JP2007305740A - セラミック多層基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のセラミック多層基板10は、複数のセラミック層11Aが積層されてなるセラミック積層体11と、セラミック積層体11の下面に形成された凹部11Bと、凹部11Bの内部に露出する接続用電極12Cと、凹部11B内に充填されて接続用電極12Cと導通する導電性樹脂14を主体とする端子電極13Aと、を備えている。
【選択図】図1
Description
本実施形態のセラミック多層基板10は、例えば図1の(a)に示すように、複数のセラミック層11Aが積層されてなるセラミック積層体11と、セラミック積層体11の内部に所定のパターンで形成された内部導体パターン12と、セラミック積層体11の表面に形成された外部導体パターン13と、を備えている。そして、セラミック多層基板10は、セラミック積層体11の一方の主面(下面)に形成されたキャビティC内に半導体素子20が実装され、セラミック積層体11の他方の主面(上面)に第1、第2の表面実装部品30A、30Bが実装されて、電子部品を構成している。そして、第1、第2の表面実装部品30A、30Bは、熱硬化性樹脂からなる樹脂封止部40によって封止されて保護されている。また、セラミック多層基板10は、樹脂封止部40を介してピックアップすることにより電子部品として容易に面実装できるようになっている。尚、樹脂封止部40に代えてセラミック多層基板10の上面側には金属製ケースが装着し、金属製ケースによって半導体素子20及び第1、第2の表面実装部品30A、30Bを外部の電磁波等から保護しても良い。
本実施形態のセラミック多層基板10Aは、例えば図6に示すように、第1の実施形態における接続用電極12Cの表面に突起部を設けた以外は図3の(b)に示すセラミック多層基板10に準じて構成さている。
本実施形態のセラミック多層基板10Bは、図7に示すように第1の端子電極13Aの導電性樹脂部14が凹部11B内からセラミック積層体11の下面よりも突出して形成されている以外は図3の(b)に示すセラミック多層基板10に準じて構成されている。そして、導電性樹脂部14のセラミック積層体11から突出した部分の全表面にはめっき膜15が形成されている。
本実施形態のセラミック多層基板10Cは、図8に示すようにビアホール導体12Bの下端面が接続用電極として利用されている以外は第1の実施形態のセラミック多層基板10に準じて構成されている。この場合には、ビアホール導体12Bを接続用電極として利用するため、その水平方向の断面が50μm以上の径に形成されていることが好ましい。断面の径が50μm未満になると導電性樹脂部14の金属粉末との接触が少なく、抵抗値が大きくなるため好ましくない。また、導電性樹脂部14の厚みは5μm以上あることが好ましい。換言すれば、セラミック積層体11の下面に引き出されるビアホール導体12Bが50μm以上あれば、接続用電極を設けなくても良いことになる。
本実施形態のセラミック多層基板の製造方法では、例えば図9に示すようにセラミック積層体11の凹部11B内から凸状に突出している複数の第1の端子電極13Aの導電性樹脂部14の表面をそれぞれ平滑にすると共にそれぞれの表面を同一の高さに揃えることができる製造方法である。本実施形態ではセラミック積層体11の凹部11B内に導電性樹脂を充填するまでの工程は、第3の実施形態に準じて行われる。
この変形例では平滑部材201として、例えば図11、図12に示すようにセラミック積層体11の凹部11Bに対応する凹部201Aが片面に形成されたガラス板を用いること以外は、第5の実施形態の場合と同一要領で導電性樹脂部を形成する。この平滑部材201は、各図に示すように、セラミック積層体11の凹部11Bから突出する導電性樹脂114に対応する凹部201Aが形成され、凹部201Aの底面が平滑面として形成されていると共に平滑面が同一深さに形成されている。そして、凹部201Aの平滑面及び内周面には離型処理が施されている。凹部201Aは導電性樹脂114の突出高さよりも浅く、導電性樹脂114の凸部と嵌合するようにやや広く形成されている。
11 セラミック積層体
11A セラミック層
11B 凹部
12 内部導体パターン
12B ビアホール導体
12C 接続用電極
12D 突起部
13 外部導体パターン
13A 第1の端子電極(端子電極)
14 導電性樹脂部
15 めっき膜
111 未焼成の基体
111A1 第1のセラミックグリーンシート
111A2 第2のセラミックグリーンシート
111A3 他のセラミックグリーンシート
111B 開口部
114 導電性樹脂
200、201、202 平滑部材
201A 凹部
202A 凸部
Claims (15)
- 複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、上記セラミック積層体の一方の主面に形成された凹部と、上記凹部の内部に露出する接続用電極と、上記凹部内に充填されて上記接続用電極と導通する導電性樹脂を主体とする端子電極と、を備えたことを特徴とするセラミック多層基板。
- 上記接続用電極の表面及び上記接続用電極と上記セラミック積層体との境界部を覆うように、上記凹部内に上記導電性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック多層基板。
- 上記導電性樹脂は、その表面が上記一方の主面より上記凹部の内側に位置するように上記凹部内に充填されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセラミック多層基板。
- 上記導電性樹脂は、その表面が上記一方の主面と同一面となるように上記凹部内に充填されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセラミック多層基板。
- 上記導電性樹脂は、その表面が上記一方の主面から突出するように上記凹部内に充填されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のセラミック多層基板。
- 上記接続用電極の表面には突起部が形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のセラミック多層基板。
- 上記導電性樹脂の上記凹部からの露出面にはめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のセラミック多層基板。
- 複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、セラミック積層体の一方の主面に形成された凹部と、凹部の内側で露出する接続用電極と、を有する基体を作製する第1の工程と、
上記凹部内に導電性樹脂を充填して上記接続用電極と導通する端子電極を形成する第2の工程と、を備えた
ことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。 - 上記第1の工程は、
上記凹部となる開口部が形成された第1のセラミックグリーンシート、及び上記接続用電極となる導体パターンが形成された第2のセラミックグリーンシートをそれぞれ準備する工程と、
上記第1のセラミックグリーンシートを上記一方の主面側になるように配置し、且つ、上記導体パターンを上記第1のグリーンシートの開口部に配置して上記第1、第2のセラミックグリーンシートを含む複数枚のセラミックグリーンシートを積層して、未焼成の基体を作製する工程と、
上記未焼成の基体を焼成する工程と、を備えた
ことを特徴とする請求項8に記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 上記第2の工程は、上記接続用電極の表面及び上記接続用電極と上記セラミック積層体との境界部を覆うように、上記凹部内に上記導電性樹脂を充填する工程を備えた
ことを特徴とする請求項8または請求項9に記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 上記第2の工程は、平滑面を有する平滑部材を、上記平滑面が上記導電性樹脂の表面に接触するように上記導電性樹脂上に載置する工程を有することを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれか1項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
- 上記平滑部材の平滑面を複数の上記導電性樹脂の表面に同時に接触させて、上記各導電性樹脂それぞれの表面を同一高さに形成することを特徴とする請求項11に記載のセラミック多層基板の製造方法。
- 上記平滑部材として、上記導電性樹脂に対応する凹部を有し且つこの凹部内に上記平滑面が形成された板状部材を用いることを特徴とする請求項11または請求項12に記載のセラミック多層基板の製造方法。
- 上記平滑部材として、上記導電性樹脂に対応する凸部を有し且つこの凸部に上記平滑面が形成された板状部材を用いることを特徴とする請求項11または請求項12に記載のセラミック多層基板の製造方法。
- 上記導電性樹脂の表面にめっき膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項8〜請求項14のいずれか1項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
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