JP2007519041A - シリコン光学デバイス - Google Patents
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Abstract
SOI基板上にポリシリコン・リブのようなシリコン・リブを形成し、シリコン・リブの角を丸くするアモルファス又はポリシリコン・スペーサのようなシリコン・スペーサを形成することにより光学デバイスを作成することができ、SOI基板上の一部は露出していることを特徴とする。
Description
本発明は、光学導波管のような光学デバイスに関する。
光学導波管のような光学デバイスは、集積回路構造に適合した構成における絶縁体上シリコン(SOI)薄膜に製造することができる。他で記載されている将来有望なある実装では、単結晶SOI薄膜、及び、SOI薄膜に堆積された薄いポリシリコン上部層の形態を用いることを含む。この実装では、薄いポリシリコン上部層は、光案内要素を形成するようにパターニングされ、又は、SOI/ポリ複合光案内特製を形成するようなSOI薄膜でパターニングされる。単独のポリシリコンもまた光を案内することができる。しかしながら、追加の結晶シリコンは、光学的損失を最少にするようにするのが望ましい。
残念ながら、現代のシリコンエッチングシステム及びプロセスは、マスキングフィルムの寸法と緊密に適合する垂直な特徴を準備するように最適化されている。かかる垂直の特徴は、先進的なマイクロエレクトロニクスのためのポリシリコンを製造するために効果的で必要であるが、垂直な特徴の鋭利なエッジは、光学導波管のような光学デバイス構造においては性能を低下させる。また、これらのシリコンエッチングシステム及びプロセスを使用するパターニングは、不規則なエッジの一因となり、特に、多結晶薄膜に適用するときに寄与する。
本発明のある実施形態による光学デバイスは、丸い角を備えたポリシリコン特性又は上部シリコン特性を有する。上部シリコンポリシリコン特性の角を丸くすることは、光学導波管のような光学デバイスの性能を向上させる。
本発明のある態様によれば、光学デバイスを作成する方法は、側壁を有するような光学デバイスのシリコン・アイランドを形成するステップと、前記シリコン・アイランドの角を丸くするために前記側壁に沿ってシリコン・スペーサを形成するステップとを有することを特徴とする。
本発明の他の態様によれば、光学デバイスを作成する方法は、光学デバイスのシリコン・アイランドを形成するステップを有し、該シリコン・アイランドは垂直壁を有し、更に、前記シリコン・アイランドの角を丸くするように前記シリコン・アイランドの垂直壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを形成するステップを有することを特徴とする。
本発明の更に別の態様では、光学電子集積回路を作成する方法は、SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップを有し、前記SOI基板の一部は露出しており、前記シリコン・リブは側壁を備え、前記SOI基板にウェルを打ち込むステップと、前記シリコン・リブと、前記露出したSOI基板と、前記打ち込まれたウェルとの上に酸化物層を形成するステップと、前記酸化物層の上にシリコン層を形成するステップと、前記シリコン・リブの角を丸くするように前記シリコン・リブの側壁に沿ってシリコン・スペーサとウェルの上にゲートを残すようにシリコン層を異方性にエッチングするステップとを有することを特徴とする。
本発明の更に別の態様によれば、光学デバイスは、SOI構造と、前記SOI構造上にポリシリコン機構と、シリコン・スペーサとを有する。前記ポリシリコン機構は、頂部表面と、垂直側壁と、前記垂直側壁と頂部表面とを接合する角とを有する。シリコン・スペーサは、前記ポリシリコン機構の角を丸くするために、垂直側壁に沿って設けられる。
本発明の更なる態様では、光学電子デバイスは、SOI構造と、前記SOI構造上に形成された光学デバイスと、電子デバイスと、シリコン・スペーサとを有する。光学デバイスは、表面と、垂直側壁と、前記表面及び垂直側壁を接合する角とを有する。電子デバイスは、SOI構造の上に形成される。シリコン・スペーサは、光学デバイスの角を丸くするために垂直側壁に沿って設けられる。
これら及び他の特徴及び、本発明の利点は、図面と一緒に本発明の詳細な説明からより明らかになるであろう。
図1に示したように、複合光学デバイス10は、SOI構造体14上にポリシリコン層12を最初に堆積することにより製造される。所望ならば、ドーパントを制限するのを助け、ポリのパターニングを容易にするように、ポリシリコン層12とSOI構造体14との間に、薄い誘電体を設けることができる。この誘電体は、ゲート酸化膜となり、30乃至100Åの厚さを有する。ポリシリコン層12は、必ずしも必要ではないが、損失を最小化し、できるだけ結晶化するのが好ましく、SOI構造14からポリシリコン層12内に光ビームが均一に広がることができるように、SOI構造14に方位が適合しているのが好ましい。
典型的には、SOI構造14は、シリコンハンドルウェハ16と、シリコンハンドルウェハ16の上に形成された埋設酸化層(埋め込み酸化物)18と、埋設酸化層18の上に形成されたシリコン層20とを含む。例えば、シリコン層20は、単結晶シリコンから形成されうる。また、ポリシリコン層12の厚さは、例えば、1200乃至1600オングストロームのオーダーであってよい。同様に、SOI構造14の厚さは、例えば、1200乃至1600オングストロームのオーダーであってよい。
図2に示したように、ポリシリコン層12は、所望の光学デバイスの、ポリシリコン・リブ22のような適当な特徴を形成するためにパターニングされる。光学導波管に関しては、ポリシリコン層12は、光学導波管の光学案内リブを形成するため、又は、光学導波管の光学案内リブの形成に寄与するようにパターニングされる。ポリシリコン・リブ22は、例えば、ポリシリコン層12の上に適当なマスクを配置し、不必要なポリシリコンを除去するためにエッチャントを適用することにより形成することができる。ポリシリコン層12は、下に横たわる(酸化された)SOI構造14に関して選択的にエッチングされうる。プラズマのようなドライエッチャントは、この制御を最大にする目的で使用されうる。
図3に示すように、酸化物層24が、露出されたシリコン層20及びポリシリコン・リブ22の上に形成される。酸化物層24は、例えば、おおよそ30乃至100オングストロームの厚さを有する。酸化物層24は、以下に記載する引き続き行われるエッチング中に、エッチングを停止させるのに用いられる。酸化物層24はまた、SOI構造14に形成された他のデバイスに関してゲート酸化膜となりうる。しかしながら、酸化物層24は、所望ならば排除することができ得る。窒化シリコンのような他の誘電材料を、酸化物層24における酸化物の場所に用いることができる。
図4に示したように、コンフォーマル・アモルファス又はポリシリコン層26が、酸化物層24の上に堆積される。コンフォーマル・アモルファス又はポリシリコン層26の厚さは、例えば、2000乃至3000Åのオーダーであって良い。図5に示したように、コンフォーマル・アモルファス又はポリシリコン層26は、材料が全ての水平面から除去されるまで、非等方的にエッチングされ、オリジナルのポリシリコン・リブ22の側壁に沿ってアモルファス又はポリシリコン・スペーサ28及び30が残る。これらのアモルファス又はポリシリコン・スペーサ28及び30は、ポリシリコン・リブ22の角を丸め、かくして、光学的損失を低減させ、光学デバイス10の性能が向上する。
上述したプロセスは、典型的な製造設備において可能な、等方性/異方性エッチング、酸化、潜在的な損傷・化学機械的平坦化(CMP)、又は、物理的スパッタリングの組み合わせに頼らない。上述のプロセスは、その代わり、簡単なポリ又はアモルファスシリコン堆積、及び、必要な丸いエッジを備えた複合シリコン構造を生成するための異方性エッチングプロセスを利用する。
光学導波管、又は、丸い角、及び、制御可能でデバイス適合プロセスフローにおいて複製できる他の光学デバイスは、現代の製造ツールによっては容易に達成できない。シリコンエッチングは、垂直壁構造をエッチングするように設計され、調節されている。より古いレジスト腐食技術は、選択的な要求の酸化をするために、ポリシリコンと適合しない化学作用を包含する酸素を利用する。ウェット−ドライ・エッチングプロセスは、シリコン領域を保護する必要があり特別なマスクを必要とし、未熟な制御でエッジが不均一となる。酸化プロセスは、所望の丸みを提供しない。CMP技術は、パターン密度変化に支配される。
しかしながら、スペーサ、及び、ここで記載したようなこれらのスペーサを形成するプロセスは、所望の丸い角を作り出し、ここに記載された他のプロセスの問題を低減又は除去する。
スペーサは、エッジの不均一性を低減させるようにSOI又はSOI/ポリ導波管の部分に沿って実装され、損失を最小にするために丸められる。スペーサはまた、SOI導波管から複合SOI/ポリシリコン導波管に光の伝達を容易にするのに役に立つ。
本発明のいくつかの修正を上で議論した。他の修正が、本発明の技術分野でそれらの実行について生じうる。例えば、ここに記載したプロセスは、集積光学電子デバイスの形態と非常に適合する。所望ならば、ポリシリコン層12は、ポリシリコン・リブ22を形成するために堆積、パターニングされ、且つ、適切なウェル領域にわたっても堆積され、パターニングされることができる。所望ならば、ウェル領域は適切に差し込まれ、(酸化物層24のような)酸化物層はまた、ゲート酸化膜を形成するように成長させることができる。コンフォーマル・アモルファス又はポリシリコン層26を、アモルファス又はポリシリコン・スペーサ28及び30だけでなく、1又はそれ以上の電子デバイスのゲートを形成するために、堆積し、マスクし、エッチングすることができる。
更に、ここで記載したプロセスが、浅いトレンチ・アイソレーションのような平坦アイソレーションを利用することができるので、ゲートパターンの忠実度に妥協することなくポリシリコン・リブ22の周りに、アモルファス又はポリシリコン・スペーサ28及び30を残すことができる。次いで、従来のフローに沿ってプロセス順序を続けることができる。
浅いトレンチ・アイソレーションを用い、適当なエッジでポリシリコン・スペーサを備えた光学電子デバイス50を図5に示す。光学電子デバイス50は、SOI構造54上にポリシリコン層52を最初に堆積させることにより製造される。所望ならば、ドーパントを閉じこめるのを助け、ポリ・パターニングを容易にするために、ポリシリコン層52とSOI構造54との間に、薄い誘電体を提供することができる。SOI構造54は、シリコンハンドルウェハ56と、当該シリコンハンドルウェハ56の上に形成された埋設酸化物(埋め込み酸化物)層58と、当該埋設酸化物層58の上に形成されたシリコン層60とを含む。例えば、シリコン層60は、単結晶シリコンから形成されて良い。浅いトレンチ62及び64は、シリコン・アイランド66,68及び70の結果として生じ、シリコン層20に形成される。ポリシリコン層52は、光学デバイス74のポリシリコン・リブ72と、電子デバイス78のポリシリコン・ゲート76を形成するようにパターニングされる。かくして、ポリシリコン・リブ72は、シリコン・アイランド68に形成され、ポリシリコン・ゲート76は、シリコン・アイランド70に形成される。更に、ポリシリコン・リブ72及びポリシリコン・ゲート76は、ポリシリコン・アイランドであるにもかかわらず、それら自身、シリコン・アイランドと呼ぶことができ得る。電子デバイス78はまた、シリサイド領域80,82及び84と、酸化スペーサ86及び88とを含む。最終的に、光学デバイス74は、上述したようにポリシリコン・スペーサ90及び92を含む。更に、光学デバイス74の要求と電子デバイス78の要求とが異なるので、光学デバイスと、電子デバイスのゲートとを同じポリシリコン層に生成するのは困難である。もしそうならば、第2のポリシリコン(スペーサ)層は、ゲートを構築するのに使用することができる。
図7に示したように、光学デバイス74のシリコン・アイランド68の垂直エッジはまた、ポリシリコン・スペーサ94及び96を設けることができる。シリコン・アイランド68は、例えば、光を案内するのにも用いることができる。
本発明は、光学導波管だけでなく、光学デバイスに関して使用することができ得る。例えば、本発明はまた、光モジュレータ、光スイッチなどにも使用することができ得る。
本発明の記載は例示的のみに解釈されるべきであり、本発明を実行する当業者に教示を与えることを目的とするものである。詳細は、本発明の精神から逸脱することなく実質的に変化し、添付の特許請求の範囲の範囲内の全ての修正の排他的な使用は留保される。
Claims (43)
- 光学デバイスを作る方法であって、
側壁を有するような、光学デバイスのシリコン・アイランドを形成し、
前記シリコン・アイランドの角を丸めるために前記側壁に沿ってシリコン・スペーサを形成する、
ステップを有することを特徴とする方法。 - 前記シリコン・アイランドがポリシリコン・アイランドを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ポリシリコン・アイランドがSOI構造の上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記シリコン・アイランドが、SOI構造のシリコン層の上に形成されたシリコン・アイランドからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記光デバイスが光学導波管からなり、前記シリコン・アイランドが光を案内することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- シリコン・アイランドの形成が、SOI基板上にシリコン・リブを形成することを含み、該SOI基板の一部が露出されており、シリコン・リブが側壁を有し、シリコン・スペーサを形成することが、
前記シリコン・リブ及び前記露出されたSOI基板の上にシリコン層を形成するステップと、
前記シリコン・リブの角を丸くするために、前記側壁に沿って前記シリコン・スペーサを設けるようにシリコン層を除去するステップと
を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記シリコン層を除去するステップが、前記シリコン・リブの角を丸くするために前記側壁に沿って前記シリコン・スペーサを残すように前記シリコン層を異方性にエッチングすることを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップが、
前記SOI基板上にポリシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン層をマスキングするステップと、
ポリシリコン・リブを形成するためにポリシリコン層をエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記シリコン・リブ及び露出されたSOI基板上にシリコン層を形成することが、
前記リブ及び前記露出されたSOI基板の上にコンフォーマル酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の上にコンフォーマルポリシリコン層を形成するステップと
を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。 - 前記SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップが、
SOI基板上にポリシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン層をマスキングするステップと、
ポリシリコン・リブを形成するためにポリシリコン層をエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップが、SOI基板上にポリシリコン・リブを形成することを含み、前記SOI基板の一部が露出され、前記ポリシリコン・リブが側壁を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記し利根そうを除去するステップが、前記ポリシリコン・リブの角を丸くするために前記側壁に沿ってシリコン・スペーサを残すように、前記シリコン層を異方性にエッチングすることを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記光学デバイスが、光学導波管からなることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記SOI基板が、シリコン・ハンドル・ウェハと、前記シリコン・ハンドル・ウェハ上の埋設酸化物層と、前記埋設酸化物層上の単結晶シリコン層とを有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- SOI基板上にシリコン・リブの形成をするステップが、前記単結晶シリコンの上にポリシリコン・リブを形成することを含み、前記単結晶シリコンの一部が露出されており、前記ポリシリコン・リブが側壁を有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記シリコン層を除去するステップが、前記ポリシリコン・リブの角を丸くするために、前記側壁に沿ってシリコン・スペーサを残すように、シリコン層を異方性にエッチングすることを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 光学デバイスを作成する方法が、
前記光学デバイスのシリコン・アイランドを形成するステップを有し、前記シリコン・アイランドが垂直壁を有し、
前記シリコン・アイランドの角を丸くするように前記シリコン・アイランドの垂直壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを形成するステップと
を有することを特徴とする方法。 - 前記シリコン・アイランドがポリシリコン・アイランドを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記ポリシリコン・アイランドがSOI構造上に形成されることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記シリコン・アイランドが、SOI構造のシリコン層に形成されたシリコン・アイランドからなることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記光学デバイスが、光学導波管からなり、前記シリコン・アイランドが光を案内することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- シリコン・アイランドを形成するステップが、SOI基板上にシリコン・リブを形成することを含み、
前記シリコン・リブが垂直壁を含み、
アモルファスシリコン・スペーサを形成するステップが、シリコン・リブの角を丸くするようにシリコン・リブの垂直壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを形成するステップを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップが、
SOI基板上にポリシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン層をマスキングするステップと、
前記ポリシリコン・リブを形成するためにポリシリコン層をエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項22に記載の方法。 - アモルファスシリコン・スペーサを形成するステップが、
シリコン・リブと、前記シリコン・リブの垂直壁と、前記露出されたSOI基板との上にコンフォーマル・アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記シリコン・リブの角を丸くするシリコン・リブの壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを残すようにアモルファス・シリコン層を異方性にエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項22に記載の方法。 - 前記シリコン・リブと、前記シリコン・リブの壁と、露出されたSOI基板との上にコンフォーマル・アモルファスシリコン層を形成するステップが、
前記シリコン・リブと、前記シリコン・リブの壁と、前記露出されたSOI基板との上にコンフォーマル酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の上にコンフォーマル・アモルファスシリコン層を形成するステップと
を有することを特徴とする請求項24に記載の方法。 - SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップが、SOI基板上にポリシリコン・リブを形成することを含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- アモルファスシリコン・スペーサを形成するステップが、
ポリシリコン・リブと、前記ポリシリコン・リブの垂直壁と、前記露出されたSOI基板との上にコンフォーマル・アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン・リブの角を丸くするポリシリコン・リブの壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを残すようにアモルファスシリコン層を異方性にエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項26に記載の方法。 - SOI基板が、シリコン・ハンドル・ウェハと、前記シリコン・ハンドル・ウェハ上の埋設酸化物層と、前記埋設酸化物層上の単結晶シリコン層とを有することを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記SOI基板上のシリコン・リブを形成するステップが、前記単結晶シリコン層上にポリシリコン・リブを形成することを特徴とする請求項28に記載の方法。
- アモルファスシリコン・スペーサを形成するステップが、
前記ポリシリコン・リブと、前記ポリシリコン・リブの垂直壁と、前記露出された単結晶シリコン層との上にコンフォーマル・アモルファスシリコン層を形成するステップと、
前記ポリシリコン・リブの角を丸くするポリシリコン・リブの壁に沿ってアモルファスシリコン・スペーサを残すようにアモルファスシリコン層を異方性にエッチングするステップと
を有することを特徴とする請求項29に記載の方法。 - 前記光学デバイスが光学導波管からなることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 光学電子集積回路を作成する方法であって、
SOI基板上にシリコン・リブを形成するステップを有し、前記SOI基板の一部が露出され、前記シリコン・リブが側壁を有し、
前記SOI基板にウェルを打ち込み、
前記シリコン・リブと、前記露出されたSOI基板と、打ち込まれたウェルとの上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層の上にシリコン層を形成し、
前記シリコン・リブの角を丸くするように前記シリコン・リブの側壁に沿ってシリコン・スペーサと、前記ウェルの上にゲートとを残すように前記シリコン層を異方性にエッチングするステップと
を有することを特徴とする方法。 - 前記シリコン・リブがポリシリコン・リブを有することを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記シリコン・スペーサがポリシリコン・スペーサを含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記シリコンス・スペーサが、アモルファスシリコン・スペーサからなることを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 光学デバイスであって、
SOI構造と、
前記SOI構造上に、頂部表面と、垂直側壁と、前記頂部表面及び前記垂直側壁とを結合する角とを備えたポリシリコン機構と、
前記ポリシリコン機構の角を丸くする垂直側壁に沿ったシリコン・スペーサと
を有することを特徴とする光学デバイス。 - 前記シリコン・スペーサがポリシリコン・スペーサからなることを特徴とする請求項36に記載の光学デバイス。
- 前記シリコン・スペーサがアモルファスシリコン・スペーサからなることを特徴とする請求項36に記載の光学デバイス。
- 光学電子デバイスであって、
SOI構造と、
前記SOI構造上に、表面と、垂直側壁と、前記表面及び前記垂直側壁とを結合する角とを備えた光学デバイスと、
前記SOI構造上に形成された電子デバイスと、
前記光学デバイスの角を丸くする垂直側壁に沿ったシリコン・スペーサと
を有することを特徴とする光学電子デバイス。 - 前記シリコン・スペーサがポリシリコン・スペーサからなることを特徴とする請求項39に記載の光学電子デバイス。
- シリコン・スペーサがアモルファスシリコン・スペーサからなることを特徴とする請求項39に記載の光学電子デバイス。
- 前記光学デバイスが、前記SOI構造のシリコン層にシリコン・アイランドを有することを特徴とする請求項39に記載の光学電子デバイス。
- 前記光学デバイスが、前記SOI構造上に形成されたシリコン・リブを有することを特徴とする請求項39に記載の光学電子デバイス。
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