２電極（アノード電極２２）の底面２２ａには、めっき液Ｌ１を吐出する第１吐出口２３と、洗浄液Ｌ２を吐出する第２吐出口２４とが設けられる。これにより、ウェハＷの全面において面内均一性が良好なめっき膜を形成することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１において、第２吐出口２４は、第１吐出口２３よりも第２電極（アノード電極２２）の外側に設けられる。これにより、めっき処理を安定して実施することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１において、第２吐出口２４は、第１吐出口２３を囲むように設けられる。これにより、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１において、第２電極（アノード電極２２）の底面２２ａには、めっき液Ｌ１および洗浄液Ｌ２の少なくとも一方を吸引する吸引口２７（２７Ａ、２７Ｂ）が設けられる。これにより、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１において、吸引口２７（２７Ａ）は、第１吐出口２３と第２吐出口２４との間に設けられる。これにより、めっき処理をさらに安定して実施することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１において、第２電極（アノード電極２２）の底面２２ａには、凹部２２ｂが設けられる。これにより、均一なめっき膜を形成することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置１は、めっき液Ｌ１を第１吐出口２３に供給する第１供給流路２５の近傍に設けられるコイル４０をさらに備える。これにより、均一なめっき膜を形成することができる。

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、アノード電極２２をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせた例について示したが、カソード電極をウェハＷの表面Ｗａに対してスキャンさせてもよい。

また、上記の実施形態では、１つのアノード電極２２をスキャンさせてめっき膜を形成する例について示したが、複数のアノード電極２２を個別にスキャンさせてそれぞれめっき膜を形成してもよい。これにより、めっき処理の処理時間を短縮することができる。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ（基板の一例）
Ｗａ 表面
１ めっき処理装置
１０ 基板保持部
１２ 保持部
１２ａ カソード電極（第１電極の一例）
２０ めっき処理部
２１ アーム
２２ アノード電極（第２電極の一例）
２２ａ 底面
２２ｂ 凹部
２３ 第１吐出口
２４ 第２吐出口
２５ 第１供給流路
２７、２７Ａ、２７Ｂ 吸引口
３０ 電圧印加部
４０ コイル
Ｌ１ めっき液
Ｌ２ 洗浄液

Claims (6)

1. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板に電気的に接続される第１電極と、
   前記基板の表面に対してスキャン可能に構成される第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する電圧印加部と、
   を備え、
   前記第２電極の底面には、めっき液を吐出する第１吐出口と、洗浄液を吐出する第２吐出口とが設けられ、
   前記めっき液を前記第１吐出口に供給する第１供給流路の近傍に設けられるコイルをさらに備える
   めっき処理装置。
2. 前記第２吐出口は、前記第１吐出口よりも前記第２電極の外側に設けられる
   請求項１に記載のめっき処理装置。
3. 前記第２吐出口は、前記第１吐出口を囲むように設けられる
   請求項２に記載のめっき処理装置。
4. 前記第２電極の底面には、前記めっき液および前記洗浄液の少なくとも一方を吸引する吸引口が設けられる
   請求項１～３のいずれか一つに記載のめっき処理装置。
5. 前記吸引口は、前記第１吐出口と前記第２吐出口との間に設けられる
   請求項４に記載のめっき処理装置。
6. 前記第２電極の底面には、凹部が設けられる
   請求項１～５のいずれか一つに記載のめっき処理装置。

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