JPH0874041A - 真空成膜装置及び方法並びに該装置における圧力センサの交換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大気開放型スパッタ装置において、真空チャ
ンバー１の大気開放を繰り返す度に、イオンゲージ６の
内部電極が酸化されて測定誤差が大きくなるのを防止し
て、それに起因する被処理物７にヒロック等が発生する
のを防止する。 【構成】 本発明の真空成膜装置は、真空チャンバー１
と、その真空チャンバー１のゲージポート１ｃに接続さ
れ、該真空チャンバー１内の真空圧力を測定するイオン
ゲージ６と、前記ゲージポート１ｃに設けられ、前記真
空チャンバー１とイオンゲージ６との間の連通を制御す
るゲートバルブ１２とを備える。ゲートバルブ１２とイ
オンゲージ６との間に、イオンゲージ粗引き用の粗引き
ライン１４ａとイオンゲージ６の真空破壊用のベントラ
イン１３ａとが設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はスパッタ装置、真空蒸
着装置、イオンプレーティング装置等の真空成膜装置及
び真空成膜装置を用いた真空成膜方法並びに真空成膜装
置における圧力センサの交換方法の改良に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】図２は従来の真空成膜装置の一例として
大気開放型のスパッタ装置の主要部分の構成を示してい
る。この図において、１は真空チャンバーで、その開放
上端にはガスケト１ｂを介してトッププレート１ａが開
閉可能に被着され、またその側壁にはゲージポート１ｃ
が一体的に形成されている。２はアルミニウムよりなる
ターゲットアセンブリーで、トッププレート１ａの内面
に取り付けられており、直流電源２ａにより給電され
る。３は真空チャンバー１へ供給するアルゴンガス等の
気体の圧力を調整する圧力調整バルブ、４は真空チャン
バー１内を第１の所定真空度まで粗引きするための油回
転ポンプで、この油回転ポンプ４は粗引きバルブ４ａを
備えた粗引きライン４ｃを介して真空チャンバー１に連
通されている。５は真空チャンバー１を高真空に保つク
ライオポンプで、フォアラインバルブ５ａを介して油回
転ポンプ４に連通している。６はゲージポート１ｃに接
続されて真空チャンバー１内の真空圧力を測定する圧力
センサとしてのイオンゲージ、７はアルミニウム蒸着等
の蒸着処理が施される被処理物としての半導体ウエハ、
８は真空チャンバー１内で半導体ウエハ７を載置するア
ノードテーブル、９は真空チャンバー１からクライオポ
ンプ５へ排気される排気ガスの排気量を制御するスロッ
トルバルブ、１０はクライオポンプ５をスロットルバル
ブ９を介して真空チャンバー１へ接続するゲートバル
ブ、及び１１は真空チャンバー１内へ窒素ガス等の気体
を導入してその内部の真空を破壊するベントライン１１
ａに設けられたベントバルブである。また、４ｂは粗引
きバルブ４ａと油回転ポンプ４との間において粗引きラ
イン４ｃに接続された油回転ポンプ４のリークバルブで
ある。

【０００３】次に、上述の従来装置の動作について説明
する。従来の大気開放型スパッタ装置は上述のように構
成され、油回転ポンプ４を作動させると共に粗引きバル
ブ４ａを閉じてフォアラインバルブ５ａを開いてからク
ライオポンプ５を作動させて、該クライオポンプ５内を
１０^-7〜１０^-8Torrの高真空状態に保つ。この後、トッ
ププレート１ａを上昇させて真空チャンバー１の上部を
開放してから半導体ウエハ７を真空チャンバー１内のア
ノードテーブル８上にセットした後、トッププレート１
ａを真空チャンバー１の側壁上縁部に設けたガスケット
１ｂに当接するまで下降させて、真空チャンバー１を密
閉状態にする。

【０００４】続いて、粗引きバルブ４ａを開いて油回転
ポンプ４を作動させて真空チャンバー１内を１０ー3Torr
台の真空度まで排気後、粗引きバルブ４ａを閉じてゲー
トバルブ１０を開くと、真空チャンバー１のゲージポー
ト１ｃに取り付けられているイオンゲージ６が自動点灯
し、真空チャンバー１内はクライオポンプ５により１０
^-7〜１０^-8Torr程度の高真空状態まで本引きされる。

【０００５】この後、スパッタモードにするとイオンゲ
ージ６がオフとなり、圧力調整バルブ３が開放されて、
スロットルバルブ９によりクライオポンプ５への排気速
度が調整されながら、アルゴンガスが真空チャンバー１
へ導入され、真空チャンバー１内は１〜３０ｍTorrの低
真空状態に保たれる。しかる後、直流電源２ａからター
ゲットアセンブリー２に直流電力を１〜３ＫＷ印加する
と、アルミニュームのターゲットアセンブリー２からア
ルミニューム粒子が放出され、半導体ウエハ７に被着し
た後成膜が完了する。スパッタリングが完了すると、直
流電源２ａがオフにされ、圧力調整バルブ３が閉鎖さ
れ、スロットルバルブ９が全開とされた後にイオンゲー
ジ６が点灯する。ターゲットアセンブリー２が冷却され
た後、大気開放モードに切り替えると、イオンゲージ６
がオフとなり、ゲートバルブ１０が閉じてからベントバ
ルブ１１が開いて窒素ガスが真空チャンバー１に導入さ
れその内部は大気圧に復帰する。その後、トッププレー
ト１ａを上昇させて半導体ウエハ７を取り出し、以後上
記作動サイクルを繰り返す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の大気開放型のス
パッタ装置は以上のように構成されており、油回転ポン
プ４による粗引き後にクライオポンプ５による本引きに
切り替わった後、イオンゲージが点灯して所定の蒸着処
理が実施される。その後、大気開放スイッチ（図示せ
ず）が押されたとき、イオンゲージ６はオフとなり、ベ
ントライン１１ａから窒素ガスが真空チャンバー１に導
入され、該真空チャンバー１内はイオンゲージ６がまだ
熱いうちに大気圧となる。この繰り返しにより、イオン
ゲージ６のフィラメント電極及びイオンコレクター電極
の酸化が起こる。特に、イオンコレクタ電極が酸化され
ると、イオン電流が減少して、見かけ上真空度が低くな
ったものと判断されるので、イオンゲージ６が点灯する
まで減圧してから成膜処理を行うと、実際には規定より
も高い真空圧力での成膜処理となる。このため、アルミ
ニウム蒸着等の場合に、ヒロックや白濁が発生するとい
う問題点があった。

【０００７】また、ロードロックタイプのスパッタ装置
の場合、真空チャンバー１はロードロックを介して常に
超高真空に保たれているが、真空チャンバー１内に設置
されるイオンゲージ６の劣化やフィラメント切れによる
交換のためには、その都度真空チャンバー１内を大気圧
にする必要がある。超高真空スパッタ装置は一度真空チ
ャンバー１内を大気圧に戻すと、真空チャンバー１の内
壁面に水分やガスの吸蔵、吸着が起こるので、イオンゲ
ージ交換後に吸着ガスや水分等を脱ガスしたり、真空チ
ャンバー１内を大気圧から所定の真空度まで減圧させる
のに多大な立上げ時間が掛かるという問題点があった。

【０００８】この発明は上述したような問題点を解消す
るために為されたもので、圧力センサ等の圧力センサの
内部電極の酸化を防止することができ、また圧力センサ
の劣化やフィラメント切れによる交換時に真空チャンバ
ー内での水分やその他のガスの吸蔵、吸着を防止して真
空チャンバー内の真空圧力を誤差なく測定することがで
き、さらに、圧力センサの交換の度に発生する多大な立
上時間のロスを解消して稼動効率を改善しうる真空成膜
装置及び方法並びに該装置における圧力センサの交換方
法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る真
空成膜装置は、真空チャンバーと、その真空チャンバー
のゲージポートに接続され、該真空チャンバー内の真空
圧力を測定する圧力センサと、前記ゲージポートに設け
られ、前記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連
通を制御するゲートバルブとを備える。

【００１０】請求項２の発明に係る真空成膜装置は、粗
引き用バルブを有し、前記圧力センサ内を粗引きするた
めの粗引きラインと、ベントバルブを有し、外部より前
記圧力センサ内に気体を注入して該圧力センサ内の真空
を破壊するためのベントラインとを更に備える。

【００１１】請求項３の発明に係る真空成膜装置は、前
記ゲートバルブの全開時の有効通路面積が前記ゲージポ
ートの有効通路面積と略等しく構成される。

【００１２】請求項４の発明に係る真空成膜方法は、真
空チャンバーと圧力センサとの間の連通を遮断する工程
と、前記真空チャンバーを大気に開放して、被処理物を
該真空チャンバー内に設置する工程と、前記真空チャン
バー内を第１の所定の真空度まで粗引きする工程と、前
記圧力センサと前記真空チャンバーとを連通させて、該
圧力センサを作動させる工程と、前記真空チャンバー内
を第２の所定の真空度まで本引きする工程と、前記真空
チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮断して、
該圧力センサを不作動にする工程と、前記真空チャンバ
ー内の前記被処理物に所定の蒸着処理を施す工程と、前
記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮断
した後、前記真空チャンバーを大気に開放して、前記被
処理物を該真空チャンバーから取り出す工程とから構成
される。

【００１３】請求項５の発明に係る真空成膜装置におけ
る圧力センサの交換方法は、圧力センサが故障した際
に、真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮
断する工程と、前記故障した圧力センサ内を大気圧にし
てから前記真空チャンバーから切り離す工程と、新しい
圧力センサを前記真空チャンバーに接続する工程と、前
記新しい圧力センサ内を所定の真空度まで真空引きする
工程と、前記新しい圧力センサと前記真空チャンバーと
を連通させる工程とから構成される。

【００１４】

【作用】請求項１の発明における装置では、被処理物を
真空チャンバーへ出し入れする際に、ゲートバルブを閉
じて圧力センサ内部を真空チャンバー内部から遮断する
ことにより、圧力センサ内部を常に大気に晒すことな
く、高真空状態に保持することがでる。また、圧力セン
サの劣化やフィラメント切れの際にも、ゲートバルブを
閉じて真空チャンバー内部を圧力センサ内部から遮断す
ることにより、真空チャンバー内部が大気圧に戻ること
なく高真空状態のままに保持される。

【００１５】請求項２における真空成膜装置では、圧力
センサの交換時に、ゲートバルブを閉じて圧力センサ内
部を真空チャンバー内部から遮断した後、ベントバルブ
を開放してベントラインから圧力センサ内へ気体を導入
することにより圧力センサの交換作業を速やかに行うこ
とができる。また交換後には、ベントバルブを閉じると
共に粗引き用バルブを開放して粗引きラインより圧力セ
ンサ内を粗引きすることにより、圧力センサ内部を速や
かに高真空状態に戻すことができる。

【００１６】請求項３における真空成膜装置では、ゲー
トバルブを開放して真空チャンバー内部をゲージポート
を介して圧力センサ内部に連通させた際に、ゲートバル
ブがオリフィスとして作用してゲージポートを流れる気
体に流通抵抗を生じるようなことはなく、従って、真空
チャンバーと圧力センサとの間に大きな差圧が生じるこ
とはないので、圧力センサにより真空チャンバー内の真
空度を正確に検出することができる。

【００１７】請求項４における真空成膜方法では、被処
理物を真空チャンバーへ出し入れする際に、圧力センサ
内部を真空チャンバー内部から遮断することにより、圧
力センサ内部を常に大気に晒すことなく、高真空状態に
保持することができ、圧力センサ内部の電極の酸化を有
効に防止することができる。また、圧力センサの劣化や
フィラメント切れの際にも、真空チャンバー内部を圧力
センサ内部から遮断することにより、真空チャンバー内
部は大気圧に戻ることなく高真空状態のままに保たれ
る。

【００１８】請求項５における真空成膜装置における圧
力センサの交換方法では、圧力センサの交換時に、圧力
センサ内部を真空チャンバー内部から遮断した後、圧力
センサ内へ気体を導入して大気圧にすることにより圧力
センサの交換作業を速やかに行うことができ、また交換
後には圧力センサ内を所定の真空度まで真空引きするこ
とにより、圧力センサ内部を速やかに高真空状態に戻す
ことができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例につき添付図面を参照
して説明する。図１は本発明による真空成膜装置の一実
施例を示すスパッタ装置の概略図である。この図におい
て、前述の図２の従来例と同一の部分には同一の符号が
付されており、符号１〜１１は図２の従来例と同一の構
成要素を示している。符号１２は真空チャンバー１内と
圧力センサとしてのイオンゲージ６内の連通状態を制御
する小型のゲートバルブで、このゲートバルブ１２を閉
じることによりイオンゲージ６内部と真空チャンバー１
内部との連通を完全に断って両者を流体的に完全に分離
することができる。１３はゲートバルブ１２の閉成によ
り真空チャンバー１から完全に分離されたイオンゲージ
６内の真空を破壊するためのベントライン１３ａに設け
られたイオンゲージ用のベントバルブ１３で、このベン
トバルブ１３を開放することにより窒素ガス等の不活性
気体をイオンゲージ６に導入して、その内部を大気圧に
することができる。１４はイオンゲージ６を油回転ポン
プ４に連通させる粗引きライン１４ａに設けられたイオ
ンゲージ用の粗引きバルブ１４で、この粗引きバルブ１
４を開放して油回転ポンプ４を作動させることによりイ
オンゲージ６内を１０^-3Torr程度の真空度まで粗引きす
ることができる。

【００２０】ゲートバルブ１２は、その全開時の有効通
路面積が真空チャンバー１のゲージポート１ｃの有効通
路面積（内径）と略等しくなるように形成されている。
この理由は、ゲートバルブ１２の全開時の有効通路面積
がゲージポート１ｃの有効通路面積よりも狭い場合に
は、ゲートバルブ１２がゲージポート１ｃ内でオリフィ
スとして働くので、真空チャンバー１とイオンゲージ６
との間の気体の円滑な流通を妨げることになり、その結
果、真空チャンバー１内の圧力とイオンゲージ６内の圧
力が等しくならず、イオンゲージ６の検出圧力が真空チ
ャンバー１内の圧力を正確に表さなくなるからである。
すなわち、イオンゲージ６の内壁面等から発生した放出
ガスをゲージポート１ｃを介して真空チャンバー１内へ
充分に排気し難くなり、イオンゲージ６内の残留ガス成
分の圧力が真空チャンバー１内の圧力に付加されてしま
うからである。そこで本発明のように、ゲートバルブ１
２の全開時の有効通路面積をゲージポート１ｃの有効通
路面積と等しくなるように形成することにより、上記不
具合を解消して、イオンゲージ６の検出値が真空チャン
バー１内の圧力を正確に反映するようにさせることがで
きる。

【００２１】次に上記実施例の動作を説明する。油回転
ポンプ４を作動させると共に粗引きバルブ４ａを閉じ、
フォアラインバルブ５ａを開放してゲートバルブ１０を
閉じてからクライオポンプ５を作動させて、該クライオ
ポンプ５内を１０^-7〜１０^-8Torrの高真空状態に保持す
る。この後、油回転ポンプ４を停止させてからトッププ
レート１ａを上昇させて真空チャンバー１の上部を開放
してから被処理物としての半導体ウエハ７を真空チャン
バー１内のアノードテーブル８上にセットした後、トッ
ププレート１ａを真空チャンバー１の側壁上縁部に設け
たガスケット１ｂに当接するまで下降させて、真空チャ
ンバー１を密閉状態にする。

【００２２】次いで、粗引きバルブ４ａを開いて油回転
ポンプ４を作動させ、さらに立上時のみイオンゲージ用
の粗引きバルブ１４も開いて、真空チャンバー１内を１
０^-3Torr台の真空度まで排気後、粗引きバルブ４ａ、１
４を閉じてゲートバルブ１０を開くと、それに連動して
いるイオンゲージ用のゲートバルブ１２も開放され、真
空チャンバー１のゲージポート１ｃに取り付けられてい
るイオンゲージ６が自動点灯し、真空チャンバー１内は
クライオポンプ５により１０^-7〜１０^-8Torr程度の高真
空状態まで本引きされる。

【００２３】この後、スパッタモードにするとイオンゲ
ージ６がオフとなり、圧力調整バルブ３が開放されて、
スロットルバルブ９によりクライオポンプ５への排気速
度が調整されながら、アルゴンガスが供給ライン３ａか
ら真空チャンバー１へ導入され、真空チャンバー１内は
１〜３０ｍTorrの低真空状態に保たれる。しかる後、直
流電源２ａからターゲットアセンブリー２に直流電力を
１〜３ＫＷ印加すると、アルミニュームのターゲットア
センブリー２からアルミニューム粒子が放出されて半導
体ウエハ７に被着する。このアルミニューム蒸着中もイ
オンゲージ６内部は真空チャンバー１内部と隔離されて
いるため、イオンゲージ６内部の電極等にアルミニュー
ム粒子が飛着するようなことがなく、これに起因するイ
オンゲージ６の性能低下を防止することができる。

【００２４】半導体ウエハ７の表面に所定厚さのアルミ
ニューム膜が形成されてスパッタリングが完了すると、
直流電源２ａがオフされ、圧力調整バルブ３が閉鎖さ
れ、スロットルバルブ９が全開とされた後にイオンゲー
ジ６が点灯する。ターゲットアセンブリー２が所定温度
まで冷却された後、大気開放モードに切り替えると、イ
オンゲージ６がオフとなり、クライオポンプ用のゲート
バルブ１０及びイオンゲージ用のゲートバルブ１２が閉
じられてイオンゲージ６内部は高真空状態を保ったま
ま、ベントバルブ１１が開放されて窒素ガスがベントラ
イン１１ａから真空チャンバー１に導入されその内部は
大気圧に復帰する。その後、トッププレート１ａを上昇
させて半導体ウエハ７を取り出す。

【００２５】次いで、新しい半導体ウエハ７をアノード
テーブル８上にセットし、トッププレート１ａを下降さ
せて真空チャンバー１を密閉した後、イオンゲージ用の
粗引きバルブ１４を閉じたまま、油回転ポンプ４を作動
させると共に粗引きバルブ４ａを開いて真空チャンバー
１内を１０^-3Torr台まで排気し、粗引きバルブ４ａを閉
じてゲートバルブ１０を開くと、このゲートバルブ１０
に連動しているイオンゲージ用のゲートバルブ１２も開
いて、イオンゲージ６が点灯する。以後上記作動サイク
ルを繰り返す。

【００２６】このようにして、半導体ウエハ７を真空チ
ャンバー１内へ出し入れする際に、ゲートバルブ１２の
閉鎖によりイオンゲージ６の内部は真空チャンバー１の
内部から遮断されるので、イオンゲージ６内は常に大気
に晒されることなく、高真空状態に保持される。

【００２７】ロードロック型のスパッタ装置におけるイ
オンゲージ６の交換について説明する。イオンゲージ６
の性能劣化やフィラメント切れによりその交換が必要と
なった場合には、イオンゲージ用のゲートバルブ１２を
手動で閉じて真空チャンバー１内を高真空状態に保った
ままイオンゲージ用のベントバルブ１３を開いて、イオ
ンゲージ６内を大気圧に復帰させてからイオンゲージ６
を新品と交換する。この後、イオンゲージ用のベントバ
ルブ１３を閉じると共にイオンゲージ用の粗引きバルブ
１４を開いて油回転ポンプ４を作動させて、イオンゲー
ジ６内を１０^-3Torr台の真空度まで排気後、粗引きバル
ブ１４を閉じてゲートバルブ１２を開くとイオンゲージ
６が点灯される。このようにして、真空チャンバー１内
を大気に開放することなく簡単にイオンゲージ６を交換
することができる。

【００２８】以上の実施例では、スパッタ装置について
説明したが、本発明はこれに限らず、真空蒸着装置、イ
オンプレーティング装置や他の真空成膜装置にも適用で
きることは勿論、イオンゲージに限らず、他のシュルツ
ゲージ等の他の圧力センサにも応用可能である。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、真空チャンバーと、その真空チャンバーのゲージポ
ートに接続され、該真空チャンバー内の真空圧力を測定
する圧力センサと、前記ゲージポートに設けられ、前記
真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を制御す
るゲートバルブとを備えるので、半導体ウエハ等の被処
理物を真空チャンバーへ出し入れする際に、ゲートバル
ブを閉じて圧力センサ内部を真空チャンバー内部から遮
断することにより、圧力センサ内部を常に大気に晒すこ
となく、高真空状態に保持することができるため、圧力
センサ内部の電極の酸化を有効に防止することができ、
従って、圧力センサ内部の電極の酸化に起因する測定値
の誤差を回避することができる。さらに、被処理物の真
空チャンバー内への出し入れ時に、圧力センサ内部が大
気に晒されてその内壁面に大気中に含まれる水分等の不
純ガスが吸着、吸蔵されることがないので、ヒロック等
の異常事態の発生を回避することができる。また、圧力
センサの劣化やフィラメント切れの際にも、ゲートバル
ブを閉じて真空チャンバー内部を圧力センサ内部から遮
断することにより、真空チャンバー内部が大気圧に戻る
ことなく高真空状態のままに保たれるので、圧力センサ
交換後に真空チャンバー内部を脱ガスしたり、再び高真
空になるまで減圧する必要が無いので、装置の立上げ時
間ロスを大幅に減少させて、装置の稼働率を大幅に改善
することができる等の効果がある。

【００３０】請求項２による真空成膜装置によれば、粗
引き用バルブを有し、前記圧力センサ内を粗引きするた
めの粗引きラインと、ベントバルブを有し、外部より前
記圧力センサ内に気体を注入して該圧力センサ内の真空
を破壊するためのベントラインとを更に備えるので、圧
力センサの交換時に、ゲートバルブを閉じて圧力センサ
内部を真空チャンバー内部から遮断した後、ベントバル
ブを開放してベントラインから圧力センサ内へ気体を導
入することにより圧力センサの交換作業を速やかに行う
ことができ、また交換後にはベントバルブを閉じると共
に粗引き用バルブを開放して粗引きラインより圧力セン
サ内を粗引きすることにより、圧力センサ内部を速やか
に高真空状態に戻すことができ、従って、圧力センサの
交換作業及びその後の装置の立ち上げを迅速に行うこと
ができる。

【００３１】請求項３による真空成膜装置によれば、前
記ゲートバルブの全開時の有効通路面積を前記ゲージポ
ートの有効通路面積と略等しく構成したので、ゲートバ
ルブを開放して真空チャンバー内部をゲージポートを介
して圧力センサ内部に連通させた際に、ゲートバルブが
オリフィスとして作用してゲージポートを流れる気体に
流通抵抗を生じることはなく、従って、真空チャンバー
と圧力センサとの間に大きな差圧が生じることはなく、
圧力センサにより真空チャンバー内の真空度を正確に検
出することができる。

【００３２】請求項４による真空成膜方法によれば、真
空チャンバーと圧力センサとの間の連通を遮断する工程
と、前記真空チャンバーを大気に開放して、被処理物を
該真空チャンバー内に設置する工程と、前記真空チャン
バー内を第１の所定の真空度まで粗引きする工程と、前
記圧力センサと前記真空チャンバーとを連通させて、該
圧力センサを作動させる工程と、前記真空チャンバー内
を第２の所定の真空度まで本引きする工程と、前記真空
チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮断して、
該圧力センサを不作動にする工程と、前記真空チャンバ
ー内の前記被処理物に所定の蒸着処理を施す工程と、前
記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮断
した後、前記真空チャンバーを大気に開放して、前記被
処理物を該真空チャンバーから取り出す工程とを備える
ので、被処理物を真空チャンバーへ出し入れする際に、
圧力センサ内部を真空チャンバー内部から遮断すること
により、圧力センサ内部を常に大気に晒すことなく、高
真空状態に保持することができるため、圧力センサ内部
の電極の酸化を有効に防止することができ、従って、圧
力センサ内部の電極の酸化に起因する測定値の誤差を回
避することができる。さらに、被処理物の真空チャンバ
ー内への出し入れ時に、圧力センサ内部が大気に晒され
てその内壁面に大気中に含まれるガスや水分等が吸着、
吸蔵されることがないので、ヒロック等の異常事態の発
生を回避することができる。また、圧力センサの劣化や
フィラメント切れの際にも、真空チャンバー内部を圧力
センサ内部から遮断することにより、真空チャンバー内
部が大気圧に戻ることなく高真空状態のままに保たれる
ので、圧力センサ交換後に真空チャンバー内部を脱ガス
したり、再び高真空になるまで減圧する必要が無いの
で、装置の立上げ時間ロスを大幅に減少させて、装置の
稼働率を大幅に改善することができる。

【００３３】請求項５による真空成膜装置における圧力
センサの交換方法によれば、圧力センサが故障した際
に、真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮
断する工程と、前記故障した圧力センサ内を大気圧にし
てから前記真空チャンバーから切り離す工程と、新しい
圧力センサを前記真空チャンバーに接続する工程と、前
記新しい圧力センサ内を所定の真空度まで真空引きする
工程と、前記新しい圧力センサと前記真空チャンバーと
を連通させる工程とを備えるので、圧力センサの交換時
に、圧力センサ内部を真空チャンバー内部から遮断した
後、圧力センサ内へ気体を導入することにより圧力セン
サの交換作業を速やかに行うことができ、また交換後に
は圧力センサ内を所定の真空度まで真空引きすることに
より、圧力センサ内部を速やかに高真空状態に戻すこと
ができ、従って、圧力センサの交換作業及びその後の装
置の立ち上げを迅速に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例による大気開放型スパッ
タ装置の側面断面図である。

【図２】 従来の大気開放型スパッタ装置の側面断面図
である。

【符号の説明】

１ 真空チャンバー、１ｃ ゲージポート、６ 圧力セ
ンサとしてのイオンゲージ、７ 被処理物、１２ ゲー
トバルブ、１３ ベントバルブ、１３ａ ベントライ
ン、１４ 粗引きバルブ、１４ａ 粗引きライン。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チャンバーと、その真空チャンバー
   のゲージポートに接続され、該真空チャンバー内の真空
   圧力を測定する圧力センサと、前記ゲージポートに設け
   られ、前記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連
   通を制御するゲートバルブとを備える真空成膜装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の真空成膜装置において、
   粗引き用バルブを有し、前記圧力センサ内を粗引きする
   ための粗引きラインと、ベントバルブを有し、外部より
   前記圧力センサ内に気体を注入して該圧力センサ内の真
   空を破壊するためのベントラインとを更に備えた真空成
   膜装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の真空成膜装置において、
   前記ゲートバルブの全開時の有効通路面積を前記ゲージ
   ポートの有効通路面積と略等しくした真空成膜装置。
4. 【請求項４】 真空チャンバーに圧力センサを接続した
   真空成膜装置を使用した真空成膜方法において、 前記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮
   断する工程と、 前記真空チャンバーを大気に開放して、被処理物を該真
   空チャンバー内に設置する工程と、 前記真空チャンバー内を第１の所定の真空度まで粗引き
   する工程と、 前記圧力センサと前記真空チャンバーとを連通させて、
   該圧力センサを作動させる工程と、 前記真空チャンバー内を第２の所定の真空度まで本引き
   する工程と、 前記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮
   断して、該圧力センサを不作動にする工程と、 前記真空チャンバー内の前記被処理物に所定の蒸着処理
   を施す工程と、 前記真空チャンバーと前記圧力センサとの間の連通を遮
   断した後、前記真空チャンバーを大気に開放して、前記
   被処理物を該真空チャンバーから取り出す工程と、から
   なる真空成膜方法。
5. 【請求項５】 真空チャンバーに圧力センサを接続した
   真空成膜装置において、 前記圧力センサが故障した際に、前記真空チャンバーと
   前記圧力センサとの間の連通を遮断する工程と、 前記故障した圧力センサ内を大気圧にしてから前記真空
   チャンバーから切り離す工程と、 新しい圧力センサを前記真空チャンバーに接続する工程
   と、 前記新しい圧力センサ内を所定の真空度まで真空引きす
   る工程と、 前記新しい圧力センサと前記真空チャンバーとを連通さ
   せる工程と、からなる真空成膜装置における圧力センサ
   の交換方法。