JP2014156658A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマCVD装置10において、対向する真空チャンバ11の側壁11aを貫通する貫通孔12cを内部に有し、上面に平面を有する矩形断面状であると共に、真空チャンバ11の中心を通って横断する支持梁12を真空チャンバ11と一体に形成し、支持梁12の上面の中央部に、基板支持台13を取り付ける上面開口部12aを設け、真空側と大気側とをシールする第1シール部材を介して、上面開口部12aに円筒状の基板支持台13を取り付けた。
【選択図】図1
Description
円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた圧力制御弁と前記圧力制御弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内の円筒状の基板支持台上に載置した基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
対向する前記真空容器の側壁を貫通する貫通孔を内部に有し、上面に平面を有する矩形断面状であると共に、前記真空容器の中心を通って横断する支持梁を前記真空容器と一体に形成し、
前記支持梁の上面の中央部に、前記基板支持台を取り付ける開口部を設け、
真空側と大気側とをシールする第1シール部材を介して、前記開口部に前記基板支持台を取り付けたことを特徴とする。
円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内の円筒状の基板支持台上に載置した基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
対向する前記真空容器の側壁を貫通する貫通孔を内部に有し、上面に平面を有する矩形断面状であると共に、前記真空容器の中心を通って横断する支持梁を前記真空容器と一体に形成し、
前記支持梁の上面の中央部に、前記基板支持台を取り付ける開口部を設け、
真空側と大気側とをシールする第1シール部材を介して、前記開口部に前記基板支持台を取り付け、
前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、前記支持梁の横断方向又は横断方向に垂直な方向に偏心して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けたことを特徴とする。
上記第1、第2の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記基板支持台は、
前記支持梁の開口部の周囲に、前記第1シール部材を介して、下端側が取り付けられた円筒状の内筒と、
前記内筒の外周側に配置されると共に、前記内筒の上端側に、溶接するか又は第2シール部材を介して、上端側が取り付けられたベローズと、
前記ベローズの外周側に配置されると共に、前記ベローズの下端側に、溶接するか又は第3シール部材を介して、下端側が取り付けられた円筒状の外筒と、
前記外筒の上端側の開口部を閉塞するように、第4シール部材を介して取り付けられ、前記基板を載置する円盤状の載置台と、
前記外筒全面を覆うように、前記外筒と密接して設けられ、腐食耐性がある材料からなる円筒状の覆設部材と、
前記開口部及び前記内筒の内部を通って、前記載置台の裏面に取り付けられた駆動部材と、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記駆動部材を駆動することにより、前記載置台上に載置された基板の位置を変更する駆動機構とを有することを特徴とする。
上記第1〜第3の発明のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記真空容器内にガスを供給し、
前記圧力制御弁及び前記真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御し、
前記ガスのプラズマを生成し、
前記基板支持台上に載置した基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする。
本実施例のプラズマCVD装置について、図1〜図2を参照して説明する。ここで、図1(a)は、本実施例のプラズマCVD装置の断面図であり、図1(b)は、図1(a)とは直交する位置におけるプラズマCVD装置の断面図である。又、図2(a)は、図1に示したプラズマCVD装置の下部チャンバの斜視図であり、図2(b)は、図1に示したプラズマCVD装置の下部チャンバ、上部チャンバ及び基板支持台部分の斜視図である。なお、図1、図2において、真空容器内に所望のガスを供給するガス供給機構、真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構、真空容器内の圧力を制御する真空機構等の図示は省略している。
本実施例は、実施例1の構造を前提とし、基板支持台として、基板の位置を上下動可能なものを用いたものである。そこで、上下動可能な構造の基板支持台の断面図を図3に示し、図3を参照して、本実施例を説明する。
本実施例は、実施例1の構造を前提とするものであるが、真空容器の下部に設けた振り子式ゲート弁の位置に特徴があるものである。従って、振り子式ゲート弁を含めたプラズマ処理装置の断面図を図4に示すと共に、図4のA−A線矢視断面図を図5に示し、図4、図5を参照して、本実施例を説明する。なお、図4において、プラズマ発生機構、ガス供給機構等の図示は省略している。
11 下部チャンバ
12 支持梁
12a 上面開口部
12c 貫通孔
13、20 基板支持台
13a 支持筒
13b 載置台
15 基板
16 上部チャンバ
17 天井板
31、31’ 接続部材
32 振り子式ゲート弁
34 TMP
Claims (4)
- 円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた圧力制御弁と前記圧力制御弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内の円筒状の基板支持台上に載置した基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
対向する前記真空容器の側壁を貫通する貫通孔を内部に有し、上面に平面を有する矩形断面状であると共に、前記真空容器の中心を通って横断する支持梁を前記真空容器と一体に形成し、
前記支持梁の上面の中央部に、前記基板支持台を取り付ける開口部を設け、
真空側と大気側とをシールする第1シール部材を介して、前記開口部に前記基板支持台を取り付けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 円筒状の真空容器内に所望のガスを供給すると共に、前記真空容器の下部に取り付けた振り子式ゲート弁と前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御して、前記真空容器内の円筒状の基板支持台上に載置した基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
対向する前記真空容器の側壁を貫通する貫通孔を内部に有し、上面に平面を有する矩形断面状であると共に、前記真空容器の中心を通って横断する支持梁を前記真空容器と一体に形成し、
前記支持梁の上面の中央部に、前記基板支持台を取り付ける開口部を設け、
真空側と大気側とをシールする第1シール部材を介して、前記開口部に前記基板支持台を取り付け、
前記真空容器の軸中心に、前記振り子式ゲート弁の開口率の使用推奨値の中心値における開口領域の面積中心が一致するように、前記支持梁の横断方向又は横断方向に垂直な方向に偏心して、前記振り子式ゲート弁を前記真空容器に取り付けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記基板支持台は、
前記支持梁の開口部の周囲に、前記第1シール部材を介して、下端側が取り付けられた円筒状の内筒と、
前記内筒の外周側に配置されると共に、前記内筒の上端側に、溶接するか又は第2シール部材を介して、上端側が取り付けられたベローズと、
前記ベローズの外周側に配置されると共に、前記ベローズの下端側に、溶接するか又は第3シール部材を介して、下端側が取り付けられた円筒状の外筒と、
前記外筒の上端側の開口部を閉塞するように、第4シール部材を介して取り付けられ、前記基板を載置する円盤状の載置台と、
前記外筒全面を覆うように、前記外筒と密接して設けられ、腐食耐性がある材料からなる円筒状の覆設部材と、
前記開口部及び前記内筒の内部を通って、前記載置台の裏面に取り付けられた駆動部材と、
前記貫通孔の内部に設けられ、前記駆動部材を駆動することにより、前記載置台上に載置された基板の位置を変更する駆動機構とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記真空容器内にガスを供給し、
前記圧力制御弁及び前記真空ポンプを用いて、前記真空容器内の圧力を制御し、
前記ガスのプラズマを生成し、
前記基板支持台上に載置した基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。
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JP2002016044A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理装置及び方法 |
JP2002208584A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の処理装置 |
JP2003519932A (ja) * | 2000-01-12 | 2003-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP2007242668A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
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