JP2007521630A - 集積回路におけるコンタクトサイズをサイジングすることによって多層コンタクトを製造するための方法 - Google Patents
集積回路におけるコンタクトサイズをサイジングすることによって多層コンタクトを製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007521630A JP2007521630A JP2005507461A JP2005507461A JP2007521630A JP 2007521630 A JP2007521630 A JP 2007521630A JP 2005507461 A JP2005507461 A JP 2005507461A JP 2005507461 A JP2005507461 A JP 2005507461A JP 2007521630 A JP2007521630 A JP 2007521630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- openings
- etching
- depth
- opening
- lag
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
- H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Description
これらの利点は、添付した図面を参照して以下の詳細の説明を読むことによって、当業者にとって明らかになろう。
L=1−(Dmin/D) (方程式1)
ただし、 L=エッチングラグ;
Dmin=最小直径を有するコンタクトの深さ
D=異なる直径を有するコンタクトの深さ
上述のエッチングラグは、必ずしも直径と深さに線形であるとは限らない。
Loptimal=1−(CDshallow/CDDeep) (方程式2)
ただし、 Loptimal=最適なエッチングラグ
CDshallow=最も浅いコンタクトの深さ
CDDeep=最も深いコンタクトの深さ
Claims (10)
- 集積回路を形成するための方法(600)であって、
第1半導体基板(202)上の半導体デバイス(213)、(317)上の誘電材(216)、(322)に、第1開口部(228)、(338)、(402)を第1深さにエッチングし、
前記第1半導体基板(202)上の前記誘電材(216)、(322)に第2開口部(230)、(340)、(404)を第2深さにエッチングし、前記第1開口部(228)、(338)、(402)及び前記第2開口部(230)、(340)、(404)は、エッチングラグによって、エッチングが前記第1及び第2深さにほぼ同時に到達するように、それぞれサイズが異なるものとされ、かつ、
前記第1開口部(228)、(338)、(402)及び第2開口部(230)、(340)、(404)を導電材で充填する、
方法。 - 前記第1半導体基板(202)及び前記半導体デバイス(213)、(317)表面上に下地層(214)、(320)をデポジットし、且つ、
前記第1開口部(228)、(338)、(402)及び第2開口部(230)、(340)、(404)をエッチングすることで下地層(214)、(320)にまでエッチングする、
請求項1記載の方法(600)。 - 前記第1開口部(228)、(338)、(402)のエッチングラグに対する前記第2開口部(230)、(340)、(404)のエッチングラグに非線形的な相関関係を有するように、前記第1開口部(228)、(338)、(402)に対しての前記第2開口部(230)、(340)、(404)のサイジングを更に行う、
請求項1記載の方法(600)。 - 前記第1開口部(228)、(338)、(402)と同じとなるようサイジングされるキャリブレーション開口部(118)を含む前記誘電材(102)の複数の開口部をエッチングし、前記複数の開口部のエッチングから、複数の深さを測定し、かつ、前記複数の深さに対する前記キャリブレーション開口部(118)の比率を1から減算した値に等しくなるように複数エッチングラグを算出することによって、複数の開口部のエッチングラグを決定し、
前記第2深さに対する前記第1深さの比率を1から減算した値を算出することによって、最適なエッチングラグを決定し、かつ、
前記最適なエッチングラグに最も近似するエッチングラグを有する前記開口部の前記サイズに基づいて前記第2開口部(230)、(340)、(404)をサイジングする、
請求項1記載の方法(600)。 - 前記第1半導体基板(306)の下の第2半導体基板(202)、(302)、(306)、(202)、(302)、(306)表面上の誘電材(322)に、第3開口部(342)、(406)を対応する第3深さ(128)、(128)にエッチングし、前記第1開口部、第2開口部、及び第3開口部は、エッチングが対応する第1深さ(128)、第2深さ(128)及び第3深さ(128)にほぼ同時に到達するように異なるサイズとされ、
前記第3開口部(342)、(406)は導電材料で充填される、
請求項1記載の方法(600)。 - 前記第1開口部(228)、(338)、(402)のエッチングラグに対する前記第3開口部(342)、(406)のエッチングラグに非線形的な相関関係を有するように、前記第3開口部(342)、(406)を、前記第1開口部(228)、(338)、(402)に対して更にサイジングする、
請求項5記載の方法(600)。 - 誘電材(102)に、前記第1開口部(228)、(338)、(402)と同じとなるようにサイズされるキャリブレーション開口部(118)を含む複数の開口部をエッチングし、前記複数の深さを測定し、かつ、前記複数の深さに対する前記キャリブレーション開口部(118)の深さの前記比率を1から減算した値と等しい値となるように複数のエッチングラグを算出することで、複数の開口部のエッチングラグを決定し、
前記第2深さに対する前記第1深さの前記比率を1から減算した値を算出することによって、第1最適エッチングラグを決定し、
前記第3深さ(128)、(128)に対する前記第1深さの前記比率を1から減算した値を算出することによって、第2最適エッチングラグを決定し、
前記第1最適エッチングラグに最も近似するエッチングラグを有する前記開口部の前記サイズに基づいて前記第2開口部(230)、(340)、(404)をサイジングし、
前記第3最適エッチングラグに最も近似するエッチングラグを有する前記開口部の前記サイズに基づいて前記第3開口部(342)、(406)をサイジングする、
請求項5記載の方法(600)。 - 第1半導体基板(306)上の半導体デバイス(317)上の誘電材(322)に、第1開口部(228)、(338)、(402)を第1深さにエッチングし、
前記第1半導体基板(306)表面上の誘電材(322)に、第2開口部(230)、(340)、(404)を第2深さにエッチングし、
前記第1半導体基板(306)の下の第2半導体基板(202)、(302)、(306)、(202)、(302)、(306)上の前記誘電材(322)に、第3開口部(342)、(406)を第3深さ(128)、(128)にエッチングし、前記第1開口部(228)、(338)、(402)及び前記第2開口部(230)、(340)、(404)は、そのサイズが同様とされ、かつ、前記第3開口部(342)、(406)は、異なるサイズとされて、それぞれ、エッチングが対応する前記第1、第2、及び第3深さに同時に到達するようにされており、
前記第1、第2、及び第3開口部は、導電材で充填される、
集積回路を形成するための方法(600)。 - 前記第1半導体基板(202)、(302)及び第2半導体基板(306)と前記半導体デバイス(317)の表面上に下地層(214)、(320)をデポジットし、
前記第1及び第3開口部をエッチングすることで、前記下地層(214)、(320)にまでエッチングがなされ、かつ、
前記第2開口部(230)、(340)、(404)をエッチングすることで、前記下地層(214)、(320)にまでエッチングがなされる、
請求項8記載の方法(600)。 - 前記第2開口部(230)、(340)、(404)のエッチングラグに対する前記第3開口部(342)、(406)のエッチングラグに対して非線形的な相関関係を有するように、前記第2開口部(230)、(340)、(404)に対して前記第3開口部(342)、(406)をサイジングする、
請求項8記載の方法(600)。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2003/020872 WO2004006261A2 (en) | 2002-07-02 | 2003-07-02 | Wordline latching in semiconductor memories |
USPCT/US03/20872 | 2003-07-02 | ||
PCT/US2003/021282 WO2004013908A1 (en) | 2002-08-02 | 2003-07-09 | Method of manufacturing multi-level contacts by sizing of contact sizes in integrated circuits |
USPCT/US03/21282 | 2003-07-09 | ||
PCT/US2003/041684 WO2005013357A1 (en) | 2003-07-02 | 2003-12-30 | Method of manufacturing multi-level contacts by sizing of contact sizes in integrated circuits |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007521630A true JP2007521630A (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=34118088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507461A Pending JP2007521630A (ja) | 2003-07-02 | 2003-12-30 | 集積回路におけるコンタクトサイズをサイジングすることによって多層コンタクトを製造するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007521630A (ja) |
KR (1) | KR101029384B1 (ja) |
CN (1) | CN1802738A (ja) |
AU (2) | AU2003300120A1 (ja) |
DE (1) | DE10394263B4 (ja) |
GB (1) | GB2420015A (ja) |
WO (2) | WO2005013282A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044589A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JP2016152275A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019046834A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11250895B1 (en) | 2020-11-04 | 2022-02-15 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for driving wordlines using set-reset latches |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315457A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08316320A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001044441A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | 完全空乏soi型半導体装置及び集積回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2239541B (en) * | 1989-12-29 | 1994-05-18 | Intel Corp | Dual port static memory with one cycle read-modify-write operation |
US5031141A (en) * | 1990-04-06 | 1991-07-09 | Intel Corporation | Apparatus for generating self-timing for on-chip cache |
JPH0574167A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JPH05121369A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のコンタクトホールエツチング方法 |
JPH05267251A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法 |
US5530677A (en) * | 1994-08-31 | 1996-06-25 | International Business Machines Corporation | Semiconductor memory system having a write control circuit responsive to a system clock and/or a test clock for enabling and disabling a read/write latch |
JPH10154752A (ja) * | 1996-11-21 | 1998-06-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5994780A (en) * | 1997-12-16 | 1999-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device with multiple contact sizes |
DE10054109C2 (de) * | 2000-10-31 | 2003-07-10 | Advanced Micro Devices Inc | Verfahren zum Bilden eines Substratkontakts in einem Feldeffekttransistor, der über einer vergrabenen Isolierschicht gebildet ist |
JP2003045963A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-30 GB GB0601531A patent/GB2420015A/en not_active Withdrawn
- 2003-12-30 WO PCT/US2003/041683 patent/WO2005013282A1/en active Application Filing
- 2003-12-30 KR KR1020067000079A patent/KR101029384B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-30 AU AU2003300120A patent/AU2003300120A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-30 CN CNA2003801103715A patent/CN1802738A/zh active Pending
- 2003-12-30 WO PCT/US2003/041684 patent/WO2005013357A1/en active Application Filing
- 2003-12-30 JP JP2005507461A patent/JP2007521630A/ja active Pending
- 2003-12-30 DE DE10394263T patent/DE10394263B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-30 AU AU2003300121A patent/AU2003300121A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05315457A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08316320A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001044441A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | 完全空乏soi型半導体装置及び集積回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011044589A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
JP2016152275A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2019046834A (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7069605B2 (ja) | 2017-08-29 | 2022-05-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1802738A (zh) | 2006-07-12 |
DE10394263T5 (de) | 2006-04-27 |
AU2003300120A1 (en) | 2005-02-15 |
GB2420015A (en) | 2006-05-10 |
WO2005013282A1 (en) | 2005-02-10 |
AU2003300121A1 (en) | 2005-02-15 |
GB0601531D0 (en) | 2006-03-08 |
WO2005013357A1 (en) | 2005-02-10 |
KR20060119856A (ko) | 2006-11-24 |
KR101029384B1 (ko) | 2011-04-15 |
DE10394263B4 (de) | 2011-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4936665B2 (ja) | 集積回路におけるコンタクトサイズをサイジングすることによって多層コンタクトを製造するための方法 | |
JP4347637B2 (ja) | トレンチ側壁のバッファー層を使用して半導体装置用金属配線を形成する方法及びそれにより製造された装置 | |
US20070093055A1 (en) | High-aspect ratio contact hole and method of making the same | |
US20210118688A1 (en) | Reduction of Line Wiggling | |
US6444574B1 (en) | Method for forming stepped contact hole for semiconductor devices | |
US20060292775A1 (en) | Method of manufacturing DRAM capable of avoiding bit line leakage | |
US5966632A (en) | Method of forming borderless metal to contact structure | |
JP2004014828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100539444B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
JP2007521630A (ja) | 集積回路におけるコンタクトサイズをサイジングすることによって多層コンタクトを製造するための方法 | |
JP3000935B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7648910B2 (en) | Method of manufacturing opening and via opening | |
KR100457044B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
US6664181B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
US7326632B2 (en) | Method for fabricating metal wirings of semiconductor device | |
JP4379245B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN102339791A (zh) | 一种半导体器件制作方法 | |
CN102044471A (zh) | 互连结构及其形成方法 | |
JP2004072107A (ja) | 変形されたデュアルダマシン工程を利用した半導体素子の金属配線形成方法 | |
KR100643567B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 랜딩 플러그 콘택 형성 방법 | |
KR100265828B1 (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
US20030045099A1 (en) | Method of forming a self-aligned contact hole | |
KR100636983B1 (ko) | 금속층을 식각하는 방법 및 이 방법으로 제조된 반도체 소자 | |
KR20000019171A (ko) | 감광성 폴리머를 사용하는 금속배선 형성방법 | |
JP2007142475A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081030 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100526 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100824 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100831 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20100902 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100922 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100930 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101026 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101102 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110420 |