JP2007332000A - 人工水晶部材およびその製造方法、ならびにそれを用いた光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】波長200nm以下のレーザ光が照射される光学素子に用いられる人工水晶部材であって、人工水晶部材のAl含有量が200ppb以下である人工水晶部材。また、Al含有量が200ppb以下およびNa含有量が100ppb以下である人工水晶部材。さらに、Al含有量が200ppb以下およびLi含有量が150ppb以下である人工水晶部材。
【選択図】図1
Description
解像度=k(プロセス係数)×λ(露光波長)/NA
NA=n×sinθ
ここで、nは露光光が通過する媒質の屈折率を示し、従来は大気なのでn=1.0であるが、この液浸露光においては媒質にn=1.44の純水を用いており、これにより、露光装置の更なる高解像度化が可能となる。
さらには、さまざまな偏光方位を持ったランダム偏光で構成されている従来の露光光に対して、光の偏光のうち解像度に悪影響を及ぼす偏光を抑えることで結像コントラスを高め、解像度を向上させる偏光露光技術が知られている。
このような問題を解決するため、特許文献1は下記(1)〜(4)の人工水晶部材を開示している。
(1)波長が1600nmより短く、かつ、パルス幅が100nsより短いパルスレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材であって、500mJ/cm2のフルエンスを持ったArFエキシマレーザー光を5.0×107パルス照射したときに、照射部に発生する常光線もしくは異常光線の屈折率の低下が50ppm以下であることを特徴とする人工水晶部材。
(2)波長が1600nmより短く、かつ、パルス幅が100nsより短いパルスレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材であって、500mJ/cm2のフルエンスを持ったArFエキシマレーザー光を5.0×107パルス照射したときに、膨張する照射部の高さが20nm以下であることを特徴とする人工水晶部材。
(3)波長が1600nmより短く、かつ、パルス幅が100nsより短いパルスレーザー光が照射される光学素子に用いる人工水晶部材であって、500mJ/cm2のフルエンスを持ったArFエキシマレーザー光を5.0×107パルス照射したときに、誘起複屈折量が90nm/cm以下であることを特徴とする人工水晶部材。
(4)可視光および可視光より短波長の光を透過させる光学素子に用いる人工水晶部材であって、常光線もしくは異常光線の屈折率均質性が100ppm以下であることを特徴とする人工水晶部材。
また、本発明は、このような人工水晶部材を用いたArFリソグラフィ用光学素子を提供することを目的とする。
前記人工水晶部材のAl含有量が200ppb以下であることを特徴とする人工水晶部材を提供する。
本発明の人工水晶部材は、Li含有量が150ppb以下であることが好ましい。
本発明の人工水晶部材の製造方法によれば、多数製造された人工水晶から所望の光学特性を有するものを選別するのではなく、所望の特性を有する人工水晶部材を直接製造することができる。
本発明のArF液浸リソグラフィ用光学素子は、長期間にわたって波長200nm以下のレーザ光を照射しても光学特性の劣化が少ない。このため、光学素子の交換サイクルを延長することができる。
本発明の人工水晶部材は、波長200nm以下のレーザ光が照射される光学素子に用いられる人工水晶部材であって、Al含有量が200ppb以下であることを特徴とする。
ここで、レーザ光を長期間にわたって照射した場合とは、レーザ光を長期間にわたって連続して照射した場合と、レーザ光を長期間にわたって、断続的に繰り返し照射した場合のいずれも含む。また、レーザ光の照射形態は連続光での照射と、パルス照射のいずれも含む。
人工水晶部材に含まれるAl(Al3+)が、何らかの原因で水晶(SiO2)の結晶構造のSi(Si4+)と置換する場合がある。このようなAlによる置換の生じた人工水晶部材に波長200nm以下のレーザ光を長期間にわたって照射すると、置換により結晶構造中に入った3価のAl(Al3+)が励起して4価のAl(Al4+)となる。励起したAl4+は広範囲の波長域の光線(例えば190〜800nm)を吸収するので、Al4+が生じた人工水晶部材では、レーザ光の波長域、すなわち波長200nm以下での透過率が低下することになる。なお、Al4+が発生した場合、上記した広範囲の波長域(可視光波長域のほぼ全領域)の光線が吸収されるので、人工水晶部材には黒灰色の着色が現れる。したがって、Al4+の発生は目視により確認することができる。
なお、人工水晶中のSi4+がAl3+と置換した場合、1価の陽イオンが不足することになる。この不足分を補完する為、1価の陽イオンが取りこまれる。電荷を補償させる為の1価の陽イオンは特に規定する必要は無いが、実際の人工水晶の育成では人工水晶の原料中に含まれる、Li+、Na+、K+などの1価の陽イオンのうち、最もイオン半径の小さいLi(Li+)が結晶中に取り込まれる場合が多い。
本発明の人工水晶部材は、Al含有量が100ppb以下であることがより好ましく、Al含有量が50ppb以下であることがさらに好ましい。
本発明の人工水晶部材は、不純物として含まれるLiの含有量が150ppb以下であることが、レーザ光の内部透過率の低下が少ないことから好ましい。人工水晶部材のLi含有量は100ppb以下であることがより好ましく、50ppb以下であることがさらに好ましく、30ppb以下であることが特に好ましい。
なお、人工水晶部材のAl含有量、Li含有量、および後述するNa含有量、ならびに他の不純物の含有量は、ICP質量分析により求めることができる。
人工水晶部材のNa含有量は100ppb以下であることがより好ましく、50ppb以下であることがさらに好ましく、30ppb以下であることが特に好ましい。
本発明の人工水晶部材は、他の不純物の含有量が合計で80ppb以下であることがより好ましく、40ppb以下であることがさらに好ましい。
一般に、人工水晶部材を光学素子として使用する場合、天然水晶(ラスカ)を原料として、水熱合成により育成した人工水晶(部材)を所望の形状に加工して光学素子として使用する。本発明の人工水晶部材を製造する場合、天然水晶から育成した人工水晶を原料として、さらに水熱合成を実施して新たな人工水晶を育成する手順を1回、または2回以上繰り返し実施することにより、人工水晶のAl含有量を200ppb以下とする。
人工水晶を原料として新たな人工水晶を育成することにより、人工水晶中の不純物含有量が減少する。この手順を1回、または2回以上繰り返し実施することにより、人工水晶に不純物として含まれるAl含有量を200ppb以下とすることができる。
(1)新たな人工水晶が育成される度に、育成された人工水晶からサンプル片を採取して組成分析を行い、人工水晶の不純物含有量を確認する。人工水晶に含まれるAl含有量およびLi含有量が所望の数値(例えば、Al含有量:200ppb以下、Li含有量:150ppb以下)まで減少している場合、その時点で人工水晶を育成する手順を終了してよい。一方、人工水晶に含まれるAl含有量およびLi含有量が上記の数値よりも高い場合、育成された人工水晶を原料として新たな人工水晶を育成する手順を再度実施する。
(2)予め人工水晶を育成する手順を1回実施したサンプル、2回繰り返し実施したサンプル、3回繰り返し実施したサンプル等を作製し、各サンプルの組成分析を実施する。ここから、人工水晶を育成する手順を実施した回数ごとに、人工水晶に含まれるAl含有量およびLi含有量についての知見が得られる。このようにして得られた知見に基づいて、人工水晶を育成する手順を実施する回数を設定する。
特に、ArF液浸リソグラフィ用の光学素子に好適である。
(実施例1〜2)
天然水晶(ラスカ)を原料として、水熱合成により人工水晶インゴットaを育成した。人工水晶インゴットaからX軸方向の成長部分を除去したものを原料として、新たな人工水晶インゴットAを育成した。得られた人工水晶インゴットAから矩形板を切り出し、精研削ならびに研磨加工して、□20mm、厚み20mmの光学素子A、Bを得た。
(実施例3〜4)
実施例1〜2と同様の手順を実施して、□20mm、厚み5mmの光学素子C、Dを得た。
(実施例5〜6)
実施例1〜2と同様の手順を実施して、□20mm、厚み10mmの光学素子E、Fを得た。
(比較例1)
天然水晶を原料として育成した人工水晶インゴットaから矩形板を切り出し、精研削ならびに研磨加工して、□20mm、厚み20mmの光学素子Gを得た。
(比較例2)
天然水晶を原料として育成した人工水晶インゴットaから矩形板を切り出し、精研削ならびに研磨加工して、□20mm、厚み5mmの光学素子Hを得た。
不純物含有量測定
得られた光学素子の不純物含有量(ppb)をICP質量分析装置(SPQ8000H(セイコーインスツル株式会社))によって定量的に評価した。結果を表1に示す。
なお、表1に記載した不純物以外の光学素子の成分はSiO2である。
なお、K,Ni,Cu,Mg,Cr,Zn,Ca,Ce,Mn,Ag,Cd,Pb,Sn,Coはいずれの光学素子でも検出されなかった。
ArFレーザ光耐久性評価
厚み20mmの光学素子A、BおよびGに対して、ArFエキシマレーザ(波長193nm)光を以下の条件でパルス照射した。
照射装置:Novaline A2030(LambdaPhysik社)
エネルギー密度:5mJ/cm2/パルス
パルス幅:28nsec
一定パルス数照射ごとに、光学素子の透過率の低下を分光光度計(Cary500(Varian社))を用いて測定した。図1は、光学素子AおよびGにArFエキシマレーザ光を1×109パルス照射した時点での波長域190〜790nmにおける透過率低下量(%/cm)を示している。ここで、透過率低下量は、ArFエキシマレーザ光を照射する前の光学素子の透過率を100%とした場合に、あるパルス数ArFエキシマレーザ光を照射した時点における光学素子の透過率の低下の度合いを示すものであり、具体的には下記式で表される。
100×{1−exp(−α)}
α:単位長さ(1cm)あたりに誘起された吸収
α=1n(To/Tx)/t
To:レーザー光照射前の透過率(%)
Tx:xパルスレーザー光を照射した後の光学素子の透過率(%)
t:光学素子の厚み(cm)
図1から明らかなように、Al含有量が653ppbの光学素子G(比較例1)の場合、波長490nmを中心に顕著な透過率の低下が認められた。光学素子Gのレーザ照射部には黒灰色の着色が発生した。一方、Al含有量が40.8ppbの光学素子A(実施例1)の場合、190〜490nmの波長域において透過率の低下はほとんど認められなかった。また、光学素子Aのレーザ照射部には着色は発生しなかった。
図2に、パルス数と波長190nmにおける透過率低下量との関係を光学素子A(実施例1)、光学素子B(実施例2)および光学素子G(比較例1)について示す。図3に、パルス数と波長490nmにおける透過率低下量との関係を光学素子A(実施例1)、光学素子B(実施例2)および光学素子G(比較例1)について示す。図2、3から明らかなようにAl含有量が200ppb超(653ppb)の光学素子Gの場合、パルス数が増加するにつれて顕著な透過率低下が認められた。これに対して、Al含有量が200ppb以下の光学素子A(40.8ppb)、B(47.3ppb)の場合、パルス数が1×109となっても透過率の低下が非常に低いレベルに抑えられていた。なお、光学素子Gの場合、パルス数が1×109となった時点では光学素子のレーザ照射部に黒灰色の着色が認められた。これに対して、光学素子A、Bの場合、パルス数が1×109となっても光学素子のレーザ照射部に着色は認められなかった。
Claims (5)
- 波長200nm以下のレーザ光が照射される光学素子に用いられる人工水晶部材であって、前記人工水晶部材のAl含有量が200ppb以下であることを特徴とする人工水晶部材。
- Na含有量が100ppb以下であることを特徴とする請求項1に記載の人工水晶部材。
- Li含有量が150ppb以下であることを特徴とする請求項1に記載の人工水晶部材。
- 水熱合成により育成された人工水晶を原料として、新たな人工水晶を育成する手順を1回または2回以上実施することにより、人工水晶のAl含有量を200ppb以下とすることを特徴とする請求項1または2に記載の人工水晶部材の製造方法。
- 請求項1,2または3に記載の人工水晶部材を用いたArFリソグラフィ用光学素子。
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Cited By (3)
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
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