JP2007249175A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 388
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 270
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 105
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 59
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 3
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 38
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical class [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
【解決手段】マザー基板に、ポリシリコン膜を形成するステップS2と、マザー基板の表面のポリシリコン膜を除去するステップS3と、マザー基板の表面に、薄膜を形成するステップS4と、薄膜を形成した後に、マザー基板の裏面のポリシリコン膜を除去するステップS6と、を具備し、ステップS3とステップS6との少なくとも一方の工程は、マザー基板を回転させ、マザー基板のポリシリコン膜を除去する面に対してマザー基板の回転中心にフッ硝酸を供給し、ポリシリコン膜を除去する面と反対側の面に対しては、マザー基板の回転中心にN2を吐出することを特徴とする。
【選択図】図4
Description
Claims (11)
- 基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の表側の表面の前記導電膜を除去する表面導電膜除去工程と、
前記基板の前記表面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の裏側の裏面の前記導電膜を除去する裏面導電膜除去工程と、
を具備し、
前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板の回転中心にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、前記基板の回転中心に乾燥ガスを吐出することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記基板は、第1の基板と該第1の基板に対向する第2の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第1の基板と前記第2の基板との間の少なくとも表示領域に電気光学物質が介在された電気光学装置における、前記薄膜形成前の前記第1の基板と前記薄膜形成前の前記第2の基板との少なくとも一方であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記基板は、大板の基板に構成されており、
前記導電膜形成工程と前記表面導電膜除去工程と前記裏面導電膜除去工程とは、前記大板の基板に対して行うことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記薄膜形成工程は、前記基板の表面に、最上層に前記電気光学物質に駆動電圧を印加する電極を形成するまで複数の前記薄膜を層状に形成する工程であることを特徴とする請求項2または3に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記裏面導電膜除去工程は、前記電極を形成した後に行うことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記表面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記裏面であり、
前記表面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の前記導電膜の回転中心に、前記薬剤を供給するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に乾燥ガスを吐出して行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記導電膜を除去する面は、前記基板の前記裏面であり、前記導電膜を除去する面と反対側の面は、前記基板の前記表面であり、
前記裏面導電膜除去工程は、回転する前記基板の前記表面の回転中心に、前記乾燥ガスを吐出するとともに、回転する前記基板の前記裏面の前記導電膜の回転中心に前記薬剤を供給して行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記薬剤は、前記導電膜のみをウエットエッチングにより除去する薬液であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記導電膜は、ポリシリコン膜であり、前記薬剤は、前記ポリシリコン膜のみを除去するフッ硝酸であることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記乾燥ガスは、N2ガスであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 基板に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の一方の面の前記導電膜を除去する第1の導電膜除去工程と、
前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記一方の面と反対側の他方の面の前記導電膜を除去する第2の導電膜除去工程と、
を具備し、前記第1の導電膜除去工程と前記第2の導電膜除去工程との少なくとも一方の工程は、前記基板を回転させ、前記基板の前記導電膜を除去する面に対して前記基板にエッチング性を有する薬剤を供給し、前記導電膜を除去する面と反対側の面に対しては、乾燥ガスを吐出することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006323099A JP2007249175A (ja) | 2006-02-20 | 2006-11-30 | 電気光学装置の製造方法 |
US11/708,206 US7679086B2 (en) | 2006-02-20 | 2007-02-20 | Method for manufacturing electro-optic device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006042013 | 2006-02-20 | ||
JP2006323099A JP2007249175A (ja) | 2006-02-20 | 2006-11-30 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007249175A true JP2007249175A (ja) | 2007-09-27 |
Family
ID=38428783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006323099A Pending JP2007249175A (ja) | 2006-02-20 | 2006-11-30 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679086B2 (ja) |
JP (1) | JP2007249175A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8258696B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-09-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
KR100879864B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US8330339B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
US8765582B2 (en) * | 2012-09-04 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for extreme ultraviolet electrostatic chuck with reduced clamp effect |
CN104089803B (zh) * | 2014-06-27 | 2017-01-04 | 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 | 一种钢铁镶样碳萃取复型的电解脱膜装置及方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2891951B2 (ja) | 1996-12-06 | 1999-05-17 | 鹿児島日本電気株式会社 | フォトレジスト現像装置 |
JP2000176360A (ja) | 1998-12-21 | 2000-06-27 | Nec Kansai Ltd | 固形化し易い薬液の塗布方法 |
JP3968954B2 (ja) | 2000-05-29 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 基板装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
JP4692699B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-06-01 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP2002177854A (ja) | 2000-12-14 | 2002-06-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002246310A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置 |
JP3917393B2 (ja) | 2001-08-29 | 2007-05-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
TWI328837B (en) * | 2003-02-28 | 2010-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2005221541A (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Nec Tokin Corp | 磁性ガーネット素子板の製造方法 |
US9040420B2 (en) * | 2005-03-01 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including peeling layers from substrates by etching |
-
2006
- 2006-11-30 JP JP2006323099A patent/JP2007249175A/ja active Pending
-
2007
- 2007-02-20 US US11/708,206 patent/US7679086B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070197036A1 (en) | 2007-08-23 |
US7679086B2 (en) | 2010-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090602 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100126 |