JP2007242668A - 処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/85978—With pump
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】底部に排気口50を有して真空引き可能になされた処理容器42と、被処理体Wを載置するために処理容器内に設けられた載置台44と、排気口に連結されると共にスライド式の弁体94により弁口98の開口領域の面積を変えることができる圧力制御弁88と、圧力制御弁に接続された排気系90と、を備えて被処理体に対して所定のプロセス圧力下にて所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される開口領域内に前記載置台の中心軸が位置するように圧力制御弁を偏心させて設ける。
【選択図】 図1
Description
ここで従来の枚葉式の処理装置としてプラズマ処理装置を例にとって説明する。プラズマ処理装置は、例えば特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4等に開示されている。図11は従来の一般的なプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
このため、図11中の矢印34に示すように、載置台6の周囲を流下するガス流量に偏りが生じてしまい、この結果、載置台6の周辺部から均等に排気することができなくなることから、ウエハ処理の面内均一性が低下してしまう、と言った問題が発生していた。そして、ウエハサイズが300mmへ大型化することに伴う処理容器4の大型化によって排気口のサイズも大きくなり、上記した問題点が更に顕著になってきた。
また例えば請求項3に規定するように、前記弁開度の実用領域は5〜40%の範囲内である。
また例えば請求項4に規定するように、前記載置台の中心軸が前記開口領域によって形成される平面の重心の移動軌跡上に位置するようになっている。
また例えば請求項5に規定するように、前記排気系はターボ分子ポンプを有しており、前記ターボ分子ポンプは前記圧力制御弁に連結されている。
また例えば請求項7に規定するように、前記弁体は曲線状に揺動可能にスライド移動する。
また例えば請求項8に規定するように、前記載置台は、前記処理容器の側壁より支持アームにより支持されている。
また例えば請求項9に規定するように、前記載置台は、前記処理容器の底部より支持脚により支持されている。
圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される開口領域内に載置台の中心軸が位置するように圧力制御弁を偏心させて設けるように構成したので、排気口に設ける圧力制御弁を載置台の中心軸より偏心させて設けることにより、弁開度を実用領域で使用する際に処理空間の雰囲気を載置台の周囲に均等に分散させて排気することができ、従って、被処理体に対する処理の面内均一性を高く維持することができる。
図1は本発明に係る処理装置の一例を示す構成図、図2は圧力制御弁の弁開度の変化を説明する説明図、図3は開口領域によって形成される平面の重心の移動軌跡の一例を示す平面図、図4は本発明の処理装置における排気ガスの流れを示す模式図、図5は圧力制御弁の弁開度と処理容器内の圧力及び排気コンダクタとの関係の一例を示すグラフである。ここでは処理装置としてプラズマ処理装置を例にとって説明する。
また、この処理容器42の側壁には、この内部に対してウエハWを搬入・搬出する時に開閉するゲートバルブ48が設けられている。また、容器底部49には、容器内の雰囲気を排出する排気口50が設けられる。
図2中において”×”印は弁口98の中心軸98Aの位置を示し、”・”印は開口領域Mによって形成される平面の重心Gの位置を示している。そして、処理空間Sの雰囲気を載置台44の周辺部からより均等に排気するためには、上記開口領域Mによって形成される平面の重心の移動軌跡上に、上記載置台44の中心軸44Aを位置させるのがよい。
図3はこの時の上記重心Gの変化状態を示しており、図中、G(5)は弁開度が5%の時の重心を示し、G(10)は弁開度が10%の時の重心を示し、G(20)は弁開度が20%の時の重心を示し、G(40)は弁開度が40%の時の重心を示す。
そして、このプラズマ処理装置40の全体の動作は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段112により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムはフロッピやCD(Compact Disc)やHDD(Hard Disk Drive)やフラッシュメモリ等の記憶媒体114に記憶されている。具体的には、この制御手段112からの指令により、各処理ガスの供給や流量制御、マイクロ波や高周波の供給や電力制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。
まず、ゲートバルブ48を介して半導体ウエハWを搬送アーム(図示せず)により処理容器42内に収容し、図示しない昇降ピンを上下動させることによりウエハWを載置台44の上面の載置面に載置し、そして、このウエハWを静電チャック80により静電吸着する。
従って、図5(A)に示すような特性より、この圧力制御の弁開度の実用領域は5〜40%程度の範囲内であり、好ましくは10〜20%程度の範囲内である。尚、この場合、圧力制御弁の製造会社の弁開度使用推奨領域は5〜40%である。
次に、スライド式の圧力制御弁の変形例について説明する。
図6は圧力制御弁の変形例を示す断面図、図7は図6に示す圧力制御弁の弁開度の変化を説明する説明図、図8は弁開度5〜40%の範囲内で開口領域によって形成される平面の重心の移動軌跡を示す平面図である。尚、図1及び図2に示す構成部分と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
また容器底部49に形成した排気口50に関しては、圧力制御弁88の弁口98を、処理容器42内より完全に臨むことができる状態であるならば、その排気口50の大きさ及び位置は特に問わない。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
42 処理容器
44 載置台
44A 中心軸
46 支持アーム
49 底部
50 排気口
56 プラズマ形成手段
58 平面アンテナ部材
74 ガス供給手段
88 圧力制御弁
90 排気系
92 真空ポンプ
94 ケーシング
96 弁体
98 弁口
98A 弁口の中心軸
100 弁体収容空間
104 アクチュエータ
106 弁制御部
108 圧力検出器
110 排気管
G 開口領域の重心
M 開口領域
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (9)
- 底部に排気口を有して真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記排気口に連結されると共にスライド式の弁体により弁口の開口領域の面積を変えることができる圧力制御弁と、
前記圧力制御弁に接続された排気系と、
を備えて前記被処理体に対して所定のプロセス圧力下にて所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、
前記圧力制御弁の弁開度の実用領域によって形成される前記開口領域内に前記載置台の中心軸が位置するように前記圧力制御弁を偏心させて設けるように構成したことを特徴とする処理装置。 - 前記排気口は、前記載置台の中心軸に対して偏心させて設けられることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記弁開度の実用領域は5〜40%の範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記載置台の中心軸が前記開口領域によって形成される平面の重心の移動軌跡上に位置するようになっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の処理装置。
- 前記排気系はターボ分子ポンプを有しており、前記ターボ分子ポンプは前記圧力制御弁に連結されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の処理装置。
- 前記弁体は直線状にスライド移動することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の処理装置。
- 前記弁体は曲線状に揺動可能にスライド移動することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の処理装置。
- 前記載置台は、前記処理容器の側壁より支持アームにより支持されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の処理装置。
- 前記載置台は、前記処理容器の底部より支持脚により支持されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の処理装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006059078A JP5050369B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 処理装置 |
US12/161,591 US8173928B2 (en) | 2006-03-06 | 2007-03-05 | Processing device |
CN2007800004566A CN101322224B (zh) | 2006-03-06 | 2007-03-05 | 处理装置 |
PCT/JP2007/054189 WO2007102464A1 (ja) | 2006-03-06 | 2007-03-05 | 処理装置 |
KR1020087021314A KR101015683B1 (ko) | 2006-03-06 | 2007-03-05 | 처리장치 |
TW96107651A TW200805491A (en) | 2006-03-06 | 2007-03-06 | Processing system |
US13/453,621 US8785809B2 (en) | 2006-03-06 | 2012-04-23 | Processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006059078A JP5050369B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242668A true JP2007242668A (ja) | 2007-09-20 |
JP5050369B2 JP5050369B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=38474892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006059078A Expired - Fee Related JP5050369B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8173928B2 (ja) |
JP (1) | JP5050369B2 (ja) |
KR (1) | KR101015683B1 (ja) |
CN (1) | CN101322224B (ja) |
TW (1) | TW200805491A (ja) |
WO (1) | WO2007102464A1 (ja) |
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- 2007-03-05 US US12/161,591 patent/US8173928B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-05 KR KR1020087021314A patent/KR101015683B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-05 WO PCT/JP2007/054189 patent/WO2007102464A1/ja active Application Filing
- 2007-03-05 CN CN2007800004566A patent/CN101322224B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-06 TW TW96107651A patent/TW200805491A/zh not_active IP Right Cessation
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WO2007102464A1 (ja) | 2007-09-13 |
JP5050369B2 (ja) | 2012-10-17 |
US20120204983A1 (en) | 2012-08-16 |
CN101322224A (zh) | 2008-12-10 |
US8173928B2 (en) | 2012-05-08 |
TWI357107B (ja) | 2012-01-21 |
TW200805491A (en) | 2008-01-16 |
US8785809B2 (en) | 2014-07-22 |
KR20080094808A (ko) | 2008-10-24 |
KR101015683B1 (ko) | 2011-02-22 |
US20090008369A1 (en) | 2009-01-08 |
CN101322224B (zh) | 2013-03-06 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |