JPH0633231A - イオンスパッタリング装置 - Google Patents
イオンスパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH0633231A JPH0633231A JP19201292A JP19201292A JPH0633231A JP H0633231 A JPH0633231 A JP H0633231A JP 19201292 A JP19201292 A JP 19201292A JP 19201292 A JP19201292 A JP 19201292A JP H0633231 A JPH0633231 A JP H0633231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- vacuum
- process gas
- exhaust
- pump
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオンスパッタリング装置で、スパッタリン
グ動作時の真空チャンバ内のプロセスガスの純度を高く
保つことと、圧力を低く保つことで清浄で緻密なコーテ
ィング膜を得るとともに、これを得るために構成される
複雑な排気系の操作を自動化する。 【構成】 真空チャンバ１内の減圧を行う排気系配管３
０に油回転真空ポンプ７と、排気速度可変弁８を付属さ
せた高真空排気用のターボ分子ポンプ９とを備え、それ
らに付随する補助弁１９等を設ける。油回転真空ポンプ
７，ターボ分子ポンプ９，排気速度可変弁８，補助弁１
９及びプロセスガス供給系３１を制御回路３３により自
動制御して、真空チャンバ１を当初は粗排気状態，その
後に高真空状態，その後に放電に適した圧力のプロセス
ガス雰囲気に設定する。
グ動作時の真空チャンバ内のプロセスガスの純度を高く
保つことと、圧力を低く保つことで清浄で緻密なコーテ
ィング膜を得るとともに、これを得るために構成される
複雑な排気系の操作を自動化する。 【構成】 真空チャンバ１内の減圧を行う排気系配管３
０に油回転真空ポンプ７と、排気速度可変弁８を付属さ
せた高真空排気用のターボ分子ポンプ９とを備え、それ
らに付随する補助弁１９等を設ける。油回転真空ポンプ
７，ターボ分子ポンプ９，排気速度可変弁８，補助弁１
９及びプロセスガス供給系３１を制御回路３３により自
動制御して、真空チャンバ１を当初は粗排気状態，その
後に高真空状態，その後に放電に適した圧力のプロセス
ガス雰囲気に設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンスパッタリング装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空チャンバ内に一対の放電用電極とな
るターゲット金属と試料台とを配置し、真空チャンバ内
を排気系により放電に適した低真空状態にしつつプロセ
スガスを導入して、ターゲット金属をスパッタリング
し、このスパッタリングされたターゲット金属の原子を
試料台上の被コーティング試料の表面に付着させてコー
ティング膜を形成するイオンスパッタリング技術が周知
である。
るターゲット金属と試料台とを配置し、真空チャンバ内
を排気系により放電に適した低真空状態にしつつプロセ
スガスを導入して、ターゲット金属をスパッタリング
し、このスパッタリングされたターゲット金属の原子を
試料台上の被コーティング試料の表面に付着させてコー
ティング膜を形成するイオンスパッタリング技術が周知
である。
【０００３】このようなイオンスパッタリング装置にお
いて、従来は真空チャンバ内圧力を得るための排気手段
として油回転真空ポンプを利用していた。
いて、従来は真空チャンバ内圧力を得るための排気手段
として油回転真空ポンプを利用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
のように、油回転真空ポンプをもっぱら用いる場合に
は、真空チャンバ内の到達圧力が高く、放電を開始する
前にターゲット金属表面や真空チャンバ内壁等に吸着さ
れているプロセスガス以外の気体分子を除去することが
出来なかった。このため放電開始後に、放電に伴うイオ
ン衝撃による吸着ガスの放出が生じ、放電初期の真空チ
ャンバ内圧力の上昇とプロセスガスの純度低下を招き、
緻密で清浄なコーティング膜が得られなかった。
のように、油回転真空ポンプをもっぱら用いる場合に
は、真空チャンバ内の到達圧力が高く、放電を開始する
前にターゲット金属表面や真空チャンバ内壁等に吸着さ
れているプロセスガス以外の気体分子を除去することが
出来なかった。このため放電開始後に、放電に伴うイオ
ン衝撃による吸着ガスの放出が生じ、放電初期の真空チ
ャンバ内圧力の上昇とプロセスガスの純度低下を招き、
緻密で清浄なコーティング膜が得られなかった。
【０００５】また、油回転真空ポンプを利用しているた
め、真空チャンバ内の圧力と油回転真空ポンプ内部の圧
力差が減少してくると、油回転真空ポンプ内から作動油
分子が真空チャンバ内に逆流してしまいプロセスガスの
純度低下を招き、清浄なコーティング膜が得られなかっ
た。
め、真空チャンバ内の圧力と油回転真空ポンプ内部の圧
力差が減少してくると、油回転真空ポンプ内から作動油
分子が真空チャンバ内に逆流してしまいプロセスガスの
純度低下を招き、清浄なコーティング膜が得られなかっ
た。
【０００６】本発明の目的は、放電中のプロセスガスの
純度を高く保つと共に、真空チャンバ内圧力を常に低く
保つことを可能にして、清浄で緻密なコーティング膜が
得られるようにすることと、これにより構成が複雑にな
る排気系の操作を自動化したイオンスパッタリング装置
を提供することにある。
純度を高く保つと共に、真空チャンバ内圧力を常に低く
保つことを可能にして、清浄で緻密なコーティング膜が
得られるようにすることと、これにより構成が複雑にな
る排気系の操作を自動化したイオンスパッタリング装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、減圧可能な真空チャンバと、この真空チャンバの減
圧を行う排気系と、前記真空チャンバにプロセスガスを
供給するプロセスガス供給系とを備え、前記真空チャン
バ内に配置した一対の放電用電極となるターゲット金属
と試料台とに放電電圧を印加して前記ターゲット金属を
スパッタリングするイオンスパッタリング装置におい
て、前記排気系として、油回転真空ポンプと、排気速度
可変弁を付属させた高真空排気用のターボ分子ポンプ
と、それらに付随する補助弁とを設け、かつ、前記油回
転真空ポンプ，ターボ分子ポンプ，排気速度可変弁，補
助弁及びプロセスガス供給系を自動制御して、前記真空
チャンバを当初は粗排気状態，その後に高真空状態，そ
の後に放電に適した圧力のプロセスガス雰囲気に設定す
る制御回路を備えた。
に、減圧可能な真空チャンバと、この真空チャンバの減
圧を行う排気系と、前記真空チャンバにプロセスガスを
供給するプロセスガス供給系とを備え、前記真空チャン
バ内に配置した一対の放電用電極となるターゲット金属
と試料台とに放電電圧を印加して前記ターゲット金属を
スパッタリングするイオンスパッタリング装置におい
て、前記排気系として、油回転真空ポンプと、排気速度
可変弁を付属させた高真空排気用のターボ分子ポンプ
と、それらに付随する補助弁とを設け、かつ、前記油回
転真空ポンプ，ターボ分子ポンプ，排気速度可変弁，補
助弁及びプロセスガス供給系を自動制御して、前記真空
チャンバを当初は粗排気状態，その後に高真空状態，そ
の後に放電に適した圧力のプロセスガス雰囲気に設定す
る制御回路を備えた。
【０００８】
【作用】上記構成よりなれば、ターゲット金属・試料台
間にスパッタリング用の放電電圧を印加するに際して、
制御回路の一連の制御により、まず、真空チャンバ内を
油回転真空ポンプで粗排気（例えば１０〜３０Ｐａ）程
度にし、その後、排気速度可変弁を開度制御してターボ
分子ポンプを最大排気速度に調整して、真空チャンバ内
圧力が高真空（例えば１／１０5〜１／１０6Ｐａ程度）
になるまで排気すると、ターゲット金属表面や真空チャ
ンバ内壁等に吸着されている気体分子も放出される。
間にスパッタリング用の放電電圧を印加するに際して、
制御回路の一連の制御により、まず、真空チャンバ内を
油回転真空ポンプで粗排気（例えば１０〜３０Ｐａ）程
度にし、その後、排気速度可変弁を開度制御してターボ
分子ポンプを最大排気速度に調整して、真空チャンバ内
圧力が高真空（例えば１／１０5〜１／１０6Ｐａ程度）
になるまで排気すると、ターゲット金属表面や真空チャ
ンバ内壁等に吸着されている気体分子も放出される。
【０００９】この後、排気速度可変弁の開度制御により
ターボ分子ポンプを低排気速度に調整しつつプロセスガ
スを導入することで、真空チャンバ内圧力を放電に適し
た１〜１３Ｐａ程度に調節する。この後、放電を開始さ
せると吸着気体分子の放出や油回転真空ポンプの作動油
分子の逆流の無い純度の高いプロセスガスだけの、しか
も真空チャンバ内の圧力を低く保ったままの放電が行な
え、清浄で緻密なコーティング膜が得られる。また、上
記の一連のポンプの切り換えなどに付随する複雑な各種
の弁等の制御は、自動的に行なわれる。
ターボ分子ポンプを低排気速度に調整しつつプロセスガ
スを導入することで、真空チャンバ内圧力を放電に適し
た１〜１３Ｐａ程度に調節する。この後、放電を開始さ
せると吸着気体分子の放出や油回転真空ポンプの作動油
分子の逆流の無い純度の高いプロセスガスだけの、しか
も真空チャンバ内の圧力を低く保ったままの放電が行な
え、清浄で緻密なコーティング膜が得られる。また、上
記の一連のポンプの切り換えなどに付随する複雑な各種
の弁等の制御は、自動的に行なわれる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１，図２，図３により
説明する。
説明する。
【００１１】図１は本実施例に係るイオンスパッタリン
グ装置の構成図で、真空チャンバ１内には、一対の放電
電極となる試料ステージ２及びターゲット金属１２が配
置してある。試料ステージ２には被コーティング試料３
がセットされる。１３は上記放電電極２，１２への印加
電圧制御回路である。
グ装置の構成図で、真空チャンバ１内には、一対の放電
電極となる試料ステージ２及びターゲット金属１２が配
置してある。試料ステージ２には被コーティング試料３
がセットされる。１３は上記放電電極２，１２への印加
電圧制御回路である。
【００１２】真空チャンバ１の排気系は、排気管３０を
途中の位置だけ配管３０ａと３０ｂとに並列配置し、配
管３０ａに粗排気弁１８を設け、配管３０ｂに主排気弁
１５，排気速度可変弁８，ターボ分子ポンプ９並びにそ
れらの補助弁となるＴＭＰ補助排気弁１９を設け、さら
に配管３０ａ，３０ｂ合流点下流に油回転ポンプ７が設
けて成る。２０は、油回転ポンプリーク弁である。
途中の位置だけ配管３０ａと３０ｂとに並列配置し、配
管３０ａに粗排気弁１８を設け、配管３０ｂに主排気弁
１５，排気速度可変弁８，ターボ分子ポンプ９並びにそ
れらの補助弁となるＴＭＰ補助排気弁１９を設け、さら
に配管３０ａ，３０ｂ合流点下流に油回転ポンプ７が設
けて成る。２０は、油回転ポンプリーク弁である。
【００１３】プロセスガス供給系は、供給管３１がその
途中の一部が配管３１ａ，３１ｂに並列配置されて、配
管３１ａにプロセスガス導入量可変弁１０及びプロセス
ガス導入弁（小）１６が設けられ、配管３１ｂにプロセ
スガス導入弁（大）が設けて成る。
途中の一部が配管３１ａ，３１ｂに並列配置されて、配
管３１ａにプロセスガス導入量可変弁１０及びプロセス
ガス導入弁（小）１６が設けられ、配管３１ｂにプロセ
スガス導入弁（大）が設けて成る。
【００１４】空気供給系は、真空チャンバリーク弁１７
とその配管３２により構成される。
とその配管３２により構成される。
【００１５】３３は排気系制御回路で、図２のフローチ
ャートを実行するためのシーケンス制御モードが内蔵さ
れる。この制御モードは、後述の動作の説明で詳述す
る。排気系制御回路３３は、真空チャンバ１内の圧力を
モニタする真空計２１，２２のデータ、及び排気系通路
３０ｂの真空計２３等のデータを入力して一連のシーケ
ンス動作が実行される。
ャートを実行するためのシーケンス制御モードが内蔵さ
れる。この制御モードは、後述の動作の説明で詳述す
る。排気系制御回路３３は、真空チャンバ１内の圧力を
モニタする真空計２１，２２のデータ、及び排気系通路
３０ｂの真空計２３等のデータを入力して一連のシーケ
ンス動作が実行される。
【００１６】ここで、本実施例の動作を、図１のほかに
図２のフローチャート及び図３を参照して説明する。
図２のフローチャート及び図３を参照して説明する。
【００１７】真空チャンバ１内に、ターゲット金属１２
をセットし、及び試料ステージ２上に被コーティング試
料３を静置したら、図３に示す排気系操作パネルのＶＡ
ＣＵＵＭ ＳＥＴスイッチ４を操作して、放電時に好適
な所望の真空チャンバ内圧力（例えば１〜１３Ｐａ程
度）の値を設定する。この後、ＳＴＡＲＴ／ＳＴＯＰス
イッチ５を操作して排気系を起動させる。更に、ＥＶＡ
Ｃ．スイッチ６を操作することで真空チャンバ１内の排
気を開始させると、図２に示すフローチャートの一連の
動作がなされる。
をセットし、及び試料ステージ２上に被コーティング試
料３を静置したら、図３に示す排気系操作パネルのＶＡ
ＣＵＵＭ ＳＥＴスイッチ４を操作して、放電時に好適
な所望の真空チャンバ内圧力（例えば１〜１３Ｐａ程
度）の値を設定する。この後、ＳＴＡＲＴ／ＳＴＯＰス
イッチ５を操作して排気系を起動させる。更に、ＥＶＡ
Ｃ．スイッチ６を操作することで真空チャンバ１内の排
気を開始させると、図２に示すフローチャートの一連の
動作がなされる。
【００１８】図２のフローチャートの弁状態のモード１
では、まず油回転ポンプ７が起動を開始し、その後、タ
ーボ分子ポンプ９が起動を開始する。
では、まず油回転ポンプ７が起動を開始し、その後、タ
ーボ分子ポンプ９が起動を開始する。
【００１９】この時はＴＭＰ補助排気弁１９のみが開状
態にあり、真空チャンバ内圧力は未だ排気には移行せ
ず、モード２の後モード３になって粗排気弁１８だけが
全開となり、真空チャンバ１内の圧力が油回転真空ポン
プ７により１０〜３０Ｐａ程度の粗排気状態になる。
態にあり、真空チャンバ内圧力は未だ排気には移行せ
ず、モード２の後モード３になって粗排気弁１８だけが
全開となり、真空チャンバ１内の圧力が油回転真空ポン
プ７により１０〜３０Ｐａ程度の粗排気状態になる。
【００２０】次いで、モード４では、粗排気弁１８を全
開としつつ数十秒間プロセスガス導入弁（大）１１を開
けて、真空チャンバ１内を油回転真空ポンプ７で排気し
ながらプロセスガスを導入している。これはプロセスガ
スの純度を効率良く高めるためである。その後、再びモ
ード３に戻り、粗排気状態にすると共に、モード２，１
を経てモード５に至る。
開としつつ数十秒間プロセスガス導入弁（大）１１を開
けて、真空チャンバ１内を油回転真空ポンプ７で排気し
ながらプロセスガスを導入している。これはプロセスガ
スの純度を効率良く高めるためである。その後、再びモ
ード３に戻り、粗排気状態にすると共に、モード２，１
を経てモード５に至る。
【００２１】モード５では、主排気弁１５が全開、ＴＭ
Ｐ補助排気弁９が全開、排気速度可変弁８が全開となっ
て、排気速度可変弁８によりターボ分子ポンプ９が最大
排気速度に調整され、真空チャンバ１内が１／１０5〜
１／１０6Ｐａ程度にまで一旦降下する。
Ｐ補助排気弁９が全開、排気速度可変弁８が全開となっ
て、排気速度可変弁８によりターボ分子ポンプ９が最大
排気速度に調整され、真空チャンバ１内が１／１０5〜
１／１０6Ｐａ程度にまで一旦降下する。
【００２２】このモード５の動作により、ターゲット金
属１２表面や真空チャンバ１内壁等に吸着されている気
体分子も放出される。
属１２表面や真空チャンバ１内壁等に吸着されている気
体分子も放出される。
【００２３】次いで、モード６に移り、主排気弁１５，
ＴＭＰ補助排気弁１９が全開を保ちつつ、排気速度可変
弁８が一部開放となり、ターボ分子ポンプ９が低い排気
速度に調整されつつ、プロセスガス導入弁（小）１６が
全開、プロセスガス導入量可変弁１０が一部開放となっ
て真空チャンバ１内にプロセスガスが供給される。
ＴＭＰ補助排気弁１９が全開を保ちつつ、排気速度可変
弁８が一部開放となり、ターボ分子ポンプ９が低い排気
速度に調整されつつ、プロセスガス導入弁（小）１６が
全開、プロセスガス導入量可変弁１０が一部開放となっ
て真空チャンバ１内にプロセスガスが供給される。
【００２４】この排気とプロセスガス導入の相互の働き
により、真空チャンバ１内はＶＡＣＵＵＭ ＳＥＴスイ
ッチ４で設定した１〜１３Ｐａ程度まで再び上昇した後
安定する。この時の排気速度可変弁８とプロセスガス導
入量可変弁１０の開度は、ターボ分子ポンプ９に高負荷
を掛けず、且つプロセスガスの消費量が過大にならない
よう制御される。
により、真空チャンバ１内はＶＡＣＵＵＭ ＳＥＴスイ
ッチ４で設定した１〜１３Ｐａ程度まで再び上昇した後
安定する。この時の排気速度可変弁８とプロセスガス導
入量可変弁１０の開度は、ターボ分子ポンプ９に高負荷
を掛けず、且つプロセスガスの消費量が過大にならない
よう制御される。
【００２５】真空チャンバ１内の圧力が、放電時に好適
な１〜１３Ｐａ程度で安定したらターゲット金属１２と
試料ステージ２との間に印加電圧制御回路１３によりグ
ロー放電に必要な高電圧を印加し放電を生じさせる。グ
ロー放電により生じたプロセスガスイオンは正電荷を持
つので負極であるターゲット金属１２に向い激しく入射
し、ターゲット金属１２の表面をスパッタリングする。
スパッタリングされたターゲット金属１２の原子は、試
料ステージ２上の被コーティング試料３の表面に付着し
て行きコーティング膜を形成して行く。このコーティン
グ膜が希望の厚さに達したら、放電を停止させると共に
被コーティング試料３を真空チャンバ１内から出すため
にＡＩＲスイッチ１４を操作する。
な１〜１３Ｐａ程度で安定したらターゲット金属１２と
試料ステージ２との間に印加電圧制御回路１３によりグ
ロー放電に必要な高電圧を印加し放電を生じさせる。グ
ロー放電により生じたプロセスガスイオンは正電荷を持
つので負極であるターゲット金属１２に向い激しく入射
し、ターゲット金属１２の表面をスパッタリングする。
スパッタリングされたターゲット金属１２の原子は、試
料ステージ２上の被コーティング試料３の表面に付着し
て行きコーティング膜を形成して行く。このコーティン
グ膜が希望の厚さに達したら、放電を停止させると共に
被コーティング試料３を真空チャンバ１内から出すため
にＡＩＲスイッチ１４を操作する。
【００２６】ＡＩＲスイッチ１４を操作すると、フロー
チャートに示すように、ＥＶＡＣ．スイッチ６が解除さ
れフローチャートに示すように、まずモード１となり、
その後モード７となるように各自動弁が制御され（ここ
では、ＴＭＰ補助排気弁１９が開のほかに真空チャンバ
リーク弁１７が全開状態となる）、リーク弁１７を介し
て真空チャンバ１内が大気圧となる。
チャートに示すように、ＥＶＡＣ．スイッチ６が解除さ
れフローチャートに示すように、まずモード１となり、
その後モード７となるように各自動弁が制御され（ここ
では、ＴＭＰ補助排気弁１９が開のほかに真空チャンバ
リーク弁１７が全開状態となる）、リーク弁１７を介し
て真空チャンバ１内が大気圧となる。
【００２７】この後、被コーティング試料３を取り出し
てからＳＴＡＲＴ／ＳＴＯＰスイッチ５を操作して排気
系を停止させるか、新たな被コーティング試料３を試料
ステージ２上に静置してからＥＶＡＣ．スイッチ６を操
作することでＡＩＲスイッチ１４を解除すると共に、再
び一連の排気・コーティング動作を繰り返すのかを選択
する。
てからＳＴＡＲＴ／ＳＴＯＰスイッチ５を操作して排気
系を停止させるか、新たな被コーティング試料３を試料
ステージ２上に静置してからＥＶＡＣ．スイッチ６を操
作することでＡＩＲスイッチ１４を解除すると共に、再
び一連の排気・コーティング動作を繰り返すのかを選択
する。
【００２８】上記実施例によれば、自動的な排気制御に
より、放電に際して、予め真空チャンバ１内を高真空状
態にしてチャンバ内壁やターゲット金属に吸着した不純
分子（プロセスガス以外の気体分子）を除去した後、放
電に最適な圧力状態にするので、放電中のプロセスガス
の純度を高く保つと共に、真空チャンバ内圧力を常に低
く保つことを可能にして、清浄で緻密なコーティング膜
が得ることができる。
より、放電に際して、予め真空チャンバ１内を高真空状
態にしてチャンバ内壁やターゲット金属に吸着した不純
分子（プロセスガス以外の気体分子）を除去した後、放
電に最適な圧力状態にするので、放電中のプロセスガス
の純度を高く保つと共に、真空チャンバ内圧力を常に低
く保つことを可能にして、清浄で緻密なコーティング膜
が得ることができる。
【００２９】なお、本実施例では排気速度可変弁８とプ
ロセスガス導入量可変弁１０は全閉が出来ず、常に任意
開度〜全開状態にある弁であると仮定したため、主排気
弁１５とプロセスガス導入弁（小）１６が必要となった
が、全閉〜任意開度〜全開状態が得られる適当な弁が存
在すれば、主排気弁１５とプロセスガス導入弁（小）１
６の一方若しくはその両方を用いなくても良い。また、
プロセスガス導入量可変弁１０が全閉〜任意開度〜全開
状態が得られ、且つ全閉〜全開状態でのプロセスガス導
入量可変範囲がある程度以上広い場合は、プロセスガス
導入弁（大）１１を用いなくとも良い。
ロセスガス導入量可変弁１０は全閉が出来ず、常に任意
開度〜全開状態にある弁であると仮定したため、主排気
弁１５とプロセスガス導入弁（小）１６が必要となった
が、全閉〜任意開度〜全開状態が得られる適当な弁が存
在すれば、主排気弁１５とプロセスガス導入弁（小）１
６の一方若しくはその両方を用いなくても良い。また、
プロセスガス導入量可変弁１０が全閉〜任意開度〜全開
状態が得られ、且つ全閉〜全開状態でのプロセスガス導
入量可変範囲がある程度以上広い場合は、プロセスガス
導入弁（大）１１を用いなくとも良い。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３１】（１）放電中のプロセスガスの純度を高く
保ち、且つ真空チャンバ内の圧力を常に低く保てるの
で、清浄で緻密なコーティング膜が得られる。
保ち、且つ真空チャンバ内の圧力を常に低く保てるの
で、清浄で緻密なコーティング膜が得られる。
【００３２】（２）上記（１）の効果を得るために、構
成が複雑になる排気系の操作を自動化できる。
成が複雑になる排気系の操作を自動化できる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】上記実施例の排気系の動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図３】上記実施例に用いる排気系操作パネルの詳細図
である。
である。
１…真空チャンバ、２…試料ステージ、３…被コーティ
ング試料、４…ＶＡＣＵＵＭ ＳＥＴスイッチ、５…Ｓ
ＴＡＲＴ／ＳＴＯＰスイッチ、６…ＥＶＡＣ．スイッ
チ、７…油回転真空ポンプ、８…排気速度可変弁、９…
ターボ分子ポンプ、１０…プロセスガス導入量可変弁、
１１…プロセスガス導入弁（大）、１２…ターゲット金
属、１３…印加電圧制御回路、１４…ＡＩＲスイッチ、
１５…主排気弁、１６…プロセスガス導入弁（小）、１
７…真空チャンバリーク弁、２１〜２２…真空計、３０
…排気系配管、３１…プロセスガス供給系配管、３２…
空気供給系、３３…制御回路、３４…排気系操作パネ
ル。
ング試料、４…ＶＡＣＵＵＭ ＳＥＴスイッチ、５…Ｓ
ＴＡＲＴ／ＳＴＯＰスイッチ、６…ＥＶＡＣ．スイッ
チ、７…油回転真空ポンプ、８…排気速度可変弁、９…
ターボ分子ポンプ、１０…プロセスガス導入量可変弁、
１１…プロセスガス導入弁（大）、１２…ターゲット金
属、１３…印加電圧制御回路、１４…ＡＩＲスイッチ、
１５…主排気弁、１６…プロセスガス導入弁（小）、１
７…真空チャンバリーク弁、２１〜２２…真空計、３０
…排気系配管、３１…プロセスガス供給系配管、３２…
空気供給系、３３…制御回路、３４…排気系操作パネ
ル。
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧可能な真空チャンバと、この真空チ
ャンバの減圧を行う排気系と、前記真空チャンバにプロ
セスガスを供給するプロセスガス供給系とを備え、前記
真空チャンバ内に配置した一対の放電用電極となるター
ゲット金属と試料台とに放電電圧を印加して前記ターゲ
ット金属をスパッタリングするイオンスパッタリング装
置において、 前記排気系として、油回転真空ポンプと、排気速度可変
弁を付属させた高真空排気用のターボ分子ポンプと、そ
れらに付随する補助弁とを設け、 かつ、前記油回転真空ポンプ，ターボ分子ポンプ，排気
速度可変弁，補助弁及びプロセスガス供給系を自動制御
して、前記真空チャンバを当初は粗排気状態，その後に
高真空状態，その後に放電に適した圧力のプロセスガス
雰囲気に設定する制御回路を備えたことを特徴とするイ
オンスパッタリング装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記制御回路は、前
記真空チャンバ内や前記排気系通路の圧力状態をモニタ
する真空計を備え、この真空計のモニタ信号に応じて、
前記油回転真空ポンプによる真空チャンバ内の粗排気か
ら前記排気速度可変弁により最大排気速度に調整された
前記ターボ分子ポンプによる高真空排気を経て、更に排
気速度可変弁により低排気速度に調整されたターボ分子
ポンプとプロセスガスの導入による放電に適した低真空
状態への調整、及び真空チャンバ内への被コーティング
試料の出し入れのための空気導入（大気圧化）をシーケ
ンス制御するよう設定してあることを特徴とするイオン
スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19201292A JPH0633231A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | イオンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19201292A JPH0633231A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | イオンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633231A true JPH0633231A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16284140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19201292A Pending JPH0633231A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | イオンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633231A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11300193A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN1298885C (zh) * | 2003-12-19 | 2007-02-07 | 储继国 | 真空镀膜设备 |
| JP2007533844A (ja) * | 2003-10-15 | 2007-11-22 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 真空設備用ゲートシステム |
| JP2009511248A (ja) * | 2005-10-07 | 2009-03-19 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | ターボポンプを使用する広範囲圧力制御 |
| CN106676495A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-05-17 | 杭州电子科技大学信息工程学院 | 一种产生纯氮气等离子体的装置及其使用方法 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19201292A patent/JPH0633231A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11300193A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007533844A (ja) * | 2003-10-15 | 2007-11-22 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 真空設備用ゲートシステム |
| JP4879746B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2012-02-22 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 真空設備用ゲートシステム |
| US8136549B2 (en) | 2003-10-15 | 2012-03-20 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sluice system for a vacuum facility |
| CN1298885C (zh) * | 2003-12-19 | 2007-02-07 | 储继国 | 真空镀膜设备 |
| JP2009511248A (ja) * | 2005-10-07 | 2009-03-19 | エドワーズ・バキューム・インコーポレーテッド | ターボポンプを使用する広範囲圧力制御 |
| CN106676495A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-05-17 | 杭州电子科技大学信息工程学院 | 一种产生纯氮气等离子体的装置及其使用方法 |
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