JPS62133100A - 金属メツキ装置 - Google Patents
金属メツキ装置Info
- Publication number
- JPS62133100A JPS62133100A JP27188885A JP27188885A JPS62133100A JP S62133100 A JPS62133100 A JP S62133100A JP 27188885 A JP27188885 A JP 27188885A JP 27188885 A JP27188885 A JP 27188885A JP S62133100 A JPS62133100 A JP S62133100A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plating
- jig
- metal
- suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板に所定厚の金属を被着する金属メッキ装置
に関する。
に関する。
従来の半導体基板用の金属メッキ装置は半導体基板の裏
面側をフォトレジスト等で完全に被覆した後、メッキ液
中において、メッキ電極の陰電極をフォトレジスト等で
所望の形状にパターニング済みの半導体基板の表側に直
接接触させ、対向する陽及び陰電極間に電流を流して所
望の膜厚寸で金属を成長させていた。
面側をフォトレジスト等で完全に被覆した後、メッキ液
中において、メッキ電極の陰電極をフォトレジスト等で
所望の形状にパターニング済みの半導体基板の表側に直
接接触させ、対向する陽及び陰電極間に電流を流して所
望の膜厚寸で金属を成長させていた。
上述した従来の半導体基板用の金属メッキ装置は、半導
体基板にメッキを施こす際Ｋ、裏面からの電流漏れを防
止する為に、フォトレジスト等で完全に被覆せねばなら
ない為、多大な工数を必要としていた。また、メッキ電
極の陰電極側の端子を半導体基板の表側にあらかじめ設
けである接触部に直接接触させるため、その接点付近が
極度の電流密度になって、膜厚の均一性を得ることが困
難であり、しかも陰電極端子と半導体基板が点接醜であ
るために接触不良を起こす場合などがあり、所望の膜厚
を均一性良く得ることが困難であるという欠点があった
。
体基板にメッキを施こす際Ｋ、裏面からの電流漏れを防
止する為に、フォトレジスト等で完全に被覆せねばなら
ない為、多大な工数を必要としていた。また、メッキ電
極の陰電極側の端子を半導体基板の表側にあらかじめ設
けである接触部に直接接触させるため、その接点付近が
極度の電流密度になって、膜厚の均一性を得ることが困
難であり、しかも陰電極端子と半導体基板が点接醜であ
るために接触不良を起こす場合などがあり、所望の膜厚
を均一性良く得ることが困難であるという欠点があった
。
本発明は所望の膜厚を均一性良く得ることができる金属
メッキ装置を提供するものである。
メッキ装置を提供するものである。
本発明は基板をメッキ液に浸漬し、メッキ液との間に電
流を流して所望の厚さまで金属を被着する金属メッキ装
置において、基板の−面全面接触させる電接と、電権と
基板との間をシールするシール材とを有することを特徴
とする金属メッキ装置である。
流を流して所望の厚さまで金属を被着する金属メッキ装
置において、基板の−面全面接触させる電接と、電権と
基板との間をシールするシール材とを有することを特徴
とする金属メッキ装置である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は断面
図である。第１図、第２図において、吸引治具Ｉは外径
が半導体基板７と同じかあるいは小さい伝導性の金属か
らなっており、メッキ液中への溶解、蒸気による錆の生
成等を防ぐため表面にはロノウムメッキがなされており
、裏側にはポンプ又はアスピレータ等に接続する吸引口
４が備えつけられている。また、この吸引口４にはメッ
キ：衾電極線６が１妾続される。さらに、吸引治具１の
周壁には伸縮性のある絶縁物で外径が半導体基板１より
も大きいリング状のシリコンゴム３が取付けてあり、こ
れらは塩ビ製のメッキ装置本体５に装着されている。
る。第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は断面
図である。第１図、第２図において、吸引治具Ｉは外径
が半導体基板７と同じかあるいは小さい伝導性の金属か
らなっており、メッキ液中への溶解、蒸気による錆の生
成等を防ぐため表面にはロノウムメッキがなされており
、裏側にはポンプ又はアスピレータ等に接続する吸引口
４が備えつけられている。また、この吸引口４にはメッ
キ：衾電極線６が１妾続される。さらに、吸引治具１の
周壁には伸縮性のある絶縁物で外径が半導体基板１より
も大きいリング状のシリコンゴム３が取付けてあり、こ
れらは塩ビ製のメッキ装置本体５に装着されている。
実施例において、上述した構造のメッキ装置によりメッ
キを行なうには、被メッキ面を上方にして半導体基板７
を吸引冶具１上に装着する。このとき、半導体基板７は
吸引治具１の周壁に暇付けたシリコンゴム３上に装着さ
れるため、吸引治具１とは接触していない（第３図）。
キを行なうには、被メッキ面を上方にして半導体基板７
を吸引冶具１上に装着する。このとき、半導体基板７は
吸引治具１の周壁に暇付けたシリコンゴム３上に装着さ
れるため、吸引治具１とは接触していない（第３図）。
しかる後、吸引口４にホース等で接続しであるポンプ又
はアスピレータにより適当な吸引力で吸引孔２ｆ：通じ
て吸引すれば、半導体基板７は伸縮性のあるシリコンゴ
ム３を圧迫し、吸引治具１に密着し、面接融する（第４
図）。この後、この吸引治具をメッキ槽１０内に浸漬し
、メッキ陽゛電極８と、吸引治具１との間に電流を流し
、被メッキ面に所望の厚さまでメッキを行う（第５図）
。このとき、半導体基板７に流れる電流は、吸引治具１
が面電極であるコト及びシリコンゴム３により半導体基
板７の裏面側がメッキ／ｖｉ、９に触れない様密閉され
ているため、裏面からの漏れが生じなくなるため、被メ
ッキ面の各点において一様な電流密度となり均一な膜の
被着ができる。また、上記の説明からも明、″かな様に
、本金属メッキ装置によれば、半導体墾、板の被メッキ
面を上方にしてメッキ装置に装着させるだけで金属メッ
キが行えることよシ、一連のメッキ工程を自動化する際
に有力な効果を発揮することができる。
はアスピレータにより適当な吸引力で吸引孔２ｆ：通じ
て吸引すれば、半導体基板７は伸縮性のあるシリコンゴ
ム３を圧迫し、吸引治具１に密着し、面接融する（第４
図）。この後、この吸引治具をメッキ槽１０内に浸漬し
、メッキ陽゛電極８と、吸引治具１との間に電流を流し
、被メッキ面に所望の厚さまでメッキを行う（第５図）
。このとき、半導体基板７に流れる電流は、吸引治具１
が面電極であるコト及びシリコンゴム３により半導体基
板７の裏面側がメッキ／ｖｉ、９に触れない様密閉され
ているため、裏面からの漏れが生じなくなるため、被メ
ッキ面の各点において一様な電流密度となり均一な膜の
被着ができる。また、上記の説明からも明、″かな様に
、本金属メッキ装置によれば、半導体墾、板の被メッキ
面を上方にしてメッキ装置に装着させるだけで金属メッ
キが行えることよシ、一連のメッキ工程を自動化する際
に有力な効果を発揮することができる。
以上説明したように本発明によれば半導体基板の裏面を
被覆することなく、少ない工数で所望の膜厚を均一性良
く、半導体基板上に被着させることができ、さらに、半
導体基板を吸引治具の上に乗せるだけでメッキを施こせ
ることから、一連のメッキ作業を全て自動化することも
容易になるという効果を有するものである。
被覆することなく、少ない工数で所望の膜厚を均一性良
く、半導体基板上に被着させることができ、さらに、半
導体基板を吸引治具の上に乗せるだけでメッキを施こせ
ることから、一連のメッキ作業を全て自動化することも
容易になるという効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ線断面図、第３．４．５図は本発明の実施例
の動作を説明する断面図である。 １・・・吸引治具、２・・・吸引孔、３・・・シリコノ
コ８ム、・ｌ・・・ｉ′！ｊ、引目、５・・・メッキ装
置本体、６・・・メッキ陰？！極線、７・・・半導体基
板、８・・・メッキ陽電極、９・・・メッキ液、１０・
・・メッキ槽。 第４図 第５図
図のＡ−Ａ線断面図、第３．４．５図は本発明の実施例
の動作を説明する断面図である。 １・・・吸引治具、２・・・吸引孔、３・・・シリコノ
コ８ム、・ｌ・・・ｉ′！ｊ、引目、５・・・メッキ装
置本体、６・・・メッキ陰？！極線、７・・・半導体基
板、８・・・メッキ陽電極、９・・・メッキ液、１０・
・・メッキ槽。 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）基板をメッキ液に浸漬しメッキ液との間に電流を
流して所望の厚さまで金属を被着する金属メッキ装置に
おいて、基板の一面を面接触させる電極と、電極と基板
との間をシールするシール材とを有することを特徴とす
る金属メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27188885A JPS62133100A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 金属メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27188885A JPS62133100A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 金属メツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133100A true JPS62133100A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17506295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27188885A Pending JPS62133100A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 金属メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310393A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-26 | Nec Corp | 半導体基板鍍金装置 |
| JPH06108285A (ja) * | 1991-04-22 | 1994-04-19 | Toshiba Corp | 半導体ウェハめっき用治具 |
| JPWO2019130859A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-12-17 | 株式会社カネカ | 光電変換素子の製造方法及びめっき用治具、めっき装置 |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27188885A patent/JPS62133100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310393A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-26 | Nec Corp | 半導体基板鍍金装置 |
| JPH06108285A (ja) * | 1991-04-22 | 1994-04-19 | Toshiba Corp | 半導体ウェハめっき用治具 |
| JPWO2019130859A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-12-17 | 株式会社カネカ | 光電変換素子の製造方法及びめっき用治具、めっき装置 |
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