JPH01197343A - レーザー光学系の製造素体 - Google Patents
レーザー光学系の製造素体Info
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- JPH01197343A JPH01197343A JP2136188A JP2136188A JPH01197343A JP H01197343 A JPH01197343 A JP H01197343A JP 2136188 A JP2136188 A JP 2136188A JP 2136188 A JP2136188 A JP 2136188A JP H01197343 A JPH01197343 A JP H01197343A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004071 soot Substances 0.000 abstract description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010436 fluorite Chemical group 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 238000013094 purity test Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100353042 Mycobacterium bovis (strain BCG / Pasteur 1173P2) lnt gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 mercury halide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150028022 ppm1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/0305—Selection of materials for the tube or the coatings thereon
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- Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、レーザステッパ装置、レーザ発振装置、レー
ザー核融合装置、レーザー核融合装置等に用いるレンズ
、窓部材、ミラー、プリズム、フィルター等の製造素体
として好適なレーザ光学系の製造素体に係り、特に高出
力の且つ短波長域のレーザ光に対し耐久性と高品質性を
保証し得るレーザ光学系の製造素体に関する。
ザー核融合装置、レーザー核融合装置等に用いるレンズ
、窓部材、ミラー、プリズム、フィルター等の製造素体
として好適なレーザ光学系の製造素体に係り、特に高出
力の且つ短波長域のレーザ光に対し耐久性と高品質性を
保証し得るレーザ光学系の製造素体に関する。
「従来の技術」
近年におけるLSIの微細化、高集積化の進展は極めて
著しくチップ当たりの素子数がtoo、ooo以上のV
LSlの時代に突入し、これに伴ないウェハ上に集積回
路パターンをする描画するリングラフィ技術においても
その開発が急速に進み、例えばIMビットDRAMに対
応するパターン線巾IILI1.更には4MビットDR
Aにに対応するパターン線巾0.8ル■と、より微細な
線幅が描画可能な技術が開発されつつあり、これらの微
細な線幅描画技術はいずれも光リソグラフィーにより行
われている。
著しくチップ当たりの素子数がtoo、ooo以上のV
LSlの時代に突入し、これに伴ないウェハ上に集積回
路パターンをする描画するリングラフィ技術においても
その開発が急速に進み、例えばIMビットDRAMに対
応するパターン線巾IILI1.更には4MビットDR
Aにに対応するパターン線巾0.8ル■と、より微細な
線幅が描画可能な技術が開発されつつあり、これらの微
細な線幅描画技術はいずれも光リソグラフィーにより行
われている。
更にリソグラフィー技術分野においては、近い将来にお
いて実現し得る181ピツ) DRAMに対応するパタ
ーン線巾0.51L−線というサブミクロン単位の幅描
画技術の開発も急がねばならないが、このような超微細
な線幅描画技術においても最近の光学系、光源、フォト
レジスト等の着実な進歩からみてやはり光リソグラフィ
ーが主流になるものと推定される。
いて実現し得る181ピツ) DRAMに対応するパタ
ーン線巾0.51L−線というサブミクロン単位の幅描
画技術の開発も急がねばならないが、このような超微細
な線幅描画技術においても最近の光学系、光源、フォト
レジスト等の着実な進歩からみてやはり光リソグラフィ
ーが主流になるものと推定される。
確かに光リソグラフィーは、比較的高輝度の光源、高感
度レジスト、安定した光学材料がそろっている等超微細
な線幅描画を行う上で必要な種々の条件を備えているが
、欠点として露光波長が大きいため、回折により解像力
が制限されるという問題がある。
度レジスト、安定した光学材料がそろっている等超微細
な線幅描画を行う上で必要な種々の条件を備えているが
、欠点として露光波長が大きいため、回折により解像力
が制限されるという問題がある。
その解決策は、光学系の高HA (開口数)化と光の短
波長化である。
波長化である。
光学系の高NA化は、HA (開口数)0.4を超える
時代に入っており、試作品としてHA 0.8のレンズ
も開発されているが、高NA化に伴い焦点深度が浅くな
る為にその解像度の向上を図る為の高NA化には限界に
来ている。
時代に入っており、試作品としてHA 0.8のレンズ
も開発されているが、高NA化に伴い焦点深度が浅くな
る為にその解像度の向上を図る為の高NA化には限界に
来ている。
例えば、MA O,4、波長g線(438nm)にて露
光した場合、焦点深度=±0.5人/(MA)2の経験
則を適用すると約± 1.3p鵬となり、レジストの厚
さ、段差焦点合せ精度の現状を考えると許容限界に近い
。
光した場合、焦点深度=±0.5人/(MA)2の経験
則を適用すると約± 1.3p鵬となり、レジストの厚
さ、段差焦点合せ精度の現状を考えると許容限界に近い
。
そこで、次に光の短波長化が検討されることになる。
しかしながら光の短波長化を図る為に、400μ■以下
の紫外線を用いた場合は、従来の光学ガラスを用いたレ
ンズでは使用波長が3135nm (i線)付近より
光透過率が急激に低下して、言い変えれば光吸収と該光
吸収による発熱が生じ、該レンズの焦点位置やその他の
特性を狂わせることになる。
の紫外線を用いた場合は、従来の光学ガラスを用いたレ
ンズでは使用波長が3135nm (i線)付近より
光透過率が急激に低下して、言い変えれば光吸収と該光
吸収による発熱が生じ、該レンズの焦点位置やその他の
特性を狂わせることになる。
光透過率レンズ材料を石英ガラスや蛍石に代えたとして
も、通常の紫外線光では光スペクトル巾が広いため色収
差補正は大変困難である。
も、通常の紫外線光では光スペクトル巾が広いため色収
差補正は大変困難である。
そこでスペクトル巾の狭いレーザー光を使うことが考え
られ、光リソグラフィー用のレーザーの中で最も完成度
の高いものがエキシマレーザ−である。
られ、光リソグラフィー用のレーザーの中で最も完成度
の高いものがエキシマレーザ−である。
エキシマレーザ−は短波長域、主として紫外域で発振す
る高出力パルスレーザ−であり、エキシマレーザ−の種
類としては、Xe2 (172nm)、Kr2(148
nm)、Ar2 (128nm)、等の希ガスエキシマ
、 Xe0(538,548nm) 、Kr0(55
8ns+) 、等の希ガス酸素エキシマ、 Hg1(4
43n層)等の水銀ハライドエキシマ、KrF (24
8nm) 、XeCl (308ns) 、ArF(1
93nm)等の希ガスハライドエキシマなど、合計数1
0種類におよぶが、発振効率とガス寿命の点から、Kr
F(248n腸)、XeC1(308nm)、ArF(
193nm)等が特に有利である。
る高出力パルスレーザ−であり、エキシマレーザ−の種
類としては、Xe2 (172nm)、Kr2(148
nm)、Ar2 (128nm)、等の希ガスエキシマ
、 Xe0(538,548nm) 、Kr0(55
8ns+) 、等の希ガス酸素エキシマ、 Hg1(4
43n層)等の水銀ハライドエキシマ、KrF (24
8nm) 、XeCl (308ns) 、ArF(1
93nm)等の希ガスハライドエキシマなど、合計数1
0種類におよぶが、発振効率とガス寿命の点から、Kr
F(248n腸)、XeC1(308nm)、ArF(
193nm)等が特に有利である。
そしてかかるレーザー光を光源とする場合のレンズ材料
としては前述したように石英ガラス又は蛍石に限定され
るが、前記レーザ光はいずれも波長が350 nm以下
の短波長であるが故にこれら光学材料の屈折率の均一性
は従来の水銀灯の紫外線使用波長であるg線(438n
■)或いはi線(3135n朧)の場合に比較して1桁
以上高い(Δn中 lX10’7〜lX104、Δn:
屈折率変動幅)ものが好ましいとされているが、前記レ
ンズ材料の内、蛍石については屈折率の均一性と最大寸
法、加工時の吸湿性と機械的強度に問題が多く残されて
おり、この為短波長域のレーザ光に対し耐久性と高品質
性を保証し得るレーザ光学系の製造素体としては石英ガ
ラス以外には見出せない。
としては前述したように石英ガラス又は蛍石に限定され
るが、前記レーザ光はいずれも波長が350 nm以下
の短波長であるが故にこれら光学材料の屈折率の均一性
は従来の水銀灯の紫外線使用波長であるg線(438n
■)或いはi線(3135n朧)の場合に比較して1桁
以上高い(Δn中 lX10’7〜lX104、Δn:
屈折率変動幅)ものが好ましいとされているが、前記レ
ンズ材料の内、蛍石については屈折率の均一性と最大寸
法、加工時の吸湿性と機械的強度に問題が多く残されて
おり、この為短波長域のレーザ光に対し耐久性と高品質
性を保証し得るレーザ光学系の製造素体としては石英ガ
ラス以外には見出せない。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、前記のような短波長域のレーザー光源を
用いた場合、例え石英ガラスを用いてレーザ光学系を製
作したとしても、高出力パルス光である短波長レーザー
光が長時間照射されると時間経過とともに、石英ガラス
レンズがダメージを受け、歪が入り複屈折が起こるのみ
ならず、前記短波長レーザー光の長時間照射により、透
過率の低下、絶対屈折率の上昇、屈折率分布の変動が起
こり、最終的にクラックが発生するという問題が派生す
る。
用いた場合、例え石英ガラスを用いてレーザ光学系を製
作したとしても、高出力パルス光である短波長レーザー
光が長時間照射されると時間経過とともに、石英ガラス
レンズがダメージを受け、歪が入り複屈折が起こるのみ
ならず、前記短波長レーザー光の長時間照射により、透
過率の低下、絶対屈折率の上昇、屈折率分布の変動が起
こり、最終的にクラックが発生するという問題が派生す
る。
特に、エキシマレーザ−リソグラフィー用の石英ガラス
レンズに対しては、前述したように、屈折率分布のΔn
がlXl0”以下が好ましいとされており、前記のよう
な石英ガラスの光学的物性変化が起こると、レンズの光
軸、焦点位置が変動し、微細かつ鮮明パターンの形成が
極めて困難となる。
レンズに対しては、前述したように、屈折率分布のΔn
がlXl0”以下が好ましいとされており、前記のよう
な石英ガラスの光学的物性変化が起こると、レンズの光
軸、焦点位置が変動し、微細かつ鮮明パターンの形成が
極めて困難となる。
又、特に300n■以下の短波長レーザー光が照射され
ると従来の光学ガラスより光学的安定性の高い石英ガラ
スにおいても蛍光を発生し、特にエキシマレーザ−ステ
ッパのように投影型露光型の装置においては、レンズそ
の他の光学系から蛍光がレーザー光とともにウェハ上の
フォトレジストに感応してしまい、鮮明パターンの形成
が困難となる。
ると従来の光学ガラスより光学的安定性の高い石英ガラ
スにおいても蛍光を発生し、特にエキシマレーザ−ステ
ッパのように投影型露光型の装置においては、レンズそ
の他の光学系から蛍光がレーザー光とともにウェハ上の
フォトレジストに感応してしまい、鮮明パターンの形成
が困難となる。
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、前述した石英ガ
ラスに新たに別異の要素を加味する事により、長時間に
わたる屈折率、透過率等の安定性を確保するとともに、
蛍光の低減をはかり、エキシマレーザ−用のレーザ光学
系材料として極めて好適なレーザ光学系製造素体を提供
する事を目的とする。
ラスに新たに別異の要素を加味する事により、長時間に
わたる屈折率、透過率等の安定性を確保するとともに、
蛍光の低減をはかり、エキシマレーザ−用のレーザ光学
系材料として極めて好適なレーザ光学系製造素体を提供
する事を目的とする。
「課題を解決する為の手段」
石英ガラスを用いてレーザ光学系を形成した場合におい
ても、レーザ光を短波長化するに連れ蛍光が発生し、特
に略300nm以下の波長域においては蛍光発生度合が
強くなることも先に説明した通りである。
ても、レーザ光を短波長化するに連れ蛍光が発生し、特
に略300nm以下の波長域においては蛍光発生度合が
強くなることも先に説明した通りである。
一方石英ガラス組織中にLi、Ha、Mg、AI、に、
Ca、Ti 。
Ca、Ti 。
Or、Mn、Fe、Go、Ni、Cu、Zn、Ge等の
不純物金属元素が存在すると、レーザ光照射により蛍光
を発生し、又劣化を受けやすい事は当業者ならば容易に
推定される。
不純物金属元素が存在すると、レーザ光照射により蛍光
を発生し、又劣化を受けやすい事は当業者ならば容易に
推定される。
一方、現在、5iC14等のけい素化合物を原料として
、スート法あるいはプラズマ法等により石英ガラスを合
成する事により、きわめて高純度の石の合成石英ガラス
とを用いて試験片を作成し、該試験片に、エネルギー密
度(J/cゴ・pulse)と、総照射パルス数(pu
lse)を変化させた同一波長域(248nm )の短
波長エキシマレーザ光を照射させ、その蛍光特性、透過
率、屈折率変化、及びクラック発生の有無について調査
してみた。
、スート法あるいはプラズマ法等により石英ガラスを合
成する事により、きわめて高純度の石の合成石英ガラス
とを用いて試験片を作成し、該試験片に、エネルギー密
度(J/cゴ・pulse)と、総照射パルス数(pu
lse)を変化させた同一波長域(248nm )の短
波長エキシマレーザ光を照射させ、その蛍光特性、透過
率、屈折率変化、及びクラック発生の有無について調査
してみた。
この結果、高純度の合成石英ガラスの方が、蛍光特性、
屈折率、透過率等の光学特性が優れ有為差がみられたが
、尚、尚短波長のエキシマレーザ−用のレーザ光学系製
造素体として十分満足する結果が得られなかった。
屈折率、透過率等の光学特性が優れ有為差がみられたが
、尚、尚短波長のエキシマレーザ−用のレーザ光学系製
造素体として十分満足する結果が得られなかった。
そこで1本発明者等はこの合成石英ガラスについて分析
を加えた所、 前記合成石英ガラスのガラス組織(Ji02 )中には
下記0式で示される酸素欠損型欠陥、あるいは下記0式
で示される酸素過剰型欠陥が存在すること、そしてこれ
らの酸素欠陥が多く存在する光学用ガラス素体は、例え
ばレーザ光照射により光学的特性の劣化を受は易い事を
突き止めた。
を加えた所、 前記合成石英ガラスのガラス組織(Ji02 )中には
下記0式で示される酸素欠損型欠陥、あるいは下記0式
で示される酸素過剰型欠陥が存在すること、そしてこれ
らの酸素欠陥が多く存在する光学用ガラス素体は、例え
ばレーザ光照射により光学的特性の劣化を受は易い事を
突き止めた。
そこで前記合成石英ガラスを酸化又は/及び還元雰囲気
下で熱処理を行って前記酸素欠陥を低減又は実質的に除
去した石英ガラスにより試験片を作成し、該試験片に前
記と同様に短波長エキシマレーザ光を照射させ、その蛍
光特性等を調査してみた所、蛍光特性の光学特性は酸素
欠陥に依存して劣化する事が知見され、且つ該酸素欠陥
を実質的に除去する事により、短波長のエキシマレーザ
−用のレーザ光学系製造素体として十分満足する結果が
得られた。
下で熱処理を行って前記酸素欠陥を低減又は実質的に除
去した石英ガラスにより試験片を作成し、該試験片に前
記と同様に短波長エキシマレーザ光を照射させ、その蛍
光特性等を調査してみた所、蛍光特性の光学特性は酸素
欠陥に依存して劣化する事が知見され、且つ該酸素欠陥
を実質的に除去する事により、短波長のエキシマレーザ
−用のレーザ光学系製造素体として十分満足する結果が
得られた。
更に、前記石英ガラス合成時における、四塩化により、
前記蛍光特性、屈折率、透過率等の光学特性が向上する
事が知見出来た。
前記蛍光特性、屈折率、透過率等の光学特性が向上する
事が知見出来た。
従って本発明は上述した知見と実験結果に基づいてなさ
れたものであり、その特徴とするところは、レーザ光学
系のガラス素体を高純度の石英ガラスで形成すると共に
、該ガラス組織中に酸素欠陥が実質的に存在しないよう
に設定した点にあり、更に望ましくは該ガラス材組織中
のOH基含有量を少なくとも300ppm以上に設定し
たことにある。
れたものであり、その特徴とするところは、レーザ光学
系のガラス素体を高純度の石英ガラスで形成すると共に
、該ガラス組織中に酸素欠陥が実質的に存在しないよう
に設定した点にあり、更に望ましくは該ガラス材組織中
のOH基含有量を少なくとも300ppm以上に設定し
たことにある。
高純度の石英ガラスとしては、 Li、Ha、にのアル
カリ金属元素及びMg、Caのアルカリ土類金属元素が
夫々0.lppm以下、Ti、Or、Fe、Cu (7
)遷移金属元素及びA1元素が夫々o、otpp■以下
であるものが望ましい。
カリ金属元素及びMg、Caのアルカリ土類金属元素が
夫々0.lppm以下、Ti、Or、Fe、Cu (7
)遷移金属元素及びA1元素が夫々o、otpp■以下
であるものが望ましい。
これにより、短波長域レーザー光に使用されるレーザー
光学系の蛍光発生を低減させ、屈折率、透過率等の安定
性を向上させることが出来るのみならず、特に250n
■以下の高出力レーザ光学系の製造素体として、特に好
適なレーザ光学系の製造素体を提供し得る。
光学系の蛍光発生を低減させ、屈折率、透過率等の安定
性を向上させることが出来るのみならず、特に250n
■以下の高出力レーザ光学系の製造素体として、特に好
適なレーザ光学系の製造素体を提供し得る。
尚本発明における、酸素欠陥とは前記したように酸素欠
損型欠陥及び酸素過剰型欠陥の両方を意味する。
損型欠陥及び酸素過剰型欠陥の両方を意味する。
モして「実質的に酸素欠陥を有しない」とは、5hel
by(1980)法を参考にして前記ガラス組織中の欠
損酸素原子濃度及び過剰酸素原子濃度を測定した場合そ
の測定値が検出限界以下、具体的には理想的なガラス組
織(Si02 )に対し、不足又は過剰の酸素原子数が
、ガラス1.中おおむね1017個以下であることを言
う、ちなみに酸素過剰型欠陥の場合過剰の酸素原子濃度
1017個(ガラス1g当り)は約3PP■に相当し、
又これが10日個であると約300ppmに相当する。
by(1980)法を参考にして前記ガラス組織中の欠
損酸素原子濃度及び過剰酸素原子濃度を測定した場合そ
の測定値が検出限界以下、具体的には理想的なガラス組
織(Si02 )に対し、不足又は過剰の酸素原子数が
、ガラス1.中おおむね1017個以下であることを言
う、ちなみに酸素過剰型欠陥の場合過剰の酸素原子濃度
1017個(ガラス1g当り)は約3PP■に相当し、
又これが10日個であると約300ppmに相当する。
ここで5helby(11380)法による酸素過剰型
欠陥の過剰酸素濃度の測定は、高温で水素と反応させた
時に生ずるOH基の赤外吸収を測定して定量するもので
あり、酸素欠損型欠陥の欠損酸素濃度の測定1よ、高温
で酸素ガスと反応させた時減少する?、8eV(lHn
層)の吸収ピークを測定して定量するものである。
欠陥の過剰酸素濃度の測定は、高温で水素と反応させた
時に生ずるOH基の赤外吸収を測定して定量するもので
あり、酸素欠損型欠陥の欠損酸素濃度の測定1よ、高温
で酸素ガスと反応させた時減少する?、8eV(lHn
層)の吸収ピークを測定して定量するものである。
「作用」
かかる技術手段によれば、短波長域レーザー光に使用さ
れるレーザー光学系の蛍光発生を低減させ、屈折率、透
過率等の安定性を向上させることが出来るのみならず、
特に250nm以下の高出力レーザ光学系の製造素体と
して特に好適なレーザ光学系の製造素体を提供し得る。
れるレーザー光学系の蛍光発生を低減させ、屈折率、透
過率等の安定性を向上させることが出来るのみならず、
特に250nm以下の高出力レーザ光学系の製造素体と
して特に好適なレーザ光学系の製造素体を提供し得る。
この場合、酸素欠陥の存在が何故光学特性に悪影響を及
ぼすかその理由についてはさだがではないが、下記の理
由によるものと推定される。
ぼすかその理由についてはさだがではないが、下記の理
由によるものと推定される。
即ちガラス組織中に、不純物に加えて酸素欠陥が存在す
ると、前記ガラス組織を構成する元素間の結合が、理想
的石英ガラスの元素間の結合に比較して弱くなり、該レ
ーザー光のエネルギーにより結合が切断されやすくなり
、そして石英ガラスの元素間の結合が切断されることに
より密度変化を起こし、屈折率を変化させるものと推定
される。又同様に不純物もしくは酸素欠陥の存在が前駆
体となり、レーザー光照射後各種のカラーセンターを形
成し、透過率の低下をもたらし、更に不純物元素の存在
及び前記カラーセンターの形成に伴って、レーザー照射
中の石英ガラスの蛍光波長と強度が決り、これにより蛍
光が発生し易くなるものと思慮される。
ると、前記ガラス組織を構成する元素間の結合が、理想
的石英ガラスの元素間の結合に比較して弱くなり、該レ
ーザー光のエネルギーにより結合が切断されやすくなり
、そして石英ガラスの元素間の結合が切断されることに
より密度変化を起こし、屈折率を変化させるものと推定
される。又同様に不純物もしくは酸素欠陥の存在が前駆
体となり、レーザー光照射後各種のカラーセンターを形
成し、透過率の低下をもたらし、更に不純物元素の存在
及び前記カラーセンターの形成に伴って、レーザー照射
中の石英ガラスの蛍光波長と強度が決り、これにより蛍
光が発生し易くなるものと思慮される。
次にOH基含有量に対する光学特性の影響については一
層さだがではないが、以下のように考えられる。
層さだがではないが、以下のように考えられる。
石英ガラスに強力なレーザー光を照射すると、ガラス網
目構造を構成する元素間の結合が切断され、その結果透
過率が低下し、吸収バンドが現われ、且つ蛍光強度も増
加する。
目構造を構成する元素間の結合が切断され、その結果透
過率が低下し、吸収バンドが現われ、且つ蛍光強度も増
加する。
しかし、これら元素間の切断も、石英ガラス中に含まれ
るOH基そのものや、OH基の水素元素の存在や移動に
より大部分が修復されるものと推定している。又クラッ
クの発生についても、OH基が多量に含まれると上記理
由により吸収バンドの発生が小さくなり、その結果とし
て光吸収が少なくなり、クラックが少なくなると考えて
いる。
るOH基そのものや、OH基の水素元素の存在や移動に
より大部分が修復されるものと推定している。又クラッ
クの発生についても、OH基が多量に含まれると上記理
由により吸収バンドの発生が小さくなり、その結果とし
て光吸収が少なくなり、クラックが少なくなると考えて
いる。
「実験例」
先ず本発明の効果を確認するために、下記のような製造
法でエキシマレーザ照射実験用試験片を各々複数個用意
する。
法でエキシマレーザ照射実験用試験片を各々複数個用意
する。
原料四塩化ケイ素を蒸留処理して不純物を除去させた後
、テフロンラニ=ング付ステンレス製容器に貯溜した高
純度四塩化ケイ素と前記蒸留を行わない普通純度の四塩
化ケイ素とを用意し、これイ らを各々テフロンラツニング付パイプを通してスート合
成バーナーに導入し、純度の異なるスート体を合成する
。この際特に高純度四塩化ケイ素を用いたスート体にお
いては、該四塩化ケイ素ガスと酸水素ガスの混合比を変
化させるなど条件を変えてOH基含有量の異なるスート
体を複数個合成する その後、これら複数個のスート体を電気炉内において、
温度勾配をつけながら透明ガラス化を行い1石英ガラス
インゴットとする。
、テフロンラニ=ング付ステンレス製容器に貯溜した高
純度四塩化ケイ素と前記蒸留を行わない普通純度の四塩
化ケイ素とを用意し、これイ らを各々テフロンラツニング付パイプを通してスート合
成バーナーに導入し、純度の異なるスート体を合成する
。この際特に高純度四塩化ケイ素を用いたスート体にお
いては、該四塩化ケイ素ガスと酸水素ガスの混合比を変
化させるなど条件を変えてOH基含有量の異なるスート
体を複数個合成する その後、これら複数個のスート体を電気炉内において、
温度勾配をつけながら透明ガラス化を行い1石英ガラス
インゴットとする。
次に、前記インゴットの酸素欠陥濃度を調べてみると、
各インゴットとも酸素欠損濃度が約l×l Q 19〜
lX1018ケ/g(SiO2)有していたために、一
部のインゴットを残して、他のインゴットを順次加熱炉
内の石英ガラスチャンバー内に設置して、アルゴンガス
で稀釈した酸素ガスの濃度と熱処理温度選択的に変化さ
せながら、酸化性雰囲気で約tooo℃前後の加熱温度
で熱処理して、前記酸素欠損型欠陥を低減させた。
各インゴットとも酸素欠損濃度が約l×l Q 19〜
lX1018ケ/g(SiO2)有していたために、一
部のインゴットを残して、他のインゴットを順次加熱炉
内の石英ガラスチャンバー内に設置して、アルゴンガス
で稀釈した酸素ガスの濃度と熱処理温度選択的に変化さ
せながら、酸化性雰囲気で約tooo℃前後の加熱温度
で熱処理して、前記酸素欠損型欠陥を低減させた。
尚、例えばアルゴンプラズマ法に基づいても高純度の合
成石英ガラスが形成出来るが、この場合の酸素欠陥はス
ート法とは逆に酸素過剰型欠陥である為に、還元性雰囲
気で熱処理して前記酸素過剰型欠陥濃度を低減させるの
がよい。
成石英ガラスが形成出来るが、この場合の酸素欠陥はス
ート法とは逆に酸素過剰型欠陥である為に、還元性雰囲
気で熱処理して前記酸素過剰型欠陥濃度を低減させるの
がよい。
尚、酸素過剰型欠陥は、高温で水素と反応させた時発生
するOH基の赤外吸収ピークの増大を測定することによ
り検知出来、酸素欠損型欠陥は、真空紫外域?、8eV
(183nm)の吸収ピークの存在、及び高温で酸素と
反応させた時減少する?、8eV吸収ピークを測定する
ことにより検知出来る。
するOH基の赤外吸収ピークの増大を測定することによ
り検知出来、酸素欠損型欠陥は、真空紫外域?、8eV
(183nm)の吸収ピークの存在、及び高温で酸素と
反応させた時減少する?、8eV吸収ピークを測定する
ことにより検知出来る。
そしてかかる石英ガラスインゴットの不純物濃度を測定
してみるとスート法による普通純度の四塩化ケイ素を用
いたインゴットにおいては、Feが520ppb 、
Mgが2130ppb 、 AIが100ppb %C
uが30ppb テ、Li、Na、に、Caは100p
pb以下、Ti、Cr、AIは10ppb以下であった
。
してみるとスート法による普通純度の四塩化ケイ素を用
いたインゴットにおいては、Feが520ppb 、
Mgが2130ppb 、 AIが100ppb %C
uが30ppb テ、Li、Na、に、Caは100p
pb以下、Ti、Cr、AIは10ppb以下であった
。
一方高純度の四塩化ケイ素を用いたスート法のインゴッ
トにおいては、Li、Ha、に、Mg、Ca、Ti、C
r、Fe*Mg5A1 、Cu、等金属元素不純物含有
量はすべて検出限界以下であった。
トにおいては、Li、Ha、に、Mg、Ca、Ti、C
r、Fe*Mg5A1 、Cu、等金属元素不純物含有
量はすべて検出限界以下であった。
次にかかるインゴットのOH基の含有量を調べてみると
下記実験結果−覧表の記載の通りであった。
下記実験結果−覧表の記載の通りであった。
そしてこのようにして形成した合成石英インゴットを3
0X 20X 10■履の寸法に切断しかつ両面鏡面仕
上げを行ってエキシマレーザ照射実験用試験片を各々に
12個作成する。
0X 20X 10■履の寸法に切断しかつ両面鏡面仕
上げを行ってエキシマレーザ照射実験用試験片を各々に
12個作成する。
次にこれらの各12個の試験片に対して、 248n諺
(KrF)の波長域を有するレーザ光についてパルス当
りエネルギー密度200、400.600.800 (
mJ/cm″* pulse)、及び照射パルス数lX
104、1×105、 IX 10 ’ (pulse
)の組合せから成る照射条件にて照射を行った。
(KrF)の波長域を有するレーザ光についてパルス当
りエネルギー密度200、400.600.800 (
mJ/cm″* pulse)、及び照射パルス数lX
104、1×105、 IX 10 ’ (pulse
)の組合せから成る照射条件にて照射を行った。
そして、前記照射終了後の各試験片について干渉計にて
屈折率分布変化、透過率計にてソーラリゼーション、蛍
光測定器にて蛍光強度測定、及び目視にてクラックの有
無の判定を行い、その結果を下記実験結果−覧表に示す
。
屈折率分布変化、透過率計にてソーラリゼーション、蛍
光測定器にて蛍光強度測定、及び目視にてクラックの有
無の判定を行い、その結果を下記実験結果−覧表に示す
。
下記−覧表より理解される如く、蛍光特性、透過率及び
屈折率の安定性、等については、普通純度の試験片と高
純度の試験片とでは、明らかに有意差がみられ、その主
原因が石英ガラスに含まれる不純物元素である事が確認
出来たが(試料1)〜3)、7)〜S))、不純物元素
の濃度低減に加えて酸素欠陥にも依存することが知見出
来た。(試料1)〜3)、0〜B)、 ?)〜10)の
各グループ)次に高純度の試験片同士を比較すると、酸
素欠陥濃度が約IX 10rF ケ/g(Si02)以
上では、蛍光強度、透過率及び屈折率の安定性、クラッ
クの発生がいずれも問題が残るが酸素欠陥濃度が実質的
に存在しなければ(検出限界以下であれば)、蛍光強度
、透過率及び屈折率の安定性、クラックの発生が、いず
れも実用化に耐える程度に低減する。 (試料8)、1
0)) 更に前記試料8)と9)又は1G)より理解されるよう
に、 OH基含有量の増大に従って光学特性が向上する
事が理解され、特にOH基含有量を300ppm1以上
に設定する事により、特に好ましい光学特性が得られ、
250rn以下の高出力レーザ光学系の製造素体として
好適なレーザ光学系の製造素体の提供が可使となる。
屈折率の安定性、等については、普通純度の試験片と高
純度の試験片とでは、明らかに有意差がみられ、その主
原因が石英ガラスに含まれる不純物元素である事が確認
出来たが(試料1)〜3)、7)〜S))、不純物元素
の濃度低減に加えて酸素欠陥にも依存することが知見出
来た。(試料1)〜3)、0〜B)、 ?)〜10)の
各グループ)次に高純度の試験片同士を比較すると、酸
素欠陥濃度が約IX 10rF ケ/g(Si02)以
上では、蛍光強度、透過率及び屈折率の安定性、クラッ
クの発生がいずれも問題が残るが酸素欠陥濃度が実質的
に存在しなければ(検出限界以下であれば)、蛍光強度
、透過率及び屈折率の安定性、クラックの発生が、いず
れも実用化に耐える程度に低減する。 (試料8)、1
0)) 更に前記試料8)と9)又は1G)より理解されるよう
に、 OH基含有量の増大に従って光学特性が向上する
事が理解され、特にOH基含有量を300ppm1以上
に設定する事により、特に好ましい光学特性が得られ、
250rn以下の高出力レーザ光学系の製造素体として
好適なレーザ光学系の製造素体の提供が可使となる。
「発明の効果」
以上記載の如く本発明によれば1石英ガラスの高純度化
とともに酸素欠陥濃度というの別異の要素を加味する事
により、前記光学特性や耐クラツク性等の向−ヒを図る
とともに、長時間にわたる屈折率、透過率等の安定性を
確保し、高出力エキシマレーザ−用のレーザ光学系材料
として極めて好適な製造素体得る事が出来る。
とともに酸素欠陥濃度というの別異の要素を加味する事
により、前記光学特性や耐クラツク性等の向−ヒを図る
とともに、長時間にわたる屈折率、透過率等の安定性を
確保し、高出力エキシマレーザ−用のレーザ光学系材料
として極めて好適な製造素体得る事が出来る。
又本発明はリソグラフィー装置その他の高集積回路製造
装置のみならず、レーザ核融合装置その他の高出力エキ
シマレーザ−に使用されるレーザ光学系の製造素体にも
十分適用可能である。
装置のみならず、レーザ核融合装置その他の高出力エキ
シマレーザ−に使用されるレーザ光学系の製造素体にも
十分適用可能である。
等の種々の著効を有す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)略400nm以下の特定波長域のレーザ光に使用さ
れるレーザ光学系素体において、前記素体を高純度の石
英ガラスで形成するとともに、該石英ガラス組織中に、
酸素欠陥が実質的に存在しないように設定した事を特徴
とするレーザ光学系の製造素体 2)特許請求の範囲第1項記載のレーザ光学系の製造素
体において、前記ガラス組織中に含まれるOH基含有量
を少なくとも300ppm以上に設定した事を特徴とす
るレーザ光学系の製造素体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63021361A JPH0825773B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レーザー光学系の製造素体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63021361A JPH0825773B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レーザー光学系の製造素体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01197343A true JPH01197343A (ja) | 1989-08-09 |
JPH0825773B2 JPH0825773B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=12052955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63021361A Expired - Lifetime JPH0825773B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レーザー光学系の製造素体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0825773B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0483752A2 (en) * | 1990-10-30 | 1992-05-06 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Optical member made of high-purity and transparent synthetic silica glass and method for production thereof and blank thereof |
JPH04305035A (ja) * | 1991-03-30 | 1992-10-28 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカガラスを用いた光学体 |
JPH05330848A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh | 高エネルギー光線を透過する為の素子及び同素子の使用 |
DE10308466A1 (de) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung von strahlungsresistentem Quarzglasmaterial und Quarzglasmaterial |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6291608U (ja) * | 1986-06-11 | 1987-06-11 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63021361A patent/JPH0825773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6291608U (ja) * | 1986-06-11 | 1987-06-11 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0483752A2 (en) * | 1990-10-30 | 1992-05-06 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Optical member made of high-purity and transparent synthetic silica glass and method for production thereof and blank thereof |
JPH04305035A (ja) * | 1991-03-30 | 1992-10-28 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリカガラスを用いた光学体 |
JPH05330848A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh | 高エネルギー光線を透過する為の素子及び同素子の使用 |
DE10308466A1 (de) * | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung von strahlungsresistentem Quarzglasmaterial und Quarzglasmaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0825773B2 (ja) | 1996-03-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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