JP2008139656A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、TFTアレイ基板100を有するものである。これは、TFTアレイ基板100に設けられた下部容量電極24aと、下部容量電極24a上に形成された第1層間絶縁膜25と、第1層間絶縁膜25を介して、下部容量電極24a上に形成された上部容量電極26aとを有する。さらに、上部容量電極26a上に形成され、1画素において上部容量電極26aへのコンタクトホール31を複数有する第2層間絶縁膜27と、第2層間絶縁膜27上に形成され、コンタクトホール31によって上部容量電極26aと接続される画素電極32とを備える。
【選択図】図3
Description
まず、本実施の形態にかかる表示装置について図1を用いて説明する。本実施の形態にかかる表示装置には、後述するTFTアレイ基板100が用いられる。表示装置とは、例えば液晶表示装置やEL表示装置等の平面型表示装置(フラットパネルディスプレイ)である。また、EL表示装置には、有機EL表示装置、無機EL表示装置がある。ここでは、一例として、液晶表示装置について説明する。図1は、液晶表示装置129の構成を示す断面模式図である。
4 ゲート絶縁膜、5 ゲート電極、5a 上部容量電極、6 第1層間絶縁膜、
7 ソース電極、8 ドレイン電極、9 第2層間絶縁膜、10 画素電極、
11 コンタクトホール、12 コンタクトホール、13 コンタクトホール、
20 絶縁性基板、21 下地膜、22 ポリシリコン膜、22a チャネル領域、
22b ソース領域、22c ドレイン領域、23 ゲート絶縁膜、24 ゲート電極、
24a 下部容量電極、25 第1層間絶縁膜、26 配線電極、
26a 上部容量電極、27 第2層間絶縁膜、28 コンタクトホール、
29 コンタクトホール、30 コンタクトホール、31 コンタクトホール、
32 画素電極、33 接続電極、
100 TFTアレイ基板、101 表示領域、102 額縁領域、
103 走査信号駆動回路、104 表示信号駆動回路、106 外部配線、
107 外部配線、108 TFT、109 ゲート信号線、110 ソース信号線、
120 液晶表示パネル、121 バックライトユニット、122 対向基板、
123 シール剤、124 液晶層、125 対向電極、126 BM層、
127 着色層、128 偏光板、129 液晶表示装置
Claims (4)
- TFTアレイ基板を有する表示装置であって、
前記TFTアレイ基板に設けられた下部容量電極と、
前記下部容量電極上に形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜を介して、前記下部容量電極上に形成された上部容量電極と、
前記上部容量電極上に形成され、1画素において前記上部容量電極へのコンタクトホールを複数有する第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールによって前記上部容量電極と接続される画素電極とを備える表示装置。 - 前記画素電極と前記上部容量電極とを接続させる前記コンタクトホールの底部面積の合計が1画素の面積の0.1%以上20%以下である請求項1に記載の表示装置。
- TFTアレイ基板を有する表示装置の製造方法であって、
基板上に下部容量電極を形成する工程と、
前記下部容量電極上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に前記下部容量電極と対向配置される上部容量電極を形成する工程と、
前記上部容量電極上に、1画素において前記上部容量電極へのコンタクトホールを複数有する第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に、前記複数のコンタクトホールによって前記上部容量電極と接続される画素電極を形成する工程とを備える表示装置の製造方法。 - 前記画素電極と前記上部容量電極とを接続させる前記コンタクトホールの底部面積の合計が1画素の面積の0.1%以上20%以下である請求項3に記載の表示装置の製造方法。
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