JP2007288043A - 光電変換装置用透明導電膜とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換装置用透明導電膜において、その透明導電膜が2次イオン質量分析で測定した原子濃度として2×1019個/cm3以上のB原子および2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、かつB原子濃度/H原子濃度の比の値が透明導電膜の厚さ方向の所定位置において極小値を有するように変動させられていることを特徴としている。
【選択図】図2
Description
本発明の実施例1として、図1に対応する光電変換装置用透明導電膜が作製された。具体的には、910mm×455mmの面積を有する厚さ4mmのガラス基板111上にSiO2微粒子1121を含む透光性下地層112を形成することによって、透明絶縁基板11が作製された。透光性下地層112を形成するための塗布液としては、平均粒径が100nmの球状シリカ分散液、水、およびエチルセロソルブの混合液にテトラエトキシシランを加え、さらに塩酸を添加してテトラエトキシシランを加水分解させたものが用いられた。この塗布液を印刷機にてガラス基板111上に塗布した後、それを90℃で30分間乾燥させ、その後に450℃で5分間加熱することによって、表面に微細な凹凸が形成された透明絶縁基板11が得られた。この透明絶縁基板11の表面を原子間力顕微鏡(AFM)で観察したところ、微粒子1121の形状を反映して、凸部が曲面からなる表面凹凸が確認され、その二乗平均平方根粗さ(RMS)は5〜50nmであった。なお、本願におけるRMSは、一辺が5μmの正方形領域を観察した原子間力顕微鏡(AFM)像から求められている(ISO 4287/1)。このAFM測定には、Nano−Rシステム(Pacific Nanotechnology社製)のノンコンタクトモードが用いられた。
従来法による比較例1においても、実施例1に類似して、図1に示されているような酸化亜鉛膜11が形成された。すなわち、この比較例1は、実施例1と比べて、酸化亜鉛膜の堆積時の基板温度が一定の160℃に維持されたことのみにおいて異なっていた。
実施例1と比較例1とでは酸化亜鉛膜が同じ膜厚を有しているにもかかわらず、実施例1ではヘイズ率が約10%増加(表面凹凸が増加)しており、それによって光閉じ込め効果を増大させ得ることがわかる。実施例1の酸化亜鉛膜のシート抵抗は、比較例1の場合に比べて実質的に変わっていない。また、実施例1ではヘイズ率が比較例1に比べて増加しているにもかかわらず、Sdrが低下している。したがって、実施例1では酸化亜鉛膜の表面凹凸の高低差が大きくなっているが、表面凹凸の形状は緩やかになっていると言うことができ、これは光電変換装置におけるFFの低下の抑制に有効であるといえる。
図5のグラフは、本発明の実施例2および従来法による比較例2における酸化亜鉛膜の膜厚に対するヘイズ率を示している。すなわち、このグラフの横軸は酸化亜鉛膜の総膜厚(nm)を表し、縦軸はヘイズ率(%)を表している。
本発明の実施例3として、B濃度/H濃度の極小値の基板からの位置を変化させた酸化亜鉛膜が作製された。すなわち、本実施例3は、成膜初期において基板温度170℃で堆積厚を種々に変化させ、残りの膜厚が基板温度160℃で約1.45μmに堆積されたことのみにおいて実施例1と異なっていた。
本発明の実施例4として、図1に対応する薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、本実施例4においては、実施例1の酸化亜鉛膜12上に非晶質シリコン光電変換ユニット2、結晶質シリコン光電変換ユニット3、および裏面電極層4を形成するこによって、積層型薄膜光電変換装置が作製された。
引用例3においても、実施例4に類似して、図1に対応する薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、比較例3において作製された積層型薄膜光電変換装置は、実施例1の酸化亜鉛膜の代わりに比較例1の酸化亜鉛膜を用いて作製されたことのみにおいて実施例4と異なっていた。本比較例3の薄膜光電変換装置の出力特性を測定ところ、Vocが1.266V、Jscが12.39mA/cm2、FFが0.662、そしてEffが10.39%であった。
本発明の実施例5として作製された積層型薄膜光電変換装置は、酸化亜鉛膜中におけるB濃度/H濃度の極小値の位置が基板面から厚さ方向に0.1μmの距離に設定されたことのみにおいて実施例4と異なっていた。本実施例5の積層型薄膜光電変換装置に含まれる酸化亜鉛膜において、そのヘイズ率は25.8%、シート抵抗は16.6Ω/□、そしてSdrは58.1%であった。得られた実施例5の薄膜光電変換装置の出力特性を測定ところ、Vocが1.318V、Jscが12.60mA/cm2、FFが0.694、そしてEffが11.53%であった。
本発明の実施例6として作製された積層型薄膜光電変換装置は、酸化亜鉛膜中におけるB濃度/H濃度極小値の位置が基板面から厚さ方向に0.3μmの距離に設定されたことのみにおいて実施例4と異なっていた。本実施例6の積層型薄膜光電変換装置に含まれる酸化亜鉛膜において、そのヘイズ率は36.7%、シート抵抗は9.9Ω/□、そしてSdrは80.0%であった。得られた実施例6の薄膜光電変換装置の出力特性を測定ところ、Vocが1.280V、Jscが12.62mA/cm2、FFが0.686、そしてEffが11.09%であった。
本発明の実施例7としてとして作製された積層型薄膜光電変換装置は、酸化亜鉛膜中におけるB濃度/H濃度極小値の位置が基板面から0.5μmの距離に設定されたことのみにおいて実施例4と異なっていた。本実施例7の積層型薄膜光電変換装置に含まれる酸化亜鉛膜において、そのヘイズ率は40.1%、シート抵抗は6.9Ω/□、そしてSdrは154.0%であった。得られた実施例7の薄膜光電変換装置の出力特性を測定ところ、Vocが0.474V、Jscが12.35mA/cm2、FFが0.616、そしてEffが3.60%であった。
本発明の実施例8は、酸化亜鉛膜中の厚さ方向におけるB濃度/H濃度の極小値の位置がB2H6の流量を制御することによって基板面から0.2μmの距離に設定されたことのみにおいて実施例4と異なっていた。具体的には、酸化亜鉛膜を低圧熱CVDで成膜するときに基板温度を一定の160℃に維持し、成膜初期の約0.2μmの堆積厚さまではB2H6流量を2.5sccmとし、残りの厚さの堆積ではB2H6流量を1.5sccmとした。DEZ流量に対するB2H6流量の割合は、その成膜初期の厚さまでは0.625%であって、残りの厚さ部分では0.375%であった。
Claims (9)
- 光電変換装置用透明導電膜であって、2次イオン質量分析で測定した原子濃度として2×1019個/cm3以上のB原子および2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、かつB原子濃度/H原子濃度の比の値が前記透明導電膜の厚さ方向の所定位置において極小値を有するように変動させられていることを特徴とする光電変換装置用透明導電膜。
- 前記透明導電膜は透光性絶縁基板上に形成されており、前記B原子濃度/H原子濃度比の極小値の位置が、前記透明導電膜の総厚みの半分より基板側の範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置用透明導電膜。
- 前記B原子濃度/H原子濃度の比の極小値が、0.01以上で0.1以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置用透明導電膜。
- 前記透明導電膜はその厚さ方向の所定位置においてB原子濃度/H原子濃度の比の極大値を有し、その極大値が0.05以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光電変換装置用透明導電膜。
- 前記透明導電膜はC原子をも含み、B原子濃度/C原子濃度の比の値が透明導電膜の厚さ方向の所定位置において極大値を有するように変動させられており、その極大値が1.5以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光電変換装置用透明導電膜。
- 請求項1から5のいずれかに記載の光電変換装置用透明導電膜を含む光電変換装置用基板であって、透明絶縁基板とその上に形成された前記透明導電膜とを含むことを特徴とする光電変換装置用基板。
- 請求項1から5のいずれかに記載の光電変換装置用透明導電膜を含む光電変換装置であって、前記透明導電膜、1以上の光電変換ユニット、および裏面電極層とを含み、前記1以上の光電変換ユニットが前記透明導電膜と前記裏面電極層との間に挟まれていることを特徴とする薄膜光電変換装置。
- 低圧CVD法を用いて下地上に光電変換装置用透明導電膜を製造する方法であって、前記透明導電膜は2次イオン質量分析で測定した原子濃度として2×1019個/cm3以上のB原子および2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、第一の基板温度で前記透明導電膜の堆積初期の厚さ部分を成膜したのち、第二の基板温度で前記透明導電膜の残りの少なくとも一部の厚さ部分の成膜を行ない、前記第一基板温度が前記第二基板温度より相対的に高いことを特徴とする光電変換装置用透明導電膜の製造方法。
- 低圧CVD法を用いて基板上に光電変換装置用透明導電膜を製造する方法であって、前記透明導電膜は2次イオン質量分析で測定した原子濃度として2×1019個/cm3以上のB原子および2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、第一のB2H6ガス流量で前記透明導電膜の堆積初期の厚さ部分を成膜したのち、第二のB2H6ガス流量で前記透明導電膜の残りの少なくとも一部の厚さ部分の成膜を行ない、前記第一のB2H6ガス流量が前記第二のB2H6ガス流量より相対的に大きいことを特徴とする光電変換装置用透明導電膜の製造方法。
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