JPH0781197B2 - 半導体基板鍍金装置 - Google Patents
半導体基板鍍金装置Info
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- JPH0781197B2 JPH0781197B2 JP1129156A JP12915689A JPH0781197B2 JP H0781197 B2 JPH0781197 B2 JP H0781197B2 JP 1129156 A JP1129156 A JP 1129156A JP 12915689 A JP12915689 A JP 12915689A JP H0781197 B2 JPH0781197 B2 JP H0781197B2
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- plating
- vacuum suction
- anode electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板鍍金装置に関し、特に枚葉で半導体
基板に鍍金処理を施す半導体基板鍍金装置に関する。
基板に鍍金処理を施す半導体基板鍍金装置に関する。
従来、この種の半導体基板鍍金装置は、第５図の概要図
に示すように、半導体基板固定治具502に半導体基板503
を固定し、鍍金槽501中の鍍金液に浸し、半導体基板503
をカソード電極としてアノード電極504との間に鍍金用
電源505から電流を流す方式や、第６図の概要図に示す
ように、噴流式と呼ばれ、噴流カップ601に鍍金液を噴
流用ポンプ605により底部より導入して半導体基板表面
に当て、カソード電極603とアノード電極606との間に鍍
金用電源604から電流を流して鍍金処理を施す方式があ
る。
に示すように、半導体基板固定治具502に半導体基板503
を固定し、鍍金槽501中の鍍金液に浸し、半導体基板503
をカソード電極としてアノード電極504との間に鍍金用
電源505から電流を流す方式や、第６図の概要図に示す
ように、噴流式と呼ばれ、噴流カップ601に鍍金液を噴
流用ポンプ605により底部より導入して半導体基板表面
に当て、カソード電極603とアノード電極606との間に鍍
金用電源604から電流を流して鍍金処理を施す方式があ
る。
上述した従来の半導体基板鍍金装置は、半導体基板固定
治具や噴流カップにいちいち作業者が半導体基板をセッ
トしたり外したりしなければならず、そのため作業者の
工数がかなり必要となる。
治具や噴流カップにいちいち作業者が半導体基板をセッ
トしたり外したりしなければならず、そのため作業者の
工数がかなり必要となる。
又、半導体基板のセットは、ピンセット等を用いるの
で、半導体基板にダメージを与える可能性が高くなる。
で、半導体基板にダメージを与える可能性が高くなる。
更に、従来の半導体基板鍍金装置では、それ自体で前処
理及び鍍金後の水洗、乾燥ができないため、鍍金装置と
は別に前処理装置及び水洗乾燥装置を持たなければなら
ないという欠点がある。
理及び鍍金後の水洗、乾燥ができないため、鍍金装置と
は別に前処理装置及び水洗乾燥装置を持たなければなら
ないという欠点がある。
本発明は、半導体基板上に配線やバンプを鍍金で形成す
る半導体基板鍍金装置において、半導体基板をローダ部
からアンローダ部へと枚葉で搬送する間に、鍍金前処
理、鍍金処理、水洗乾燥処理を行う処理部を設けた半導
体基板鍍金装置であって、鍍金前処理、鍍金処理、水洗
乾燥処理の各処理の際、配線やバンプを形成する表面を
上にして半導体基板を水平に保持する真空吸着チャック
を有し、かつ真空吸着チャックは鍍金処理の際、半導体
基板表面を上にして保持するカソード電極を兼ね、この
真空吸着チャックの上方に半導体基板と対向して配置さ
れた鍍金液吐出口を有するアノード電極と、対向配置さ
れたアノード電極と半導体基板間を吐出口からの鍍金液
で満たすために対向距離を調節する両電極の上下機構と
を有している。
る半導体基板鍍金装置において、半導体基板をローダ部
からアンローダ部へと枚葉で搬送する間に、鍍金前処
理、鍍金処理、水洗乾燥処理を行う処理部を設けた半導
体基板鍍金装置であって、鍍金前処理、鍍金処理、水洗
乾燥処理の各処理の際、配線やバンプを形成する表面を
上にして半導体基板を水平に保持する真空吸着チャック
を有し、かつ真空吸着チャックは鍍金処理の際、半導体
基板表面を上にして保持するカソード電極を兼ね、この
真空吸着チャックの上方に半導体基板と対向して配置さ
れた鍍金液吐出口を有するアノード電極と、対向配置さ
れたアノード電極と半導体基板間を吐出口からの鍍金液
で満たすために対向距離を調節する両電極の上下機構と
を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図である。
ローダ部101に半導体基板が入ったキャリアをセットす
ると、半導体基板は順次、前処理部102と、鍍金部103、
水洗乾燥部104と運ばれて、最後にアンローダ部105のキ
ャリアに収納される。
ると、半導体基板は順次、前処理部102と、鍍金部103、
水洗乾燥部104と運ばれて、最後にアンローダ部105のキ
ャリアに収納される。
第２図は前処理部102の概要図である。ローダ部101より
搬送機により運ばれてきた半導体基板201は、半導体基
板受渡位置210において真空吸着チャック202とのセンタ
リングが行われた後、上下用シリンダ207によって半導
体基板受渡位置210まで上がっている真空吸着チャック2
02に真空吸着される。真空吸引は真空軸受204、シャフ
ト203を介してなされる。
搬送機により運ばれてきた半導体基板201は、半導体基
板受渡位置210において真空吸着チャック202とのセンタ
リングが行われた後、上下用シリンダ207によって半導
体基板受渡位置210まで上がっている真空吸着チャック2
02に真空吸着される。真空吸引は真空軸受204、シャフ
ト203を介してなされる。
吸着後、半導体基板201がカップ208内の所定位置まで下
がると、定められた回転数でスピンモータ206が回転し
てカップリング205、シャフト203を介して真空吸着チャ
ック202を回転させ、半導体基板201が回転する。
がると、定められた回転数でスピンモータ206が回転し
てカップリング205、シャフト203を介して真空吸着チャ
ック202を回転させ、半導体基板201が回転する。
回転し始めると純水用エアー弁209が開き、純水ノズル2
15により純水が半導体基板201の表面をぬらす。この
時、排水切換弁211は排水側になっている。
15により純水が半導体基板201の表面をぬらす。この
時、排水切換弁211は排水側になっている。
ある定められた時間経過すると、排水用エアー弁209が
閉じて純水が止まる。次に排水切換弁211が薬品タンク2
12側に切り換わると薬品用エアー弁214が開き、ポンプ2
13が回転して薬品ノズル216より薬品が出て半導体基板2
01の表面の前処理が行われる。
閉じて純水が止まる。次に排水切換弁211が薬品タンク2
12側に切り換わると薬品用エアー弁214が開き、ポンプ2
13が回転して薬品ノズル216より薬品が出て半導体基板2
01の表面の前処理が行われる。
この処理もある定められた時間経過するとポンプ213が
止まり、薬品用エアー弁214が閉じて薬品ノズル216から
薬品が出るのが止まる。
止まり、薬品用エアー弁214が閉じて薬品ノズル216から
薬品が出るのが止まる。
又、ここで排水切換弁211を排水側に切換えると、純水
用エアー弁209が開いて純水ノズル215より純水が出て、
半導体基板201上の薬品をリンスする。
用エアー弁209が開いて純水ノズル215より純水が出て、
半導体基板201上の薬品をリンスする。
所定の時間リンスを行うと、純水用エアー弁209が閉じ
て純水の供給が停止する。すると、定められた回転数で
スピンモータ206が高速回転し、半導体基板201上の水滴
を飛ばす。回転が止まると、上下用シリンダ207によ
り、半導体基板201が半導体基板受渡位置210まで上が
る。真空吸着が切れると半導体基板201は鍍金部に運ば
れる。
て純水の供給が停止する。すると、定められた回転数で
スピンモータ206が高速回転し、半導体基板201上の水滴
を飛ばす。回転が止まると、上下用シリンダ207によ
り、半導体基板201が半導体基板受渡位置210まで上が
る。真空吸着が切れると半導体基板201は鍍金部に運ば
れる。
第３図は鍍金部103の概要図である。前処理部102より搬
送機で運ばれてきた半導体基板301は、カップ313の上方
まで上がった真空吸着チャック302とまずセンタリング
が行われた後、真空により真空吸着チャック302に固定
される。真空吸引は真空軸受304、シャフト303を介して
なされる。
送機で運ばれてきた半導体基板301は、カップ313の上方
まで上がった真空吸着チャック302とまずセンタリング
が行われた後、真空により真空吸着チャック302に固定
される。真空吸引は真空軸受304、シャフト303を介して
なされる。
そしてシリンダ314によって、図に示した位置まで半導
体基板301と真空吸着チャック302が下がると、そこへシ
リンダ315によってアノード電極309が半導体基板301よ
りある一定間隔があくように所定の位置まで下りてく
る。
体基板301と真空吸着チャック302が下がると、そこへシ
リンダ315によってアノード電極309が半導体基板301よ
りある一定間隔があくように所定の位置まで下りてく
る。
するとポンプ308が作動して、鍍金液312は、鍍金液タン
ク307よりアノード電極309の中心に設けられた吐出口よ
り、アノード電極309と半導体基板301の間が鍍金液312
で満たされるように流れ、最後は鍍金液タンク307に戻
る。
ク307よりアノード電極309の中心に設けられた吐出口よ
り、アノード電極309と半導体基板301の間が鍍金液312
で満たされるように流れ、最後は鍍金液タンク307に戻
る。
アノード電極309と半導体基板301との間を、アノード電
極309と半導体基板301に鍍金液312が充分に接し、かつ
満たされるように流れると、鍍金用電源311が入り鍍金
が開始される。電流は鍍金用電源311よりアノード電極3
09、鍍金液312、半導体基板301、真空吸着チャック30
2、シャフト303と流れ、スリップリング310を介して鍍
金用電源311に戻る。
極309と半導体基板301に鍍金液312が充分に接し、かつ
満たされるように流れると、鍍金用電源311が入り鍍金
が開始される。電流は鍍金用電源311よりアノード電極3
09、鍍金液312、半導体基板301、真空吸着チャック30
2、シャフト303と流れ、スリップリング310を介して鍍
金用電源311に戻る。
所定の時間電流を流して鍍金が終了すると、電流と鍍金
液312の吐出が止まる。するとスピンモータ306が回転し
て、カップリング305、シャフト303を介して真空吸着チ
ャック302を回転させ、半導体基板301上の鍍金液の滴を
飛ばす。そ後、半導体基板301は真空吸着チャック302と
共に搬送機との受け渡しの位置まで上がり、搬送機によ
り次の水洗乾燥部104まで運ばれる。
液312の吐出が止まる。するとスピンモータ306が回転し
て、カップリング305、シャフト303を介して真空吸着チ
ャック302を回転させ、半導体基板301上の鍍金液の滴を
飛ばす。そ後、半導体基板301は真空吸着チャック302と
共に搬送機との受け渡しの位置まで上がり、搬送機によ
り次の水洗乾燥部104まで運ばれる。
第４図は本発明の第２の実施例を示す縦断面図である。
この実施例は鍍金前処理、鍍金処理、水洗、乾燥を一つ
のカップで行えるようにしたもので、構造は第１の実施
例で示した前処理部及び鍍金部を合わせたものとなって
いる。
のカップで行えるようにしたもので、構造は第１の実施
例で示した前処理部及び鍍金部を合わせたものとなって
いる。
まず、前処理部としての機能を説明する。搬送機により
運ばれてきた半導体基板は、受渡位置413においてセン
タリング機構430により真空吸着チャック402とのセンタ
リングが行われた後、シリンダ408によって受渡位置413
まで上っている真空吸着チャック402に真空吸着され
る。真空吸引は真空軸受404、シャフト403を介してなさ
れる。
運ばれてきた半導体基板は、受渡位置413においてセン
タリング機構430により真空吸着チャック402とのセンタ
リングが行われた後、シリンダ408によって受渡位置413
まで上っている真空吸着チャック402に真空吸着され
る。真空吸引は真空軸受404、シャフト403を介してなさ
れる。
吸着後、半導体基板401はカップ409内のスピン位置412
まで下がると、定められた回転数でスピンモータ407が
回転してカップリング406、シャフト403を介して真空吸
着チャック402を回転させ、半導体基板401が回転する。
回転し始めると、純水用エアー弁429が開いて純水ノズ
ル427がシリンダ428により前進し、純水が出て半導体基
板401の表面をぬらす。この時、排水弁421は排水側に切
り換わっている。
まで下がると、定められた回転数でスピンモータ407が
回転してカップリング406、シャフト403を介して真空吸
着チャック402を回転させ、半導体基板401が回転する。
回転し始めると、純水用エアー弁429が開いて純水ノズ
ル427がシリンダ428により前進し、純水が出て半導体基
板401の表面をぬらす。この時、排水弁421は排水側に切
り換わっている。
ある定められた時間経過すると、純水用エアー弁429が
閉じて純水が止まる。次に、排水切換弁421が薬品タン
ク422側に切り換わると、薬品用エアー弁424が開き、シ
リンダ425により薬品ノズル426が前進し、ポンプ423が
回転して薬品ノズル426より薬品が出て半導体基板401の
表面の前処理が行われる。
閉じて純水が止まる。次に、排水切換弁421が薬品タン
ク422側に切り換わると、薬品用エアー弁424が開き、シ
リンダ425により薬品ノズル426が前進し、ポンプ423が
回転して薬品ノズル426より薬品が出て半導体基板401の
表面の前処理が行われる。
この処理もある定められた時間たつとポンプ423が止ま
り、薬品用エアー弁424が閉じて薬品ノズル426からの薬
品が止まる。又、ここで排水切換弁421を排水側に切換
えると、純水用エアー弁429が開いて純水ノズル427より
純水が出て、半導体基板401上の薬品をリンスする。
り、薬品用エアー弁424が閉じて薬品ノズル426からの薬
品が止まる。又、ここで排水切換弁421を排水側に切換
えると、純水用エアー弁429が開いて純水ノズル427より
純水が出て、半導体基板401上の薬品をリンスする。
所定の時間リンスを行うと、純水用エアー弁429が閉じ
て純水の供給が停止する。すると定められた回転数でス
ピンモータ407が高速回転して半導体基板401上の水滴を
飛ばし、スピン乾燥を行う。回転が止まると、シリンダ
408により半導体基板401が下がり、シール410のＯリン
グ411に接して半導体基板401の裏面側がシールされる。
て純水の供給が停止する。すると定められた回転数でス
ピンモータ407が高速回転して半導体基板401上の水滴を
飛ばし、スピン乾燥を行う。回転が止まると、シリンダ
408により半導体基板401が下がり、シール410のＯリン
グ411に接して半導体基板401の裏面側がシールされる。
このシール410は樹脂製で、鍍金時に鍍金液を金属製の
真空吸着チャック402から遮断することによって鍍金液
のまわり込みを防ぎ、半導体基板401の裏面側への鍍金
付着を防ぐ役目をしている。
真空吸着チャック402から遮断することによって鍍金液
のまわり込みを防ぎ、半導体基板401の裏面側への鍍金
付着を防ぐ役目をしている。
次に、鍍金処理機能について説明する。前処理が終了
し、上記の状態に置かれた半導体基板401に対し、シリ
ンダ428の動作により上方からアノード電極415が、半導
体基板401よりある一定間隔があくように所定の位置ま
で下りてくる。するとポンプ418が作動して、鍍金液
は、鍍金タンク417よりパイプ414を介してアノード電極
415の中心に設けられた吐出口より、アノード電極415と
半導体基板401との間が鍍金液で満たされるように流
れ、最後は鍍金液タンク417に戻る。
し、上記の状態に置かれた半導体基板401に対し、シリ
ンダ428の動作により上方からアノード電極415が、半導
体基板401よりある一定間隔があくように所定の位置ま
で下りてくる。するとポンプ418が作動して、鍍金液
は、鍍金タンク417よりパイプ414を介してアノード電極
415の中心に設けられた吐出口より、アノード電極415と
半導体基板401との間が鍍金液で満たされるように流
れ、最後は鍍金液タンク417に戻る。
アノード電極415と半導体基板401との間を、アノード電
極415と半導体基板401に鍍金液が充分接しかつ満たされ
るように流れると、鍍金用電源431が入り、鍍金が開始
される。電流は鍍金用電源431よりアノード電極415、鍍
金液、半導体基板401、真空吸着チャック402、シャフト
403と流れ、スリップリング405を介して鍍金用電源431
に戻る。
極415と半導体基板401に鍍金液が充分接しかつ満たされ
るように流れると、鍍金用電源431が入り、鍍金が開始
される。電流は鍍金用電源431よりアノード電極415、鍍
金液、半導体基板401、真空吸着チャック402、シャフト
403と流れ、スリップリング405を介して鍍金用電源431
に戻る。
所定の時間電流を流して鍍金が終了すると、電流と鍍金
液の吐出が止まる。そこでシリンダ408を作動させて、
半導体基板401をスピン位置402に押し上げる。すると、
スピンモータ407が回転してカップリング406、シャフト
403を介して真空吸着チャック402を回転させ、半導体基
板401上の鍍金液の滴を飛ばす。その後の水洗乾燥処理
は前処理機能で述べた通りである。
液の吐出が止まる。そこでシリンダ408を作動させて、
半導体基板401をスピン位置402に押し上げる。すると、
スピンモータ407が回転してカップリング406、シャフト
403を介して真空吸着チャック402を回転させ、半導体基
板401上の鍍金液の滴を飛ばす。その後の水洗乾燥処理
は前処理機能で述べた通りである。
この実施例では、一つのカップで鍍金前処理、鍍金処
理、水洗、乾燥を行うので装置を小型化できる利点があ
る。
理、水洗、乾燥を行うので装置を小型化できる利点があ
る。
以上説明したように本発明は、半導体基板をカセットか
らカセットへと人手を介さずに鍍金前処理、鍍金処理、
水洗、乾燥を全自動で行うことにより、作業者がピンセ
ット等で半導体基板を扱うことがなくなり、半導体基板
にダメージを与えない。
らカセットへと人手を介さずに鍍金前処理、鍍金処理、
水洗、乾燥を全自動で行うことにより、作業者がピンセ
ット等で半導体基板を扱うことがなくなり、半導体基板
にダメージを与えない。
また、前処理から乾燥まで全自動で処理を行うので作業
者の工数を大幅に省くことができ、鍍金用治具等に半導
体基板をセットするなどの作業を行う必要がないので、
作業者が鍍金液の雰囲気にさらされることがなく、安全
性が高まる。
者の工数を大幅に省くことができ、鍍金用治具等に半導
体基板をセットするなどの作業を行う必要がないので、
作業者が鍍金液の雰囲気にさらされることがなく、安全
性が高まる。
更に、前処理、鍍金、水洗、乾燥と別々の装置で行って
いたのが、１台で行うことができるので省スペース化を
図ることができる。
いたのが、１台で行うことができるので省スペース化を
図ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例の構成図、第２図はその
前処理部の概要図、第３図はその鍍金部の概要図、第４
図は本発明の第２の実施例の概要図、第５図は従来の浸
漬式の鍍金装置の概要図、第６図は従来の噴流式の鍍金
装置の概要図である。 101……ローダ部、102……前処理部、103……鍍金部、1
04……水洗乾燥部、105……アンローダ部、201……半導
体基板、202……真空吸着チャック、203……シャフト、
204……真空軸受、205……カップリング、206……スピ
ンモータ、207……シリンダ、208……カップ、209……
純水用エアー弁、210……受渡位置、211……排水切換
弁、212……薬品タンク、213……ポンプ、214……薬品
用エアー弁、215……純水ノズル、216……薬品ノズル、
301……半導体基板、302……真空吸着チャック、303…
…シャフト、304……真空軸受、305……カップリング、
306……スピンモータ、307……鍍金液タンク、308……
ポンプ、309……アノード電極、310……スリップリン
グ、311……鍍金用電源、312……鍍金液、313……カッ
プ、314……シリンダ、315……シリンダ、401……半導
体基板、402……真空吸着チャック、403……シャフト、
404……真空軸受、405……スリップリング、406……カ
ップリング、407……スピンモータ、408……シリンダ、
409……カップ、410……シール、411……Ｏリング、412
……スピン位置、413……受渡位置、414……パイプ、41
5……アノード電極、416……排水切換弁、417……鍍金
液タンク、418……ポンプ、419……鍍金液エアー弁、42
0……シリンダ、421……排水切換弁、422……薬品タン
ク、423……ポンプ、424……薬品用エアー弁、425……
シリンダ、426……薬品ノズル、427……純水ノズル、42
8……シリンダ、429……純水用エアー弁、430……セン
タリング機構、431……鍍金用電源、501……鍍金槽、50
2……半導体基板固定治具、503……半導体基板、504…
…アノード電極、505……鍍金用電源、601……噴流カッ
プ、602……半導体基板、603……カソード電極、604…
…鍍金用電源、605……噴流ポンプ、606……アノード電
極。
前処理部の概要図、第３図はその鍍金部の概要図、第４
図は本発明の第２の実施例の概要図、第５図は従来の浸
漬式の鍍金装置の概要図、第６図は従来の噴流式の鍍金
装置の概要図である。 101……ローダ部、102……前処理部、103……鍍金部、1
04……水洗乾燥部、105……アンローダ部、201……半導
体基板、202……真空吸着チャック、203……シャフト、
204……真空軸受、205……カップリング、206……スピ
ンモータ、207……シリンダ、208……カップ、209……
純水用エアー弁、210……受渡位置、211……排水切換
弁、212……薬品タンク、213……ポンプ、214……薬品
用エアー弁、215……純水ノズル、216……薬品ノズル、
301……半導体基板、302……真空吸着チャック、303…
…シャフト、304……真空軸受、305……カップリング、
306……スピンモータ、307……鍍金液タンク、308……
ポンプ、309……アノード電極、310……スリップリン
グ、311……鍍金用電源、312……鍍金液、313……カッ
プ、314……シリンダ、315……シリンダ、401……半導
体基板、402……真空吸着チャック、403……シャフト、
404……真空軸受、405……スリップリング、406……カ
ップリング、407……スピンモータ、408……シリンダ、
409……カップ、410……シール、411……Ｏリング、412
……スピン位置、413……受渡位置、414……パイプ、41
5……アノード電極、416……排水切換弁、417……鍍金
液タンク、418……ポンプ、419……鍍金液エアー弁、42
0……シリンダ、421……排水切換弁、422……薬品タン
ク、423……ポンプ、424……薬品用エアー弁、425……
シリンダ、426……薬品ノズル、427……純水ノズル、42
8……シリンダ、429……純水用エアー弁、430……セン
タリング機構、431……鍍金用電源、501……鍍金槽、50
2……半導体基板固定治具、503……半導体基板、504…
…アノード電極、505……鍍金用電源、601……噴流カッ
プ、602……半導体基板、603……カソード電極、604…
…鍍金用電源、605……噴流ポンプ、606……アノード電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板をローダ部からアンローダ部へ
と枚葉で搬送する間に、鍍金前処理、鍍金処理、水洗乾
燥処理を行う各処理部を設け、各処理部には表面を上に
して半導体基板を水平に保持する真空吸着チャックを有
すると共に前記鍍金処理部における真空吸着チャックは
カソード電極を兼ねている半導体基板鍍金装置におい
て、前記カソード電極の上方には前記半導体基板と対向
して配置された鍍金液吐出口を有するアノード電極を設
け、鍍金処理の際に吐出口からの鍍金液で満たされるア
ノード電極と半導体基板間の対向距離を調節する上下機
構をそれぞれの電極に設けたことを特徴とする半導体基
板鍍金装置。
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|---|---|---|---|
| JP1129156A JPH0781197B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体基板鍍金装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1129156A JPH0781197B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体基板鍍金装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310393A JPH02310393A (ja) | 1990-12-26 |
| JPH0781197B2 true JPH0781197B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=15002528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1129156A Expired - Fee Related JPH0781197B2 (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体基板鍍金装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-05-22 JP JP1129156A patent/JPH0781197B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH02310393A (ja) | 1990-12-26 |
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