JP2002053972A - 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 - Google Patents
無電解メッキ装置および無電解メッキ方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣｏＷＰ無電解メッキのような高温のメッキ
液を用いる無電解メッキにおいて、無電解メッキ中のメ
ッキ液温度を所定の温度に保って、均質なメッキ膜の生
成を図るとともに、最小限の高温のメッキ液で無電解メ
ッキを行う。 【解決手段】 メッキ液３１を入れるメッキ浴容器１１
と、メッキ浴容器１１を加熱するものでメッキ浴容器１
１に備えた加熱源１２と、メッキ液を貯えておく貯蔵部
２１と、貯蔵部２１よりメッキ浴容器１１にメッキ液３
１を供給するメッキ液供給部２２とを備えたもので、メ
ッキ液供給部２２は、貯蔵部２１から供給されるメッキ
液を加熱する加熱部２３を備えたものである。
液を用いる無電解メッキにおいて、無電解メッキ中のメ
ッキ液温度を所定の温度に保って、均質なメッキ膜の生
成を図るとともに、最小限の高温のメッキ液で無電解メ
ッキを行う。 【解決手段】 メッキ液３１を入れるメッキ浴容器１１
と、メッキ浴容器１１を加熱するものでメッキ浴容器１
１に備えた加熱源１２と、メッキ液を貯えておく貯蔵部
２１と、貯蔵部２１よりメッキ浴容器１１にメッキ液３
１を供給するメッキ液供給部２２とを備えたもので、メ
ッキ液供給部２２は、貯蔵部２１から供給されるメッキ
液を加熱する加熱部２３を備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ装置
および無電解メッキ方法に関し、詳しくは無電解メッキ
により金属薄膜を生成する無電解メッキ装置および無電
解メッキ方法に関する。
および無電解メッキ方法に関し、詳しくは無電解メッキ
により金属薄膜を生成する無電解メッキ装置および無電
解メッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】銅配線は、アルミニウム配線より低抵
抗、低容量、高信頼性を与えることから、配線の寄生抵
抗、寄生容量による回路遅延が支配的になる微細素子に
おいて、重要度が高まっている。銅配線を形成する最も
一般的な方法として広く受け入れられている方法はダマ
シン法である。そのなかでも、製造コストの点からデュ
アルダマシン法が受け入れられている。銅配線の製造プ
ロセスは、デュアルダマシン法の採用によって、従来の
アルミニウム配線工程よりも低コスト化されることが期
待されている。
抗、低容量、高信頼性を与えることから、配線の寄生抵
抗、寄生容量による回路遅延が支配的になる微細素子に
おいて、重要度が高まっている。銅配線を形成する最も
一般的な方法として広く受け入れられている方法はダマ
シン法である。そのなかでも、製造コストの点からデュ
アルダマシン法が受け入れられている。銅配線の製造プ
ロセスは、デュアルダマシン法の採用によって、従来の
アルミニウム配線工程よりも低コスト化されることが期
待されている。
【０００３】従来のデュアルダマシン法では、酸化し易
い銅表面を被覆して表面酸化を防止するキャップ膜とし
て、比誘電率が８と高い窒化シリコンを使用していた。
その結果、配線システム全体の寄生容量を増大させると
いう問題があった。この問題を解決するための一つの方
法として、銅配線表面を選択的な無電解メッキコバルト
タングステンリン（以下ＣｏＷＰと記す）により被覆す
ることが提案されている（S.Lopatin et al.,Proc. of
Advanced Metallization Conference (1997) p.438参
照）。
い銅表面を被覆して表面酸化を防止するキャップ膜とし
て、比誘電率が８と高い窒化シリコンを使用していた。
その結果、配線システム全体の寄生容量を増大させると
いう問題があった。この問題を解決するための一つの方
法として、銅配線表面を選択的な無電解メッキコバルト
タングステンリン（以下ＣｏＷＰと記す）により被覆す
ることが提案されている（S.Lopatin et al.,Proc. of
Advanced Metallization Conference (1997) p.438参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コバル
トタングステンリン（以下ＣｏＷＰと記す）の成膜は、
メッキ液（電解質溶液）の温度を７０℃程度の高温にす
る必要がある。このような高温では、電解質溶液の変性
劣化が激しい。このため、ＣｏＷＰ無電解メッキプロセ
スを量産プロセスとして使用する場合、過熱された電解
質溶液の安定供給が困難であるという問題点がある。ま
た、加熱する液量を最低限に抑えるため、供給直前に電
解質溶液を加熱する方法も試みられたが、液温の精密な
制御が難しい。そのため、メッキ初期から終了まで一定
の温度でメッキを行うことが困難であるため、均質なメ
ッキ膜を生成することが困難であった。
トタングステンリン（以下ＣｏＷＰと記す）の成膜は、
メッキ液（電解質溶液）の温度を７０℃程度の高温にす
る必要がある。このような高温では、電解質溶液の変性
劣化が激しい。このため、ＣｏＷＰ無電解メッキプロセ
スを量産プロセスとして使用する場合、過熱された電解
質溶液の安定供給が困難であるという問題点がある。ま
た、加熱する液量を最低限に抑えるため、供給直前に電
解質溶液を加熱する方法も試みられたが、液温の精密な
制御が難しい。そのため、メッキ初期から終了まで一定
の温度でメッキを行うことが困難であるため、均質なメ
ッキ膜を生成することが困難であった。
【０００５】さらにＣｏＷＰ無電解メッキのための電解
質溶液は高価であるため、ウエハ１枚当たりの製造単価
が高くなる。そのため、従来のように、電解質溶液を入
れた処理槽内に複数枚のウエハを浸漬して高温で無電解
メッキを行うことは多量の電解質溶液を必要とすること
になるため、製造コストが高くなるという問題があっ
た。
質溶液は高価であるため、ウエハ１枚当たりの製造単価
が高くなる。そのため、従来のように、電解質溶液を入
れた処理槽内に複数枚のウエハを浸漬して高温で無電解
メッキを行うことは多量の電解質溶液を必要とすること
になるため、製造コストが高くなるという問題があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた無電解メッキ装置および無電解メ
ッキ方法である。
決するためになされた無電解メッキ装置および無電解メ
ッキ方法である。
【０００７】本発明の第１の無電解メッキ装置は、メッ
キ液を入れるメッキ浴容器と、このメッキ浴容器を加熱
するものでメッキ浴容器に備えた加熱源と、メッキ液を
貯えておく貯蔵部と、この貯蔵部よりメッキ浴容器にメ
ッキ液を供給するメッキ液供給部とを備えたもので、メ
ッキ液供給部は、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱
する加熱部を備えたものである。
キ液を入れるメッキ浴容器と、このメッキ浴容器を加熱
するものでメッキ浴容器に備えた加熱源と、メッキ液を
貯えておく貯蔵部と、この貯蔵部よりメッキ浴容器にメ
ッキ液を供給するメッキ液供給部とを備えたもので、メ
ッキ液供給部は、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱
する加熱部を備えたものである。
【０００８】上記第１の無電解メッキ装置では、メッキ
浴容器を加熱する加熱源をメッキ浴容器に備えたことか
ら、メッキ初期から終了まで一定の温度で無電解メッキ
が行える。そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成
される。
浴容器を加熱する加熱源をメッキ浴容器に備えたことか
ら、メッキ初期から終了まで一定の温度で無電解メッキ
が行える。そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成
される。
【０００９】また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加
熱する加熱部を備えたことから、メッキ浴容器に供給さ
れる直前で無電解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱
することが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ
液全体を高温に保持するために加熱する必要がなくな
る。すなわち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液
を貯蔵することができる。よって、貯蔵しておくメッキ
液は変性、劣化を起こすことがないので、常に、一定の
品質のメッキ液を供給することが可能になる。
熱する加熱部を備えたことから、メッキ浴容器に供給さ
れる直前で無電解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱
することが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ
液全体を高温に保持するために加熱する必要がなくな
る。すなわち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液
を貯蔵することができる。よって、貯蔵しておくメッキ
液は変性、劣化を起こすことがないので、常に、一定の
品質のメッキ液を供給することが可能になる。
【００１０】本発明の第２の無電解メッキ装置は、ウエ
ハを載置して加熱する加熱源と、このウエハの表面側周
に沿ってウエハにシール材を介して密着するように設置
した側壁と、メッキ液を貯えておく貯蔵部と、この貯蔵
部よりウエハ上にメッキ液を供給するメッキ液供給部と
を備えたもので、このメッキ液供給部は、貯蔵部から供
給されるメッキ液を加熱する加熱部を備えたものであ
る。
ハを載置して加熱する加熱源と、このウエハの表面側周
に沿ってウエハにシール材を介して密着するように設置
した側壁と、メッキ液を貯えておく貯蔵部と、この貯蔵
部よりウエハ上にメッキ液を供給するメッキ液供給部と
を備えたもので、このメッキ液供給部は、貯蔵部から供
給されるメッキ液を加熱する加熱部を備えたものであ
る。
【００１１】上記第２の無電解メッキ装置では、ウエハ
を載置して加熱する加熱源を備えたことから、ウエハ上
に供給されたメッキ液をメッキ初期から終了まで一定の
温度に保持した状態で無電解メッキが行える。そのた
め、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。また、ウ
エハの表面側周に沿ってウエハにシール材を介して密着
するように側壁を設置したことから、ウエハとシール材
と側壁とで供給されるメッキ液を入れる容器が構成され
る。そのため、ウエハ上に供給されたメッキ液はこぼれ
ることなく、ウエハ上にとどまることができる。
を載置して加熱する加熱源を備えたことから、ウエハ上
に供給されたメッキ液をメッキ初期から終了まで一定の
温度に保持した状態で無電解メッキが行える。そのた
め、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。また、ウ
エハの表面側周に沿ってウエハにシール材を介して密着
するように側壁を設置したことから、ウエハとシール材
と側壁とで供給されるメッキ液を入れる容器が構成され
る。そのため、ウエハ上に供給されたメッキ液はこぼれ
ることなく、ウエハ上にとどまることができる。
【００１２】また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加
熱する加熱部を備えたことから、ウエハ上に供給される
直前で無電解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱する
ことが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全
体を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。す
なわち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵
することができる。よって、貯蔵しておくメッキ液は変
性、劣化を起こすことがないので、常に、一定の品質の
メッキ液を供給することが可能になる。
熱する加熱部を備えたことから、ウエハ上に供給される
直前で無電解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱する
ことが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全
体を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。す
なわち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵
することができる。よって、貯蔵しておくメッキ液は変
性、劣化を起こすことがないので、常に、一定の品質の
メッキ液を供給することが可能になる。
【００１３】本発明の無電解メッキ方法は、ウエハ表面
にメッキ液を供給してウエハ表面にメッキ膜を形成する
無電解メッキ方法であって、ウエハ表面に供給されたメ
ッキ液を加熱して所定の温度に保持しながらウエハ表面
にメッキ膜を形成することを特徴とし、ウエハ表面に供
給されるメッキ液をウエハ表面に供給される直前に加熱
することを特徴としている。
にメッキ液を供給してウエハ表面にメッキ膜を形成する
無電解メッキ方法であって、ウエハ表面に供給されたメ
ッキ液を加熱して所定の温度に保持しながらウエハ表面
にメッキ膜を形成することを特徴とし、ウエハ表面に供
給されるメッキ液をウエハ表面に供給される直前に加熱
することを特徴としている。
【００１４】上記無電解メッキ方法では、ウエハ表面に
供給されたメッキ液を加熱して所定の温度に保持しなが
らウエハ表面にメッキ膜を形成することから、メッキ初
期から終了まで一定の温度で無電解メッキが行える。そ
のため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。
供給されたメッキ液を加熱して所定の温度に保持しなが
らウエハ表面にメッキ膜を形成することから、メッキ初
期から終了まで一定の温度で無電解メッキが行える。そ
のため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。
【００１５】また、ウエハ表面に供給されるメッキ液を
ウエハ表面に供給される直前に加熱することから、無電
解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱することが可能
になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全体を高温に
保持するために加熱する必要がなくなる。すなわち、変
性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵することが
できる。よって、貯蔵しておくメッキ液は変性、劣化を
起こすことがないので、常に、一定の品質のメッキ液を
供給することが可能になる。
ウエハ表面に供給される直前に加熱することから、無電
解メッキに必要なだけのメッキ液を加熱することが可能
になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全体を高温に
保持するために加熱する必要がなくなる。すなわち、変
性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵することが
できる。よって、貯蔵しておくメッキ液は変性、劣化を
起こすことがないので、常に、一定の品質のメッキ液を
供給することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の無電解メッキ装置
に係る実施の形態を、図１の概略構成図によって説明す
る。
に係る実施の形態を、図１の概略構成図によって説明す
る。
【００１７】図１に示すように、第１の無電解メッキ装
置１は、無電解メッキに用いるメッキ液を入れるメッキ
浴容器１１を備えている。このメッキ浴容器１１には加
熱源１２が設置されている。この加熱源１２は、メッキ
浴容器１１の底部に設置されている。または、図示はし
ないが、メッキ浴容器１１の底部１１ｂを構成するよう
に設けられていてもよい。またはメッキ浴容器１１の底
部１１ｂおよび側壁１１ｓに設置されていてもよい。ま
たはメッキ浴容器１１の底部１１ｂおよび側部１１ｓを
加熱源で構成したものであってもよい。
置１は、無電解メッキに用いるメッキ液を入れるメッキ
浴容器１１を備えている。このメッキ浴容器１１には加
熱源１２が設置されている。この加熱源１２は、メッキ
浴容器１１の底部に設置されている。または、図示はし
ないが、メッキ浴容器１１の底部１１ｂを構成するよう
に設けられていてもよい。またはメッキ浴容器１１の底
部１１ｂおよび側壁１１ｓに設置されていてもよい。ま
たはメッキ浴容器１１の底部１１ｂおよび側部１１ｓを
加熱源で構成したものであってもよい。
【００１８】さらに、上記メッキ浴容器１１内には供給
されたメッキ液の温度を測定する温度センサ（図示せ
ず）が備えられている。また上記加熱源１２には、上記
温度センサにより測定した温度に基づいてメッキ液の温
度管理を行う温度制御部（図示せず）が接続されてい
る。例えば、上記温度センサによって測定したメッキ液
３１の温度に基づいて温度制御部が加熱源１２の温度を
調節して、メッキ液３１が所定の温度に保持されるよう
になっている。
されたメッキ液の温度を測定する温度センサ（図示せ
ず）が備えられている。また上記加熱源１２には、上記
温度センサにより測定した温度に基づいてメッキ液の温
度管理を行う温度制御部（図示せず）が接続されてい
る。例えば、上記温度センサによって測定したメッキ液
３１の温度に基づいて温度制御部が加熱源１２の温度を
調節して、メッキ液３１が所定の温度に保持されるよう
になっている。
【００１９】さらに、第１の無電解メッキ装置１には、
無電解メッキに用いるメッキ液を貯えておく貯蔵部２１
が備えられている。さらに、貯蔵部２１より上記メッキ
浴容器１１にメッキ液３１を供給するメッキ液供給部２
２が備えられている。このメッキ液供給部２２は、一例
として、加熱部２３と、上記貯蔵部２２から加熱部２３
にメッキ液を供給する配管２４と、加熱部２３から上記
メッキ浴容器１１にメッキ液３１を供給する配管２５お
よび供給ノズル２６とから構成されている。そして、上
記加熱部２３は上記メッキ浴容器１１のできるだけ近く
に設置され、上記配管２５の長さを最小限にすることが
好ましい。なお、図示はしていないが、上記配管２４に
は貯蔵部２１よりメッキ液供給部２２へ所定量のメッキ
液３１を送給するポンプが設置されている。
無電解メッキに用いるメッキ液を貯えておく貯蔵部２１
が備えられている。さらに、貯蔵部２１より上記メッキ
浴容器１１にメッキ液３１を供給するメッキ液供給部２
２が備えられている。このメッキ液供給部２２は、一例
として、加熱部２３と、上記貯蔵部２２から加熱部２３
にメッキ液を供給する配管２４と、加熱部２３から上記
メッキ浴容器１１にメッキ液３１を供給する配管２５お
よび供給ノズル２６とから構成されている。そして、上
記加熱部２３は上記メッキ浴容器１１のできるだけ近く
に設置され、上記配管２５の長さを最小限にすることが
好ましい。なお、図示はしていないが、上記配管２４に
は貯蔵部２１よりメッキ液供給部２２へ所定量のメッキ
液３１を送給するポンプが設置されている。
【００２０】上記加熱部２３は、その内部のメッキ液を
加熱するもので、加熱部の壁面内に加熱体が備えられて
いる。または加熱部２３の外周もしくは外周の一部に加
熱体が備えられていてもよく、または加熱部の内部に加
熱体が設置されていてもよい。上記加熱部２３には温度
制御部（図示せず）が接続され、所定の温度にメッキ液
が加熱されるようになっている。
加熱するもので、加熱部の壁面内に加熱体が備えられて
いる。または加熱部２３の外周もしくは外周の一部に加
熱体が備えられていてもよく、または加熱部の内部に加
熱体が設置されていてもよい。上記加熱部２３には温度
制御部（図示せず）が接続され、所定の温度にメッキ液
が加熱されるようになっている。
【００２１】上記第１の無電解メッキ装置１では、メッ
キ浴容器１１を加熱する加熱源１２をメッキ浴容器１１
に備えたことから、メッキ初期から終了まで一定の温度
で無電解メッキが行える。そのため、膜厚方向に均質な
メッキ膜が生成される。
キ浴容器１１を加熱する加熱源１２をメッキ浴容器１１
に備えたことから、メッキ初期から終了まで一定の温度
で無電解メッキが行える。そのため、膜厚方向に均質な
メッキ膜が生成される。
【００２２】また、貯蔵部２１から供給されるメッキ液
を加熱する加熱部２３を備えたことから、メッキ浴容器
１１に供給される直前で無電解メッキに必要な最小限の
量だけのメッキ液３１を加熱することが可能になる。そ
のため、貯蔵部２１に貯蔵しておくメッキ液全体を高温
に保持するために加熱する必要がなくなる。すなわち、
貯蔵部２１において変性、劣化を起こさない温度でメッ
キ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿命を長
く保つことが可能になる。よって、常に、一定の品質の
メッキ液３１をメッキ浴容器１１に供給することが可能
になる。
を加熱する加熱部２３を備えたことから、メッキ浴容器
１１に供給される直前で無電解メッキに必要な最小限の
量だけのメッキ液３１を加熱することが可能になる。そ
のため、貯蔵部２１に貯蔵しておくメッキ液全体を高温
に保持するために加熱する必要がなくなる。すなわち、
貯蔵部２１において変性、劣化を起こさない温度でメッ
キ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿命を長
く保つことが可能になる。よって、常に、一定の品質の
メッキ液３１をメッキ浴容器１１に供給することが可能
になる。
【００２３】次に、本発明の無電解メッキ方法に係る実
施の形態の一例として、上記第１の無電解メッキ装置１
を用いて無電解メッキを行う方法を、前記図１によって
説明する。
施の形態の一例として、上記第１の無電解メッキ装置１
を用いて無電解メッキを行う方法を、前記図１によって
説明する。
【００２４】上記第１の無電解メッキ装置１の貯蔵部２
１より所定量のメッキ液を加熱部２３に送給し、この加
熱部２３で所定温度にメッキ液を加熱する。そして加熱
したメッキ液を、配管２５、ノズル２６を通してメッキ
浴容器１１に供給する。加熱源１２によって、メッキ浴
容器１１に供給したメッキ液３１を所定の温度に加熱、
保持する。ウエハ４１に無電解メッキを施すには、加熱
したメッキ液３１中にウエハ４１を浸漬すればよい。
１より所定量のメッキ液を加熱部２３に送給し、この加
熱部２３で所定温度にメッキ液を加熱する。そして加熱
したメッキ液を、配管２５、ノズル２６を通してメッキ
浴容器１１に供給する。加熱源１２によって、メッキ浴
容器１１に供給したメッキ液３１を所定の温度に加熱、
保持する。ウエハ４１に無電解メッキを施すには、加熱
したメッキ液３１中にウエハ４１を浸漬すればよい。
【００２５】または、図２に示すように、第１の無電解
メッキ装置１のメッキ浴容器１１に供給されたメッキ液
３１に対して、いわゆる、フェースダウン方式で、サセ
プタ５１に保持したウエハ４１の表面のみを、所定温度
に加熱保持されたメッキ液３１に接触させればよい。
メッキ装置１のメッキ浴容器１１に供給されたメッキ液
３１に対して、いわゆる、フェースダウン方式で、サセ
プタ５１に保持したウエハ４１の表面のみを、所定温度
に加熱保持されたメッキ液３１に接触させればよい。
【００２６】図１によって説明した上記無電解メッキ方
法では、メッキ液３１を加熱して所定の温度に保持しな
がらウエハ４１表面にメッキ膜を形成することから、メ
ッキ初期から終了まで一定の温度で無電解メッキが行え
る。そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成され
る。
法では、メッキ液３１を加熱して所定の温度に保持しな
がらウエハ４１表面にメッキ膜を形成することから、メ
ッキ初期から終了まで一定の温度で無電解メッキが行え
る。そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成され
る。
【００２７】また、メッキ液３１をメッキ浴容器１１に
供給する直前に加熱することから、無電解メッキに必要
な最小限の量だけのメッキ液を加熱することが可能にな
る。そのため、貯蔵部２１に貯蔵しておくメッキ液全体
を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。すな
わち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵す
ることができるので、メッキ液の寿命を長く保つことが
可能になる。よって、常に、一定の品質のメッキ液を供
給することが可能になる。そのため、再現性のよくメッ
キ膜を生成することができる。
供給する直前に加熱することから、無電解メッキに必要
な最小限の量だけのメッキ液を加熱することが可能にな
る。そのため、貯蔵部２１に貯蔵しておくメッキ液全体
を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。すな
わち、変性、劣化を起こさない温度でメッキ液を貯蔵す
ることができるので、メッキ液の寿命を長く保つことが
可能になる。よって、常に、一定の品質のメッキ液を供
給することが可能になる。そのため、再現性のよくメッ
キ膜を生成することができる。
【００２８】なお、上記サセプタ５１にはウエハ４１を
加熱する加熱部（図示せず）が設置されていることが好
ましい。それによって、ウエハ４１表面は無電解メッキ
液３１の温度と同等もしくは例えば±５％程度の温度範
囲に加熱することができ、ウエハ４１表面をメッキ初期
からメッキ終了まで一定の温度に保って、均質なメッキ
膜を生成することができる。
加熱する加熱部（図示せず）が設置されていることが好
ましい。それによって、ウエハ４１表面は無電解メッキ
液３１の温度と同等もしくは例えば±５％程度の温度範
囲に加熱することができ、ウエハ４１表面をメッキ初期
からメッキ終了まで一定の温度に保って、均質なメッキ
膜を生成することができる。
【００２９】次に、本発明の第２の無電解メッキ装置に
係る実施の形態を、図３の概略構成図によって説明す
る。
係る実施の形態を、図３の概略構成図によって説明す
る。
【００３０】図３に示すように、第２の無電解メッキ装
置２は、ウエハ４１を載置して加熱する加熱源１３を備
えている。この加熱源１３に載置されたウエハ４１の表
面側周に沿って、かつウエハ４１表面にシール材１４を
介して密着するように側壁１５が設置されている。すな
わち、ウエハ４１とシール材１４と側壁１５とによっ
て、メッキ浴容器１６が構成されている。上記シール材
１４には、例えばＯリングを用いる。さらに、シール材
１４を介して側壁１５をウエハ４１に密着するように保
持するためのガイド１７が加熱源１３上に設置されてい
る。
置２は、ウエハ４１を載置して加熱する加熱源１３を備
えている。この加熱源１３に載置されたウエハ４１の表
面側周に沿って、かつウエハ４１表面にシール材１４を
介して密着するように側壁１５が設置されている。すな
わち、ウエハ４１とシール材１４と側壁１５とによっ
て、メッキ浴容器１６が構成されている。上記シール材
１４には、例えばＯリングを用いる。さらに、シール材
１４を介して側壁１５をウエハ４１に密着するように保
持するためのガイド１７が加熱源１３上に設置されてい
る。
【００３１】さらに、上記メッキ浴容器１６内には供給
されたメッキ液の温度を測定する温度センサ（図示せ
ず）が備えられている。また上記加熱源１３には、上記
温度センサにより測定した温度に基づいてメッキ液３１
の温度管理を行う温度制御部（図示せず）が接続されて
いる。例えば、上記温度センサによって測定したメッキ
液３１の温度に基づいて温度制御部が加熱源１３の温度
を調節して、メッキ液３１が所定の温度に保持されるよ
うになっている。
されたメッキ液の温度を測定する温度センサ（図示せ
ず）が備えられている。また上記加熱源１３には、上記
温度センサにより測定した温度に基づいてメッキ液３１
の温度管理を行う温度制御部（図示せず）が接続されて
いる。例えば、上記温度センサによって測定したメッキ
液３１の温度に基づいて温度制御部が加熱源１３の温度
を調節して、メッキ液３１が所定の温度に保持されるよ
うになっている。
【００３２】さらに、第２の無電解メッキ装置２には、
無電解メッキに用いるメッキ液を貯えておく貯蔵部２１
が備えられている。さらに、貯蔵部２１より上記メッキ
浴容器１６（ウエハ４１上）にメッキ液３１を供給する
メッキ液供給部２２が備えられている。このメッキ液供
給部２２は、一例として、加熱部２３と、上記貯蔵部２
２から加熱部２３にメッキ液を供給する配管２４と、加
熱部２３から上記メッキ浴容器１１にメッキ液３１を供
給する配管２５および供給ノズル２６とから構成されて
いる。そして、上記加熱部２３は上記メッキ浴容器１１
（ウエハ４１）のできるだけ近くに設置され、上記配管
２５の長さを最小限にすることが好ましい。なお、図示
はしていないが、上記配管２４には貯蔵部２１よりメッ
キ液供給部２２へ所定量のメッキ液３１を送給するポン
プが設置されている。
無電解メッキに用いるメッキ液を貯えておく貯蔵部２１
が備えられている。さらに、貯蔵部２１より上記メッキ
浴容器１６（ウエハ４１上）にメッキ液３１を供給する
メッキ液供給部２２が備えられている。このメッキ液供
給部２２は、一例として、加熱部２３と、上記貯蔵部２
２から加熱部２３にメッキ液を供給する配管２４と、加
熱部２３から上記メッキ浴容器１１にメッキ液３１を供
給する配管２５および供給ノズル２６とから構成されて
いる。そして、上記加熱部２３は上記メッキ浴容器１１
（ウエハ４１）のできるだけ近くに設置され、上記配管
２５の長さを最小限にすることが好ましい。なお、図示
はしていないが、上記配管２４には貯蔵部２１よりメッ
キ液供給部２２へ所定量のメッキ液３１を送給するポン
プが設置されている。
【００３３】上記加熱部２３は、その内部のメッキ液を
加熱するもので、加熱部の壁面内に加熱体が備えられて
いる。または加熱部２３の外周もしくは外周の一部に加
熱体が備えられていてもよく、または加熱部の内部に加
熱体が設置されていてもよい。上記加熱部２３には温度
制御部（図示せず）が接続され、所定の温度にメッキ液
が加熱されるようになっている。
加熱するもので、加熱部の壁面内に加熱体が備えられて
いる。または加熱部２３の外周もしくは外周の一部に加
熱体が備えられていてもよく、または加熱部の内部に加
熱体が設置されていてもよい。上記加熱部２３には温度
制御部（図示せず）が接続され、所定の温度にメッキ液
が加熱されるようになっている。
【００３４】上記第２の無電解メッキ装置２では、ウエ
ハ４１を載置して加熱する加熱源１３を備えたことか
ら、ウエハ４１は裏面から加熱される。そしてウエハ４
１を通す伝熱によって、熱はウエハ４１表面上に供給し
たメッキ液３１に伝えられ、これにより、メッキ液３１
は無電解メッキに適した所定の温度に加熱される。上記
加熱部２３によってメッキ液が加熱された場合には、所
定の温度を維持するように、メッキ液３１は加熱され
る。それによって、無電解メッキ中のメッキ液３１の温
度が低下するのを防ぐことができる。そして、ウエハ４
１上に供給されたメッキ液３１をメッキ初期から終了ま
で一定の温度に保持した状態で無電解メッキが行える。
そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。
ハ４１を載置して加熱する加熱源１３を備えたことか
ら、ウエハ４１は裏面から加熱される。そしてウエハ４
１を通す伝熱によって、熱はウエハ４１表面上に供給し
たメッキ液３１に伝えられ、これにより、メッキ液３１
は無電解メッキに適した所定の温度に加熱される。上記
加熱部２３によってメッキ液が加熱された場合には、所
定の温度を維持するように、メッキ液３１は加熱され
る。それによって、無電解メッキ中のメッキ液３１の温
度が低下するのを防ぐことができる。そして、ウエハ４
１上に供給されたメッキ液３１をメッキ初期から終了ま
で一定の温度に保持した状態で無電解メッキが行える。
そのため、膜厚方向に均質なメッキ膜が生成される。
【００３５】また、ウエハ４１の表面側周に沿ってウエ
ハ４１にシール材１４を介して密着するように側壁１５
を設置したことから、ウエハ４１とシール材１４と側壁
１５とで供給されるメッキ液３１を入れるメッキ浴容器
１６が構成される。そのため、ウエハ４１上に供給され
たメッキ液３１はこぼれることなく、ウエハ４１上に貯
め置くことができる。
ハ４１にシール材１４を介して密着するように側壁１５
を設置したことから、ウエハ４１とシール材１４と側壁
１５とで供給されるメッキ液３１を入れるメッキ浴容器
１６が構成される。そのため、ウエハ４１上に供給され
たメッキ液３１はこぼれることなく、ウエハ４１上に貯
め置くことができる。
【００３６】また、貯蔵部２１から供給されるメッキ液
を加熱する加熱部２３を備えたことから、ウエハ４１表
面にメッキ液３１が接触した時点から所定の温度での無
電解メッキを開始することができる。また、メッキ浴容
器１６（ウエハ４１上）に供給される直前で無電解メッ
キに必要な最小限の量だけのメッキ液３１を加熱するこ
とが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全体
を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。すな
わち、貯蔵部２１において変性、劣化を起こさない温度
でメッキ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿
命を長く保つことが可能になる。よって、常に、一定の
品質のメッキ液３１をメッキ浴容器１６（ウエハ４１
上）に供給することが可能になる。
を加熱する加熱部２３を備えたことから、ウエハ４１表
面にメッキ液３１が接触した時点から所定の温度での無
電解メッキを開始することができる。また、メッキ浴容
器１６（ウエハ４１上）に供給される直前で無電解メッ
キに必要な最小限の量だけのメッキ液３１を加熱するこ
とが可能になる。そのため、貯蔵しておくメッキ液全体
を高温に保持するために加熱する必要がなくなる。すな
わち、貯蔵部２１において変性、劣化を起こさない温度
でメッキ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿
命を長く保つことが可能になる。よって、常に、一定の
品質のメッキ液３１をメッキ浴容器１６（ウエハ４１
上）に供給することが可能になる。
【００３７】次に、本発明の無電解メッキ方法に係る実
施の形態の一例として、上記第２の無電解メッキ装置２
を用いた無電解メッキ方法を説明する。
施の形態の一例として、上記第２の無電解メッキ装置２
を用いた無電解メッキ方法を説明する。
【００３８】上記第２の無電解メッキ装置２の貯蔵部２
１より所定量のメッキ液を加熱部２３に送給し、この加
熱部２３でメッキ液を所定温度に加熱する。そして加熱
したメッキ液を、配管２５、ノズル２６を通してメッキ
浴容器１６（ウエハ４１上）に供給する。このように、
ウエハ４１上に供給される直前で無電解メッキに必要な
量のメッキ液３１を加熱する。そして加熱源１２によっ
て、メッキ浴容器１６（ウエハ４１上）に供給したメッ
キ液３１を、ウエハ４１を通して、所定の温度に加熱、
保持する。このようにして、ウエハ４１上に供給したメ
ッキ液３１によって、ウエハ４１表面に無電解メッキを
施し、メッキ膜を生成する。
１より所定量のメッキ液を加熱部２３に送給し、この加
熱部２３でメッキ液を所定温度に加熱する。そして加熱
したメッキ液を、配管２５、ノズル２６を通してメッキ
浴容器１６（ウエハ４１上）に供給する。このように、
ウエハ４１上に供給される直前で無電解メッキに必要な
量のメッキ液３１を加熱する。そして加熱源１２によっ
て、メッキ浴容器１６（ウエハ４１上）に供給したメッ
キ液３１を、ウエハ４１を通して、所定の温度に加熱、
保持する。このようにして、ウエハ４１上に供給したメ
ッキ液３１によって、ウエハ４１表面に無電解メッキを
施し、メッキ膜を生成する。
【００３９】上記無電解メッキ方法では、ウエハ４１表
面に供給されたメッキ液３１をウエハ４１を通して加熱
することから、無電解メッキ中のメッキ液３１の温度が
低下するのを防ぐことができる。すなわち、そのメッキ
液３１を所定の温度に保持しながらウエハ４１表面にメ
ッキ膜を形成することから、メッキ初期から終了まで一
定の温度で無電解メッキが行える。そのため、膜厚方向
に均質なメッキ膜が生成される。
面に供給されたメッキ液３１をウエハ４１を通して加熱
することから、無電解メッキ中のメッキ液３１の温度が
低下するのを防ぐことができる。すなわち、そのメッキ
液３１を所定の温度に保持しながらウエハ４１表面にメ
ッキ膜を形成することから、メッキ初期から終了まで一
定の温度で無電解メッキが行える。そのため、膜厚方向
に均質なメッキ膜が生成される。
【００４０】また、ウエハ４１表面に供給されるメッキ
液３１をウエハ４１表面に供給される直前に加熱するこ
とから、ウエハ４１表面にメッキ液３１が接触した時点
から所定の温度での無電解メッキを開始することができ
る。また無電解メッキに必要な最小限の量だけのメッキ
液を加熱することが可能になる。そのため、貯蔵してお
くメッキ液全体を高温に保持するために加熱する必要が
なくなる。すなわち、変性、劣化を起こさない温度でメ
ッキ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿命を
長く保つことが可能になる。よって、常に、一定の品質
のメッキ液を供給することが可能になる。
液３１をウエハ４１表面に供給される直前に加熱するこ
とから、ウエハ４１表面にメッキ液３１が接触した時点
から所定の温度での無電解メッキを開始することができ
る。また無電解メッキに必要な最小限の量だけのメッキ
液を加熱することが可能になる。そのため、貯蔵してお
くメッキ液全体を高温に保持するために加熱する必要が
なくなる。すなわち、変性、劣化を起こさない温度でメ
ッキ液を貯蔵することができるので、メッキ液の寿命を
長く保つことが可能になる。よって、常に、一定の品質
のメッキ液を供給することが可能になる。
【００４１】上記説明した各無電解メッキ方法は、メッ
キ液を５０℃〜７０℃程度に加熱して無電解メッキを行
うＣｏＷＰ無電解メッキに用いることが有効である。
キ液を５０℃〜７０℃程度に加熱して無電解メッキを行
うＣｏＷＰ無電解メッキに用いることが有効である。
【００４２】上記説明した各無電解メッキ装置において
は、メッキ浴容器１１もしくはウエハ４１に供給される
直前にメッキ液を加熱する加熱部２３は設置したほうが
より好ましいが、設置しなくともよい。
は、メッキ浴容器１１もしくはウエハ４１に供給される
直前にメッキ液を加熱する加熱部２３は設置したほうが
より好ましいが、設置しなくともよい。
【００４３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第１の無
電解メッキ装置によれば、メッキ浴容器を加熱する加熱
源をメッキ浴容器に備えたので、メッキ初期から終了ま
でメッキ液を一定の温度に保って無電解メッキが行え
る。よって、膜厚方向に均質なメッキ膜を生成すること
ができる。また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱
する加熱部を備えているので、貯蔵部内のメッキ液を加
熱する必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を加
熱部で加熱することができるので、製造コストを低減す
ることができる。また、変性、劣化を起こしていない一
定品質のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能
になるので、高品質なメッキ膜を生成できる。
電解メッキ装置によれば、メッキ浴容器を加熱する加熱
源をメッキ浴容器に備えたので、メッキ初期から終了ま
でメッキ液を一定の温度に保って無電解メッキが行え
る。よって、膜厚方向に均質なメッキ膜を生成すること
ができる。また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱
する加熱部を備えているので、貯蔵部内のメッキ液を加
熱する必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を加
熱部で加熱することができるので、製造コストを低減す
ることができる。また、変性、劣化を起こしていない一
定品質のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能
になるので、高品質なメッキ膜を生成できる。
【００４４】本発明の第２の無電解メッキ装置によれ
ば、ウエハを加熱する加熱源を備えたので、メッキ初期
から終了までウエハを通してメッキ液を加熱保持して、
メッキ液の温度を一定に保って無電解メッキが行える。
よって、膜厚方向に均質なメッキ膜を生成することがで
きる。また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱する
加熱部を備えているので、貯蔵部内のメッキ液を加熱す
る必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を加熱部
で加熱することができるので、製造コストを低減するこ
とができる。また、変性、劣化を起こしていない一定品
質のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能にな
るので、高品質なメッキ膜を生成できる。
ば、ウエハを加熱する加熱源を備えたので、メッキ初期
から終了までウエハを通してメッキ液を加熱保持して、
メッキ液の温度を一定に保って無電解メッキが行える。
よって、膜厚方向に均質なメッキ膜を生成することがで
きる。また、貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱する
加熱部を備えているので、貯蔵部内のメッキ液を加熱す
る必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を加熱部
で加熱することができるので、製造コストを低減するこ
とができる。また、変性、劣化を起こしていない一定品
質のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能にな
るので、高品質なメッキ膜を生成できる。
【００４５】本発明の無電解メッキ方法によれば、ウエ
ハ表面に供給されたメッキ液を加熱して所定の温度に保
持しながらウエハ表面にメッキ膜を形成するので、メッ
キ初期から終了までメッキ液を一定の温度に保って無電
解メッキが行える。よって、膜厚方向に均質なメッキ膜
を生成することができる。また、ウエハ表面に供給され
るメッキ液をウエハ表面に供給される直前に加熱するの
で、貯蔵しておくメッキ液全体を高温に保持するために
加熱する必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を
加熱することができるので、製造コストを低減すること
ができる。また、変性、劣化を起こしていない一定品質
のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能になる
ので、高品質なメッキ膜を生成できる。
ハ表面に供給されたメッキ液を加熱して所定の温度に保
持しながらウエハ表面にメッキ膜を形成するので、メッ
キ初期から終了までメッキ液を一定の温度に保って無電
解メッキが行える。よって、膜厚方向に均質なメッキ膜
を生成することができる。また、ウエハ表面に供給され
るメッキ液をウエハ表面に供給される直前に加熱するの
で、貯蔵しておくメッキ液全体を高温に保持するために
加熱する必要がなくなり、また必要最小限のメッキ液を
加熱することができるので、製造コストを低減すること
ができる。また、変性、劣化を起こしていない一定品質
のメッキ液を加熱した状態で供給することが可能になる
ので、高品質なメッキ膜を生成できる。
【図１】本発明の第１の無電解メッキ装置に係る実施の
形態を示す概略構成図である。
形態を示す概略構成図である。
【図２】メッキ液にウエハの接触させる一方法を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図３】本発明の第２の無電解メッキ装置に係る実施の
形態を示す概略構成図である。
形態を示す概略構成図である。
１…無電解メッキ装置、１１…メッキ浴容器、１２…加
熱源、２１…貯蔵部、２２…メッキ液供給部、３１…メ
ッキ液
熱源、２１…貯蔵部、２２…メッキ液供給部、３１…メ
ッキ液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼頭 英至 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 田口 充 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4K022 AA05 AA31 AA41 BA06 BA16 BA24 BA32 DA01 DB17 DB18 DB24 DB26 4M104 BB29 DD53 HH20
Claims (6)
- 【請求項１】 メッキ液を入れるメッキ浴容器と、 前記メッキ浴容器を加熱するもので前記メッキ浴容器に
備えた加熱源と、 前記メッキ液を貯えておく貯蔵部と、 前記貯蔵部より前記メッキ浴容器にメッキ液を供給する
メッキ液供給部とを備えたことを特徴とする無電解メッ
キ装置。 - 【請求項２】 前記メッキ液供給部は、 前記貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱する加熱部を
備えたことを特徴とする請求項１記載の無電解メッキ装
置。 - 【請求項３】 ウエハを載置して加熱する加熱源と、 前記ウエハの表面側周に沿って前記ウエハにシール材を
介して密着するように設置した側壁と、 前記メッキ液を貯えておく貯蔵部と、 前記貯蔵部より前記ウエハ上にメッキ液を供給するメッ
キ液供給部とを備えたことを特徴とする無電解メッキ装
置。 - 【請求項４】 前記メッキ液供給部は、 前記貯蔵部から供給されるメッキ液を加熱する加熱部を
備えたことを特徴とする請求項３記載の無電解メッキ装
置。 - 【請求項５】 ウエハ表面にメッキ液を供給してウエハ
表面にメッキ膜を形成する無電解メッキ方法であって、 前記ウエハ表面に供給されたメッキ液を加熱して所定の
温度に保持しながら前記ウエハ表面にメッキ膜を形成す
ることを特徴とする無電解メッキ方法。 - 【請求項６】 前記ウエハ表面に供給されるメッキ液を
前記ウエハ表面に供給される直前に加熱することを特徴
とする請求項５記載の無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236472A JP2002053972A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236472A JP2002053972A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002053972A true JP2002053972A (ja) | 2002-02-19 |
Family
ID=18728506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000236472A Pending JP2002053972A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002053972A (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JP2004084020A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
| JP2005048209A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Hitachi Ltd | 無電解メッキ方法、無電解メッキ装置、半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
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| JP2007525595A (ja) * | 2004-02-04 | 2007-09-06 | サーフェクト テクノロジーズ インク． | メッキ装置及び方法 |
| JP2010024496A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 供給装置、半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP2011001633A (ja) * | 2010-08-09 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造方法 |
| WO2012102098A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000144438A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-26 | Ebara Corp | 無電解銅めっき装置 |
| JP2001342573A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置 |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000236472A patent/JP2002053972A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| TWI427726B (zh) * | 2008-07-18 | 2014-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 半導體製造裝置及半導體製造方法 |
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| WO2012102098A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
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