JP2007523535A - 画像センサ - Google Patents
画像センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007523535A JP2007523535A JP2006550424A JP2006550424A JP2007523535A JP 2007523535 A JP2007523535 A JP 2007523535A JP 2006550424 A JP2006550424 A JP 2006550424A JP 2006550424 A JP2006550424 A JP 2006550424A JP 2007523535 A JP2007523535 A JP 2007523535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- voltage
- capacitance
- sampling capacitor
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
光センサ素子であって、その素子におけるセンサ電圧が、その素子に入射する光に基づき変化する、光センサ素子と、
1より大きなゲインの大きさを持つ電圧増幅器と、
その電圧増幅器により充電されるサンプリング・キャパシタとを有し、
前述の電圧増幅器が、第1及び第2のトランジスタを直列に有し、その電圧増幅器に対する入力がその第1のトランジスタのゲートに与えられ、その出力は、その第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間の接点により規定され、
各ピクセルは、更に、第3のトランジスタを有し、その第3のトランジスタのゲートは、光センサ素子の1つの端子に接続され、その第3のトランジスタのソースは、第1のトランジスタのゲートに接続されている。
ソースフォロワー・バッファトランジスタを介して、センサ電圧をインピクセル電圧増幅器に与え、
そのソースフォロワー・バッファトランジスタにより与えられる電圧を、1より大きなゲインの大きさを持つインピクセル電圧増幅器を用いて増幅し、
サンプリング・キャパシタを増幅された電圧で充電し、そのサンプリング・キャパシタを充電するのに必要な電荷の流量を測定することを有する。
から5の範囲内にあることができる。増幅器セクションのゲインは基本的に2つのTFTの相互コンダクタンス(gm)の比の平方根である。相互コンダクタンスは、TFTチャネルにおける幅対長さの比に比例し、そこで、トランジスタチャネルの大きさ及び形状の選択により制御されることができる。例えば、上限TFT幅5μm、下限TFT幅100μm(共に長さは5μmである)である増幅器に対して、幅の比は20である。これは、直接(第1の近似において)相互コンダクタンスgmに関係し、ゲインは約4.5である。現実には、TFTは理想的な飽和領域においては実際には機能しない。だから、ゲインはわずかに異なる。
Claims (19)
- 複数のピクセルを有する画像センサであって、各ピクセルが、
光センサ素子であって、前記素子に対するセンサ電圧が前記素子に入射される光に基づき変化する光センサ素子と、
1より大きなゲインの大きさを持つ電圧増幅器と、
前記電圧増幅器により充電されるサンプリング・キャパシタとを有し、
前記電圧増幅器が、第1及び第2のトランジスタを直列に有し、前記電圧増幅器への入力が前記第1のトランジスタのゲートに与えられ、出力が前記第1及び第2のトランジスタ間の接点により規定されており、
各ピクセルは、更に第3のトランジスタを有し、前記第3のトランジスタのゲートは前記光センサ素子の1つの端子に接続され、前記第3のトランジスタのソースは、前記第1のトランジスタのゲートに接続される、画像センサ。 - 各ピクセルは、更に前記光センサ素子に接続されるピクセルストレージキャパシタを有する、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルストレージキャパシタの前記容量の10倍より少ない、請求項2に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルストレージキャパシタの前記容量の2倍より少ない、請求項3に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルストレージキャパシタの前記容量にほぼ等しい、請求項4に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、0.5 pFから3 pFまでの範囲にあり、前記ピクセルストレージキャパシタの容量は、0.5 pFから3 pFまでの範囲にある、請求項3、4又は5に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記光センサ素子の自己容量の10倍より少ない、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記光センサ素子の自己容量の2倍より少ない、請求項7に記載の画像センサ。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、0.5 pFから3 pFまでの範囲にあり、前記光センサ素子の自己容量は、0.5 pFから3 pFまでの範囲にある、請求項7又は8に記載の画像センサ。
- 前記電圧増幅器のゲインの大きさは、2から5までの範囲にある、請求項1乃至9のいずれかに記載の画像センサ。
- バイアス電圧が、前記第2のトランジスタのゲートに接続される、請求項1乃至10のいずれかに記載の画像センサ。
- 前記電圧増幅器の出力が、前記サンプリング・キャパシタの1つの端子に接続され、前記サンプリング・キャパシタの他の端子が出力スイッチを介してピクセル出力に接続される、請求項11に記載の画像センサ。
- 各ピクセルは、前記光センサ素子に対して固定電位を印加する入力スイッチを更に有する、請求項1乃至12のいずれかに記載の画像センサ。
- それぞれが画像センサのピクセルを形成する複数の光センサ素子を用いて検出される画像の光強度を測定する方法であって、前記素子におけるセンサ電圧が前記素子に入射される光に基づき変化し、該方法は、
前記センサ電圧を、ソースフォロワー・バッファトランジスタを介してインピクセル電圧増幅器に与え、
1より大きなゲインの大きさを持つインピクセル電圧増幅器を用いて、前記ソースフォロワーバッファトランジスタにより与えられる電圧を増幅し、
前記増幅された電圧でサンプリング・キャパシタを充電し、前記サンプリング・キャパシタを充電するのに必要な電荷の流量を測定することを有する、方法。 - 前記ソースフォロワーバッファトランジスタにより与えられる電圧を印加する前に、リセット動作が実行され、該リセット動作は、知られた電位を前記サンプリング・キャパシタの1つの端子に印加し、及び知られた電位を前記センサ素子に対して印加することを有し、前記増幅された電圧が前記サンプリング・キャパシタの他の端子に連続的に印加される、請求項14に記載の方法。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルのピクセルストレージキャパシタの容量の10倍より少ない、請求項14又は15に記載の方法。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルストレージキャパシタの容量の2倍より少ない、請求項16に記載の方法。
- 前記サンプリング・キャパシタの容量は、前記ピクセルストレージキャパシタの容量にほぼ等しい、請求項17に記載の方法。
- 前記電圧増幅器のゲインの大きさは、2から5までの範囲である、請求項14乃至18のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0401406.4A GB0401406D0 (en) | 2004-01-23 | 2004-01-23 | Image sensor |
PCT/IB2005/050239 WO2005071942A1 (en) | 2004-01-23 | 2005-01-20 | Image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007523535A true JP2007523535A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=31971288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006550424A Pending JP2007523535A (ja) | 2004-01-23 | 2005-01-20 | 画像センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7652240B2 (ja) |
EP (1) | EP1712073A1 (ja) |
JP (1) | JP2007523535A (ja) |
CN (1) | CN1910903B (ja) |
GB (1) | GB0401406D0 (ja) |
WO (1) | WO2005071942A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5131508B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2013-01-30 | Nltテクノロジー株式会社 | 受光回路 |
JP2008072324A (ja) | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ、モジュール、および、電子機器 |
US8798484B2 (en) * | 2012-02-16 | 2014-08-05 | International Business Machines Corporation | Optical receiver using infinite impulse response decision feedback equalization |
CN102695009B (zh) * | 2012-05-29 | 2014-10-22 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 图像传感器的增益转换映射方法和装置 |
EP2924979B1 (en) * | 2014-03-25 | 2023-01-18 | IMEC vzw | Improvements in or relating to imaging sensors |
JP6960831B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2021-11-05 | エイブリック株式会社 | センサ装置 |
US11050956B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-06-29 | Pixart Imaging Inc. | Image sensor and method for increasing signal-noise-ratio thereof |
CN113035894B (zh) * | 2021-03-03 | 2024-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 图像传感器及其制作方法、显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6182585A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
JPH07162760A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像素子の信号処理回路 |
JPH10136266A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
WO2002029823A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Innovative Technology Licensing, Llc | Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors |
JP2004023380A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像装置 |
JP2004518347A (ja) * | 2000-10-26 | 2004-06-17 | ロックウェル サイエンティフィック カンパニー リミテッド ライアビリティー カンパニー | 受光素子の単一光子読出のための増幅cmosトランスデューサ |
JP2006512846A (ja) * | 2003-01-03 | 2006-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イメージセンサ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4540952A (en) * | 1981-09-08 | 1985-09-10 | At&T Bell Laboratories | Nonintegrating receiver |
EP0928103A3 (en) * | 1997-12-31 | 2000-08-02 | Texas Instruments Incorporated | CMOS imaging sensors |
JPH11307756A (ja) | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
WO2001057554A2 (en) | 2000-02-02 | 2001-08-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sensor and method of operating the sensor |
GB2367945B (en) | 2000-08-16 | 2004-10-20 | Secr Defence | Photodetector circuit |
US6855937B2 (en) * | 2001-05-18 | 2005-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
KR20050092404A (ko) * | 2003-01-14 | 2005-09-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광 다이오드를 갖는 원격 제어 수신기용 회로 장치들 및방법들 |
-
2004
- 2004-01-23 GB GBGB0401406.4A patent/GB0401406D0/en not_active Ceased
-
2005
- 2005-01-20 WO PCT/IB2005/050239 patent/WO2005071942A1/en active Application Filing
- 2005-01-20 EP EP05702733A patent/EP1712073A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-20 CN CN2005800031102A patent/CN1910903B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-20 JP JP2006550424A patent/JP2007523535A/ja active Pending
- 2005-01-20 US US10/597,246 patent/US7652240B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6182585A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
JPH07162760A (ja) * | 1993-12-08 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像素子の信号処理回路 |
JPH10136266A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
WO2002029823A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Innovative Technology Licensing, Llc | Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors |
JP2004511149A (ja) * | 2000-09-29 | 2004-04-08 | ロックウェル・サイエンティフィック・ライセンシング・エルエルシー | 光検出器の単光子読出し用のコンパクトな超低雑音広帯域幅ピクセル増幅器 |
JP2004518347A (ja) * | 2000-10-26 | 2004-06-17 | ロックウェル サイエンティフィック カンパニー リミテッド ライアビリティー カンパニー | 受光素子の単一光子読出のための増幅cmosトランスデューサ |
JP2004023380A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像装置 |
JP2006512846A (ja) * | 2003-01-03 | 2006-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | イメージセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7652240B2 (en) | 2010-01-26 |
US20080290253A1 (en) | 2008-11-27 |
WO2005071942A1 (en) | 2005-08-04 |
GB0401406D0 (en) | 2004-02-25 |
CN1910903B (zh) | 2011-01-12 |
EP1712073A1 (en) | 2006-10-18 |
CN1910903A (zh) | 2007-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1177680B1 (en) | Image sensor | |
JP5329732B2 (ja) | センサ及びセンサの動作方法 | |
JP6459271B2 (ja) | イメージセンサ及びその駆動方法 | |
US7652240B2 (en) | Image sensor with a plurality of pixels, pixel circuit and method | |
US7791032B2 (en) | Multi-mode digital imaging apparatus and system | |
US20050285043A1 (en) | X-ray detector array for both imgaging and measuring dose | |
US20090166547A1 (en) | Radiation image pickup apparatus and its control method | |
JP4898522B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像システム、及び、撮像装置の制御方法 | |
JP2008517541A (ja) | 高利得デジタル画像システム | |
JP2001339643A (ja) | 固体撮像装置用黒レベル発生回路及び固体撮像装置 | |
KR100464813B1 (ko) | 전하량검출회로 및 이를 사용한 2차원화상센서 | |
US11860029B2 (en) | Light intensity detection circuit, light intensity detection method and light intensity detection apparatus | |
US7755364B2 (en) | Image sensor | |
JP4316478B2 (ja) | 画像センサおよびその駆動方法、並びに走査駆動器 | |
JP2002199282A (ja) | 光電変換装置、及びその駆動方法 | |
JP2013510423A (ja) | 電磁放射線を検出する検出器ユニット | |
CN100530664C (zh) | 多模式数字成像装置和系统 | |
JP4339151B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2007005938A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
Safavian | Current Programmed Active Pixel Sensors for Large Area Diagnostic X-ray Imaging | |
JP2004186432A (ja) | 放射線撮像装置およびその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100819 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101130 |